Дислокация Число

Плотность дислокаций (число дислокаций, пересекающих единицу поверхности) в стали составляет Ш" после отжига, [c.474]

Атмосферы блокируют движение вновь образовавшихся дислокаций, число неподвижных дислокаций увеличивается по сравнению с числом неподвижных дислокаций при холодной деформации, плотность их растет, что и приводит к большему деформационному упрочнению, чем при холодной деформации с последующим нагревом до температуры 6с. [c.465]

Пластическое деформирование сопровождается увеличением числа линейных несовершенств атомной решетки или так называемых дислокаций, которые характеризуются смещением атомов. Плотность дислокаций (число линий дислокаций на 1 см поверхности) в исходном металле составляет примерно 10, а скольжение в процессе пластического деформирования приводит к увеличению плотности дислокаций до 10 ... Ю . Увеличение плотности дислокаций к появление зазубрин измельченных зерен и блоков металла повышает сопротивление дальнейшему скольжению, что объясняет увеличение прочности пластически деформированного металла. Разумеется, рост плотности дислокаций и повышение прочности не может быть беспредельным и зависит от вязкости металла. Следовательно, чем более вязкая сталь, тем большие возможности имеются для увеличения ее прочности путем пластического деформирования. [c.15]

Под действием приложенных к инструменту ультразвуковых колебаний напряжения в пластически деформируемой зоне резания приобретают пульсирующий характер. Под действием пульсирующих напряжений дислокации перемещаются (также меняя знак), отходя от препятствий и преодолевая их. В результате происходит разблокировка дислокаций, число одновременно преодолеваемых препятствий снижается, повышая подвижность дислокации. И, как следствие, происходит снижение сопротивления пластической деформации в зоне резания — снижается сила резания. [c.622]

Структурные параметры и их количественная характеристика могут трактоваться и как реальные физические объекты (например, соотношения фаз, плотность дислокаций, число и размеры микродефектов), и как некоторые обобщенные механические понятия (энергия пластического деформирования, компоненты деформации ползучести). [c.115]

Специальное рентгенографическое исследование показало, что основной процесс структурных изменений локализуется в тонких поверхностных слоях металлов толщиной от долей до нескольких микрометров. На первом этапе контактирования под влиянием внешних факторов в тончайших поверхностных слоях развивается интенсивная пластическая деформация, связанная с зарождением, размножением, перераспределением дефектов кристаллической решетки и, прежде всего, дислокаций, число которых можно приближенно оценить по параметру (/,/ц) (физической ширине линий на рентгенограмме) или по величине е (размеру блока когерентного рассеяния), характеризующей структуру металла и функционально входящей в При увеличении пути трения размер блока [c.134]

Увеличение плотности дислокаций, числа систем скольжения и двойникования при динамическом нагружении ведет к уменьшению средней длины свободного пробега дислокаций и повышению концентрации точечных дефектов в результате возрастания вероятности пересечений дислокаций п их движения с порогами. [c.205]

Кристаллизация без образования зародышей протекает на металлах-основах, имеющих дефекты кристаллической решетки. Основная роль при росте кристалла в этом случае отводится винтовым дислокациям, число которых на поверхности поликристаллического электрода может быть весьма значительным (Ю — 10 на [c.29]

При затвердевании расплава образование центров кристаллизации на более тугоплавких включениях является основным механизмом гетерогенного зарождения. При превращениях же в твердом состоянии зарождение непосредственно на поверхности включений играет, как правило, второстепенную роль по сравнению с зарождением на разного рода дефектах решетки (границах зерен, субграницах, дислокациях), число которых и протяженность обычно намного больше, чем включений. [c.140]

Механизм зарождения зон ГП слабо изучен. Плотность дислокаций в рекристаллизованном закаленном сплаве равна 10 — 10 см 2, и в случае гетерогенного зарождения на дислокациях число зон в единице сечения должно было бы характеризоваться этой величиной. В действительности же плотность выделений зон ГП (число зон в единице объема) измеряется величиной порядка 10 см , а в сечении — порядка 10 см . Считают, что для кластеров характерно главным образом гомогенное зарождение на концентрационных флуктуациях. [c.302]

Прн краевой (линейной) дислокации (рис. 1.11) в раздвинутую верхнюю часть совершенной кристаллической решетки как бы внедрена добавочная атомная плоскость PQ (экстраплоскость), перпендикулярная к плоскости чертежа. Число рядов атомов над плоскостью АС на один ряд больше, чем под ней. Край экстраплоскости называют линией дислокации, поперечное сечение которой состоит из наиболее упруго искаженной области кристаллической решетки [c.18]

В поликристаллах процесс скольжения затрудняется из-за значительного числа зерен, отличающихся величиной и формой и различно взаимно ориентированных. Во время пластической деформации поликристалла число дислокаций и других несовершенств кристаллической решетки увеличивается происходит перераспределение дислокаций и их концентрирование на границах зерен, фрагментов и блоков мозаики. Поэтому сопротивление деформации у поликристаллов значительно выше, чем у монокристаллов, а пластичность ниже. [c.81]

Следовательно, увеличение числа неоднородностей, т. е. увеличение количества примесей и числа искажений кристаллической решетки, а также измельчение кристаллических блоков упрочняют металл, создавая препятствия на пути перемещения дислокаций и блокируя их распространение. [c.172]

Существуют два основных направления повышения прочности металлов 1) устранение или уменьшение числа дислокаций (создание металлов правильного атомно-кристаллического строения) 2) увеличение числа не- [c.172]

Дислокация представляет собой энергетически неуравновешенный атомный комплекс с повышенной свободной энергией. Под влиянием внешнего силового (энергетического) воздействия она начинает двигаться к положению с наименьшей свободной энергией (стабильному состоянию). В процессах возникновения и движения дислокаций, в том числе при пластической деформации, они перемещаются к поверхности, где увеличивают плотность участков с повышенной свободной энергией, повышенной активностью, что имеет большое значение при сварке металлов давлением в твердом состоянии. [c.472]

При быстром охлаждении при закалке или в процессе сварки в металле также фиксируется неравновесная концентрация вакансий. Равновесная концентрация вакансий С р зависит от рода металла и увеличивается с температурой. При охлаждении С р уменьшается в результате аннигиляции вакансий на стоках, которыми служат внешние поверхности, границы зерен (субзерен) и дислокации. При ускоренном охлаждении С р не успевает установиться, поэтому в металле фиксируется часть числа вакансий, соответствующего более высоким температурам. На рис. 13.16 приведены расчетные значения неравновесной концентрации вакансий С в железе для условий ускоренного охлаждения при сварке (считается, что стоками служат только дислокации). [c.510]

Если целое число атомов железа не укладывается в длину окружности фуллере-на, то в структуре кластера образуется вакансия (рис. 57). При этом число вакансий будет увеличиваться от центра к периферии. Таким образом, при формировании кластера неизбежно образуются дислокации. Другого рода дислокации-двойники образуются при сопряжении кластеров. [c.80]

Увеличение числа дислокаций является структурным изменением материала. Это можно считать аналогом процессов усталости и старения биологических систем. Если стареющий организм все ближе подходит к смерти, то металл с увеличением плотности дислокаций приближается к точке разрушения. [c.107]

Увеличение числа дислокаций является структурным изменением материала. Это можно с.читать аналогом.процессов усталости и старения био- [c.282]

Бесконечное число одинаковых параллельных прямолинейных краевых дислокаций в изотропной среде расположены в одной плоскости, перпендикулярной их векторам Бюргерса, на одинаковых расстояниях h друг от друга. Найти напряжения сдвига, создаваемые такой дислокационной стенкой на рас стояниях, больших по сравнению с Л. [c.157]

Рассмотрим совокупность большого числа одинаковых прямолинейных дислокаций, расположенных параллельно друг другу в одной и той же плоскости скольжения, и выведем уравнение, определяющее их равновесное распределение. Пусть ось г параллельна дислокациям, а плоскость х, г совпадает с плоскостью скольжения. [c.169]

При т, превышающих Ткр, конфигурация становится нестабильной и дислокация самопроизвольно расширяется, занимая положения 2, 3, 4. В положении 4 части дислокационной петли С п С имеют винтовые компоненты противоположного знака, т. е. они движутся навстречу друг другу в одной и той же плоскости скольжения и взаимно уничтожаются. В результате этого происходит разделение дислокации на две внешнюю и внутреннюю (положение 5). Внешняя дислокация разрастается-до поверхности кристалла, а внутренняя занимает исходное состояние. После этого весь процесс начинается сначала и будет продолжаться до тех пор, пока приложены внешние напряжения. Число дислокаций, генерируемых источником Франка — Рида, неограниченно, но в общем случае не все внешние дислокационные петли покидают кристалл. Число дислокаций увеличивается до тех пор, пока в результате взаимодействия упругих полей дислокаций суммарное обратное напряжение не сбалансирует критическое напряжение сдвига Ткр, необходимое для действия источника. После этого источник становится неактивным. [c.111]

Как видно из рис. 4.17, для передвижения дислокации необходимо затратить сравнительно небольшие усилия, поскольку для перемещения дислокации на одно межатомное расстояние из точки Л в точку А требуется лишь незначительное смещение атомов из положений, обозначенных темными кружками, в положения, обозначенные светлыми кружками. В отличие от деформации, приводящей к скольжению в идеальном кристалле, когда все смещения должны происходить одновременно, деформация в присутствии дислокации осуществляется большим числом последователь- [c.134]

Таблица показывает, что направления векторов Бюргерса наиболее устойчивых дислокаций хорошо согласуются с направлением скольжения. Выше уже указывалось, что скольжение в кристаллах осуществляется движением дислокаций, причем в процессе скольжения могут возникать новые и исчезать старые дислокации. Поэтому важными характеристиками являются плотность и распределение дислокаций. Под плотностью дислокаций понимают количество дислокаций, пересекающих площадку в м в кристалле. Для сравнительно совершенных кристаллов металлов (после их отжига, приводящего к уменьшению числа дислокаций, поскольку они представляют собой неравновесные образования) плотность дислокаций составляет 102—jgs см 2, а после пластической деформации может достигать 10 —см" . Дислокации сильно влияют (часто ухудшая) на электрические свойства полупроводников, и поэтому разработаны специальные способы выращивания монокристаллов полупроводников с малой плотностью дислокаций вплоть до бездислокационных. [c.244]

Существует и другой способ упрочнения металлов. Оказывается, что реальная прочность металлов падает с увеличением числа дислокаций только вначале. Достигнув минимального значения при некоторой плотности дислокаций, реальная прочность вновь начинает возрастать. TaiKoro рода зависимость между реальной прочностью и плотностью дислокаций (и других несовершенств) схематически [c.68]

Плотность дислокаций экспериментально определяют путем подсчета числа вьипедших на единицу площади шлифа дислокационных линий. На рис. 12 показаны следы травления дислокаций, расиоло-ж енных по границам блоков железа. [c.24]

Это объясняется тем, что с развитием деформации возрастает число участков с повышенной плотностью дислокаций и, следовательно, увеличивается возможиость образования рекристаллизован-ных объемов. При высоких степенях де( 1ормации скорость образова- [c.58]

Второе, диаметрально противоположное направление, стремящееся к увеличению степени неоднсфодности и числа искажений кристаллической решетки, разумеется, нс позволяет приблизиться к теоретической прочности, но может существенно повысить реальную прочность технических металлов (рис. 85). Пределом является плотность дислокаций порядка 10 см , когда расстояния между дислокациями приближаются к межатомным, атомно-кристаллическая решетка сильно искажается, вследствие чего прочность падает. Первым этапом на этом пути являются легирование и термообработка, упрочняющий эффект которых в сущности сводится к увеличению плотности дислокаций. [c.174]

В холоднодеформированном металле при нагреве миграция границ зерен и изменение их размера и формы имеет свои специфические особенности. В этом случае получает развитие процесс рекристаллизации обработки или первичной рекристаллизации. Движущей силой процесса служит накопленная при пластической деформации энергия, связанная в основном с образованием дислокаций, имеющих высокую плотность (до 10"...10 см ). Рекристаллизация обработки приводит к образованию новых равноносных зерен с обновленной кристаллической решеткой. При этом свободная энергия рекристаллизованного металла становится меньше, чем деформированного вследствие уменьшения плотности дислокаций (до 10. ..10 см ). Процесс состоит из образования зародышей новых зерен и их роста. Имеется определенная аналогия с фазовыми превращениями диффузионного типа. Накопленная в объеме зерен энергия деформации примерно в 100 раз выше поверхностной энергии их границ, поэтому рекристаллизация на первых этапах может привести к образованию мелких зерен и увеличению их числа (по сравнению с деформированным металлом). [c.507]

Решение. Выбираем систему координат х, у, г так, чтобы ось г совпадала с линией дислокации (и снова пишем bz = Ь). Вектор и опять имеет лишь компоненту = и х, у). Так как плоскость х, у является плоскостью симметрии, то равны нулю все компоненты тензора ikim> У которых индекс г встречается нечетное число раз. Поэтому отличны от нуля только две компоненты тензора 0, [c.156]

Механизмы-деформационного упрочнения при усталости, в основном, такие же, как и при статическом деформировании. Все они связаны с взаимодействием движущихся дислокаций с различного рода препятствиями с другими дислокациями (или дислокационными образованиями) границами зерен неметаллическими включениями растворенными чужеродными атомами и различного рода частицами (когерентными и некогсрситными выделениями, упорядоченными фазами и т.п.). Специфика циклического деформирования связана с относительно малыми внешними напряжениями, которые повторяются большое число циклов. [c.41]

Измерения Кемпа и др. подтверждают, что сопротивление Wo, вызванное холодной обработкой, меняется как Т . Эта температурная зависимость свидетельствует о том, что рассеяние фононов происходит на отдельных дислокациях. Однако, если величину Wb сравнить с (19.15), то окажется, что число отдельных дислокаций на единицу площади, соответствующее такому теплосопротивлению, должно быть порядка 10 на 1 см . Это значение находится в противоречии с некоторыми другими оценками (см., например, [191]), к тому же оно столь велико, что само представление об изолированных дислокациях теряет смысл. Кроме того, характер температурной зависимости Wц должен измениться. Поэтому следует считать, что рассеяние происходит в основном на группах из N дислокаций одного знака. В этом случае поперечное сечение рассеяния на каждой из таких грунн пропорционально (т. е. сечение рассеяния на отдельной дислокации пропорционально. N). Чтобы согласовать значение W с другими оценками плотности дислокаций (которые дают значения 10 ), N должно быть порядка 50 или 100 [119]. [c.294]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...