Галоидные соединения

Рассмотренная интерпретация поведения теплового сопротивления подтверждается еще и результатами Бермана [5], которому удалось измерить теплопроводность кристалла LiF такой чистоты, что его тепловое сопротивление определялось целиком процессами переброса. У этого образца тепловое сопротивление экспоненциально зависело от температуры у других же кристаллов щелочно-галоидных соединений W T. [c.252]

Все кристаллы соединений щелочных металлов с галогенами, за исключением галоидных соединений цезия, имеют [c.14]

Рис. 25.21. Спектральные характеристики квантового выхода ФЭ для некоторых галоидных соединений серебра

Цирконий в виде порошка и губчатой массы адсорбирует газы даже на холоду. В компактном состоянии цирконий поглощает газы при повышенных температурах. Поглощение газов увеличивается с повышением температуры вплоть до 300—400° С, а при более высокой температуре понижается. В среде кислорода и галоидов компактный цирконий загорается при 350—400° С с образованием соответственно окисла или галоидных соединений. На воздухе компактный цирконий загорается при 600—800 С. В риде порошка он способен самовозгораться на воздухе. Сгорание порошка происходит чрезвычайно интенсивно, С ярким блеском и развитием высокой температуры. [c.472]

Чисто электрический пробой имеет место, когда исключено влияние электропроводности и диэлектрических потерь, обусловливающих нагрев материала, а также отсутствует ионизация газовых включений. Для однородного поля и полной однородности структуры материала напряженность поля при электрическом пробое может служить мерой электрической прочности вещества. Такие условия уд -ется наблюдать для монокристаллов щелочно-галоидных соединений и некоторых органических полимеров. В этом случае достигает сотен мегавольт на метр и более. [c.67]

В связи с этим представляло интерес исследование методов борирования из паровой фазы путем термического разложения или восстановления галоидных соединений бора водородом, как наиболее приемлемых для осаждения равномерных покрытий. [c.99]

Добавки анионов, отличных от анионов галоидных соединений, к дистиллированной воде имеют тенденцию уменьшать чувствительность к КР. Эффективность такого снижения зависит от чувствительности материала к КР в дистиллированной воде. Рассмотрим тот же пример, показанный на рис. 14, а, б, и эффективность влияния добавок других ионов на скорость роста трещины (рис. 15). [c.324]

Обладает значительной химической активностью, реагирует с большинством элементов, образуя окислы, сульфиды, галоидные соединения и т. п. Разлагает воду, растворяется в минеральных кислотах. Быстро корродирует на воздухе, сильно окисляется в нем при температуре выше 200 С. С водородом реагирует при комнатной температуре, еще энергичнее реагирует с повышением температуры [c.355]

Смеси щелочных галогенидов с галоидными соединениями серебра обнаруживают отчетливое отклонение от идеального поведения (табл. 14). [c.140]

Материалы для фиксирования изображений. А. Галоидные-соединения серебра. Слой эмульсии наносится на пленку из ацетат-целлюлозы обычная среда для получения изображений. Для микрофильмирования применяется высококонтрастный вариант пленки, используемой в нормальных фотокамерах. Изображение обращается при каждой операции репродуцирования, т. е. при переходе от негатива к позитиву, и наоборот. [c.117]

Наиболее подходящими для создания таких замкнутых циклов являются галоидные соединения многих элементов и особенно их йодидов (йодид натрия Nal, йодид таллия ТИ, йодид индия 1п1 и др.). [c.24]

Фториды урана. Важное значение в технологии переработки урана имеют также его многочисленные твердые галоидные соединения, особенно фториды — преимущественно тетра- и гексафториды урана. [c.154]

В силикатной магме (первоисточнике всех месторождений) уран находится в виде UO2. Для урана характерно отсутствие его природных сернистых и галоидных соединений, а также соединений с азотом, углеродом, водородом, вольфрамом, хромом и др. Зато он [c.157]

К ингибитору могут быть добавлены галоидные соединения щелочных металлов или аммония (например, KI, КВг, NH l) z = 98,7%. [c.57]

Для скользящих контактов часто на основе указанных сплавов применяют композиционные материалы со смазочным твердым наполнителем, улучшающим их антифрикционные свойства, снижающих коэффициент трения и повышающих их износоустойчивость, что снижает уровень шумов в приборах. К таким наполнителям относятся халькогениды некоторых металлов, сульфиды и селениды (вольфрама, молибдена, ниобия), галоидные соединения, в частности, фтористый кальций и графит. [c.165]

Теплопроводность некоторых щелочно-галоидных соединени . [c.309]

Другими важными галоидными соединениями титана являются йодиды TiJ, TiJj и TiJj, используемые при получении чистейшего йодидного титана, применяемого для научно-исследовательских целей. [c.357]

Металлический ванадий может быть восстановлен кальцием из окиси или получен электролизом из хлорида. Ванадий с наименьшим содержаннем кислорода получается диссоцнэцией иодида или хлорида при нагреве в вакууме. Необходимая для получения металла или его галоидных соединений окись (пя-тиокись) извлекается пиро-гидрометаллургическим путем из шлаков от плавки ванадистого чугуна на сталь. Месторождения собственных минералов ванадия редки, и основная масса ванадия добывается из железных руд. [c.493]

Влияние добавок ионов. Анионы галоидных соединений С1 , Вг , I" являются единственными ионами, которые, как было показано, или ускоряют растрескивание сплавов, чувствительных к КР в дистиллированной воде, или выявляют чувствительность сплавов, устойчивых к КР в дистиллированной воде [97, 101]. Поведение ионов фтористых соединений более сложное, оно занимает промежуточное положение между поведением ионои галоидных соединений, указанных выше, и ингибиторами, обсуждаемыми ниже. В концентрированных растворах (например, 6М КР) фтор-ионы увеличивают чувствительность к КР, в то время как при более низких концентрациях ионы Р уменьшают чувствительность к КР по сравнению с КР в дистиллированной воде, (рис. 12, 6). Добавки других анионов не дают аналогичных эффектов и могут в некоторых случаях тормозить КР [97, 101]. Примерами таких ионов являются N0 ", ОН", СгО , и РО "- [c.322]

Влияние потенциала. В этом разделе рассматрива ются только нейтральные водные растворы с высокой электрической проводимостью, содержащие ионы галоидных соединений. [c.325]

Применяется в основном в виде соединений РЬС1 ионные кристаллы применяются в полупроводниковой технике для изготовления элементов термисторов и пьеэоэлементов, благодаря способности к электронной фотопроводимости под влиянием облучения рентгеновскими лучами или потоком электронов. Галоидные соединения Rb используются в производстве специальных электронно-лучевых трубок благодаря своей способности к поглощению в возбужденном состоянии определенной части спектра. НЬ 04 (сульфат рубидия) — перспективен как полупроводниковый материал. НЬНгР04 (однозамещенный фосфат рубидия), обладающий пьезоэлектрическими свойствами, применяется для изготовления пьезоэлементов диэлектрических усилителей и деталей современных счетных машин. Соединения рубидия применяются в люминофорах, электронно-лучевых и других трубках. Соли рубидия в основном применяются для изготовления фотокатодов благодаря легкой ионизации атомов рубидия под действием волн света. Является перспективным материалом для настоящей цели, способным оттеснить цезий. Рубидиевые фотокатоды применяются и в фотоэлементах и фотоэлектронных умножителях [c.349]

Первая группа методов основана на использовании химических транспортных реакций и характеризуется тем, что кристаллизация осаждаемого металла в этом случае осуществляется из паров его галоидных соединений (иодидов или хлоридов). Для получения монокристаллов молибдена используются преимущественно, хлориды (см. главу V). В общем дислокационный механизм роста кристаллов из газовой фазы сводится к спиральному присоединению атомов на ступеньке, образованной винтовой дислокацией [21, 77, 125], и в зависимости от режима осаждения позволяет получить поли- и монокристалли-ческие осадки. Скорости химических процессов осаждения металлов в молекулярном, кинетическом или диффузионном режимах очень велики и не зависят от механизма массообмена. Характер кристаллизации и скорость роста кристаллов осаждаемого металла в основном определяется относительным пере-насыш,ением газовой фазы. Осадки в виде высокочистых монокристаллов растут при малых степенях пересыщения газовой фазы, в то время как средние степени пересыщения обеспечивают рост массивных поликристаллов. При высоких степенях пересыщения образуются порошки посредством гомогенного зарождения в газовой фазе. [c.81]

Гильдебранд и Селстром [122] установили связь между этими отклонениями и ионными радиусами. Можно напомнить, что энергия решетки щелочных галогенидов может быть с достаточной точностью вычислена из сил кулоновского взаимодействия однако энергия решетки галоидных соединений серебра значительно пре- вышает таковую для галоидных соединений щелочных металлов из-за наличия значительной поправки на энергию вандервааль-совского притяжения и на поляризационные явления [36, 251—253]. [c.141]

Кальций применяется также в качестве восстанови геля для получения ряда тугоплавких металлов, например при восстановлении окиси бериллия в присутствии меди с получением кальциевобериллиевых сплавов [1221 для восстановления молибдена из его окислов в бомбе (с применением окиси магния в качестве футеровки), давление в которой достигает 84,4 кг1см , а температура 3000° [47] для восстаноьлення фторидов, в особенности фторидов бериллия и тория, в присутствии серы с целью получения сплавов [1241 для восстановления галоидных соединений церия в присутствии иода (1261. Эти металлы содержат кальций и подвергаются в дальнейшем очистке вакуумной дистилляцией. [c.933]

Винтер [147] запатентовал метод получения таких тугоплавких металлов в реакторе, как титап или цирконий, восстановлением летучих галоидных соединений этих металлов металлом-восстановителем, особенно магнием. Он также сделал заявку на -оригинальный метод производства ниобия, гафния, молибдена, тантала и вольфрама с применением в качестве восстановителей кальция, бария, стронция, натрия, калия и лития. [c.935]

Амальгамация. Кроме БМ, амальгамируются также галоидные соединения Аи и Ag. [c.379]

Реакция между реактивом Гриньяра и галоидным соединением кремния может быть показана на четыреххлористом кремнии. Следует отметить, что в результате этой реакции получается ряд хлорсиланов, замещенных различным числом органических радикалов [c.645]

При неконтактном методе обрабатываемые изделия нагреваются до более низкой температуры, нем. насыщающий металл или его ферросплав. Контактный метод может осуществляться в герметичных или негерметичиых контей-нерах при нормальном давлении. Во избежание окисления процесс рекомендуется вести в защитной или нейтральной среде (азоте, аммиаке, аргоне и т, д.). Технология насыщения из газовой фазы обычно предусматривает одновременное лроведеиие. процесса насыщения я генерацию необходимых для цроцесса галоидных соединений диффундирующего элемента. [c.351]

Такими компонентами, наиболее широко применяемыми в практике приборо- и аннаратостроения, являются окислы кадмия, меди и свинца, металлы (никель, кобальт, вольфрам, молибден) и графит либо другие твердые смазки (сульфиды, се-лениды, галоидные соединения). [c.157]

К сожалению, ни в одной главе книги невозможно охватить все разнообразие и свойства голографических регистрирующих сред, применяемых или исследуемых в настоящее время во многих лабораториях у нас и за границей. В этом обзоре не упоминаются элек-трооптические приборы, сухое серебро, аморфные полупроводники, везикулярные пленки, диазотипные пленки, пленки со свободными радикалами и щелочно-галоидные соединения. [c.295]

Несенсибилизированные, или сине-чувстви гел ьные , эмульсии, которые реагируют на свет в ультрафиолетовой и сине-фиолетовой частях спектра, характерного для галоидного соединения серебра. [c.127]

Насыщение 1еталлической поверхности кремнием может осуществляться твердофазным [901, парофазным [58, 89, 91, 92] и газофазным методами [56, 85, 93, 94]. В последнем случае, как правило, происходит восстановление или дис-пропорциониро вание галоидных соединений кремния вблизи насыщаемой поверхности. При использовании тлеющего разряда [10—11] скорость газофазного силицирования удается повысить в несколько раз. Насыщение иоверхности металлов кремнием можно осуществлять и из жидкой фазы [13, 14, 17, 95]. В последнем случае также происходит заметная интенсификация процесса. [c.235]

ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ФОТОХИМИЧЕСКИ ОКРАШЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ [c.1]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...