Подвижность носителей тока

Подвижность носителей. Ток в полупроводниках определяется как дви- [c.354]

Приведены уравнения, описывающие в приближении двухзонной модели температурную зависимость эффективного заряда ионов металлов или компонентов однофазных сплавов, мигрирующих в процессе электропереноса, а также уравнения для температурной зависимости электропроводности. Рассмотрены случаи постоянства и изменения с температурой отношения подвижностей носителей тока обоих сортов. Изложены некоторые экспериментальные методики изучения параметров электропереноса и некоторые данные экспериментов и расчетов. Кратко-описаны уравнения, позволяющие распространить исследования на двухфазные сплавы. Библиогр. 8. [c.231]

Ш. б. обладает выпрямляющими свойствами. Ток через Ш. б. при наложении внеш. электрич. поля создаётся почти целиком осн. носителями заряда. Величина тока определяется скоростью прихода носителей из объёма к поверхности, в случае полупроводника с высокой подвижностью носителей — током термоэлектронной эмиссии. [c.467]

Поглощенная Доза Подвижность носителей тока Плотность вещества, насыпная плотность Плотность потока облучения (нейтронов электронов) [c.7]

Проводимость материала, в свою очередь, пропорциональна подвижности носителей тока (и) (средней скорости передвижения носителей в проводнике иод действием электрического поля еди- [c.268]

Подвижность носителей тока (ионов, электронов). Подвижность Ъ — величина, равная отношению направленной скорости ионов (электронов), вызванной электрическим полем, к напряженности этого поля. Подвижность показывает, на сколько возрастает скорость ионов (электронов) при увеличении напряженности поля на единицу. [c.79]

Подвижность носителей тока (ионов, электронов). Единицу подвижности найдем по формуле (9.40), положив в ней [c.175]

Перестройка кристаллической решетки в процессе нагрева меняет не только концентрацию и подвижность носителей тока, но и тип проводимости появление жидкой фазы должно в какой-та мере увеличить электропроводность исследуемой смеси [c.89]

При весьма высоких значениях вязкости жидкости образование объемного заряда в ней затруднено из-за малой подвижности носителей тока (например, ионов), в связи с чем повышается пробивная напряженность. При снижении вязкости (например, с повышением температуры) создаются благоприятные условия для образования объемного заряда и пробивная напряженность жидкости становится минимальной. При дальнейшем снижении вязкости происходит быстрое рассасывание объемного заряда за счет высокой подвижности носителей тока и пробивная напряженность вновь возрастает [Л. 2-39]. [c.47]

Малая энергия активации и высокая подвижность носителей тока (электронов и дырок) являются причинами высокой (2,5-10 ом- см ) электропроводности a-Sn. [c.243]

При вычислении подвижности носителей тока в примесном полупроводнике необходимо учитывать не только рассеяние, вызываемое колебаниями решетки, но и рассеяние на самих атомах примесей. Рассеяние на примесях в большинстве полупроводников (при достаточно малой концентрации носителей, когда они подчиняются статистике Максвелла — Больцмана, т. е. имеет место так называемый невырожденный случай) изменяется с изменением температуры. Если учитывать только рассеяние на ионизированных атомах примесей, то можно показать, что [c.162]

IJT ДЛЯ двух образцов кремния по данным Пирсона и Бардина [8]. На кривых видны два почти линейных участка, соответствующих собственной и примесной проводимостям эти линейные участки кривой хорошо описываются приведенными выше предельными выражениями для удельного сопротивления р. В каждой из этих областей изменение удельного сопротивления р с температурой определяется прежде всего экспоненциальным сомножителем, описывающим активацию носителей и переход их через запрещенную зону. Следует отметить, что при переходе от примесной к собственной проводимости в результате повыщения температуры часто наблюдается область, где удельное сопротивление возрастает с ростом температуры. В этой температурной области концентрация носителей тока почти постоянна, все донорные или акцепторные примеси оказываются ионизированными и изменение удельного сопротивления с те.м-пературой определяется изменением подвижности носителей тока. [c.164]

Но /э > /д, так как подвижность электрона больше подвижности дырки. Подвижность носителя тока есть отношение скорости перемещения электрона или скорости перемещения дырки Од, к напряженности электрического поля Е в полупроводнике. Тогда подвижность электрона Лэ == Vэ/E подвижность дырки р,д = vJE. Таким образом, подвижность показывает, какой путь проходит за одну секунду электрон или дырка при Е = 1В/см. Учитывая изложенное, можно написать выражения для электронного и дырочного токов [c.89]

Подвижность носителей тока есть отношение скорости направленного движения электрона или дырки к величине напряженности электрического поля в полупроводнике, равной 1 в см, т. е. [c.243]

Увеличение концентрации и подвижность носителей тока при замещении кислорода серой в никелевом феррите приводит к увеличению междоузельных дефектов типа внедрения, действующих на примесные (донорные) центры. При больших замещениях кислорода серой число таких примесных центров растет, и происходит перекрытие их волновых функций и образование примесной зоны. В результате локализованные примесные уровни коллективизируются, что приводит к увеличению подвижности и концентрации носителей тока. [c.61]

С целью получения новых магнитных полупроводниковых. материалов со сравнительно высокой подвижностью носителей тока, а также для получения дополнительных данных об электронной прово- [c.222]

Качественный характер изменения пирографита может быть объяснен изменением соотношения концентрации и подвижности носителей тока с ростом температуры. Уменьшение Ра от комнатных температур с ростом температуры связано с преобладающим влиянием роста концентрации носителей тока. Здесь существенную роль играют границы кристаллитов и другие несовершенства кристаллической структуры. При температурах, превышающих температуру минимума, увеличение электросопротивления связано с преобладающим влиянием теплового рассеяния. [c.75]

Если выразить тензор проводимости через тензор подвижности носителей тока и их плотность с помощью выражения [c.195]

Подвижность носителей тока при наличии примесей. При [c.398]

Бориды обладают ярко выраженными металлическими свойствами — малым электросопротивлением, высокой подвижностью носителей тока, малой величиной термо-э. д. с. их структура подобна структуре металлов. По Кислингу [19] эти соединения характеризуются прочными связями между атомами бора, причем стремление к образованию и усилению этих связей увеличивается с повышением содержания бора в боридных фазах. [c.410]

А. э, применяется для измерения интенсивности УЗ-излучения, частотных характеристик УЗ-нреобра-зователей, а также для исследования электрич. свойств полупроводников измерения подвижности носителей тока, контроля неоднородности электронных параметров, примесных состояний и др. [c.52]

В твёрдых диэлектриках при отклонении системы фононов от равновесия время релаксации связано с i временем жизни фононов т, = Зх/Сс, где х — коэф. теплопроводности, С — теплоёмкость решётки, с — ср. значение скорости звука, т, — i/T при темп-ре Т порядка и выше дебаевской. При распространении звука в пьезополупроводниках частота релаксации Юр растёт с ростом проводимости кристалла И уменьшается с ростом темп-ры и подвижности носителей тока, а величина дисперсии скорости звука определяется коэф, электромеханич. связи. Дислокац. поглощение звука в Монокристаллах также имеет релаксац. характер, причём время релаксация зависит от длины колеблющегося отрезка дислокации, вектора Бюргерса и постоянных решётки.. Релаксац. процессы имеют место также в полимерах, резинах и разл. вязкоупругих средах, в этих веществах наблюдается значит, дисперсия скорости звука, связанная с релаксацией механизма высокой эластичности. [c.330]

Измерение напряженности магнитного поля с использованием эффекта Холла [32]. В качестве материалов для датчиков Холла используются полупроводники, обладающие большой подвижностью носителей тока (Те. В1, Не, HgTe, 1пАз, 1п8Ь). [c.307]

Ом см при дрейфовой подвижности носителей тока 10 mVB - с. В работе [36] установлено, что в НБС при температурах до 300 °С электропроводность носит электронный характер, значения энергии активации зависят от степени восстановления и лежат в интервале 0,260,63 эВ. Уменьшение энергии активации с ростом концентрации кислородных вакансий объясняется взаимодействием между дефектами структуры [37]. [c.116]

Электрическое сопротивление Удельное сопротивление Электри ческая проводимость Удельная электрическая проводимость Температурный коэффициент сопротивления Подвижность носителей тока (ионов, электронов) Эмиссионная постоянная [c.232]

Подвижность носителей тока (нонов, электронов). , [c.272]

Описанные выще процессы относятся к полупроводнику с так называемой собственной проводимостью. Проводимость идеально чистых образцов германия и кремния должна быть собственной проводимостью. Для таких материалов при подсчете подвижностей носителей тока должно учитываться только рассеивание на тепловых колебаниях рещетки. Найдено, что и пропорциональны Г / . Поэтому удельное сопротивление должно описываться выражением р = где А — постоянная. [c.161]

Общим свойством для полупроводников является то, что они обладают электронной и дырочной проводимостью. Под действием Ериложенного к полупроводнику напряжения свободные электроны перемещаются в одном направлении, а образовавшиеся в результате освобождения электронов дырки (в атомах) движутся в противоположном направлении. Дырка рассматривается как положительно заряженная частица, заряд которой равен заряду электрона. Движения электронов и дырок, а следовательно и величина тока в полупроводниках, определяются значениями их подвижностей (ч). Подвижность носителей тока есть отношение скорости движения электрона или дырки к величине напряженности электрического поля в полупроводнике, т. е. [c.306]

С целью создания новых магнитных полупроводниковых материалов со сравнительно высокой подвижностью носителей тока, а также для получения дополнительных данных об электронной проводимости в ферритах-шпинелях нами на основе халькогенидов и окислов переходных металлов получена система (NiS)j (Ni0)i , Fe203, где x = 0 0,001 0,01 0,1 0,3 0,5 1,0. Исследованы ее физико-химические и физические свойства и измерены электрические параметры в широком температурном интервале (100—700 °К). [c.59]

В качестве сцглиплляторов в С. с. применяются неорганические и органич. кристаллы, органич. жидкости и пластмассы, а также благородные газы. Световые вспышки в сцинтилляторе возникают при высвечивании электронных возбужденных состояни11, образующихся под действием иопизпрующе частицы. В действительности механизм люминесценции довольно сложен II не одинаков для различных сцинтилляторов [1]. Так, напр., в кристаллич. сцинтилляторах выделившаяся при попадании ионизирующей частицы энергия быстро передается подвижным носителям тока электронам проводимости, дыркам и экситонам. Носители энергии мигрируют по кристаллу, пока не происходит захват их дефектами кристаллич. решетки. Дефекты кристаллов можно разделить на две группы центры люминесценции и центры ног-лощения (тушения), в к-рых энергия, выделяющаяся при захвате носителя, рассеивается без высвечивания. Отсюда видно, что во вспышке люминесценции выделяется лишь часть энергии, потерянной в сцинтилляторе прошедшей через него частицей. Для того чтобы вспышки люминесценции можно было регистрировать в толстых слоях сцинтиллятора, они должны быть прозрачны для собственного свечения. [c.108]

Смотреть страницы где упоминается термин Подвижность носителей тока : [c.33] [c.284] [c.17] [c.46] [c.587] [c.498] [c.56] [c.103] [c.71] [c.337] [c.151] [c.43] [c.37] [c.38] [c.88] [c.1649] [c.82] [c.379] [c.398] [c.653] [c.304]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...