Скользящие электроны

Перемешивание скользящих электронов [c.69]

Термин скользящие электроны возник в связи с анализом движения электронов металла во внешнем магнитном поле. Пусть магнитное поле направлено вдоль поверхности металла и электрон движется в плоскости, перпендикулярной магнитному нолю. Тогда те электроны, которые находятся вдали от поверхности, совершают ларморовское вращение. Электроны, расположенные вблизи поверхности, совершают дрейф ( скользят ) вдоль поверхности. Характер дрейфа зависит от ее свойств, т. е. от вида столкновения электрона с поверхностью. На рис. 3.3 взаимодействие скользящих электронов с плоской поверхностью такое же, как и при абсолютно упругом ударе. [c.69]

Итак, нам удалось не только связать задачу об ускорении Ферми с задачей о скользящих электронах, по и показать, что они являются некоторыми вариантами задачи о движении в пространстве отрицательной кривизны. В связи с этим следует утверждение о существовании разделения фазового пространства системы на области регулярного и стохастического движения. Определим такую границу для скользящих электронов [73]. [c.70]

Из анализа классических Я-систем мы уже видели, что в случае стохастичности имеется по крайней мере одна переменная ( ), ио которой происходит быстрое перемешивание. Наиболее удобными для иллюстрации являются отображения в задачах с биллиардами (см. уравнения (3.3.3) и (Д1.4)). Параметр растяжения К является функцией энергии (см., например, уравнения (3.3.5) и (3.3.2) в задаче о скользящих электронах). Поэтому возмущение Е на величину АЕ приводит, вообще говоря, к возмущению начального условия на величину [c.227]

Определение распределения энергетических уровней мп стохастическом разрушении интегралов движения было начато в работе [73] для моде.1и скользящих электронов и продолжено в работе [136]. Обзор исследований этой проблемы содержится в [137], [1.38]. [c.242]

Рассмотрим сначала биллиард в форме, изображенной на рис. Д1.2, причем являются ли дуги выпуклыми или вогнутыми, несущественно в дальнейшем. Уравнение кривой, представляющей дугу биллиарда, запишем аналогично тому, как это делалось в 3.3 для скользящих электронов [c.245]

Сепаратрисы разрушение 97—92 Символическая динамика 101, 102 Синус-преобразование 84 Скользящие электроны 69 Сложности системы понятие 217 Сокращение описания 104 [c.271]

Перейдем теперь непосредственно к задаче о проникновении поля при аномальном скин-эффекте. Здесь мы имеем дело с задачей о полупространстве, которую надо решать с учетом граничных условий на поверхности металла. Граничные условия для функции распределения зависят от физических свойств поверхности по отношению к падающим на нее электронам. Существенно, однако, что в данном случае в создании тока участвуют в основном лишь электроны, летящие почти параллельно поверхности металла (о них говорят как о скользящих электронах). Для таких электронов закон отражения в значительной степени не зависит от степени совершенства поверхности металла и близок к зеркальному, т. е. электроны отражаются с изменением знака нормальной к поверхности компоненты скорости V при неизменных тангенциальных составляющих (чтобы не прерывать изложение, более подробное обсуждение этого вопроса перенесем в конец этого параграфа). [c.441]

Можно показать, что отражение скользящего электрона с подавляющей вероятностью происходит именно с таким изменением квазиимпульса. Более того, это утверждение остается в силе и при отражении от несовершенной поверхности, содержащей [c.445]

Большой интерес поэтому представляют методы, не требующие снятия слоев. Данные о структуре металла на разной глубине можно получить путем изменения проникающей способности рентгеновских лучей разной длины волны и изменения угла падения лучей на исследуемую поверхность. В [43] был разработан метод исследования структуры твердых тел, получивший название метода скользящего пучка рентгеновских лучей, который позволяет исследовать предельно тонкие слои металла (толщиной 10" — 10" см), занимающие промежуточное положение в случае применения стандартных рентгеновских методик и обычных электронных пучков в методе электронографии. Таким образом, представляется возможность исследовать структурные изменения по глубине металла без какой-либо дополнительной обработки поверхности, неизбежно искажающей результаты исследования, и получить сведения о структуре и свойствах приповерхностных слоев металла, которые до сих пор фактически отсутствуют. [c.18]

Промежуточное место занимают комплексно автоматизированные технологические процессы с вмонтированными на линии датчиками, с электронными статистическими анализаторами, обеспечивающими сигнал о необходимости вмешательства при отклонении от нормы параметров распределения признака качества или величин, характеризующих состояние технологической системы. Здесь налицо проблема оптимизации выбора решения на основе вероятностной информации, но с особыми возможностями в смысле сроков выборочных проверок, вплоть до непрерывного вычисления накопленных средних, скользящих средних, средних квадратических отклонений по накопленным данным, корреляционной функции и пр. (в зависимости от особенностей процесса). [c.246]

Возбуждение или ионизация партнеров по столкновению не влияют на динамику рассеяния и должны учитываться лишь как первопричина потерь энергии движущейся частицы. Это допущение можно считать справедливым, если энергия, переданная электронам, мала по сравнению с изменением кинетической энергии сталкивающихся атомов (т. е. рассеяние почти упругое) либо если столкновение было скользящим. В обоих случаях взаимодействие с электронами оболочек может быть учтено отдельно, как специфический механизм диссипации энергии. Изучение атомных столкновений в газах в области энергий порядка нескольких килоэлектронвольт свидетельствует о справедливости данного допущения в этом случае энергия, переданная электронам, оказывается порядка нескольких процентов переданной кинетической энергии. Мы полагаем, что аналогичное соотношение выполняется и в случае взаимодействия атомов в твердом теле. [c.23]

По типу применяемого электрода различают аппараты для ЭШС электродными проволоками, пластинчатыми и ленточными электродами, а также плавящимся мундштуком. По числу электродов и способу их подключения к источнику питания аппараты могут быть одно- или многоэлектродными, однофазными или трехфазными. По наличию устройств для перемещения вдоль свариваемых кромок аппараты делятся на самоходные (рельсовые и безрельсовые) и подвесные. В зависимости от способа принудительного формирования шва бывают аппараты со скользящими ползунами или с переставляемыми накладками. Например, аппарат рельсового типа А-535 обеспечивает вертикальное перемещение формирующих ползунов по мере образования шва и поперечные колебания электродов в сварочной ванне. Его применяют для сварки прямолинейных и кольцевых швов стыковых и угловых соединений проволочными и пластинчатыми электродами. На базе этого аппарата создан автомат АШ-112 с тремя индивидуальными приводами подачи проволоки. Он обеспечивает механизированное изменение сухого вылета электрода в процессе сварки и имеет систему автоматизированного контроля режимов сварки на базе микропроцессора с электронным программатором, а также индикатор уровня сварочной ванны. [c.217]

Конструктивные особенности описанных выше стендов рассмотрим на примере установки, представленной на рис, 3.6, а [29, 100]. Жесткие обоймы 11 и 14 связаны между собой тремя колонками 12, являющимися одновременно динамометрическими элементами. В средней части колонок размещены тензодатчики 13. Динамометры изолированы с помощью текстолитовых втулок 10 и прокладок 5. При сборке стенда обоймы устанавливают строго параллельно (допуск 0,02 мм на диаметр шайбы 420 мм) н фиксируют гайками. Настройку заданной жесткости испытаний выполняют с помощью сменных мембран 8 соответствующей толщины, которые центрируют в специальных отверстиях обойм И. В каждой мембране имеются соосные отверстия для крепления переходных втулок 7. Цилиндрическую головку образца 1 крепят во втулках с помощью полуколец 3, гайки 2 и стопорной гайки-втулки 6. В верхнюю переходную втулку 7 головка образца входит по скользящей посадке, а в нижнюю — с зазором, который предусмотрен для устранения возможной несоосности при монтаже образца. В головки образца ввернуты медные токоподводящие стержни 5, к которым припаяны медные шайбы 16, служащие для крепления токоподводящих шин 4. На медные стержни навернуты штуцера 17 для подвода (при необходимости) охлаждающей среды к образцу. Термическим циклом нагрева-охлаждения управляют с помощью термопары 18, которую подключают к регулирующему прибору 20, а для записи цикла темпера-туры — к электронному потенциометру 19. Запись осуществляется самописцем 15, например по методике работ [96, 104]. [c.132]

НОЙ ИСТОЧНИК ошибок при таком (методе градуировки — отсутствие статистического распределения атомов по уровням энергий, что становится существенным, поскольку уровни тонкой структуры для Н и Не II в условиях эксперимента не разрешены. Так, например, в полом катоде возможны значительные отступления от равновесных заселенностей, так как при концентрациях электронов 10 см и давлениях р>1 тор решающее влияние на распределение атомов по близлежащим уровням оказывают атомные столкновения. Это означает, что распределение по уровням тонкой структуры определяется температурой газа [58а]. Отсюда следует, что даже при расстояниях между подуровнями 0,01 эв могут быть заметные отступления. Менее вероятно отсутствие статистического распределения по уровням энергии в таких источниках, как, Стелларатор [54], Зета [55], скользящая искра [58]. [c.245]

Роль эталонного источника может играть тормозное и рекомбинационное излучения в скользящей искре в парах лития [92]. При давлениях 10 тор осуществляется импульсный пробой в капилляре из LiH ( /=40 кв, С=0,3 мкф). Из измерений Е инфракрасной и видимой областях спектра находится электронная температура, равная 190 000°К и электронная концентрация л 6- 10 см . [c.251]

Получены также кривые зависимости изменения работы выхода электрона с температурой при окислении на воздухе ванадия, ниобия, тантала, металлического урана, ряда сплавов, применяющихся при изготовлении слаботочных скользящих контактных пар и др. [c.103]

Из опыта хорошо известно, что может оказаться так, что электронные дифракционные картины, как на прохождение, так и на отражение, дадут меньше информации о симметрии, чем мы получили бы в случае кинематического рассеяния, поскольку присутствие систематических погасаний, ожидаемое при наличии винтовых осей или скользящих плоскостей, уже не будет очевидным. Запрещенные отражения иногда могут оказаться такими же сильными, как и разрешенные . [c.349]

Рис. 3.3. Скользящие электроны. Рис. 3.4. Дрейф электронов вдоль неоднородной поверхности а) скользящие б) катящиеся электронь

Рис. 3.5. Выбор переменных для х. Обратимся к задаче о гра- скользящих электронов. витационной машине. Нетрудно

Величина onst в формуле (5.12) может зависеть от Е. Для ее вычисления необходимы не только более строгие методы, но и большая детализация модели. Для скользящих электронов, например, получено [73] onst 1/2. [c.229]

Дальнейший анализ аналогичен способу решения задачп о скользящих электронах. Введем координаты (жп, О ) так, как это показано на рис. Д1.5. Тогда [c.246]

С использованием методов растровой электронной микроскопии, метода скользящего пучка рентгеновских лучей и измерения микротвердости исследованы процессы самоорганизации дислокационной и субаереиной структуры в приповерхностных слоях и внутренних объемах технически чистого рекристаллизованного Мо при статическом растяжении и влияние магнетроиного покрытия Мо-45, 8Re-0,017 на особенности протекания этих процессов вблизи поверхности. Исследования проводили на образцах, растянутых до деформаций, соответствующих пределу пропорциональности, нижнему пределу текучести н пределу прочности. [c.185]

ЭЛЕКТРбДЫ ПЛАЗМЕННЫЕ—плазменные поверхности, образующиеся непосредственно у поверхности электродов катодов и анодов) и обладающие повышенной электронной эмиссией. Очень часто Э. п, образуются при взрывной электронной эмиссии и в случае приповерхностных электрич. разрядов (искровых, скользящих, коронных и т. д.), Э. п,, возникающие в случае скользящего по поверхности диэлектрика разряда, широко используются для организации объёмных однородных сильноточных разрядов в газовых средах повышенного давления. Такой способ организации объёмных разрядов относительно прост, т. к, при скользящем разряде возникает плазменное образование большой площади 60х200см ) при относительно низких напряжениях ( 100 кВ). Объёмные газовые разряды с Э, п, характеризуются повышенной устойчивостью при давлениях >1 атм. Это объясняется тем, что повышенная концентрация электронов создаётся непосредственно вблизи электродов, что предупреждает возникновение в приэлектродных областях к,-л. неустойчивостей (тепловых, ионизационных и др.). Повышенная излучат, способность скользящего разряда в области вакуумного ультрафиолета приводит к интенсивной фотоионизации в газовом объёме, что повышает уровень нач. концентрации электронов. Кроме того, плазма скользящего разряда, через к-рую замыкается ток объёмного разряда, играет стабилизирующую роль за счёт собственного активного сопротивления. [c.533]

Анализ энергетич. спектров неупруго рассеянных электронов составляет основу спектроскопии характеристических потерь энергии электронов, исследующей коллективные (плазменные) и одночастичные возбуждения валентных электронов с энергией до < 50эВ, и ионизационной спектроскопии, изучающей возбуждение и ионизацию электронов внутр. оболочек атомов (электронов острова) в диапазоне потерь энергии —5000 эВ. В зависимости от используемой энергии первичных электронов в Э. с. (и в дифракции электронов) различают два случая. Если энергия лежит в интервале от десятков до 100 кэВ, то регистрируются либо электроны, прошедшие сквозь тонкий слой вещества, когда получаемая информация характеризует его объёмные свойства, либо электроны, отражённые от поверхности под скользящими углами. Обычно при этом аппаратуру совмещают в одном приборе с электронным микроскопом [5 ]. В области низких и ср. значений энергии (не превосходящих неск. кэВ) используется геометрия эксперимента на отражение. В этом случае получают информацию о структуре и свойствах приповерхностного слоя, толщина к-рого примерно равна длине свободного (по отношению к неупругому взаимодействию) пробега электрона X. При энергии электронов 50—100 эВ, когда X, составляет неск. моноатомных слоев, достигается наиб, чувствительность метода к свойствам поверхности. При большей и меньшей энергии глубина зондирования возрастает. [c.553]

Одновременно развивалась традиционная оптика скользящего падения. Возникли новые оптические элементы нормального падения многослойные зеркала, а также прозрачные дифракционные элементы — френелевские пластинки и пропускающие решетки. Производство их основывается на последних достижениях технологии электронной и оптической промышленности создании и обработке сверхгладких и асферических поверхностей (алмазное точение, глубокое полирование, методы репликации), микролитографии и технике нанесения тонкопленочных многослойных покрытий. Наиболее активно и успешно новые оптические элементы МР-диапазона начали применяться в космической физике, микроскопии, диагностике плазмы, микроанализе. Фундаментальные проблемы этих направлений останутся, по-видимому, в ближайшее время главными стимулами развития оптики мягкого рентгеновского диапазона. [c.5]

Теперь остановимся на определении Пе (/). Значение этой величины определяется в блоке разрядный контур системой уравнений (2.20). Связь этих уравненйй с системой основных уравнений (2.22), описывающих генерацию, будет определяться выбранным типом разряда. В нашем конкретном примере основным возбуждающим разрядом является несамостоятельный разряд с предьюнизацией от УФ излучения скользящего (вспомогательного) разряда. Для значения E/N (или Е/р), определяющего область несамостоятельного разряда в молекулярных смесях СО2—N2—Не, как показывает анализ литературы [128], дрейфовую скорость электронов = [leE, где ie — подвижность электронов, а Е — напряженность электрического поля, можно считать практически постоянной в широком диапазоне изменений компонент лазерной смеси, что дает возможность записать [c.69]

Развитие теоретических представлений и углубление знаний в области трения и изнашивания материалов во многом йависят от уровня экспериментальных исследований в этой области. Этот уровень, в свою очередь, определяется возможностями существующих методов исследования структуры и свойств поверхностей трения. В настоящей главе рассмотрены физические методы, используемые при анализе поверхностей трения. К ним относятся в первую очередь традиционные оптическая и электронная микроскопии, рентгеновская техника, электронография и спектроскопия. Особый интерес для исследования поверхностей трения представляют методы, не вызывающие нарушения, исследуемых поверхностей. В этой связи большое внимание уделено рентгенографическому методу скользящего пучка лучей, который специально разработан для анализа поверхностей трения и в силу ряда преимуществ (возможность послойного исследования в диапазоне толщин 10" —10" м, в котором локализуются основные процессы при трении., проведение исследований без дополнительной подготовки поверхности, неизбежно искажающей экспериментальные результаты), а также большой информативности самого рентгенографического метода является перспективным в оценке структурных изменений металлов и сплавов, деформированных трением. [c.58]

П И1 таких гомологических температурах, когда возлит практически не происходит, скорость скольжения можно измерить в процессе деформирования каким-либо способом хорошо отожженных монокристаллов. Первыми такие измерения провели Джонсон и Гилман [39] на монокристаллах фторида лития, а позже Стейн и Лоу [40] на монокристаллах твердого раствора Fe - 3Si. Методика измерений, примененная этими авторами, не может быть использована при высоких гомологических температурах, главным образом, потому, что при таких температурах дислокации могут перемещаться не только скольжением, но и переползанием. Методы высоковольтной просвечивающей электронной микроскопии позволяют наблюдать движение дислокаций непосредственно в процессе ползучести (in situ) при гомологических температурах выше 0,5, что в принципе дает возможность измерить скорость перемещения дислокаций при скольжении, В опубликованных до сих пор работах (например, [41, 42]) не удалось, однако, отличить дислокации, движущиеся скольжением, от дислокаций, перемещающихся переползанием. Следовательно, даже эта методика не дает надежной возможности измерения скорости скользящих дислокаций при ползучести. [c.28]

Оценка коэффициента отражения зеркала при скользящем падении может быть сделана на основании формул электромагнитной теории света, связывающих угол полного внутреннего отражения с концентрацией электронов в отражающем веществе. (Речь идет, разумеется, об электронах, принимающих участие в дисперсии.) Оказывается, что для данной длины волны критический угол возрастает как С — концентрация элексро-нов). Или, иначе говоря с увеличением С при данном угле падения можно наблюдать излучение с более короткой длиной волны. Из этих соображений следует, что в условиях скользящего падения выгоднее всего покрывать решетку платиной или золотом, для которых С велико. Наоборот, для углеводородов С мало, поэтому коэффициент отражения решетки уменьшается при осаждении на ее поверхности паров масла. Это заставляет считать более целесообразным применение ртутных диффузионных насосов, а пе масляных [23]. Рассчитанные по электромагнитной теории значения углов полного внутреннего отражения согласуются с экспериментальными данными. [c.133]

Л е — электронная плотность, —концентрация данного иона, X — коэффициент возбуждения (слг -сек ), Лр, — вероятность спонтанного перехода (сек ), L — геометрический фактор, зависящий от размеров плазмы и апертуры спектрометра. Измерения велись на установке Зита . Произведение МеП Ь определялось из измерений континуума в видимой области спектра, г+ — общее число положительных ионов. Континуум связан с рекомбинационным и тормозным излучениями, возникающими при взаимодействии электронов с положительными нонами водорода, которые являются основой плазмы. Отношение 4/% было определено из известного процентного содержания азота (0,25%), прибавленного к водороду, и из решения уравнения ионизации для азота Те определялось по рассечению лазерного излучения. Линии КУ измерялись с помощью двух монохроматоров скользящего и нормального падения. Они градуировались с помощью монохроматора Эберта, регистрирующего видимую часть спектра. Для градуировки использовался метод двух пар линий. Ошибка в определении интенсивностей линий составляла коло 30%, но основная ошибка была обусловлена трудностью определения роли примесей, попадающих со стенок. Примеси искажают абсолютную величину сечения, но не его относительную величину. Яркость линий ЫУ возрастает по мере горения разряда в два раза. При вычислениях вводилась соответствующая поправка. Сечения возбуждения, найденные экспериментально, довольно хорошо согласуются с теоретическими расчетами для 7е=2,Ы0 °К (табл. 9.1). Наблюдаются отклонения от теоретических результатов в пределах 20—30% [c.361]

В этих работах исследовалось свечение в видимой и инфракрасной областях спектра в зависимости от энергии и угла падения электронов для большого числа металлов и диэлеетриков (обзор ранних экспериментов содержится в статье Франка [65.1]). Оказалось, что в основном экспериментальные результаты превосходно согласуются с теорией переходного излучения. Однако при скользящем падении наблюдается значительное увеличение (до одного-двух порядков) интенсивности излучения. Эта аномалия особенно подробно исследовалась группой ереванских физиков. Было установлено, что аномальная часть излучения является неполяризованной и обусловлена шероховатостью поверхности. [c.21]

Некоторые результаты теории ждут своего экспериментального исследования. К ним относится, в частности, образование лауэграммы динамических максимумов квазичеренковского излучения заряженной частицей в монокристаллах. Вместе с тем имеется ряд экспериментальных фактов, которые пока еще не получили теоретического объяснения, таких как, например, результаты эксперимента Друкье, Юаня и др. с перегретыми сверхпроводящими гранулами, аномально интенсивное оптическое излучение при скользящем падении электронов на металлическую поверхность и др. [c.291]

Арутюнян Ф. Р., Мхитарян А. X., Оганесян Р. Л. и др. Излучение электронов, движущихся к поверхности серебра под скользящими углами. Излучение на неровностях поверхности.—Оптика н спектроскопия, [c.310]

Пучок электронов с энергией 50 кэБ падает на плоскую поверхность совершенного монокристалла MgO при скользящем угле падения в несколько градусов. Предположив, что средний внутренний потенциал (ро=13,5 В, найти выражение для изменения угла падающего пучка, когда он входит в кристал51. Когда поверхность параллельна плоскости 220, найти ориентацию падающего и дифрагированного пучков снаружи кристалла при точных условиях Брэгга для отражений 220 и 440. Положив сраао =5,0 В и 44о = .6 В, найти угловую ширину кривой этих отражений в двухволновом приближении. [c.213]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...