Спектроскопия характеристического

ДПМ — десорбция поверхностных молекул СХИ — спектроскопия характеристического излучения СПП — спектроскопия пороговых потенциалов [1, с. 60—101]. [c.152]

Спектроскопия характеристического излучения (СХИ) 2 118 [c.459]

В настоящее время после установления методов рентгеновской спектроскопии понятие жесткости рентгеновского излучения может быть заменено более определенным понятием длины волны. В соответствии с этим характеристическое излучение данного вещества мы определяем как излучение, имеющее определенную длину волны. . [c.413]

По многим вопросам, касающимся ИК-спектроскопии, в настоящее время имеется достаточное количество хороших книг и статей, однако это не делает небольшую монографию Кросса менее полезной, поскольку в ней кратко рассмотрены все существенные элементы теории, техники измерений и применения метода, очень важные для большинства химиков-органиков. Автор собрал также необходимые литературные данные о характеристическом поглощении, удачно выбрав и приведя их в удобной для использования форме. Я уверен, что книга будет интересной для широкого круга исследователей и студентов. [c.8]

В последние два десятилетия мы явились свидетелями того, что инфракрасные спектрофотометры стали совершенно необходимыми приборами во всех отраслях химии. Широко применяясь в исследовательских, аналитических и промышленных лабораториях, инфракрасная спектроскопия с некоторым запозданием начинает вводиться и в студенческие программы, что, несомненно, оудет практиковаться все шире и шире по мере появления недорогих, устойчивых в работе приборов. Данная книга поможет прежде всего химикам-органикам, которые еще незнакомы с ИК-спектроскопией, хотя может служить также удобным справочником по технике эксперимента и характеристическому поглощению соединений для исследователей, уже работающих в этой области. [c.9]

Здесь включено большинство характеристических полос поглощения соединений, интересующих органиков, а также соединений фосфора, бора и кремния и неорганических ионов, которые тоже могут многих интересовать. Все приведенные полосы поглощения лежат в области 4000—600 сж (2,5—16,7 х), так как, хотя есть уже много приборов, удовлетворительно работающих в более широкой области, твердо установленных структурных корреляций вне указанных пределов пока еще сравнительно мало. Быстрое и непрерывное развитие теоретической и практической спектроскопии позволяет предположить, что уже в ближайшее десятилетие возможно расширение практически используемой области до пределов 10 000—300 см (1—33 ц) с установлением многих новых ценных корреляций. [c.75]

Анализ энергетич. спектров неупруго рассеянных электронов составляет основу спектроскопии характеристических потерь энергии электронов, исследующей коллективные (плазменные) и одночастичные возбуждения валентных электронов с энергией до < 50эВ, и ионизационной спектроскопии, изучающей возбуждение и ионизацию электронов внутр. оболочек атомов (электронов острова) в диапазоне потерь энергии —5000 эВ. В зависимости от используемой энергии первичных электронов в Э. с. (и в дифракции электронов) различают два случая. Если энергия лежит в интервале от десятков до 100 кэВ, то регистрируются либо электроны, прошедшие сквозь тонкий слой вещества, когда получаемая информация характеризует его объёмные свойства, либо электроны, отражённые от поверхности под скользящими углами. Обычно при этом аппаратуру совмещают в одном приборе с электронным микроскопом [5 ]. В области низких и ср. значений энергии (не превосходящих неск. кэВ) используется геометрия эксперимента на отражение. В этом случае получают информацию о структуре и свойствах приповерхностного слоя, толщина к-рого примерно равна длине свободного (по отношению к неупругому взаимодействию) пробега электрона X. При энергии электронов 50—100 эВ, когда X, составляет неск. моноатомных слоев, достигается наиб, чувствительность метода к свойствам поверхности. При большей и меньшей энергии глубина зондирования возрастает. [c.553]

М. Ф. Бокштейн. К вопросу об определении характеристических параметров оп-тически-анизотроиных слоев.— Оптика и спектроскопия, 1973, 2 3. [c.31]

Во-первых, энергия МР-фотонов совпадает с энергией колебаний внутренних атомных электронов, благодаря чему рентгеновская спектроскопия наряду с оптической представляет собой важный метод изучения строения вещества. Характеристические линии элементов с зарядом ядра 2 < 12, в том числе таких практически валсных, как магний, натр.ий, фтор, кислород, азот, углерод, лежат в МР-диапазоне. Наблюдение этих линий, возбуждаемых пучком электронов или фотонов, лежит в основе современных чувствительных и универсалгшых методов элементного и химического анализа твердых тел и поверхностей, которые широко применяются как в научных исследованиях, так и в промышленности. [c.3]

Исследование структуры малых частиц можно проводить многими методами, применяемыми при изучении поверхности твердого тела (см. [103]). Однако наиболее распространены методы электронной Оже-спектроскопии (ЭОС) [1041 и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) [105[. По существу оба этих метода основаны на выбивании электрона из К- L- или М-оболочки атома налетающим быстрым электроном либо рентгеновским у-квантом. Образующаяся вакансия немедленно заполняется электроном с более высокого энергетическо1 о уровня. При этом атом остается в возбужденном состоянии, энергия которого может освободиться двумя путями испусканием характеристического рентгеновского излуче- [c.27]

В последние годы выявились новые возможности метода локального рентгеноспектрального анализа, связанные с открытиями новых эффектов при взаимодействии электронов с кристаллическим веществом. Разработано много новых локальных физических методов исследования и анализа, в которых используют информацию, получаемую при исследованиях характеристических рентгеновских и электронных спектров, спектров вторичных и первично рассеянных ионов. В отличие от способа локального рентгеноспектрального анализа все эти методы имеют высокую локальность лишь в одном измерении (по глубине) это методы вторичной ион-ионной эмиссии, рентгенофотоэлектронной спектроскопии, оже-электронной спектроскопии и др. Перечисленные методы позволяют проводить локальный анализ тонких слоев толщиной 0,2—4 нм с целью количественного элементного анализа, определения валентного состояния атомов на поверхностях соединений, сплавов, получения сведений о распределении электронных состояний по энергиям [1, 63]. [c.84]

Сущность количественного анализа заключается проста в усовершенствовании методики, применяемой при определении примесей. В этом случае от аналитика требуется определить концентрации компонентов смеси настолько точно, насколько это возможно. При использовании инфракрасной спектроскопии такое определение базируется исключительно на относительных интенсивностях поглощения, причем должны быть заранее известны интенсивности поглощения чистых компонентов, по крайней мере для одной сильной характеристической полосы спектра каждого компонента. Расчет концентраций компонентов на основании закона Беера возможен только при точно измеренной концентрации раствора смеси и толщине слоя поглощающего образца. Иначе говоря, сначала каждый компонент исследуется в чистом виде при нескольких концентрациях и строится калибровочная кривая зависимости концентрации от интенсивности поглощения для отдельной полосы. Затем, используя для смеси кювету с той же самой толщиной слоя, можно определить концентрацию компонентов, измерив интенсивности характерных для каждого комшонента полос, и по соответствующим калибровочным кривым найти отвечающие этим интенсивностям значения концентраций компонентов. Этот метод не требует интерферометрических измерений толщины слоя кюветы и учитывает ошибки, обусловленные непараллельностью поверхностей окон кюветы, а также позволяет проводить количественный анализ веществ, поглощение которых не подчиняется закону Беера (см. стр. 57). [c.21]

В качестве источников рентгеновского излучения обычно используют трубки с алюминиевым или магниевым анодами линии А (А1 и Mg) с энергией , = 1486,6 эВ и 1253 эВ, соответственно. Падающие на образец фотоны вызывают переходы связанных на внутренних К, I, М оболочках электронов в зону проводимости полупроводника (переход 1 на рис.4.12,а), выше уровня Ферми металла или фотоэмиссию, электронов в вакуум (переход 2 на рис.4.12,а). Этим переходам соответствуют характеристические спектры поглощения (рентгеновская абсорбционная спектроскопия). В РФЭС исследуются переходы второго типа — измеряется распределение эмит-тированных фотоэлектронов по кинетическим энергиям Екин- [c.136]

Оже-спектроскопия. Для анализа самых верхнж слоев кристалла большое распространение получила электронная оже-спектроскопия (-9(90, в которой возбуждение электронов на внутренних оболочках атомов обычно осуществляется пучком быстрых электронов, рентгеновских фотонов или ионов. В ее основе лежит открытый в 1925 г. французским ученым Оже эффект рождения вторичных электронов в результате электронных переходов между внутренними оболочками атомов. Как видно из рис.4.12,д, под воздействием внешней ионизации на внутренней оболочке (К — на рис.4.12,а) образуется вакансия. Она может быть заполнена электроном, находящимся на более высоком энергетическом уровне, например, на уровне Е. Выделившаяся при этом переходе энергия затрачивается либо на испускание кванта характеристического рентгеновского излучения Лу (рентгеновская флуоресценция) — переход 1 на рис.4.12,6, либо может быть передана другому внутреннему электрону. Например, при переходе Е -К — электрону на уровне Е (переход 2), что сопровождается эмиссией его в вакуум (оже-процесс). Рентгеновский спектр и энергетическое распределение эмитированных оже-электронов (оже-спектр) несут информацию о природе практически всех атомов периодической таблицы. Интенсивность эмитированных оже-электронов для легких атомов превышает выход флуоресценции. При переходе к более тяжелым атомам это соотношение меняется на обратное. Например, для К-оболочки элементов с атомным номером Z > 33 (мышьяк) выход флуоресценции преобладает над оже-процессами. [c.138]

При экспериментальном исследовании колебательных спектров большого числа углеводородов быяо обнаружено, что частоты некоторых группировок таких, как или с-, очень мало изменяются при переходе от одной молекулы к другой, йннми словами, частоты этих групп практически яе зависят от их окружения в молекуле. Такие группировки принято называть характеристическими, а т. частоты - характеристическими частотами. Именно на существовав НИИ характеристических частот основаны многочисленные применения колебательной спектроскопии для исследования структуры молекул, а также для качественного и толичественного анализа воцества.Однако общего, компактного теоретического описания явления характеристичности не существует, и поэтому в данной главе мы ограничься только некоторыми качественными соображениями. [c.145]

Методы молекулярной спектроскопии, основанной на изучении М. с., позволяют решать разнообразные задачи химии. Электронные М. с.. дают информацию об электронных оболочках, возбуждённых уровнях энергии и их хар-ках, об энергии диссоциации молекул (по схождению уровней энергии к границе диссоциации). Исследование колебат. спектров позволяет находить характеристические частоты колебаний, соответствующие наличию в молекуле определённых типов хим. связей (напр., двойных и тройных связей С—С, связей С—H N—Н для органич. молекул), определять пространств, структуру, различать цис- и транс-изомеры (см. Изомерия молекул). Особо широкое распространение получили методы инфракрасной спектроскопии — одни из наиболее эффективных оптич. методов изучения строения молекул. Наиболее полную информацию они дают в сочетании с методами спектроскопии КСР. Исследование вращат. спектров,, а также вращат. структуры электронных и колебат. М.с. позволяет по найденным из опыта моментам инерции молекул находить с большой точностью параметры равновесных конфигураций — длины связей п валентные-углы. Для увеличения числа определяемых параметров исследуют спект- [c.436]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...