Излучение рекомбинационное

Итак, рекомбинационное излучение представляет собой высвечивание возбужденной молекулы,или иона, пришедших в возбужденное состояние за счет энергии, выделяющейся при рекомбинации разноименно заряженных частиц. [c.359]

Люминесценция в жидкостях. В жидкостях возможны излучение дискретных центров и рекомбинационные процессы. Длительность излучения дискретных центров в жидкостях весьма мала, лишь в отдельных случаях длительность свечения доходит до 10 с. [c.361]

РЕКОМБИНАЦИОННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ [c.313]

Межзонное рекомбинационное излучение. Выше отмечалось, что поглощение света полупроводником может привести к образованию электрона в зоне проводимости и дырки в валентной зоне. Если межзонный переход является прямым, то волновые векторы этих носителей заряда одинаковы к —к. Образовавшиеся свободные носители заряда участвуют в процессах рассеяния, в результате чего за время релаксации —10 с) электрон опускается на дно зоны проводимости, а дырка поднимается к потолку валентной зоны. При их рекомбинации генерируется фотон, т. е. возникает излучение света. Переходы электронов из зоны проводимости в валентную зону могут быть прямыми и непрямыми (так же как переходы при поглощении света). Прямой излуча-тельный переход изображен на рис. 9.7. [c.314]

Это выражение может быть использовано для нахождения формы спектра рекомбинационного излучения при данной температуре, если известна зависимость a hv). Выше отмечалось, что для прямых переходов коэффициент поглощения а увеличивается пропорционально (hv—откуда следует, что спектр излучения должен обрываться со стороны низких энергий при hv—Eg. В целом зависимость интенсивности излучения от hv представляет собой кривую с максимумом. Появление высокоэнергетического хвоста связано с излучением, возникающим при переходах из 314 [c.314]

Рекомбинационная люминесценция имеет более сложный характер. В этом случае свечение возникает при воссоединении двух противоположно заряженных частей центра свечения, отделенных друг от друга в момент возбуждения. Энергия, ранее затраченная на разъединение этих частиц, при их воссоединении выделяется и приводит в возбужденное состояние центр свечения. Переходя в нормальное состояние, этот центр и дает спонтанное или вынужденное излучение. [c.171]

Общие сведения. Рекомбинационное свечение характерно для различных типов кристаллофосфоров, представляющих собой сложные неорганические вещества, периодичность кристаллической решетки которых нарушена введением небольших количеств ионов активатора. Появление особых мест кристаллической решетки способствует локализации около них возбужденных электронов и возрастанию длительности свечения кристаллофосфора. Кроме того, излучение также происходит в этих особых местах решетки, около которых и образуются центры свечения кристаллофосфора. [c.181]

Люминесценция согласно С. И. Вавилову — это избыток над температурным излучением тела в том случае, если это избыточное излучение обладает конечной длительностью, примерно 10" сек и больше. Различают фотолюминесценцию, осуществляемую за счет возбуждения излучением оптических частот, к а т о д о л ю-м и н е с ц е и ц и ю, возникающую за счет энергии падающих заряженных частиц (электронов) и другие виды. Различают также свечение дискретных центров (одни и те же частицы поглощают н излучают световую энергию) и рекомбинационное свечение, когда процессы излучения и процессы поглощения пространственно разделены. Для люминесцентного излучения используют вещества, способные к преобразованию получаемой энергии (например, электронов) в энергию света без существенного повышения температуры. Для этой цели могут служить многие неорганические соединения, в особенности так называемые кристаллофосфоры, или люминофоры,— сложные кристаллические вещества, содержащие примеси — активаторы. Атомы активаторов, попадая в кристаллическую решетку, искажают ее, поэтому люминофоры имеют дефектную структуру. Изменяя состав и концентрацию активаторов, получают различные характеристики люминофора. [c.198]

Основной причиной ухудшения свойств плоскостных транзисторов является влияние излучения на объемные рекомбинационные процессы. При инжекции неосновных носителей через область базы особенно важно, чтобы они не рекомбинировали прежде, чем пройдут эту область. Поэтому транзисторы с очень узкой областью базы могут выдержать большее облучение, чем транзисторы с широкой областью базы. Величина изменения времени жизни зависит от числа созданных дефектов и от сечения рекомбинации дефектов. Экспериментальные наблюдения наводят на мысль, что сечение рекомбинации дефектов в кремнии, облученном быстрыми нейтронами, значительно больше, чем в германии, даже с учетом большей скорости образования дефектов в кремнии. [c.284]

Спектр излучения низкотемпературной (напр., газоразрядной) П. состоит из отд. спектральных линий (линейчатый спектр). В газосветных трубках наряду с ионизацией происходит и обратный процесс — рекомбинация ионов и электронов, дающая т. н. рекомбинационное излучение со спектром в виде широких полос. [c.599]

Спектр У. и. может быть линейчатым (спектры изолир. атомов, ионов, лёгких молекул, напр, Hj), непрерывным (спектры тормозного и рекомбинационного излучений) или состоять из полос (молекулярные спектры). [c.221]

Высокотемпературные источники применяются также в качестве источников сплошного спектра, так как только в этом случае интенсивны тормозное и рекомбинационное излучения. Источники, излучение которых близко излучению черного тела, должны иметь температуру несколько десятков тысяч градусов, чтобы давать интенсивное излучение в вакуумном ультрафиолете. [c.9]

Роль эталонного источника может играть тормозное и рекомбинационное излучения в скользящей искре в парах лития [92]. При давлениях 10 тор осуществляется импульсный пробой в капилляре из LiH ( /=40 кв, С=0,3 мкф). Из измерений Е инфракрасной и видимой областях спектра находится электронная температура, равная 190 000°К и электронная концентрация л 6- 10 см . [c.251]

Метод сравнения яркостей двух континуумов. Второй метод определения температуры основан на измерении отношения яркости тормозного. излучения у границы сер.ии (со стороны длинных волн) к суммарной яркости тормозного и рекомбинационного излучений непосредственно за границей серии. Измерения [c.354]

Кроме того, рекомбинационное излучение может наблюдаться и при экситонной рекомбинации. [c.89]

Выше не упоминалось о двух процессах, возникающих при электронном ударе атомного остова — упругом рассеянии электрона и рекомбинации электрона с атомным остовом с испусканием рекомбинационного излучения. Очевидно, что оба этих процесса не приводят к образованию многозарядных ионов. Второй из них приводит к процессу возбуждения сверхвысоких гармоник лазерного излучения (см. разд. 9.7 и гл. XI). Однако в принципе необходимо принимать их во внимание при абсолютизации вероятности Область реализации этих процессов лежит при энер- [c.236]

Рекомбинационное излучение. Излучение центров люминесценции мо> (ет происходить и за счет так называемого рекомбинационного свечения. Рекомбинационное свечение возникает как следствие воссоединения (рекомбинации) двух частей центра высвечивания (электрона и иона, а также двух частей диссоциированной молекулы), отделенных друг от друга при возбуждении. При рекомбинации этих двух частей выделяется энергия, равная энергии их разъединения (ионизации или диссоциации) эта энергия может быть ис Юльзована для возбуждения центра, в состав которого входит один из разъединенных остатков. [c.359]

Высвечивание может происходить как в отдельных центрах (молекуле, ионе или комплексе), так и при участии всего вещества люминофора. Например, при рекомбинационном свечении процесс преобразования энергии возбуждения в люминесценцию протекает, как отметили, следующим образом сначала в результате возбуждения происходит разделение разноименно заряженных частиц, затем они рекомбинируют с новыми партнерами , в результате чего в люминесценции участвует весь люмино( р. К аналогичному выводу придем и при объяснении высвечивания кристаллофосфоров на основе зонной теории. В этой связи различают два класса свечения так называемое свечение дискретных центров и свечение вещества. Под свечением дискретных центров понимают люминесценцию, развивающуюся в пределах отдельных частиц, выделенных из остального вещества среды. В случае люминесценции вещества, как отметили выше, при поглощении, переносе к месту излучения и излучении энергии участвует все вещество люминофора. Подобная классификация люминесценции была введена В. Л. Лев-шиным. [c.359]

Перемещаясь по кристаллу, электроны проводимости, 1ырки и экситоны тем самым переносят по нему энергию возбуждения. Рассмотрим переходы, связанные с высвечиванием этой энергии (в виде фотона люминесцентного излучения). Во-первых, это может быть междузонный переход 8 (рис. 8.2). Во-вторых, это может быть переход, связанный с рекомбинацией электрона и дырки, образующих экситон,—переход 9. Рекомбинация экситона происходит, например, при его столкновении с п-римесным центром. Наконец, это может быть переход //, происходящий в каком-либо примесном ионе-активаторе он сопровождается безызлучательиыми переходами 10 и 12. Все три рассмотренных процесса высвечивания связаны с одновременным уничтожением электрона в зоне проводимости и дырки в валентной зоне иными словами, все они связаны с электронно-дырочной рекомбинацией. В связи с этим используют термин рекомбинационная люминесценция. [c.190]

По механизму преобразования энергии различают резонансную, спонтанную, вынужденную и рекомбинационную люминесценцию. Эти механизмы отличаются друг от друга характером перехода молекулы с уровня первоначального возбуждения на уровень, с которого происходит переход с излучением кванта. Если первоначальный уровень возбуждения и уровень излучения принадлежат одной и той же молекуле (атому), то люминесценция называется спонтанной (рис. 99, а). В этом случае молекула (атом) называется центром люминесценции, а ж ол-внутрицентро-вым. Если уровни первоначального возбуждения и излучения совпадают, то люминесценция называется резонансной. Ясно, что в этом случае энергия испущенного кванта равна энергии поглощенного. При спонтанной люминесценции в большинстве случаев энергия испущенного кванта меньше энергии поглощенного. Такая люминесценция называется стоксовой. Однако в достаточно большом числе случаев осуществляется анти-стоксова люминесценция, когда после возбуждения в результате столкновений происходит увеличение колебательной энергии молекулы, т.е. ее переходы по колебательным уровням возбужденного состояния не вниз, как изображено на рис. 99,а, а вверх. В результате уровень излучения оказывается выше первоначального уровня возбуждения и энергия испущенного кванта-больше энергии поглощенного. Однако интенсивность антисток-сова излучения мала по сравнению с интенсивностью стоксова излучения, поскольку в соответствии с распределением Больцмана концентрация молекул С увеличением их энергии быстро (экспоненциально) убывает. [c.329]

Если излучение полупроводника возникает в результате непосредственной рекомбинации электрона с дыркой или рекомбинации через локальный центр, то излучение называют рекомбинационным. Вещества, обнаруживающие рекомбинационную люминесценцию, называют кристаллофорами шш просто фосфорами. Практически все типичные фосфоры являются полупроводниками. [c.73]

Исследование структуры полупроводниковых диодов, изучение их рекомбинационного излучения (злектролюминесценция) и контроль качества Для контроля структурных неоднородностей и напряжений в кристаллах германия и кремния [c.105]

Вероятность межзоиной рекомбинации и излучательных переходов зона — примесь растет с увеличением (до определенного предела) степени легирования полупроводника, что также используется при изготовлении светодиодов. Рис. 12.12. Схема оптронной Спектральный состав рекомбинацион- ного излучения определяется распреде- [c.332]

Д. п. по сплошному спектру ( континууму ) основана на определении либо абсолютной локальной интенсивности I (v) в к.-л. точке спектра, либо её относит, распределения в протяжённом участке (обычно в коротковолновой области). Осн. трудность этих методов связана с интерпретацией измеренных интенсивностей, т. к. в плазме могут одновременно действовать неск. механизмов генерации континуума (см. Излучение плазмы). С наибольшей надё/кностью Д. п. (оптически тонкой) проводится в тех условиях, в к-рых излучаемый ею континуум /д (v) представляет собой совокупность тормозного (на ионах) и рекомбинационного (одноэлектронного) континуумов, а сама плазма химически однокомпонентна. В атом случае для спектральных распределений интенсивности в тормозном /т (v) и рекомбинационном /р (v) континуумах имеют аналитические выражения, позволяющие определять Tg (при максвелловском распределении электронов) по наклону зависимости = (/т + р) от v. В случае немаксвелловской формы ф-ции распределения электронов из.мерения (v) позволяют исследовать вид fg (v). По абс. интенсивности континуума может быть найдена затем концентрация п , если известен ионный состав плазмы или эфф. заряд ионов плазмы, [c.607]

М. ф. и. менялась от 3-10 К до 3 К, должно было заметно исказить его чернотельный спектр. Т. о., спектр М. ф. и. несёт информацию о тепловой истории Вселенной. Болев того, эта информация оказывается дифференцированной выделение энергии на каждом из трёх этапов расширения (3-10 < Т < 310 К 4-10 < Т < < 3-10 К 3 < Г < 4000 К) вызывает специфич. искажение спектра. На первом этапе сильнее всего искажается спектр в ДВ-области, на втором и третьем — в коротковолновой. Свой вклад в искажение спектра в КВ-области вносит уже сам процесс рекомбинации. Фотоны, испускаемые при рекомбинации, обладают энергией ок. 10 эВ, что в десятки раз превышает ср. энергию фотонов равновесного излучения той эпохи (при 7 4000 К). Таких энергичных фотонов крайне мало ( 10 от общего их числа). Поэтому рекомбинационное излучение, возникающее при образовании нейтральных атомов, должно было сильно исказить спектр М. ф. в. на волнах Я 250 мкм. [c.135]

Метод попярнзоваиной люминесценции основан на измерении степени (р) циркулярной поляризации рекомбинационного излучения (люминесценции) с участием ориентированных носителей. При наблюдении люминесценции вдоль возбуждающего луча р = (5). Если время жизни фотовозбуждённого неравновесного состояния т т , то наблюдается значит, величина Ро = ( + — п-)/(1г+ - - 11-), где — числа фотонов реком-бинац. излучения, поляризованных по правому и левому [c.438]

Лазерную генерацию на основе вынужденного рекомбинационного излучения в полупроводниковых р — л-переходах наблюдали почти одновременно четыре группы исследователей в 1962 г. [29—32], причем три из них использовали GaAs. [c.402]

Энергия, излучаемая из областей пробоя парогазовых ореолов в окрестности поглощающих частиц, определяется совокупностью спектральных линий, рекомбинационных континиумов и теплового излучения радиационно-нагретых частиц [c.195]

Релаксация температуры плазмы в результате ее распада за счет рекомбинационных и диффузионных процессов в первую очередь сказывается на спаде мощности коротковолнового теплового излучения. Характерное время свечения, определяемое на полу-высоте от максимальной энергетической яркости, составило 5— 8 МКС. Как следует из экспериментальных результатов [17], существует оптимальный диапазон плотностей потока излучения СОг-лазера (/=(0,3-ч-1,2) 10 Вт см 2), нижняя граница которого совпадает с порогом возникновения светодетонационного режима пробоя. В пределах указанного диапазона отношение сигналов линейчатого спектра к уровню сплошного фона максимально. [c.197]

На основе полученных данных о рекомбинационном свечении щелочно-галоидных кристаллофосфоров казалось вполне естественным предположение о том, что в результате возбуждения происходит ионизация самих центров свечения. При этом мыслилось, что в случае селективного поглощения света самим активатором возбуждающий свет производит фотоионизацию центров свечения непосредственно. В случае же поглощения света основным веществом решетки ионизация центров свечения происходит в результате захвата положительных дырок ионами активатора. Излучение фосфора гриписыва-лось последующему процессу рекомбинации электронов с ионизованными центрами свечения. Для объяснения идентичности спектров флуоресценции и фосфоресценции пришлось ввести дополнительную гипотезу о двухстадийности этого процесса предполагалось, что сначала электрон безызлучательно переходит на уровень возбуждения ионизованного центра, после чего лишь переходит на основной уровень с испусканием света. [c.240]

Третий экспериментальный метод состоит в том, что регистрируется люминесцентное излучение, возникающее при рекомбинации фотоэкситоиов. При этом обычно наблюдается отдельная линия испускания, соответствующая рекомбинации экситона, быстро тер-мализовавшегося до основного состояния (/г==1) Как видно из рис. 2, Х, энергия рекомбинационного фотона равна разности Eg — Ех плюс кинетическая энергия, сохранившаяся у экситона. Выявляя область в кристалле, из которой идет люминесцентное излучение, можно исследовать пространственное распределение экситонов и делать выводы о движении этих частиц в кристалле. [c.133]

Имеются убедительные экспериментальные доказательства суш.ествования экситонных молекул в не скольких кристаллах, в том числе в кремнии, в хлориде меди и бромиде серебра [9]. В случае кремния экспериментальные доказательства были получены путем регистрации спектра люминесценции с пространственным и временным разрешением. Гурли [4] использовал метод деформационной ловушки для изучения химического равновесия в системе свободные экситоны/экситонные молекулы, 2Ех Ехг. На рис. 5 приведена температурная зависимость спектра люминесцентного излучения из области деформационной ловушки в кремнии. Верхний спектр характеризует обычное рекомбинационное излучение свободных экситонов с шириной линии, Определяемой тепловой энергией экситона /гТ. Форма линии описывается зависимостью В ехр(— //гТ)/где отвечает плотности электронных состояний в трехмерном потенциале гармонического осциллятора. При понижении температуры возникает дополнительный максимум при более низкой энергии, соответствующий экситонным молекулам, Он обязан своим происхождением рекомбинации электрона и дырки в молекуле, в результате которой остается обычный экситон. Длинный низкоэнергетический хвост молекулярной люминесценции отвечает распределению кинетической энергии этих оставших ся экситонов. Первыми эти молекулы в деформированном кремнии наблюдали советские исследователи независимые измерения на недеформированном крем пни были выполнены в Университете Британской Колумбии (Канада) [9], [c.141]

Излучение высокоионизованной плазмы [90—92]. При больших плотностях тока в импульсных источниках водород полностью диссоциирован на атомы и происходит его сильная ионизация. В этих условиях возникает непрерывное излучение электрона тормозное (свободно-свободные переходы) и рекомбинационное (свободно-связанные переходы). Распределение яркости В К) в спектре можно найти по формуле (5.15) 191] [c.250]

Л е — электронная плотность, —концентрация данного иона, X — коэффициент возбуждения (слг -сек ), Лр, — вероятность спонтанного перехода (сек ), L — геометрический фактор, зависящий от размеров плазмы и апертуры спектрометра. Измерения велись на установке Зита . Произведение МеП Ь определялось из измерений континуума в видимой области спектра, г+ — общее число положительных ионов. Континуум связан с рекомбинационным и тормозным излучениями, возникающими при взаимодействии электронов с положительными нонами водорода, которые являются основой плазмы. Отношение 4/% было определено из известного процентного содержания азота (0,25%), прибавленного к водороду, и из решения уравнения ионизации для азота Те определялось по рассечению лазерного излучения. Линии КУ измерялись с помощью двух монохроматоров скользящего и нормального падения. Они градуировались с помощью монохроматора Эберта, регистрирующего видимую часть спектра. Для градуировки использовался метод двух пар линий. Ошибка в определении интенсивностей линий составляла коло 30%, но основная ошибка была обусловлена трудностью определения роли примесей, попадающих со стенок. Примеси искажают абсолютную величину сечения, но не его относительную величину. Яркость линий ЫУ возрастает по мере горения разряда в два раза. При вычислениях вводилась соответствующая поправка. Сечения возбуждения, найденные экспериментально, довольно хорошо согласуются с теоретическими расчетами для 7е=2,Ы0 °К (табл. 9.1). Наблюдаются отклонения от теоретических результатов в пределах 20—30% [c.361]

В переменном поле электрон, вырванный из атома, колеблется с частотой поля. Если поле линейно поляризовано, то совершив половину полного колебания, электрон возвращается к атомному остову. Соударение электрона, ускоренного внешним полем, с атомным остовом, может привести к поглощению этого электрона атомом с испусканием спонтанного фотона (это — хорошо известное рекомбинационное излучение). Такой процесс, в результате которого электрон в конечном состоянии остается в связанном состоянии, в принципе может реализоваться и в атомном, и в сверхатомном поле излучения. [c.21]

Второе явление — возбуждение высоких гармоник исходного длинноволнового излучения как следствие возникновения рекомбинационного излучения при рассеянии на атомном остове туннельного электрона, ускоренного в поле излучения. Процесс возбуждения высоких гармоник имеет ту же отсечку по номеру К гармоники, что и процесс надпороговой ионизации в туннельном режиме / "тах Ю кол- Этот предел наблюдается в многочисленных экс периментах. Он фигурирует и в многочисленных расчетах. Из приведенной выше оценки Жщах видно, что энергия кванта рекомбинационного излуче ния может быть весьма велика и может лежать в далеком ультрафиолетовом диапазоне частот. Более детально этот процесс обсуждается в гл. XI. [c.250]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...