Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Переходы спонтанные

Идея о возможности С.н. с. восходит к Л. Д. Ландау, к-рый отметил в качестве общей черты фазовых переходов 2-го рода возникновение в точке перехода нового типа симметрии (см. Ландау теория) эту идею можно сформулировать и в др. форме при фазовом переходе спонтанно нарушается симметрия системы.  [c.652]

Выясним, от каких факторов зависит коэффициент усиления среды. Для этого рассмотрим стационарные уравнения баланса возбуждения частиц на уровнях / и 2. Так как уровни / и 2 не являются в общем случае единственными, то при составлении баланса частиц помимо вынужденных переходов с участием резонансных квантов необходимо учитывать всевозможные процессы возбуждения и тушения уровней за счет других, не связанных с наличием резонансных квантов процессов (релаксационные переходы, спонтанное испускание квантов и т. д.), изображенных на рис. 1.2, а, г, д.  [c.26]


ХОДЫ снизу вверх могут осуществляться при воздействии или света накачки или колебаний решетки кристалла. Переходы ионов с верхних уровней энергии на нижние могут происходить при воздействии внешнего к данному иону светового излучения (вынужденные или индуцированные переходы), спонтанно, либо при воздействии тех же колебаний решетки, что и в первом случае. В отсутствие светового излучения все переходы для близко расположенных уровней совершаются под воздействием колебаний решетки в основном безызлучательным образом. При этом для каждой конкретной температуры кристалла Т устанавливается равновесие числа переходов вниз и вверх и соответствуюш,ее этой температуре распределение населенностей энергетических уровней ионов.  [c.17]

В сегнетоэлектриках спонтанная поляризация существует только в сегнетоэлектрической области . В области фазового перехода в зависимости от рода перехода спонтанная поляризация меняется по тому или иному закону. В некоторых кристаллах имеется несколько фазовых переходов, вблизи каждого из которых имеет место существенная зависимость спонтанной поляризации от температуры.  [c.82]

Единица измерения феноменологически введенной константы — скорости спонтанных переходов - есть секунда в минус первой степени. Используется и обратная величина, имеющая смысл времени жизни уровня 2 по отношению к спонтанным переходам, — спонтанное время жизни  [c.13]

В-во, приведённое к.-л. образом в инверсное состояние, неизбежно возвратится в равновесное состояние — релаксирует (см. Релаксация). При этом избыточная энергия выделяется в виде фотонов (излучательные переходы) или переходит в тепловую энергию (безызлучательные переходы). Спонтанное испускание фотонов в процессе релаксации явл. сущностью люминесценции. Свет люминесценции, распро-  [c.338]

Излучательная рекомбинация электронов и дырок в области гомо- или гетеро- р — п-перехода (спонтанная) Светоизлучающий диод (электролюминесцентный диод) 2  [c.569]

Рассмотрим явления, происходящие при термической обработке в магнитном поле. Как известно, процесс перехода сплава из парамагнитного состояния в ферромагнитное (в точке Кюри) заключается в возникновении в нем областей спонтанного намагничивания. Если в это время на сплав подействовать сильным магнитным полем, то в микрообъемах сплава произойдет пластическое деформирование, вызванное поворотом этих областей, стремящихся ориентироваться вдоль силовых линий внешнего магнитного поля.  [c.546]


В процессах конвергенции — дивергенции можно выделить критические узлы поиска, соответствующие моменту смены точки зрения на задачу, перехода к новой концептуальной модели исходного противоречия. Это наиболее важные этапы поиска, так как именно изменение точки зрения перемещает трудности ее решения в другой план. Одно из таких критических состояний дает возможность проектировщику увидеть решение. Количество спонтанных идей, идущих вразрез с принятой концепцией, уменьшается от начала поиска к концу, ценность их возрастает, в обратной зависимости.  [c.75]

Для металлов, имеющих сильную склонность к переохлаждению до спонтанного образования центров затвердевания, таких, как галлий, олово, сурьма, описанного выше охлаждения гнезда термометра недостаточно. Получающееся при этом падение температуры стенки гнезда термометра не приводит к возбуждению кристаллизации, поскольку эти металлы могут оставаться в переохлажденном жидком состоянии в случае сурьмы примерно на 40 К ниже равновесной температуры затвердевания. Интенсивное охлаждение наружной стенки тигля потоком аргона или азота [21] позволяет преодолеть эти особенности металлов. В этом случае тигель, но не сколь-нибудь значительный участок печи, должен быть быстро охлажден на несколько десятков градусов. Этого достаточно для возникновения центров кристаллизации по всей внутренней стенке тигля. Выделяющейся теплоты перехода достаточно для повышения температуры образца и тигля до температуры затвердевания в течение нескольких минут. Достижение плато затвердевания образца происходит в результате быстрого роста дендритов, что всегда наблюдается при затвердевании из переохлажденного состояния. Затем рост дендритов прекращается и оставшийся металл затвердевает с гладкой поверхностью раздела фаз, медленно продвигающейся к гнезду термометра. Альтернативный метод [55] возбуждения центров кристаллизации таких металлов, как олово и сурьма, состоит в удалении тигля с образцом из печи при достижении в ней температуры затвердевания и помещении его в другую печь, имеющую температуру примерно на 90 °С ниже. Как только из-за выделяющегося при начале затвердевания тепла прекратится охлаждение тигля с образцом, он переносится в исходную печь, имеющую температуру лишь на несколько градусов ниже температуры затвердевания. Успех подобной процедуры ярко демонстрирует выделение энергии при переходе от жидкого состояния к твердому.  [c.177]

Оба метода обеспечивают достаточное охлаждение тигля для образования центров кристаллизации без охлаждения всей печи много ниже температуры затвердевания. В противном случае тепла, выделяющегося при затвердевании, было бы недостаточно для подъема температуры устройства до точки перехода. Если естественное образование зародышей происходит спонтанно, плато затвердевания резко укорачивается, иногда до полного исчезновения.  [c.177]

Следует подчеркнуть, что не все задачи рассмотрены автором с необходимой полнотой. Так, например, вопросам кинетики фазовых переходов уделено недостаточное внимание. Схематично изложены вопросы, связанные с обтеканием деформируемой частицы, ее дроблением, а для множества частиц — с коагуляцией. Не уделено достаточного внимания сверхзвуковым двухфазным течениям и соответственно спонтанной (скачковой) конденсации, влиянию дискретной фазы на волновую структуру потока.  [c.7]

Если атому, находящемуся на основном уровне ео, сообщить энергию, он может перейти на один из возбужденных уровней. Наоборот, возбужденный атом может самопроизвольно (спонтанно) перейти на один из нижележащих уровней, испустив при этом определенную порцию энергии в виде кванта света (фотона). Если излучение происходит при переходе атома с уровня энергии е на уровень е , то частота испускаемого (или поглощаемого) кванта света  [c.119]

Именно такие спонтанные процессы излучения и происходят в нагретых телах. Нагрев переводит часть атомов в возбужденное состояние и при переходе в нижние состояния они излучают свет. Это излучение атомов происходит независимо друг от друга. Кванты света хаотически испускаются атомами в виде так называемых волновых цугов, которые не согласованы друг с другом во времени и имеют различную фазу. Поэтому спонтанное излучение некогерентно.  [c.119]

В инженерных расчетах на прочность, при анализе причин и характера разрушения объектов сложных технических систем традиционно рассматриваются дефекты, имеющие металлургическую природу (раковина, усадочные трещины) или технологическое происхождение (сварочные, закалочные, ковочные трещины), а также дефекты (особенно опасны трещиноподобные дефекты), которые могут появиться или развиваться в результате длительной эксплуатации аппарата. Доказано, что под воздействием коррозионно-активной среды, циклического нагружения и других факторов дефекты могут увеличиваться в размерах и тогда их развитие переходит из стадии стабильного (контролируемого) в стадию спонтанного разрушения. Поэтому неслучайно, что в практике эксплуатации сварных конструкций отмечаются случаи их преждевременного разрушения.  [c.111]


Спонтанное и вынужденное испускание, поглощение. Если данный атом в произвольный момент времени t находился в возбужденном энергетическом состоянии Е , то через интервал времени dt этот атом может либо остаться в том же состоянии, либо самопроизвольно (спонтанно) перейти в нижнее основное состояние с энергией El (рис. 15.1). При этом возникает фотон с энергией hv — = 2 — 1- Испускание подобного рода — испускание света атомами при их самопроизвольном переходе с возбужденных уровней на более низкие энергетические уровни — называется спонтанным испусканием (излучением). Поскольку спонтанный переход происходит независимо от действия внеш-  [c.339]

El- Следовательно, в данном случае речь может идти только о вероятности такого перехода в единицу времени, которую обозначим через А21. Очевидно, что Л21 не будет зависеть от времени, так как спонтанный переход есть случайный процесс. Легко убедиться, что обратное значение Л21 равно средней продолжительности жизни атома А21 в состоянии Е -  [c.339]

Так как спонтанные переходы одного и того же атома в разные моменты времени, а также разных атомов в одно и то же время никак не взаимосвязаны, то очевидно, что между фазами и амплитудами спонтанно излучаемых волн не будет никакой закономерной связи, т. е. спонтанное излучение некогерентно.  [c.339]

Этот процесс называется поглощением. В отличие от спонтанного излучения вероятность вынужденного перехода с основного состояния в возбужденное будет пропорциональна плотности излучения, вызвавшего этот переход.  [c.339]

В дальнейшем возможен спонтанный переход атома из состояния Ез в основное состояние Ei с излучением энергии  [c.364]

Поскольку в пределах контура линии разной частоты будут поглощаться по-разному, то коэффициенты Эйнштейна спонтанного перехода со второго уровня па первый в интервале частот dv запишем как a i (v) dv. Аналогично, вероятности соответствующих вынужденных переходов запишем как (v) w (v) dv и bj2 (v) w (v) dv.  [c.381]

Усиление света с помощью трехуровневой системы. Рассмотрим трехуровневую систему (рис. 17.4) . Под действием оптического излучения с энергией hv = — Ei атомы переходят из состояния i в состояние 3. Из состояния 3 возможны спонтанные переходы в 2 и в Ех. Из состояния 2, в свою очередь, возможны спонтанные переходы в состояние ,. Чтобы получить инверсную заселенность между уровнями Ei и состояние Е должно быть более долгоживущим по сравнению с 3, т. е. должны удовлетворяться следующие условия  [c.383]

Часть энергии излучения лампы накачки с частотой = = ( 3 — Ei)/k (эта частота соответствует частоте зеленого света) расходуется для накачки, т. е. для создания состояния с отрицательной температурой. Атомы, находящиеся в возбужденном состоянии 3, отдавая часть своей энергии кристаллической решетке, безызлучательно переходят в метастабильное состояние 2- Затем, излучая красный свет с длиной волны I = 6943 А, атомы могут спонтанно перейти в основное состояние. Так возникает красная флуоресценция кристалла рубина.  [c.384]

Исследования [1], показали, что наиболее информативным показателем пластичности, контролирующем фрактальную размерность объема, претерпевающего предельную пластическую деформацию, является поперечная деформация (у) к моменту разрушения, т.е. степень деформации, отвечающей неравномерному фазовому переходу, при достижении которого спонтанно меняется механизм диссипации энерг ии (переход от деформации к разрушению).  [c.100]

Выявляются границы реализации ТС и точки структурной бифуркации переходы ТС->ДС->ТС. Видно, что в точках 2-5 (см. рисунок 3.34) происходит спонтанное изменение вида зависимости % r-ln(t), обусловленное спонтанным изменением механизма диссипации энергии при ТС->ДС->ТС переходах. Черные кружки отвечают экспериментальным данным, а светлые - расчетным значениям координат точек структурной бифуркации.  [c.209]

Выделенные точки 1, 2, 3 отвечают всем признакам неравновесных фазовых (кинетических) переходов, т.к. характеризуются спонтанной сменой  [c.305]

Спонтанное изменение v /q с 0,25 до 0,17 (см. таблицу 4.8) характеризует неравновесный фазовый переход, отвечающий смене механизма потери устойчивости - переходу от пластической нестабильности к нестабильности разрушения.  [c.350]

Достаточно одному атому хрома совершить спонтанный переход с метастабильного уровня на основной с испусканием фотона, как возникает лавина фотонов, вызванная индуцированным излучением атомов хрома, находящихся в метастабиль-ном состоянии. Если направление движения первичного фотона строго перпендикулярно плоскости зеркала на торце рубинового цилиндра, то первичные и вторич-  [c.316]

Такие переходы происходят без какого-либо внешнего воздействия, носят случайный характер и называются спонтанными. Вероятность спонтанного перехода является атомной кон-  [c.427]

Наиболее известны две формы движения и фазовых переходов диффузноггные и бездиффузиоиные. Для диффузионных форм движения и фазовых переходов спонтанные перемещения атомов и вакансий пронсходет статически, с обменом местами.  [c.16]

Излучение, обусловленное спонтанными переходами атомов в основное состояние, не вносит существенного вклада в величину шггенсивности лазерного излучения и поэтому при вычислении суммарной интенсивности им можно пренебречь.  [c.380]

В случае плоских кластеров (d=2) Н,=-1/2= 0,5, а объемных - Н.=2/3=0,67. Таким образом, при неравновесном фазовом переходе (переход от плоских кластеров к объемным) критический показатель самоаффинности преобразования спонтанно изменяется с Н =0,5 до 0,67. Это означает, что показатель Хар-ста Н. может быть принят за параметр порядка, контролирующий устойчивость плоских и объемных кластеров. Следует обратить внимание на то, что показатель Н =0,5 близко соответствует второму корню обобщенной золотой пропор-  [c.346]

Спонтанное и нндуцнроваииое излучения. Излучение, испускаемое при самопроизвольном переходе атома из одного состояния в другое, называется спонтанным излучением. Спонтанное излучение различных атомов происходит некогерентно, так как каждый avow начинает и заканчивает излучение незаьнснмо от других.  [c.314]


Следует заметить, что приведенные оценки (сТког = 3+30 см) хорошо согласуются с результатами эксперимента при использовании обычных источников света (например, газоразрядной плазмой низкого давления), но не лазеров. Эффект генерации в лазере связан с выкужденкым излучением, а не со случайными (спонтанными) переходами, которые рассматрипа.т1ись при построении тех или иных статистических схем. Для лазера T or значительно больше, чем для обычных источников света. Это демонстрируется опытом с неон-гелиевым лазером, в котором интерференция наблюдается при разности хода в несколько десятков метров (см. 5.6).  [c.189]

Кроме спонтанных излучачельных переходов должны иметь место переходы с -го на т-й уровень, сопровождающиеся погло-п еЕ1ием излучения атомной системой. Е1е составляет труда оценить скорость dN /At процесса поглощения излучения, используя принятое статистическое описание. Д.1я этого обозначим через Bnmifi, соответствующую вероятность перехода, а через N ч (. атомов на -м уровне. Нужно также учесть, что каждый атом черпает энергию из окружающей среды, т.е. эти переходы происходят под действием некоторой вынуждающей силы. Тогда для процесса поглощения энергии, сопровождающегося вынужденным переходом с п-го на т-й уровень, справедливо соотно-  [c.427]

Разберемся подробнее в этом важном вопросе. Соотношение Annl mn указывает, что отношение коэффициентов Эйнштейна для спонтанного и вынужденного переходов при переходе от видимой части спектра (л 10" см) к метровым радиоволнам должно уменьшиться примерно в 10 раз. Поэтому не должна удивлять разница в механизме процессов излучения для этих двух столь различных диапазонов спектра электромагнитных волн.  [c.429]


Смотреть страницы где упоминается термин Переходы спонтанные : [c.147]    [c.12]    [c.48]    [c.526]    [c.33]    [c.321]    [c.44]    [c.60]    [c.107]    [c.126]    [c.221]    [c.223]    [c.225]    [c.315]   
Оптика (1976) -- [ c.732 ]



ПОИСК



Бойкова Е. И., Розенман Г. И. Установка для одновременной регистрации экзоэлектронной эмиссии и спонтанной поляризации при сегнетоэлектрических фазовых переходах

Вероятность перехода вынужденно спонтанного

По спонтанная

Связь между спонтанным временем жизни и сечением перехода

Спонтанные и вынужденные переходы

Спонтанные и светоиндуцированные переходы в ДУС

Фазовые переходы и спонтанная поляризация

Фазовый переход и спонтанное нарушение симметрии

Эйнштейновские вероятности спонтанных и индуцированных переходов



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте