Упругая линия кристаллов

Условие (27,1) означает, другими словами, что при наличии дислокации вектор смещения является неоднозначной функцией координат, получающей заданное приращение при обходе вокруг линии дислокации. Физически, разумеется, никакой неоднозначности нет приращение Ь означает дополнительное смещение точек решетки на один из периодов, что вообще не меняет ее состояния. В частности, тензор напряжений сг а, характеризующий упругое состояние кристалла, является однозначной и непрерывной функцией координат. [c.151]

Перемещение краевой дислокации при сдвиге на одно межатомное расстояние представляет собой согласованную перегруппировку атомов около дислокации и не сопровождается диффузионным переносом массы. Под действием касательного напряжения ряд атомов, образующих дислокационную линию, вытесняет ближайший ряд атомов в соседней плоскости. Этому способствуют упругие искажения кристалла около дислокации, облегчающих разрыв старых и образование новых межатомных связей. Как показано на рис. 5.3, при вытеснении ближайшего ряда атомов плоскость кристалла разделяется на две части одна часть объединяется с избыточной полуплоскостью в целую плоскость, другая — принимает дислокацию и становится избыточной полуплоскостью. Перемещаясь каждый раз на величину вектора Бюргерса — одно межатомное расстояние, дислокация, в конце концов, выйдет на поверхность кристалла, и здесь появится ступенька, равная вектору Бюргерса. Так как в плоскости скольжения движутся десятки и сотни дислокаций, то в результате их выхода на поверхность высота ступеньки будет увеличиваться. [c.125]

Для разделения эталона времени — среднего тропического года — на равные части, кроме часов с маятником, сейчас применяют другие типы часов, например кварцевые часы, в которых периодическим процессом служат упругие колебания пластинки, вырезанной из пьезоэлектрического кристалла кварца (эти колебания поддерживаются при помощи схемы с электронными лампами). В последнее время были созданы молекулярные и атомные часы, в которых используются периодические колебания, происходящие в атомах или молекулах чтобы число этих колебаний можно было считать (с помощью специальных электрических устройств), выбирают такие колебания, которым соответствуют спектральные линии, лежащие в области радиоволн ). [c.20]

Для того чтобы ввести понятие о кристаллической дислокации и установить ее связь с упругой дислокацией, рассмотрим модель простейшего кристалла, решетка которого такова, что соседние атомы помещены в вершинах куба. На рис. 14.1.1 изображена одна атомная плоскость такой решетки, линии, соединяющие соседние атомы, образуют одинаковые квадраты. Такое расположение атомов возможно тогда, когда кристалл свободен от дефектов. При наличии дефектов сохранение правильной квадратной сетки уже невозможно, силы, действующие на каждый атом со стороны его соседей, становятся неодинаковыми и решетка искажается. На рис. 14.1.2 изображена атомная плоскость искаженной решетки. Вне области, ограниченной контуром Г, искажение, как видно, невелико. Кристалл с таким незначительным искажением решетки называется хорошим кристаллом, точнее, область вдали от дефекта называется хорошей областью. Но внутри контура Г, заключающего в себе дефект. [c.454]

Действительно, серия деформационных кривых (рис. 2.5), рассчитанных по уравнению (2.15) с использованием известных данных. [58, 68] о плотностях дислокаций и их скоростях, хорошо согласуется с экспериментальными кривыми нагружения кристаллов Ь[Р. Линия ОЕ (рис. 2.5) соответствует случаю, когда нет движения дислокаций ЬрУ — 0), т. е. упругой области, когда (1x1(1 (А/) = 0,5Р//С . Остальные кривые соответствуют кристаллам с различной начальной [c.41]

Д. как источник упругого поля испытывает действие силы, обусловленной сдвиговыми напряжениями в кристалле и напоминающей силу действия магн. поля на проводник с током. Величина силы, приложенной к единице длины линии Д., равна /= о, где о — соответствующая сдвиговая компонента тензора напряжений aih- Напр., если краевая Д. параллельна оси z и се [c.637]

Поликристаллы Интерференционные линии Число и положение интерференционных линий. Распределение интенсивностей. интерференционных линий Определение параметра решетки (фазовый анализ), упругих напряжений, текстур, размера частиц, оценка плотности дефектов кристаллов [c.157]

Лав [152] наблюдал бриллюэновское рассеяние в двух видах стекол и обнаружил поперечные и продольные фононы со скоростями, хорошо согласующимися со значениями, получаемыми по упругим постоянным. Кроме того, интенсивности рассеяния уменьшались с температурой по линейному закону, как это и должно быть для фононов. Время жизни фононов можно оценить по ширине бриллюэновских линий, и оно больше 10 циклов при всех температурах. Поэтому разумно заключить, что член Р в теплоемкости происходит из-за фононов с такими же свойствами, как у фононов в кристаллах. [c.167]

В пироэлектрических кристаллах упругие, тепловые и электрические свойства взаимосвязаны. На рис. 1.8 приведена диаграмма этих связей — в виде двух треугольников с соединенными вершинами. Девять линий, соединяющих вершины, символизируют девять линейных эффектов, возможных в полярных кристаллах. [c.23]

Если все межатомные силы в кристалле направлены только вдоль линий, соединяющих центры атомов, т. е. являются центральными, каждый атом в решетке является центром симметрии и в кристалле отсутствуют (в исходном состоянии) напряжения, то упругие постоянные оказываются связанными дополните г1ьны-ми соотношениями, которые называются соотношениями Коши [c.205]

Теория упругих дислокаций, т. е. построение и изучение решений уравнений теории упругости, соответствующих некоторому распределению особенностей на заданных линиях, создана достаточно давно. Основные результаты здесь принадлежат Воль-терра. Эта теория носила довольно формальный характер и не имела сколько-нибудь серьезных приложений до тех пор, пока к дислокационным представлениям не прибегла физика кристаллов. С тех пор появилось очень большое количество исследований, направленных на развитие формальной теории дислокаций, и к настоящему времени она приобрела достаточно законченный характер. Здесь будут излагаться лишь элементы формальной теории упругих дислокаций, непосредственные же приложения к физике кристаллов носят чисто иллюстративный характер. [c.454]

Здесь г ) — непрерывная функция, удовлетворяющая уравнению Пуассона. Задача состоит в определении вектора и смещения в неограниченнол упругом теле таким образом, чтобы при обходе по любому контуру, окруягающе-му трубку дислокации, этот вектор получал приращение, равное постоянному вектору Бюргерса Ъ. Трубкой дислокации мы будем называть тор(>-идальную полость, окружающую замкнутую линию дислокации Г и такую, что вне этой полости кристалл может считаться хорошим. В переводе на язык механики сплошной среды это значит, что путь обхода не должен приближаться к линии Г настолько, чтобы уравнения линейной теории упругости потеряли силу. [c.457]

Как известно [75, 76], пластическая деформация материалов приводит к значительному увеличению плотности таких дефектов, как дислокации (или их скопления), дефекты упаковки, вакансии (или нх комплексы), междоузельные атомы и т.д. Поля искажений этих дефектов кристаллического строения вызывают смещения атомов из узлов, что приводит к упругим микродеформациям. Если размер блоков достаточно мал (-10" см), это приводит к заметному расширению дифракционных пиков на дифрактограммс. Наличие в поликристал-лическом образце микроискажений (т.е. присутствие кристаллов с вариацией периода решетки) также приводит к расширению пиков на дифрактограмме. В настояи ,ее время развит1)1 три метода (аппроксимации или интегральной ширины, гармонический анализ формы рентгеновских линий, метод моментов), основанные на анализе формы дифракционных линий, с помощью которых могут быть найдены размеры блоков и величина микродеформаций в случае их раздельного и совместного присутствия в исследуемом образце. Зачастую имеется однозначная связь между величиной микродеформаций и плотностью хаотически распределенных дислокаций. [c.160]

Простейшим типом кристаллической решетки является кубическая решетка. Встречаются также решетки в виде объемно-центрированного куба, гранецентрированного куба, гексагональная плотно-упакованиая решетка и другие. Кристаллические решетки для большинства элементов приведены на рис. 2-1 по данным [Л. 34]. Металлические элементы находятся левее черной ж ирной линии. Теория идеальных кристаллов позволяет объяснить многие струк-турно-нечувствительные объемные свойства кристаллической решетки плотность, диэлектрическую проницаемость, удельную теплоемкость, упругие свойства. Большинство кристаллов металлов (кроме марганца и ртути) имеют кубическую объемио-центрироваиную и гексагональную плотноупакованную решетки. Важным параметром решетки является длина ребра куба. Так, у хрома она равна ° [c.31]

Считают, что по мере нагружения одна часть кристалла целиком сдвигается относительно другой в направлении линии скольжения. Расстояние между полосами скольжения лежит в пределах 10" — 10" см. Направление скольжения практически всегда совпадает с направлением вектора решетки в плотно упакованной плоскости. Оно начинается в каком-то одном месте тогда, когда касательные напряжения в плоскости скольжения достигают определенной величины, и постепенно распространяется на остальную часть плоскости. При этом нормальная к плоскости скольжения составляющая напряжения оказывает незначительное влияние на начало скольжения. Величина критического касательного напряжения зависит от чистоты металла, температуры и скорости деформирования. По мере нагружения кристаллиты разбиваются на фрагменты размером около 10 см, а те в свою очередь образуют блоки на два порядка меньше. В процессе разбиения возникают напряжения второго рода, связанные с искажением в решетке. Они соответствуют прочности материала в микрообъеме и пропорциональны пределу текучести. Около микродефектов вследствие локальных упругих напряжений кристал.таческой решеткч возникают значительные по величине ультрамикронапряжения (искажения третьего рода). Внутренние остаточные напряжения сосредоточивают часть остаточной энергии пластического деформиро- [c.126]

Движение дислокадии сквозь кристалл представляет по существу одновременное движение одной линии атомов. Представьте себе, что вам нужно передвинуть по полу огромный ковер. С этой задачей легче справиться, сделав на ковре складку. Ковер будет передвигаться по полу постепенно, по мере волнообразного перемещения складки. Так и в кристалле— часть, расположенная выше плоскости скольжения, перемещается по отношению к нижней части. Характер упругих искажений решетки по обе стороны плоскости скольжения разный. Там, где ветре-, чается лишняя атомная плоскость, наблюдается сжатие, а под плоскостью скольжения — растяжение кристалличеокой решетки. Протяженность упругих искажений решетки, или упругих полей дислокации, составляет около 10— см. [c.46]

При пробое ЩГК практически с момента замыкания межэлектродного промежутка каналом сквозной проводимости от канала отшнуровывается двухволновое возмущение упругий предвестник (первая линия) и фронт ударной пластической волны (вторая линия). Первая линия имеет постоянный угол наклона, соответствующий скорости звука в данном кристалле по заданному кристаллографическому направлению. Малая плотность почернения указывает на слабое изменение плотности вещества при переходе через границу этой линии. Вторая линия, достаточно плотная и четкая у канала, постепенно размывается по мере удаления на периферию. Большая плотность почернения возмущения свидетельствует о высоком градиенте показателя преломления и, следовательно, о высоком градиенте плотности вещества в этом возмущении. Возмущение имеет переменную скорость, но всегда меньше скорости звука по данному кристаллографическому направлению. Для слабоинтенсивных режимов энерговклада фронт ударной пластической волны вырождается в контактный разрыв уже в ближней зоне, и упругий предвестник выражен очень слабо. [c.57]

УГОЛ естественною откоса — угол трения для случая сьшучей среды зрения — угол, под которым в центре глаза сходятся лучи от крайних точек предмета или его изображения краевой — угол между поверхностью тела и касательной плоскостью к искривленной поверхности жидкости в точке ее контакта с телом Маха — угол между образующей конуса Маха и его осью падения (отражения или преломления)— угол между направлением распространения падающей (отраженной или преломленной) волны и перпендикуляром к поверхности раздела двух сред, на (от) которую (ой) падает (отражается) или преломляется волна предельный полного внутреннего отражения — угол падения, при котором угол преломления становится равным 90 прецессии — угол Эйлера между осью А неподвижной системы координат и осью нутации, являющейся линией пересечения плоскостей xOj и x Of (неподвижной и подвижной) систем координат сдвига—мера деформации скольжения — угол между нада ющнм рентгеновским лучом и сетчатой плоскостью кристалла телесный — часть пространства, ограниченная замкнутой кони ческой поверхностью, а мерой его служит отношение нлоща ди, вырезаемой конической поверхностью на сфере произволь ного радиуса с центром в вершине конической поверхности к квадрату радиуса этой сферы трения—угол, ташенс которого равен коэффициенту трения скольжения) УДАР [—совокупность явлений, возникающих при столкновении движущихся твердых тел с резким изменением их скоростей движения, а также при некоторых видах взаимодействия твердого тела с жидкостью или газом абсолютно центральный <неупругий прямой возникает, если после удара тела движутся как одно целое, т. е. с одной и той же скоростью упругий косой и прямой возникают, если после удара тела движутся с неизменной суммарной кинетической энергией) ] [c.288]

Взаимодействие дислокации с дефектами кристаллической решётки. Упругое взаимодействие Д. с точечными дефектами (примесными атомами и вакансиями) приводит к повышению концентрации последних вблизи оси Д. и образованию вокруг неё т. в. облаков Котрелла. Сгущение атмосферы Котрелла в перенасыщенных твёрдых растворах может привести к коагуляции примесей на Д. В прозрачных кристаллах это приводит к декорированию Д.,что делает их визуально наблюдаемыми (рис, 7). Осевшие на Д. примеси блокируют её движение, как бы пришпиливая в пек-рых точках линию Д- В реальных условиях отрыв от примесей является осн. механизмом преодоления пре- [c.638]

Взаимодействие с др. Д. может быть как упругим, так и контактным, когда при скольжении пересекается лес Д. разных ориентаций. Пересечение двух разных систем порождает изломы на линиях Д., не способные к скольжению при том же характере внеш. нагрузки и неремещающиеся путём переползания. В результате включается диффузионное взаимодействие Д. с точечными дефектами. В случае переползания большого числа участков Д. в кристалле может возникнуть неравновесная концентрация вакансий. Наоборот, при [c.638]

Акустич. волны в кристаллах используют для создания УЗ- и гиперзвуковых линий задержки, резонаторов, разл. устройств акустолюктроникп и акустоопти-ки, для излучения и приёма УЗ-сигпалов, пзмерснпг механич, деформации и напряжений, измерений модулей упругости и др. физ. величин. [c.510]

Наилучшим материалом для возбуждения М. в. являются ферриты, в частности монокристаллы железоит-триевого граната, обладающие высокой добротностью как магнитной, так и упругой подсистем. Эти кристаллы используются в акустоэлектронике для изготовления линий задержки сигналов СВЧ. Управляя посредством неоднородного магн. поля скоростью распространения сигнала (за счёт преобразования волн), можно [c.17]

Р. с. в твёрдых тел ах существенно отличается от Р. с. в жидкостях или растворах, что связано с большим разнообразием слабозатухающих флуктуаций в виде упругих волн. В аморфном твёрдом теле могут распространяться два типа звуковых волн с разными скоростями продольные, как в жидкости, и поперечные. С ними связаны два дублета в тонкой структуре рэлеевской линии, а центр, компонента спектра рэлеев-ской ЛИВИИ, обусловленная беспорядочным расположением молекул в аморфной среде, очень узка из-за медленной (вследствие диффузии) зволюцип беспорядка. В спектрах Р. с. в кристаллах центр, компонента практически исчезает, а общее число компонент тонкой структуры определяется симметрией кристалла и условиями рассеяния углами падения и рассеяния, поляризациями падающей и рассеянной волн. В анизотропнох кристалле максимально возможное число компонент тонкой структуры 24 одна продольная и две поперечные упругие волны порождают 3 дублета, в к-рых каждая линия расщепляется в общем случае на 4 компоненты [c.282]

Краевую дислокацию в кристалле можно представить и другим путем. Предположим, что верхняя часть кристалла, состоящего из кубов, отвечающих элементарным ячейкам его атомно-кристаллической решетки (фиг. 10, в), содержит на одну атомную плоскость rj больше, чем нижняя часть кристалла. Тогда такая полуплоскость (AB D) является лишней. Искаженная область у края этой лишней полуплоскости AD) называется краевой или линейной дислокацией, которая обозначена значком j. Кристаллическая решетка вокруг дислокации упруго искажена и является областью концентрации напряжения образование такой области требует значительной затраты энергии. Однако если дислокация уже образовалась, то перемещается она сравнительно легко. Наиболее искаженная часть решетки вблизи AD является центром или ядром дислокации, ее ширина простирается йсего на два — пять периодов решетки, т. е. межатомных расстояний. Линия AD называется осью дислокации, причем длина ее, т. е. длина дислокации, может доходить до многих десятков тысяч периодов решетки. Естественно, что представленное на фиг. 10, г расположение атомов в плоскости, перпендикулярной к оси дислокации AD, является приближенным. Точное распределение атомов вблизи центра или ядра дислокации неизвестно. [c.25]

Следует отметить, что в основе описанных методов анализа уширения линий лежит модель кристалла, разбитого на упруго деформированные области когерентного рассеяния, поэтому они применимы только тогда, когда в изучаемом металле имеются физически ограниченные области малого размера. В массивных материалах такие области, как правило, не обнаруживаются прямыми электронно-микроскопическими методами. В этом случае анализ уширения можно провести на основе теории рассеяния рентгеновских лучей дефектными кристаллами, разработанной М. А. Кривоглазом [9, 45]. Он показал, что в кристаллах, содержащих прямолинейные хаотически распределенные дислокации, дислокационные скопления типа pile up и границы ячеек, физическое уширение меняется пропорционально tg 0 и корню квадратному из плотности этих дефектов. В частности, для прямолинейных дислокаций плотаостъю р уширение равно [c.142]

Шесть сторон треугольников диаграммы символизируют линейные эффекты, связывающие тепловые, упругие и электрические свойства полярного кристалла. В частности, нижние (горизонтальные) линии относятся к термоупругим явлениям — термическому расширению Xmn = mn/S.T И др. В ззвисимости от того, как реализуется процесс—адиабатически (AQ = 0) или изотермически (АГ=0), а также от механических условий, в которых находится кристалл, — свободен (Xhi = Q, т. е. разрешены деформации) или зажат (xmn = 0, запрещены деформации) —термоупругие эффекты могут описываться различными линейными соотношениями. При этом возможна и различная направленность этих эффектов первичным воздействием может быть тепловое, а отклик — механический (изменение деформации Хтп или напряжений Хы), или, наоборот, первичным воздействием является механическое возмущение кристалла, а тепловые реакции вторичны (например, при растяжении кристалла он должен охлаждаться, а при сжатии — нагреваться). [c.24]

Щипаная слюда — флогопит мелких размеров (бМ—0,5М) — производится на поточных механизированньи линиях с применением для расщепления кристаллов метода упругой волны, что снижает трудоемкость обработки слюды в 40 раз в сравнении с ручной технологией. [c.124]

Самое важное для нас свойство кристалла титаната бария состоит в том, что при помещении его в сильное электрическое поле домены начинают ориентироваться относительно поля, их электрические оси стремятся расположиться по направлению силовых линий внешнего поля. При температуре около 85°С в поле напряженностью 24—26 кв/см до 80% всех доменов ориентируются так, что их электрические оси повернуты не более чем на 45° от направления линий поля. Более того, после снятия поля домены стремятся сохранить согласное ннправление электрических осей. Благодаря этому пьезоэффект, который без поляризации можно было бы наблюдать лишь в однородном монокристалле или в отдельном домене, теперь проявляется в целом куске поляризованного поликри-сталлического материала. Керамиковый материал из титаната бария обладает большой упругостью и значительной прочностью аналогично фарфору. [c.97]

Смотреть страницы где упоминается термин Упругая линия кристаллов : [c.531] [c.491] [c.507] [c.121] [c.135] [c.341] [c.14] [c.454] [c.74] [c.265] [c.477] [c.637] [c.637] [c.606] [c.584] [c.116] [c.445] [c.24] [c.257] [c.134] [c.86] [c.67]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...