ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы которые они занимают в идеальной решетке, быстро уменьшаются но мере удаления от дефекта. Поэтому кристалл можно условно разделить на две области: малая область, непосредственно примыкающая к дефекту, где искажение решетки значительно, и весь остальной кристалл, где искажения малы. Эта вторая область с достаточной степенью точности может рассматриваться как сплошная упругая среда. В теории дислокаций делается еще следующий шаг по пути схематизации; несовершенства структуры считаются локализованными вдоль некоторой линии, так называемой линии дислокации, и напряженное состояние описывается как результат решения некоторой задачи теории упругости, соответствующей распределению определенного вида особенностей вдоль линии дислокации. [Выходные данные]