Прямолинейные дислокации

Тензор Оп для анизотропной среды найден в указанной на с. 43 статье. Этот тензор, вообще говоря, очень сложен. В случае прямолинейной дислокации, когда мы имеем дело с плоской задачей теории упругости, может оказаться проще непосредственно решать уравнения равновесия, [c.153]

Легко выяснить также характер зависимости от расстояния упругих напряжений вокруг прямолинейной дислокации. В цилиндрических координатах г, г, ц> (с осью г вдоль линии дислокации) деформация будет зависеть только от / и ф. Интеграл (27,3) не должен меняться, в частности, при произвольном подобном изменении размеров любого контура в плоскости х, у. Очевидно, что это возможно, лишь если все со 1/г. Той же степени 1/л будет пропорционален и тензор а с ним и напряжения со 1/г ). [c.154]

Во всех задачах о прямолинейных дислокациях принимаем вектор х в отрицательном направлении оси г. [c.155]

Рассмотрим совокупность большого числа одинаковых прямолинейных дислокаций, расположенных параллельно друг другу в одной и той же плоскости скольжения, и выведем уравнение, определяющее их равновесное распределение. Пусть ось г параллельна дислокациям, а плоскость х, г совпадает с плоскостью скольжения. [c.169]

Напряжения, создаваемые одной прямолинейной дислокацией (и действующие на другую дислокацию), убывают обратно пропорционально расстоянию от нее. Поэтому напряжение, создаваемое в точке X дислокацией, находящейся в точке х, имеет вид bDI(x—х ), где D — постоянная порядка величины упругих модулей кристалла. Можно показать, что эта постоянная D > О, т. е. две одинаковые дислокации в одной и той же плоскости скольжения отталкиваются друг от друга (для изотропной среды это показано в задаче 3 28). [c.169]

Видно, что поле напряжений прямолинейной дислокации имеет дальнодействующий характер, спадая, как г . На расстоянии (10 —10 )й от линии дислокации напряжения составляют величину - (10- —10 ) G. Как мы видели, при таких напряжениях дислокации уже могут двигаться. Таким образом, если на расстоянии — (10 —W)b от дислокации находится другая дислокация, то под действием напряжений, созданных первой дислокацией, вторая может начать скольжение. Другими словами можно сказать, что между дислокациями существует сильное упругое взаимодействие. Из рис. 3.23 легко понять, например, что две краевые дислокации, расположенные в одной плоскости скольжения, отталкиваются, если они одноименные, и притягиваются, если они разноименные. [c.105]

Особый интерес для приложений представляют прямолинейные дислокации взаимодействие прямолинейных дислокаций мы рассмотрим более подробно. [c.476]

Иными словами, эволюция дислокационной структуры предопределяет эволюцию радиационной пористости и пространственное распределение прямолинейных дислокаций и дислокационных петель задает пространственное распределение пор. Из теоретического рассмотрения и экспериментальных данных по влиянию дислокаций на развитие радиационной пористости следуют такие выводы [c.144]

Например, для прямолинейных дислокаций смещение кристаллитов друг относительно друга составит [c.32]

Отожженные ГЦК кристаллы часто содержат дислокационные сетки, в которых прямолинейные дислокации встречаются друг с другом только по тройным узлам. [c.44]

Построим контур Бюргерса вокруг винтовой дислокации (рис. 13.6, а и б) в этом случае невязка и вектор Бюргерса параллельны линии дислокации в отличие от случая краевой дислокации (см. рис. 13.5), вектор Бюргерса которой ей перпендикулярен. На рис. 13.4, 13.5 и 13.6 были изображены прямолинейные дислокации. В общем случае дислокация представляет собой произвольную пространственную кривую, вдоль [c.421]

Энергия прямолинейной дислокации. Изменение равновесных межатомных расстояний и искажение кристаллической решетки, вызываемое дислокацией, приводит к увеличению энергии кристалла с дислокацией по сравнению с идеальным кристаллом. Это увеличение характеризуется энергией д единицы длины дислокации. Величина д складывается из энергии ц центра (или ядра) дислокации, имеющего радиус Го, и упругой энергии Еу искажений в остальной части кристалла [c.439]

Взаимодействие скользящей дислокации с барьерами различной протяженности, находящимися в плоскости скольжения. Примерами таких барьеров могут служить частицы выделений второй фазы, т. е. область в основном кристалле, состоящая из другого вещества и имеющая другую кристаллическую решетку. Другой пример — граница зерна, образующая в плоскости скольжения протяженный и практически непроходимый барьер для движения дислокаций (рис. 13.39,а). Поэтому монокристаллы пластичных металлов имеют, как правило, более низкий предел текучести, чем поликристаллы. Определим напряжение в голове скопления одноименных прямолинейных дислокаций [c.461]

В данной главе проанализированы пространственные и временные многоточечные характеристики случайных полей напряжений, создаваемых дефектами кристаллического строения, такими, как бесконечные прямолинейные дислокации, дислокационные петли, точечные дефекты и другие, при различном характере их распределения в кристалле. В главе получено выражение для характеристического функционала и кумулянтных функций случайного поля напряжений, создаваемого движущимися дефектами кристаллического строения, которые произвольно распределены в кристалле в начальный момент времени и имеют различную, случайно распределенную мощность . [c.167]

Рассмотрим поле напряжений, создаваемое движущимися дефектами кристаллического строения. Остановимся на случае, когда положение дефекта можно задать конечным числом параметров (координат). Сюда относятся, в частности, точечные дефекты (три координаты положения точечного дефекта в пространстве), бесконечные прямолинейные дислокации (две координаты в плоскости, перпендикулярной дислокации), дислокационные петли (три координаты центра петли и эйлеровы углы, которые образуют нормаль к плоскости петли с осями координат) и пр. Совокупность координат, описывающих положение дефекта в пространстве, обозначим вектором г. Для точечных дефектов— это трехмерный вектор, для дислокаций — двухмерный и т. д. Если уравнение движения дефекта задается г = г t), то поле напряжений, создаваемое N дефектами, имеет вид [c.170]

ПРИБЛИЖЕНИЕ ОДНОЙ ПРЯМОЛИНЕЙНОЙ ДИСЛОКАЦИИ, РАСПОЛОЖЕННОЙ НА ОСИ ЦИЛИНДРИЧЕСКОГО КРИСТАЛЛА [c.231]

Что понимать под утверждением дислокация находится в положении Ь>, в общем случае определить достаточно трудно, поскольку при этом существенны тип дислокационной конфигурации и форма линии дислокации. Однако в каждом конкретном случае такое определение может быть проведено без сомнений. Так, если весь кристалл пронизывают прямолинейные дислокации, нумерует узлы кристаллической решетки в плоскости, перпендикулярной рассматриваемой системе дислокаций. Для дислокационных петель за I можно принимать все узлы кристаллической решетки, в которых возможно расположение [c.237]

ОБЩИЕ ФОРМУЛЫ ДЛЯ ПРЯМОЛИНЕЙНЫХ ДИСЛОКАЦИЙ [c.244]

Выражения (8.38) и (8.39) позволяют определить распределение интенсивности рассеянных рентгеновских лучей системой дислокаций, если известны смещения, создаваемые отдельной прямолинейной дислокацией. При этом основной вклад в сумму по s и s дают значения R = RsV порядка среднего расстояния между ближайшими дислокациями, и в этом случае [c.245]

ВИНТОВЫЕ ПРЯМОЛИНЕЙНЫЕ ДИСЛОКАЦИИ [c.247]

В РАСПОЛОЖЕНИИ ПРЯМОЛИНЕЙНЫХ ДИСЛОКАЦИЙ НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ИНТЕНСИВНОСТИ РАССЕЯНИЯ [c.254]

В результате взаимодействия дислокации между ними может возникать корреляция в пространственном расположении, что приводит к экранировке полей упругих напряжений. Рассмотрим случай, когда в кристалле присутствуют прямолинейные дислокации только одной системы, причем плотность дислокаций с противоположно направленными векторами Бюргерса одинаковая. Положим, что существенны только параметры корреляции между двумя дислокациями, [c.254]

СОДЕРЖАЩИЙ ХАОТИЧЕСКИ РАСПРЕДЕЛЕННЫЕ ПРЯМОЛИНЕЙНЫЕ ДИСЛОКАЦИИ [c.263]

Анализ (8.138) показывает, что если уширение в азимутальном направлении, обусловленное избыточной концентрацией дислокационных стенок одного знака, много больше уширения от общей концентрации дислокационных стенок, распределение интенсивности в азимутальном направлении описывается теми же формулами, что и для избыточной концентрации прямолинейных дислокаций Апа. При этом Апо должен быть заменен параметром [c.265]

Распределение интенсивности в направлении L в этом случае совпадает с результатами для хаотически распределенных прямолинейных дислокаций без избытка. [c.266]

Движение дислокации с помощью парных перегибов можно рассматривать как переход дислокации в соседнюю канавку потенциального пайерлсовского рельефа D (рис. 73) в два этапа. Первый из них — зарождение парного перегиба на прямолинейной дислокации, второй — его распространение в обе стороны. Промежуточные положения (рис. 73,6 и в) обладают избыточной [c.128]

По теории Кульман-Вильсдорф предпочтение отдается пересечению дислокаций с дислокационными сплетениями, также наблюдаемыми при электронномикроскопических исследованиях. Механизм образования дислокационных сплетений называют процессом ветвления . Он заключается в том, что движущиеся дислокации оставляют за собой пересекаемые дефекты, в результате чего позади движущейся дислокации образуются дислокационные диполи, вакансий и небольшие дислокационные петли, которые возникают в результате осаждения вакансий. Указанные дефекты искривляют прямолинейные дислокации этому способствует также поперечное скольжение. В конце концов первоначальная форма прямолинейных дислокаций настолько изменяется, что они принимают вид сплетений. Дислокационные сплетения распределены неравномерно. Поэтому на стадии / упрочнения дислокации заполняют места между сплетениями, т. е. свободные области кристалла, создавая квазиравномерную плотность сплетений. Затем на стадии II плотность сплетений в результате пересечения с движущимися дислокациями возрастает, расстояние между сплетениями уменьшается, вызывая рост деформирующего напряжения. При этом стадия III объясняется преобладанием поперечного скольжения. [c.213]

Нижний предел величины 2rjL [см. (3.17)] определяется значением для абсолютно прямолинейной дислокации и соответствует материалу с очень мелкими частицами, то [c.96]

Следует отметить, что в основе описанных методов анализа уширения линий лежит модель кристалла, разбитого на упруго деформированные области когерентного рассеяния, поэтому они применимы только тогда, когда в изучаемом металле имеются физически ограниченные области малого размера. В массивных материалах такие области, как правило, не обнаруживаются прямыми электронно-микроскопическими методами. В этом случае анализ уширения можно провести на основе теории рассеяния рентгеновских лучей дефектными кристаллами, разработанной М. А. Кривоглазом [9, 45]. Он показал, что в кристаллах, содержащих прямолинейные хаотически распределенные дислокации, дислокационные скопления типа pile up и границы ячеек, физическое уширение меняется пропорционально tg 0 и корню квадратному из плотности этих дефектов. В частности, для прямолинейных дислокаций плотаостъю р уширение равно [c.142]

В промышленных сплавах АЛ27-1 и 1420 при их взаимодействии с воздухом с относительной влажностью 80 % при 60 °С образуются избыточные вакансии [6.20]. Это проявляется, например, в завивке введеннь4х в препараты прямолинейных дислокаций в геликоиды рис. 6.036). [c.245]

В простейшем случае прямолинейных дислокаций, хаотически распределенных в соответствующих плоскостях скольжения, расчет интенсивности рассеяния изучен достаточно полно как для упругоизотропных [5, 9], так и упругоанизотропных кристаллов [10, 11, 14, 24]. В этом случае (г -) = Са(г,)Са (гг) и интенсивность / (я ) из [c.244]

Рассмотрим простейший пример винтовых прямолинейных дислокаций в упругоизотропно.м ГЦК кристалле. Интегральную ширину ад на дифрактограмме, полученную методом 0— 20-сканирования или на дебаеграмме, в этом случае можно записать как [5, 49] [c.247]

Рябошапка К- П. Теория рассеяния рентгеновских лучей кристаллами с объем-ноцентрированной кубической решеткой, содержащими хаотически распределенные прямолинейные дислокации//Там же.— 1964.— № 19.— С. 19—27. [c.313]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...