Облака кристаллические

Охрупчивание может возникать и как непосредственный результат выдержки материала в любой водородсодержащей среде. Такой вид охрупчивания, обнаруженный в 1935 г., в англоязычной литературе получил название водородное охрупчивание извне [82]. Сложность явления водородного охрупчивания обусловлена зависимостью механизмов взаимодействия водорода с материалом и различием в исходном состоянии водорода. Наружный водород может быть молекулярным, диссоциированным (атомарным) или входить в состав молекул сероводорода, воды, метанола и др. Водород, присутствующий во внутренних объемах материала, большей частью представляет протоны, погруженные в электронное облако кристаллической решетки. [c.174]

Дискриминация фазового состава облаков (кристаллические, водные) [c.214]

У переходных металлов, расположенных в больших периодах, осуществляется достройка внутренних оболочек. Идентичность свойств и существование лантаноидов и актиноидов определяется застройкой п—2 (снаружи) оболочек при сохранении идентичных п—1 и п оболочек. Форма электронных облаков зависит от занимаемой электронами орбиты. Так, например, s-электроны, вращающиеся по круговым орбитам, образуют электронные облака в форме сферического слоя с максимальной плотностью на расстоянии от центра атома, убывающей с увеличением или с уменьшением величины /7-электроны, вращающиеся по эллиптическим орбитам, образуют электронные облака в форме прямоугольно расположенных гантелей , так что при заполнении р-оболочки шестью попарно связанными электронами возникают три перпендикулярно расположенные по осям координат гантели . Форма электронных облаков , создаваемых внешними электронами, обусловливает кристаллическую структуру элементов. [c.8]

На рис. 3-1,а, показаны изменения свойств углеродистой стали 20 при изменении температуры от 20 до 600° С. В интервале температур так называемой синеломкости (200—300° С) повышается прочность и снижается пластичность стали, поэтому следует избегать пластического деформирования малоуглеродистой стали в этом интервале температур. Этот интервал назван интервалом синеломкости потому, что после выдержки стали при температуре около 300°С светлая поверхность стали приобретает синий цвет, что обусловлено образованием тонкой окисной пленки. Снижение пластичности и повышение прочности в интервале синеломкости связано с диффузионной подвижностью атомов примесей. Пластическая деформация происходит путем перемещения дислокаций. Вокруг ядра дислокации, где имеются искажения кристаллической решетки, облегчается растворение ато мов примесей. Поэтому вокруг нее образуется облако примесей. В процессе пластической деформации облако движется за дислокацией и тормозит ее перемещение. В результате пластичность снижается, а прочность возрастает. При температурах ниже интервала синеломкости диффузионная подвижность облака мала и дислокация легко обгоняет его. При температурах выше интервала синеломкости диффузионная подвижность облака настолько возрастает, что оно практически перестает тормозить перемещение дислокаций и пластичность вновь возрастает. [c.59]

С метастабильными состояниями вещества приходится иметь дело довольно часто. Так, может сохраняться в жидком состоянии вода в облаках при температуре ниже 0 С различные типы стекол представляют собой переохлажденные жидкости, не перешедшие в кристаллическое состояние в результате изоэнтропного расширения в различного рода процессах истечения паров эти пары оказываются переохлажденными и т. д. [c.211]

По мере удаления от ядра дислокации энергия взаимодействия примесей с нею уменьшается и резко падает концентрация примесных атомов. При г За (а—параметр кристаллической решетки) энергия упругого взаимодействия имеет величину порядка энергии теплового движения (kT). Поэтому иа расстоянии г > За примеси не могут собираться в устойчивое облако из-за теплового движения, рассасываются. Чем выше температура, тем меньше концентрация примесных атомов, образующих облако, а устойчивые образования, возникшие при более низких температурах, могут с повышением температуры рассасываться. При некоторой температуре Ti облако оказывается насыщенным — число примесных атомов вдоль оси дислокации приближается к предельному С- Си которому соответствует максимальное использование свободного объема. Можно показать, что для полной блокировки дислокаций необходимо очень малое содержание примеси в решетке основного металла. Например, концентрация атомов примеси, необходимая для образования плотных рядов на всех дислокациях, будет пропорциональна NA , где N—плотность дислокации, Л — межатомное расстояние, Взяв N = 10 см и А = 3 10 см, получим концентрацию атомов примеси всего лишь 10 % (ат.). - [c.300]

Аппаратура дистанционного зондирования, обеспечивающая получение информации о микрофизической структуре и построение объемных изображений облаков, приведена в табл. 1.10. При изучении характеристик облачных частиц определяются спектр распределения по размерам, а также фазовое состояние (жидкое или кристаллическое) облачных частиц. [c.31]

Предположим, что имеются два куска металла, поверхности которых абсолютно гладкие и чистые. При сближении этих кусков наряду с гравитационными и молекулярными силами, величины которых для металлов малы, будут возникать силы металлической связи. Известно, что металлы представляют собой конгломерат из положительно заряженных ионов и электронов. Взаимодействие между облаками электронов и ионами, находящимися в узлах кристаллической решетки, определяет монолитность и прочность кусков металла. При сближении двух металлических поверхностей происходит коллективизация электронов, в результате чего возникают силы взаимодействия между поверхностями. При достаточном сближении образуется общее электронное облако и, следовательно, единый агрегат из двух кусков металла. [c.9]

Устойчивость кристаллической структуры, термодинамическая и механическая прочность и жаропрочность тугоплавких металлов в конечном итоге определяются межатомными связями. Образование сильных, коротких металлических связей между ближайшими атомами в плотноупакованных рядах рассматривается как результат перекрытия орбиталей внешних коллективизированных электронов. При этом энергетическим s-, р-, d-зонам отвечает распределение электронов в реальном пространстве решетки, сохраняющее признаки симметрии соответствующих атомных з-, р-, й -орбиталей или электронных облаков. Возбуждение и расщепление остовных р - [c.3]

Полученное только на основании соображений симметрии уравнение (1.22-9) показывает, что эффекты второго порядка (например, получение второй гармоники и суммарных и разностных частот) не могут возникать в системах с центром инверсии. Однако, поскольку описание именно этих эффектов является особенно важным, мы не будем рассматривать модели, построенные по типу атома водорода или щелочного металла (обладающего инверсионной симметрией). Вместо таких моделей мы воспользуемся моделью, в которой центр тяжести оптического электрона расположен вне центра сферически симметричной системы (скажем, на оси х). Такое эксцентрическое положение равновесия определяется молекулярными или кристаллическими силами. Далее мы примем, что рассматриваемый оптический электрон в молекулярной или кристаллической системе принадлежит к электронам, образующим связь. Зависимость потенциальной энергии от смещения центра тяжести размазанного облака заряда оптического электрона определяется электростатическими и квантовомеханическими силами, обусловленными всеми взаимодействующими с ним носителями заряда, а также симметрией молекулы или кристаллической решетки предсказание детального хода потенциала для общего случая сделать невозможно, так как при тех или иных конкретных условиях могут иметь место самые разнообразные потенциальные функции. Однако возможно указать общее свойство интересующих нас типичных потенциальных функций по порядку величины квадратичные силы приближаются к линейным силам, если смещение центра тяжести достигает значения межатомного расстояния (Р 10- о м). Для силовых постоянных имеет место соотношение [c.111]

По современным представлениям строение металла характеризуется фиксированным положением в пространстве положительных ионов, которые окружены электронным облаком . Расположение ионов определяется кристаллической решеткой, характерной для данного металла. Электронное облако представляет собой обобществленные электроны внешних орбит атомов металла. Взаимодействие электронного облака с ионизированными атомами создает прочные металлические связи. По выражению Я. И. Френкеля, электроны, омывая ионы, связывают их в прочный конгломерат [18]. [c.60]

Конденсация паров часто встречается на практике. В конденсаторах паровых турбин пар конденсируется на охлаждаемых трубах конденсация пара осуществляется в некоторых опреснительных установках и многочисленных теплообменных аппаратах образование жидких или кристаллических частиц воды происходит в облаках или инверсионном следе за самолетом и т. д. [c.257]

Растворно-осадительный механизм диффузионной пластичности впервые отметил А. А. Бочвар [6]. Им указано, что для обеспечения высокой пластичности нужно создавать возможность перемещения частиц и взаимодействия фаз за счет переноса вещества. Для осуществления этого механизма необходимо наличие двух фаз. И, наконец, дислокационно-диффузионный механизм пластической деформации представляет собой перемещение дислокаций совместно с облаком , состоящим из растворенных в основной кристаллической решетке атомов, окружающих дислокацию. [c.282]

Сдвиг полос, по-видимому, также связан с отмеченным выше перекрыванием электронных облаков и изменением эффективного размера атома при его возбуждении. Большинство атомов металлов крупнее атомов матрицы, но они занимают один узел в кристаллической решетке матрицы (см. гл. 2) и поэтому "сжимаются" (под действием сил отталкивания). Если размер атома в возбужденном состоянии больше, чем в основном, то потенциальная энергия сил отталкивания, действующих на увеличившийся возбужденный атом, возрастает и повышает энергию электронного перехода. [c.109]

Физическая природа магнитоупругой энергии связана с изменением энергии взаимодействия орбитальных магнитных моментов ионов с электростатическим полем решетки при повороте вектора намагниченности материала внешним магнитным полем электронное облако магнитного иона при повороте его магнитного момента деформирует кристаллическую решетку [1-9]. [c.25]

Перейдем к самым важным для нас — металлическим связям, действующим преимущественно в металлах. Эти связи представляют собой дальнейшее развитие ковалентных связей. Здесь все свободные электроны связываются в общих орбитах, пересекающих весь объем металла, а все положительные ионы срастаются в неподвижную кристаллическую решетку металла. Огромные положительные заряды ионов решетки экранируются облаком электронов, образующих электронный газ, заполняющий весь объем металла. Расчеты показывают, что медь, например, содержит 8,4 X X 10 м электронов. [c.15]

Строение внешних электронных оболочек атомов главных подгрупп полностью определяет кристаллическую структуру соответствующих элементов. Щелочные металлы, ато мы которых пои образовании кристалла вследствие низкого значения первого ионизационного потенциала легко теряют единственный слабо связанный валентный -электрон, образуют положительные однократно заряженные ионы с полностью заостренными р -подоболочками. Взаимодействие этих положительных ионов с электронным газом, образующимся из отделившихся х-электронов, обусловливает металлическую связь, сближающую ионы друг с другом. Орбитальное взаимодействие р -под-оболочек соседних ионов или, иначе говоря, перекрытие эллипсоидальных р-облаков своими внешними концами приводит вследствие ортогональности р-орбит, располагающихся по трем осям прямоугольных координат, к организации таких ионов в простую кубическую решетку. Внутри этого элементарного куба остается пространство, достаточное для размещения в нем еще одного иона, и таким образом, образует- [c.397]

Установлено, что под действием пластических деформаций, происходят упрочняющие процессы разупорядочение кристаллических решеток увеличение плотности дислокаций измельчение кристаллических блоков и увеличение степени их разориентировки сдвиг границ зерен деформация поверхностей спайности в результате выхода пластических сдвигов на поверхность зерна и, как следствие, — увеличение связи между зернами. Уменьшается растворимость С, О и N в а-железе эти элементы выпадают из твердых растворов, образуя высокодисперсные карбиды, оксиды и нитриды в виде облаков, блокирующих распространение дислокаций. В закаленных сталях происходит распад остаточного аустенита, превращающегося в мелкоигольчатый мартенсит деформации. [c.301]

Систематический анализ учета влияния несферичности частиц на адекватное описание их радиационных свойств выполнен в работе [6]. Получен вывод о том, что влияние несферичности по сравнению с подобным случаем сфер эквивалентного радиуса будет заметным для достаточно крупных частиц, например частиц кристаллических облаков. [c.116]

Движение дислокаций задерживается у точечных и линейных дефектов атомно-кристаллических решеток, включений примесных атомов, облаков примесей (атмосферы Котрелла), у границ фаз, кристаллических блоков и зерен. Перемещение дислокаций тормозят поперечные дислокации и дислокации одинакового направления, но противоположного знака. Разноименные дислокации, столкнувшись одна с другой, взаимно погашаются. [c.172]

Известно, что металл с кристаллической структурой представляет собой систему положительных ионов (ядра, окруженные электронами внутренних орбиталей), 1югруженную в отрицательный электронный газ обобществленных внешних электронов. Электроны, обладающие достаточным запасом кинетической энергии, вырываются из металла и образуют над его поверхностью отрицательно заряженное облако. Электроны, находящиеся внутри металла и вблизи его поверхности, отталкиваются от этого облака, смещаясь внутрь металла. В результате уменьшается поверхностная плотность электронов и индуцируется положительный заряд, равный по абсолютной величине отрицательному заряду электронного облака. Сила взаимодействия между зарядами - сила электрического изображения - имеет значительную дальность действия, до 10 мкм от поверхности. Следовательно, энергетический потенциал поверхности характеризуется потенциалом внепп1сго пространства на расстоянии примерно 10 мкм от поверхности. Облако электронов совместно с наружным слоем положительных ионов образует двойной электрической слой. Таким образом, наличие электрического потенциала поверхности твердого тела и полярных молекул поверхностно-активных веществ предопределяет уровень их энергетического взаимодействия при адсорбции и строение адсорби -)ованной пленки. [c.54]

Температура плавления соединений А" понижается с ростом суммарного атомного номера и атомных масс, входящих в соединение элементов. Точки плавления лежат выше соответствующих температур плавления элементов, из которых состоит соединение, за исключением антимонида индия, температура плавления которого (536 °С) лежит между температурой плавления сурьмы (630 °С) и индия (156 °С). С увеличением атомной массы н суммарного атомного номера соединений уменьшается ширина запреш,еиной зоны, так как происходит размывание электронных облаков ковалентных связей и они все белее приближаются к металлическим. Скачкообразный переход к металлической связи наблюдается у сплавов индия с висмутом, галлня с сурьмой и т. д. Прямые, характеризующие изменение ширины запрещенной зоны в зависимости от суммарного атомного номера соединения (рис. 8-27), и прямые, показывающие изменение температуры плавления соединений, приближенно можно считать параллельными. Следовательно, между шириной запрещенной зоны и температурой плавления соединений имеется прямая пропорциональность. Наблюдаемая закономерность объяснима, если исходить из теоретических представлений о ток, что ширина запрещенной зоны зависит от вида связи, а видом и прочностью связи определяется энергия кристаллической решетки и, следовательно, температура плавления вещества. [c.262]

Я. И. Френкель обосновал существование у металлов двойного поверхностного электрического слоя, образованного облаком свободных (нелокализованных) электронов над металлической поверхностью и положительными ион-атомами остова кристаллической решетки (слоем избыточных поверхностных катионов). Этот двойной слой для краткости в дальнейшем будем именовать френкелевским. Во френкелевском двойном слое всегда существует скачок потенциала, в том числе и при отсутствии заряда на поверхности металла, т. е. в нулевой точке металла (как и скачок потенциала, связанный с ориентацией диполей растворителя [84]). [c.98]

Взаимодействие дислокации с дефектами кристаллической решётки. Упругое взаимодействие Д. с точечными дефектами (примесными атомами и вакансиями) приводит к повышению концентрации последних вблизи оси Д. и образованию вокруг неё т. в. облаков Котрелла. Сгущение атмосферы Котрелла в перенасыщенных твёрдых растворах может привести к коагуляции примесей на Д. В прозрачных кристаллах это приводит к декорированию Д.,что делает их визуально наблюдаемыми (рис, 7). Осевшие на Д. примеси блокируют её движение, как бы пришпиливая в пек-рых точках линию Д- В реальных условиях отрыв от примесей является осн. механизмом преодоления пре- [c.638]

Причины повышенной прочности твердых растворов. Атомы растворимого элемента присутствуют в кристаллической решетке элемента растворителя преимущественно вблизи дислокаций, где решетка деформирована, образуя там группы в виде облаков, называемые атмосферами Коттрелла . Такое расположение отвечает наименьшему запасу свободной энергии. [c.86]

Можно высказать следующие предположения относительно отмеченного эффекта. Известно, что в кристалле с равномерно распределенным растворенным элементом при наличии дислокаций возникает поток атомов этого элемента по направлению к дислокационным линиям, вследствие чего вокруг дислокаций создаются коттрелловские облака . Поскольку аустенит может наследовать дефекты деформированной а-фазы, можно ожидать образования на них сегрегаций углерода. Б межкритичес-ком интервале наличие таких сегрегаций должно затруднять процесс выделения феррита. Это связано с тем, что в присутствии дислокаций образование зародышей новой фазы преимущественно происходит именно на них [ 54]. Однако выделение малоуглеродистой а-фазы на дислокациях, обогащенных углеродом, естественно, затрудняется. Длительное сохранение неравновесного соотношения феррита и аустенита можно объяснить смещением кривых фазового равновесия при наличии несовершенств кристаллического строения за счет повышения термодинамического потенциала фаз и реализации в связи с этим квазиравновесных состояний. [c.58]

Применим это соотношение к кристаллической структуре хлорида цезия s l (рис. 3.4). Распределение плотности электронов структуры в направлении одного из ребер куба может быть представлено кривой /(х), показанной на рис. 3.1, а она была выбрана специально для этой цели. Слабые пики на этой кривой соответствуют электронному облаку ионов хлора, а большие пики-ионов цезия. (В структуре одинаковое число ионов каждого типа.) [c.56]

Еще один метод синтеза голограмм отдельных планов для визуализации трехмерного распределения плотности электронов в кристаллических структурах был предложен Строуком и др. [63, 208]. В этой работе был использован тот факт, что распределение плотности электронного облака трехмерной кристаллической структуры р (х, у, z) связано с так называемым комплексным структурным фактором F r, s, q), который может быть измерен по рентгеновской дифракции на структуре трехмерным дискретным [c.137]

К анализу поведенрш материала при высокой скорости деформации целиком относится то, что сказано в 1 предыдущей главы о свойствах материала в зависимости от времени. Из попыток детального объяснения влияния скорости деформации приведем только выдвинутое недавно объяснение запаздывания текучести в мягкой стали. Пластическая деформация, согласно этой теории, связывается с движением свободных, несвязанных дислокаций (нарушений кристаллической структуры). Чтобы эти дислокации начали двигаться, надо приложить извне некоторое напряжение, равное пределу текучести. Но в углеродистых сталях каждая дислокация окружена облаком атомов углерода, которое препятствует перемещению дислокаций. Поэтому требуется еще некоторое добавочное внешнее напряжение, чтобы освободить дислокации от облаков углерода. Этим объясняют наличие у мягких сталей и железа верхнего и нижнего пределов текучести. Верхний предел текучести— это то напряжение, которое необходимо для начала процесса текучести (на освобождение дислокаций, по излагаемой теории), а нижний предел текучести — это то напряжение, которое достаточно для поддержания начавшегося процесса текучести (по излагаемой теории, яа движение освободившихся дислокаций). При мгновенном приложении [c.250]

Межкристаллитная коррозия (МКК) аустенитных хромоникелевых сталей — один из видов структурной коррозии. МКК связана с обеднением аустенита вблизи границ зерен хромом вследствие образования карбидов хрома состава rgg e. В карбиде такого состава содержание хрома составляет 94 %. Содержание хрома в аустените порядка 20 %. При соприкасании кристаллических решеток зерен происходит их нарушение. Только часть атомов на границе зерен может принадлежать обеим соседним решеткам. Основная часть атомов находится в междоузлии соприкасающейся кристаллической решетки. Такие атомы дислоцированы. В первом приближении границу зерен можно рассматривать как скопление дислокаций. Атомы внедрения, например, углерод, образуют около линий дислокаций облако Коттрела. Энергия связи атома внедрения с дислокацией близка к 0,5 эВ. Поэтому концентрация атомов углерода на границе зерен аустенита [c.469]

Изложенные рассуждения справедливы и для случая обра- зоваиия кристаллических зародышей, что объясняет большую роль стеиок и частичек примесей в ускорении процесса кристаллизации. Работа образования зародышей особенно снижается для частиц изоморфных примесей или кристаллических частиц, имеющих с кристаллизующимся веществом сходное строение по каким-либо граням. Например, при эпитаксиальном росте кристаллических пленок на кристаллических подложках, а также в переохлажденных грозовых облаках при рассеянии в них кристаллического порошка йодистого серебра или ана- логичных веществ, имеющих сходную со льдом структуру, для предупреждения градобития. [c.97]

В заключение отметим еще один основной тип связи, действующий между молекулами, уже образованными ковалентными или ионными связями, и приводящий к кристаллическим структурам с отчетливо сохраняемой химической тождественностью молекул. Примером такой связи служит решетка 8102. Эта молекулярная или, как её называют, ван-дер-ваальсовская связь возникает между нейтральными атомами, находящимися в такой непосредственной близости, что их электронные облака подчинены дальнодействующим силам взаимодействия орбитных электронов соответственно обоих облаков. Возникающие при резонансе электронов соответствующих орбит поляризационные силы понижают общий потенциал пропорционально 1/г и ведут, таким образом, к притяжению атомов или молекул. Эти ван-дер-ваальсовские силы относительно слабы по сравнению с другими силами связи, но все же значительны в некоторых к ристалличе-ских решетках и особенно в случае поверхностных явлений. В газообразном состоянии фтор и хлор связаны ковалентными связями, в твердом же состоянии они удерживаются ван-дер-вааль-совокими силами в виде кристаллической решетки. Невысокая точка кипения галоидов (Рг — 187° С С г — 34,6° С Вгг — 58,78° С) является признаком их слабой связи. Когда ковалентные связи атомов с высокой валентностью распределяются между двумя соседними атомами, образуются очень большие молекулы, которые могут принять форму либо спиральных структур, как в случае селена и серы, либо двухмерных решеток, как у сурьмы. Четырехвалентные атомы ведут к образованию трехмерных решеток, как, например, в случае алмаза, кремния, германия и олова, где каждый атом расположен в центре тетраэдра, а координационное число равно четырем. [c.159]

Пластическая деформация проис,ходит путем перемещения дислокаций. Вокруг ядра дислокации, где имеются искажения кристаллической решетки, облегчается растворение атомов примесей. Поэтому вокруг нее образуется облако примесей. В процессе пластической деформации облако движется за дисло- [c.19]

Представление о кристаллической решетке — погруженной в облако свободно блуждающих электронов , — впервые высказанное Друдэ в 1902 г., теперь дополнено и приобрело несколько измененную трактовку однако оно и в первоначальном упрощенном виде хорошо объясняет высокую электропроводность, теплопроводность и термоэлектронную эмиссию металлов. [c.11]

Приведенные выше соображения касались условий, влияющих на диффузию атмосферы вдоль пути дислокации в упорядоченной кристаллической решетке. Однако можно принять, что растворенные атомы не диффундируют в виде облака вдоль пути дислокации, а просто группируются совместно с другими точечными дефектами решетки в упорядоченную атмосферу по пути движения дислокации в кристаллической решетке. В этом случае критическая скорость определяется тем условием, что дислокация должна пройти путь Га за время потребное для формирования аткюсферы, в течение которого каждый атом совершает только один скачок, и выражается формулой [c.105]

Жаропрочность - сопротивление стали разрушению при высокой температуре, зависящее не только от температуры, но и от времени. Механизм разрушения металла при высокотемпературном длительном нагружении имеет диффузионную природу и состоит в развитии дислокационной ползучести. Под действием температуры, времени, напряжений дислокации у барьеров, создавшие упрочнение, приходят в движение (совместно с облаком легирующих элементов и примесей) в результате взаимодействия с созданными нагревом подвижными вакансиями, которые обеспечивают их переползание в другие плоскости кристаллической решетки на границы зерен. Это приводит к разупрочнению, развитию локальной пластической деформации и охрупчиванию. Дислокации, выходящие на границы зерен, создают микроступеньки и вызывают из-за соответствующего изменения размеров контактирующих зерен межзеренное проскальзывание, раскрывающее микроступеньки в поры и трещины, чему способствуют потоки вакансий. В этих условиях прочность и пластичность металла зависят от температуры и времени, т.е. от длительности нагружения. Для предотвращения ползучести жаропрочность повышают двумя основными способами [c.50]

В металлах с идеальной кристаллической решеткой нет причин для локального протекания пластической деформации. В реальных же кристаллах локальное протекание пластической деформации может быть связано с наличием дислокаций. Движение дислокаций вызывает пластическую деформацию. Но критическое напряжение, при котором дислокация может двигаться, зависит от типа дислокации, от ее конфигурации (в особенности от длины и ширины дислокации) и от окружающего каждую дислокацию облака из растворенных атомов. Поэтому при действии постоянного напряжения (при ползучести) в начальный момент времени в движение приходят не все имеющиеся в металле дислокации, а лишь те, для движения которых критическое напряжение относительно мало. При этом продвижение дислокации может быть заторможено или полностью приостановлено при встрече ее с препятствием (в виде других дислокаций, инородных атомов, вакантных мест или других несовершенсгв кристаллической решетки). [c.20]

В работе Котрелла [12] было показано, что каждая дислокация окружена облаком из растворенных атомов. Образование облака вокруг дислокации по Котреллу объясняется тем, что при наличии дислокации (например, положительной) атомы, расположенные над плоскостью скольжения, сжаты, а ниже плоскости скольжения—растянуты. Энергия искажения будет уменьшена, если период решетки в верхней области увеличить, а в нижней уменьшить. Поэтому с энергетической точки зрения перемещение растворенных атомов вокруг дислокации выгодно в растворах замещения атомы, имеющие больший диаметр по сравнению с атомами матрицы, будут собираться в растянутой области, а с меньшим диаметром — в сжатой области в растворах внедрения атомы, вызывающие местное расширение решетки, будут диффундировать в растянутые области кристаллической решетки. Образующееся вокруг дислокации облако из растворенных атомов создает условия для торможения движения дислокации при воздействии внешнего напряжения. [c.25]

Следует также иметь в виду, что каждая дислокация окружена силовым полем 1см. уравнения (5), (7)], изменяющим растворяющую способность этого объема кристаллической решетки. Продвижение дислокации в таком облаке из растворенных атомов затруднено и, следовательно, требует большей величины критического наш ряжения. Дислокация в твердом растворе либо вырывается из облака , либо продвигается, таща его эа собой. Напряжение, требующееся для этого, зависит не только от природы облака , но и от ско рости деф01рмаци и, кото рая и предопределяет результат процесса. Следовательно, величина напряжения То, предопределяющего движение дислокации, окруженной облаком, также может изменяться в широких пределах. [c.378]

Группа УП1А (Не, Ые, Аг, Кг, Хе, Кп). Атомы элементов с полностью застроенными р8-подоболочками — инертные газы —имеют максимальные ионизационные потенциалы (см. рис. 15) и поэтому пр И образовании кристаллических структур их атомы не ионизируются. Так как все р -электроны спарены, они не могут образовывать и направленных ковалентных связей. Взаимодействие атомов инертных газов между собой носит поэтому молекулярный характер. Слабые силы вандерваальсового притяжения недостаточны для сближения, перекрытия и взаимодействия р -электронных облаков. На далеком расстоянии атомы инертных газов ведут себя как электронные облака псев-досферической формы и поэтому молекулярные силы упаковывают их атомы в плотнейшие решетки— компактную гексагональную для гелия, имеющего только два [c.401]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...