Параметр кристаллической решетки

Рентгенографический метод, в частности, микроанализ с помощью электронного зонда пригоден для исследования продуктов, образующих пленку на металлах определения размеров и ориентации кристаллов, а также измерения параметров кристаллической решетки. [c.436]

Параметры кристаллической решетки а и с не зависят от скорости охлаждения выше критической, достаточной для предотвращения распада аустенита и отпуска мартенсита во время охлаждения. Они зависят только от содержания С в стали и описываются следующими равенствами [c.102]

В зависимости от содержания С и легирующих элементов, а также от температуры промежуточного превращения, изменения величины параметра кристаллической решетки аустенита различны. Так, в стали с 0,54% С и 3—3,5% Сг при промежуточном превращении увеличивается параметр решетки аустенита, которому соответствует повышение концентрации С до 0,8%. При содержании в аустените 0,98% С параметр решетки остаточного аустенита в процессе превращения изменяется слабо. В стали с 1,44% С и 3,5% Сг наблюдается уменьшение средней [c.105]

Изменение параметра кристаллической решетки аустенита при промежуточном превращении показано на рис. 8.21. [c.105]

Рис 8 21 Изменения параметра кристаллической решетки аустенита при промежуточном превращении в различных сталях [c.105]

На этой стадии атомы Си еще не выделяются из а-твердого раствора и среднее значение параметра кристаллической решетки (0,255 нм) остается неизменным. Но поскольку на участках повышенной концентрации Си параметр решетки существенно меняется, это приводит к возникновению значительных напряжений в кристаллах, раздроблению блоков мозаичной структуры и увеличению твердости. [c.325]

На первый взгляд кажется, что образование монолитного соединения двух одинаковых монокристаллов с идеально гладкими и чистыми поверхностями возможно при любой температуре и без приложения внешней энергии. Для этого достаточно сблизить их поверхности на расстояние, соизмеримое с параметрами кристаллической решетки (порядка долей нанометра). Тогда между сопряженными атомами возникнут связи, граница раздела А (рис. 1.1) исчезнет и произойдет сварка. Такой процесс кажется вероятным и не противоречит второму началу термодинамики, так как свободная энергия системы при этом должна уменьшиться на величину энергии двух исчезнувших поверхностей раздела. [c.11]

Микрохимическая неоднородность с большой степенью точности и локальности (пятно анализа 1...4 мкм) может быть определена существующими методами анализа. При этом глубина анализируемого слоя составляет 1...3 параметра кристаллической решетки. Иногда такого анализа бывает достаточно, чтобы судить об эксплуатационных свойствах сварного соединения. Однако в ряде случаев, например при определении степени граничной неоднородности аустенитных зерен, локальность анализа может оказаться недостаточной. В этом случае представление о степени химической неоднородности можно получить, применяя аналитические методы расчета. [c.464]

Легирование приводит к изменению параметра кристаллической решетки и сил межатомного взаимодействия. Так как зависимость параметра решетки растворителя от концентрации легирующего элемента практически линейная, зависимость модуля упругости от содержания легирующего элемента также близка к линейной. [c.26]

Залечивание дефектов при пластической деформации под действием гидростатических давлений Б. И. Береснев и др. объясняют следующим образом. Гидростатическое давление, подавляя силы, стремящиеся раскрыть трещины, не позволяет им разрастаться. Создается возможность образования контактных мостиков между противолежащими поверхностями дефекта. В точках контакта благодаря высоким напряжениям и взаимному проскальзыванию частиц металла на противоположных поверхностях дефекта создаются условия для восстановления сплошности деформируемого металла аналогично условиям холодной сварки. При этом не исключается возможность локального нагрева металла в точках контакта противолежащих поверхностей, способствующего активизации диффузионных процессов. Причиной локального нагрева в контактных точках могут быть локализованная пластическая деформация, а также высвобождающаяся поверхностная энергия при сближении выступов дефекта на расстояние порядка параметра кристаллической решетки. [c.438]

Параметры (периоды), т. е. расстояния а и с между ближайшими атомами вдоль кристаллической оси измеряются в ангстремах (lA = 10 мкм). Для большинства металлов параметр кристаллической решетки изменяется от 1 до 5А. [c.20]

Практическая работа над картами механизмов деформации состоит из нескольких этапов [32]. Во-первых, для рассматриваемого материала собирается таблица значений его свойств, которые необходимы для численного решения указанных ранее уравнений скоростей деформации. К их числу относятся параметр кристаллической решетки, молекулярный объем, вектор Бюргерса, модули упругости и сдвига и их температурные зависимости, различные коэффициенты диффузии. [c.27]

Зависимость скорости роста усталостной трещины от коэффициента интенсивности напряжения возникает после достижения ею приращением в цикле нагружения величины, близкой нескольким параметрам кристаллической решетки (рис. 3.4). Прирост трещины, соответствующий нарушению сплошности материала в цикле нагружения, не может быть менее одного межатомного расстояния. Поэтому во многих случаях на кинетической кривой выделяют величину прироста трещины на одно межатомное расстояние в области ее начального (припорогового) роста (см. рис. 3.4). На поверхности образца в эксперименте могут быть зафиксированы скорости на несколько порядков меньше, чем прирост трещины на величину межатомного расстояния за цикл нагружения. Причины такого расхождения результатов экспериментов с физикой поведения материала будут обсуждены далее. [c.132]

Начальный процесс подрастания трещины развивается на масштабном микроскопическом уровне, поскольку прирост трещины за цикл нагружения соизмерим с параметрами кристаллической решетки. На этом масштабном уровне имеет место высокая чувствительность структуры материала к развитию усталостной трещины. Поэтому этот этап развития разрушения называют структурно чувствительным [2]. [c.132]

На немонотонный, скачкообразный процесс подрастания усталостной трещины за цикл нагружения на величину менее параметра кристаллической решетки указывают прямые эксперименты [73-77]. Регистрируемая на поверхности образца СРТ может сохраняться неизменной применительно к начальной стадии разрушения (стадия I), соответствующей процессу формирования псевдо-бороздчатого рельефа излома, так же как и величина шага усталостных бороздок применительно ко II стадии роста трещин. Все это дает основание проводить единое теоретическое описание процесса непрерывного и одновременно дискретного развития усталостной трещины. [c.202]

Данные по СРТ на поверхности образца, как уже было подчеркнуто выше, соответствуют суммарному приросту фронта трещины по всей толщине образца. Поэтому они не могут быть строгой характеристикой физического поведения материала, и их использование для оценки минимального прироста трещины в связи с параметрами кристаллической решетки неоднозначно. Вместе с тем переход на кинетических кривых через критические точки при описании роста трещины имеет достаточно четкую картину смены ускорения роста трещины. Это наблюдается не только после регистрации средней величины прироста трещины за цикл нагружения (далее скорости роста трещины), близкой одному или нескольким расстояниям между атомами кристаллической решетки. Аналогичная ситуация отвечает переходу от первой ко второй стадии разрушения, что отражает роль масштабных уровней процесса разрушения соответственно в связи с типом и параметрами кристаллической решетки, а далее параметрами микро- и макроструктуры материала. Ниже будет рассмотрен [c.203]

Характер уменьшения плотности облученного кварца виден из рис. 4.17. До потока нейтрон/сж плотность изменяется довольно медленно, затем быстро достигается предельное уменьшение плотности (около 15%) при потоке 1,5-10 нейтрон/см . Для потоков, меньших примерно нейтрон/см , изменение плотности, вычисленное из параметра кристаллической решетки, соответствует плотности, измеренной гидростатическим способом. [c.175]

Консолидация ИПД измельченного порошка привела к некоторому изменению среднего параметра кристаллической решетки (табл. 1.4). [c.58]

Параметр кристаллической решетки в наноструктурных материалах, как и в случае традиционных исследований, рассчитывают исходя из положений центров тяжести рентгеновских пиков. Уширение и связанное с ним возможное наложение хвостов рентгеновских пиков, а также повышенный уровень фона на рентгенограммах наноструктурных материалов могут несколько увеличить погрешность получаемых результатов, оцениваемую снизу в случае крупнокристаллических материалов значением порядка [c.73]

Вычисленные методом наименьших квадратов с учетом весовой функции sin 2 sin 2 усредненные значения параметров кристаллической решетки для наноструктурной Си, полученной ИПД кручением с числом оборотов, равным 6, и крупнокристаллической Си оказались равными 3,6135 0,0003 А и 3,6148 0,0002 А соответственно [79-82]. Таким образом, величина параметра кристаллической решетки в наноструктурной Си, полученной ИПД, была примерно на 0,03% меньше значения, соответствующего крупнокристаллической Си. Последнее в свою очередь очень близко к табличному значению 3,6150 А. [c.73]

Аналогичные исследования наноструктурного Ni, полученного ИПД кручением с числом оборотов, равным 6, также показало [135] уменьшение параметра кристаллической решетки по сравнению с табличными данными. В случае наноструктурного Ni он оказался [c.73]

Таким образом, проведенные рентгеноструктурные исследования свидетельствуют о формировании в результате ИПД состояния, характеризующегося размером зерен-кристаллитов в десятки нанометров, высоким уровнем микроискажений, измененным параметром кристаллической решетки, повышенными атомными смещениями, пониженной температурой Дебая, несколько повышенным диффузным фоном рассеяния рентгеновских лучей. Все это свидетельствует о специфичности дефектной структуры наноматериалов, полученных с использованием интенсивных деформаций, что должно быть учтено при разработке структурной модели ИПД материалов (см. 2.3). [c.80]

Процесс компьютерного моделирования проводился с использованием следующей модели У М3 поликристалла. Поликристалл состоял из 361 зерна, каждое из которых было заданным образом ориентировано в пространстве. Каждое зерно имело форму прямоугольного параллелепипеда с одинаковой длиной ребер, варьировавшейся от 4 до 50 параметров кристаллической решетки. Ребра параллелепипеда совпадали с направлениями [100], [010] и [001] в кристаллической решетке. Тип кристаллической решетки — ГЦК. Параметр кристаллической решетки соответствовал табличному значению для чистой Си и равнялся 3,615 А. Длина волны рентгеновского излучения равнялась 1,54178 А и соответствовала Си излучению. Интенсивность рентгеновских лучей, рассеянных поликристаллом, находили как сумму интенсивностей, полученных в результате рассеяния рентгеновских лучей отдельными зернами. При этом учитывали ослабление интенсивности, связанное с тепловыми колебаниями атомов и частичной поляризацией рентгеновских лучей. [c.115]

Вычисления в соответствии с уравнениями (2.37) и (2.38) показывают, что усредненные упругие смещения атомов из узлов идеальной кристаллической решетки очень велики вблизи границ зерен и медленно убывают в теле зерен (рис. 2.27), достигая для р = 1,0нм значения 6,01% в первом атомном слое, 4,25% во втором слое и т. д. В центре зерна с размером, равным 20 параметрам кристаллической решетки, усредненные смещения атомов составляют 1,34% и для размера зерна 50 параметров кристаллической решетки — 0,85 %. [c.117]

Количественная оценка показывает, что величина упругих микроискажений решетки, обусловленная дальнодействующими полями внесенных ЗГД в теле зерен при их плотности /э = 1,0 нм , очень велика и составляет, например, 2,55% при размере зерен равном 20 параметров кристаллической решетки. Увеличение размера зерен от 10 до 100 параметров кристаллической решетки приводит к уменьшению величины упругих микроискажений от 3,25% до 1,37%, что при произвольном знаке направлений упругих смещений атомов в теле зерен в соответствии с уравнением [c.118]

Следует отметить, что указанная плотность внесенных ЗГД весьма велика и, по-видимому, является предельно достижимой в границах зерен. При такой плотности расстояние между соседними внесенными зернограничными дислокациями в среднем должно составлять 1,0 нм, т. е. всего лишь несколько параметров кристаллической решетки. Уменьшение плотности внесен- [c.118]

Упорядочение может быть полным и неполным, когда все или часть атомов соответственно занимают определенное место в решетке. Упорядочение связано с диффузией, причем медленное охлаждение способствует этому процессу. От упорядочения зависит изменение параметра кристаллической решетки, хотя ее тип и строение остаются неизменными. Иногда возможно незначительное искажение. Так в упорядоченном растворе СпАп параметр с/й=0,935 и тип решетки Т12 а в неупорядоченном твердом растворе — с/й=1,0 и решетка К12. [c.34]

Отсюда следует, что наиболее подходящими для наших целей будут те шпинели, которые имеют значения массы атомов X, близкие к массам атомов 2, а также имеют малые значения параметров кристаллической решетки. К таким шпинелям относятся хромоникелевая и хромокобальтовая. [c.84]

Рений (Re) имеет плотность 21,02 г/см , температуру плавления 3180°С, кипения 5627°С, теплопроводность при 20°С составляет 170 Вт/(м -К), модуль нормальной упругости 469 МПа, твердость 2.50 НВ. При 90°С рений переходит в сверхпроводящее состояние. Он расположен в V11A группе Периодической системы элементов Д. И. Менделеева под номером 75, имеет весьма тяжелую массу, равную 186,31, кристаллическая решетка гексагональная, плотноупакованная (ГП), атомный радиус л = 0,138 hmi. Параметры кристаллической решетки и = 0,2758 нм, с = 0,45 нм, с а = = 1,615 [c.96]

Влияние параметров кристаллической решетки. Следовательно, первым условием образования неограниченного ряда твердых растворов является наличие у основного и легирующих компонентов одинаковых кристаллических решеток. Легирующие элементы первой группы (Fe, Сг, Мо, W) имеют однотипные объемноцентри-рованные кубические решетки (ОЦК). [c.410]

При выращивании монокристалла жаропрочного сплава необходимо создать определенные условия для роста только одного кристалла. Однако в производственных условиях выращивать идеальную монокристаллическую структуру весьма сложно. Поэтому под монокристаллической отливкой условно понимают изделие, выросшее из одного макрозерна, хотя в микроструктуре имеются фазовые включения, отличающиеся от матрицы как типом, так и параметром кристаллической решетки. [c.424]

Среди механических свойств только упругие свойства металлических материалов являются структурно нечувствительными характеристиками, связанными с параметрами кристаллической решетки и практически не зависящи- [c.46]

Краевая дислокация распространяется на тысячи параметров кристаллической решетки в I см кристалла число дислокаций достигает миллиона. Протяженность промежуточной области X называется шириной дислокации. Вектор Ь, или отрезок разомкнутости, определяет одновременно величину и направление смещения и называется вектором Бюргерса. Вектор Бюргерса в случае краевой дислокации перпендикулярен линии дислокации. На рис. 19 вектор Бюргерса по величине равен параметру решетки если вектор Бюргерса равен половине параметра [c.34]

Холодная сварка (ХС) — сварка давлением, осуществляемая без нагрева за счет пластической деформации металла в сварочной зоне. Для проведения ХС необходимо удалить оксиды со свариваемых поверхностей и сблияить их на расстояние параметра кристаллической решетки для образования межатомных связей между ними. Холодной сваркой можно получать соединения из пластичных металлов (А1, Си, Ag, Au и их сплавов) внахлестку тол- ЖшГои ОД—Т5 Ш и встык сечением до 700 мм . [c.60]

Метод наклонных съемок использовался, в частности, при оценке макронапряжений в детонационных покрытиях из никелевого порошка и твердого сплава ВК15 [266]. При напылении этих материалов происходит изменение химического состава и параметров кристаллической решетки. Рентгенограммы снимали на дифрактометре ДРОН-2 в железном излучении при угле поворота образца ф = 90, 90 30, 90 45, 90 65°. В результате испытаний установлен [c.189]

Минимальная величина скачка трещины ограничена параметрами кристаллической рещетки. Она не может быть меньше расстояния между двумя соседними атомами. Обычно на кинетических кривых выделяют границу для СРТ, которая характеризует величину прироста в цикле нагружения, равного одному параметру кристаллической решетки [78, 79]. Меньшие величины осредняемо-го прироста трещины за некоторое число циклов нагружения характеризуют явление накопления повреждения материала за несколько циклов, прежде чем происходит дискретное подрастание трещины. Чем больше циклов затрачивается на накопление повреждений в материале перед скачком трещины, тем больше расхождение регистрируемого в опыте среднего прироста трещины за цикл нагружения с реальным. [c.203]

Исследователи из Ок-Риджской национальной лаборатории [20] измеряли параметры кристаллической решетки облученных кристаллов сапфира. Расширение по оси а составляло 0,3% и по оси с — 0,45% при потоке быстрых нейтронов 6 10 нейтрон/см при 30° С. Несмотря на то что произошло значительное изменение параметров решетки, рентгеновская дифракционная картина показала, что сохраняется высокая степень ее совершенства. Они также облучали окись алюминия, содержащую 0,15% Ь1гО, чтобы определить влияние заряженных частиц, образуюш,ихся по реакции Li (п, а)Н . Интегральный поток тепловых нейтронов 1,8 10 нейтрон/см дает 3 10 ядер гелия и трития в 1 см образца и приводит к такому же изменению размеров, которое наблюдается при облу- [c.149]

Механические свойства чистого коммерческого молибдена при комнатной температуре приведены в работе Бруша и др. [16]. После облучения интегральным потоком 3-10 нейтрон/см" при 90° С предел текучести и предел прочности молибдена увеличились на 35,2 кг/мм , а относительное удлинение понизилось от 40 до 0%. Грэй [34], Адам и Мартин [1 ] сообщили, что параметр кристаллической решетки молибдена увеличивался под действием облучения. В результате отжига после облучения параметр решетки частично восстанавливался. [c.269]

Наноструктурная Си, полученная РКУ-прессованием, обладает усредненным значением параметра кристаллической решетки, равным 3,6133 0,0005 А [82], что на 0,04 соответствующего крупнокристаллической Си. Анализ рис. 2.10 указьшает на уменьшение параметра решетки во всех направлениях в кристаллической решетке. Объем элементарной ячейки в наноструктурной Си, полученной РКУ-прессованием, оказался равным 47,175 3 А . Данное значение примерно на 0,1 % меньше, чем в крупнокристаллической Си [81, 82]. [c.73]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...