Антимонид индия

Антимонид индия, 43т Банан [c.153]

Химически чистые полупроводники называются собственными полупроводниками. К ним относится ряд химически чистых элементов кремний, германий, селен, теллур и др., а также многие химические соединения арсенид галлия, антимонид индия, арсе-нид индия и др. На рис. 5.6, а показана упрощенная схема зонной структуры собственного полупроводника. При абсолютном нуле валентная зона у него укомплектована полностью, зона проводимости, расположенная над валентной зоной на расстоянии Eg, является пустой. Поэтому при абсолютном нуле собственный полупроводник, как и диэлектрик, обладает нулевой проводимостью. [c.154]

При питании X. д. от источника напряжения V эдс Холла где ц — подвижность осн. носителей заряда. Коэф. использования X. д. = где —мощность, потребляемая входной цепью, Р —мощность, выделяемая во внеш. нагрузке поэтому для создания X. д. необходимо использовать полупроводники с высокой подвижностью носителей заряда. К таким материалам относятся германий, арсенид галлия, антимонид индия. [c.414]

Арсенид индия — антимонид индия [58] [c.233]

Собственный антимонид индия имеет га-тип проводимости, а перед плавлением он должен быть собственным. В этой связи данные Буша с сотрудниками [405] требуют дополнительного выяснения. (Прим. ред.) [c.132]

По структуре энергетических зон реальные полупроводники делятся на два основных типа. На рис. 7.9 изображена зависимость энергии электрона от волнового вектора в случае, когда экстремумы валентной зоны и зоны проводимости расположены в точке к = 0. Такой конфигурацией зон обладает антимонид индия. Для кремния на рис. 7.10 приведена более сложная зависимость энергии электрона от волнового вектора. Из рисунка видно, что характер кривых зависит от кристаллографического направления. Одному и тому же значению волнового вектора соответствует несколько значений энергии. Наблюдается наличие нескольких экстремумов в зоне. Более глубокий минимум зоны проводимости смещен относительно к = 0. Большинство полупроводников, в том числе и германий, обладает сложной структурой энергетических зон. [c.55]

Антимонид индия имеет очень малую ширину запрещенной зоны (0,17 эВ) и очень высокую подвижность электронов [7,7 м /(В -с)] [c.101]

По данным [55] при давлениях (70—150) -10 атм существует антимонид индия с орторомбической структурой, который после закалки под давлением до 77 °К имеет температуру перехода в сверхпроводящее состояние - 3,4 К. Аналогичную фазу наблюдали в работе [55] при давлении 60-10 атм, в работе [54] при 48-10 атм. Согласно [57] орторомбическая [c.474]

Из формулы (9.12) видно, что в случае прямых переходов не должно быть поглощения фотонов с энергией меньше Eg. Поэтому край собственного роглощения должен быть очень резким. Действительно это имеет место, например, у очень чистых монокристаллов антимонида индия. [c.309]

Оптические свойства. Исследование оптических свойств кристаллических полупроводников дает обширную информацию об их зонной структуре. Данные об энергетическом спектре аморфных полупроводников также могут быть получены из оптических измерений. Первостепенная роль отводится при этом измерениям спектров поглощения. Спектры поглощения аморфных полупроводников удобно сравнить со спектром тех же материалов в кристаллическом состоянии. Это можно сделать в случаях германия, кремния, соединений селена и теллура. На рис. 11.14 в качестве примера приведен край спектра оптического поглощения аморфного кремния, который сравнивается с соответствующим спектром кристаллического кремния. Аналогичные данные получены для аморфного германия, арсенида и антимонида индия и некоторых других полупроводников. [c.367]

Кеезом и Пирлман (неопубликованные данные) провели измерения молярной теплоемкости антимонида индия в интервалах температур от 1 до 20° К, причем величина Н,, оказалась равной 200° К. Это вещество также имеет решетку типа алмаза, постоянная которой почти совпадает с постоянной решетки серого олова (6,45 и 6,46 А соответственно) кроме того, массы атомов индия, сурьмы и олова довольно близки. Если предположить, что величина о для серого олова также равна 200° К, то зависимости 9/в(, от Т/во для [c.348]

Наиболее исследованными и технологически не очень сложными из них являются фосфиды, арсенилы н антимониды, Серьезное практическое значение в настоящее время приобрели арсенид и фосфид галлия и антимонид индия. Основной метод получения соединений А В — непосредственное взаимодействие компонентов в вакууме или в атмосфере инертного газа. В свойствах соединений В (табл. 8-4) наблюдаются некоторые закономерности, которые показаны на рис. 8-27. [c.261]

Температура плавления соединений А" понижается с ростом суммарного атомного номера и атомных масс, входящих в соединение элементов. Точки плавления лежат выше соответствующих температур плавления элементов, из которых состоит соединение, за исключением антимонида индия, температура плавления которого (536 °С) лежит между температурой плавления сурьмы (630 °С) и индия (156 °С). С увеличением атомной массы н суммарного атомного номера соединений уменьшается ширина запреш,еиной зоны, так как происходит размывание электронных облаков ковалентных связей и они все белее приближаются к металлическим. Скачкообразный переход к металлической связи наблюдается у сплавов индия с висмутом, галлня с сурьмой и т. д. Прямые, характеризующие изменение ширины запрещенной зоны в зависимости от суммарного атомного номера соединения (рис. 8-27), и прямые, показывающие изменение температуры плавления соединений, приближенно можно считать параллельными. Следовательно, между шириной запрещенной зоны и температурой плавления соединений имеется прямая пропорциональность. Наблюдаемая закономерность объяснима, если исходить из теоретических представлений о ток, что ширина запрещенной зоны зависит от вида связи, а видом и прочностью связи определяется энергия кристаллической решетки и, следовательно, температура плавления вещества. [c.262]

Антимонид индия получают сплавлением в стехио-метрическом соотношении высокочнстых индия и сурьмы. Материал проходит зонную очистку, а монокристаллы из него получают по методу вытягивания. [c.263]

Антимонид индия применяют для изготовления фотоэлементов высокой чувствительности (основанных на использовании различных видов фотоэффекта), датчиков ЭДС Холла и оптических фильтров. Кроме того, InSb используют для термоэлектрических генераторов и холодильников. [c.263]

По величине запрещенной зоны тела второй группы условно делят на диэлектрики и полупроводники. К диэлектрикам относят тела со сравнительно широкой запрещенной зоной. У типичных из них fg > 3 эВ. Так, у алмаза Eg = 5,2 эВ, у нитрида бора 4,6 эВ, у AI2O3 7 эВ и т. д. К полупроводникам относят тела со сравнительно узкой запрещенной зоной. У типичных из них Eg < 1 эВ. Так, у германия Eg = 0,65 эВ, у кремния 1,08 эВ, у арсенида галлия 1,4 эВ, у антимонида индия 0,17 эВ. Рассмотрим эту группу тел более подробно. [c.154]

Так как в собственном полупроводнике количество электронов Б зоне проводимости должно быть равно количеству дырок в валентной зоне, то, как легко видеть из рис. 6.1, б, уровень Ферми должен располагаться в этих полупроводниках примерно в середине запрещенной зоны (более точно его положение будет определено ниже). В этом случае условие невырожденности (6.1) будет выполнено, если Egl2 > kT, т. е. если Eg> 2 kT. При комнатной температуре kT = 0,025 эВ. Ширина же запрещенной зоны у полупроводников обычно больше 0,1 эВ (она равна г 0,7 эБ у германия, 1,1 эВ у кремния, 1,35 эВ у арсенида галлия, 0,35 эВ у арсеннда индия, 0,177 эВ у антимонида индия и т. д.). Поэтому электронный газ в собственных полупроводниках является невырожденным и подчиняется статистике Максвелла —Больцмана. Этот вывод справедлив и для дырок, находящихся в валентной зоне. [c.160]

Антимонид индия (ТУ 48-4-292—85) поликристаллическнй и монокрнстал-лический, предназначенный для производства фотосопротивлений и других Полупроводниковых приборов, получают по методу Чохральского с ориентацией продольной оси слитка [211]. Отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 3°. [c.581]

Трудности, возникающие в связи с ограниченной дисперсионной областью решетки (особеннно если она изготовлена с селективностью в инфракрасной области), можно обойти, пользуясь системой со скрещенной дисперсией. Такая система может состоять из призменного спектроскопа, работающего при угле минимального отклонения, узкополосного фильтра, специально выбранного приемника, а также фильтра, отсекающего короткие длины волн (например, из кремния, германия, арсенида индия или антимонида индия). [c.340]

Постоянная Холла особенно велика у некоторых полупроводниковых материалов (германия и антимонида индия). На рис.6.31 [c.268]

Чтобы получить возможно большую чувствительность, следует применять материал с большим отношением и/п и возможно более тонкий. Такими свойствами обладает антимонид индия (1п5Ь). Воспроизводящая головка, основанная на таком принципе, имеет частотнонезависимую характеристику чувствительности по отношению к остаточному потоку записи, начиная от нулевой частоты, и позволяет получить отношение сигнал/шум более 45 дБ. В области высоких частот, в виду независимости эффекта Холла от частоты вплоть до десятка гигагерц, свойства таких головок определяются только потерями чувствительности из-за щелевых искажений так же, как и в обычных головках. Некоторым недостатком головки с элементом Холла является то, что в полупроводниковом элементе Холла существуют так называемые 1// шумы , спектральная плотность которых тем больше, чем ниже частота. Избежать появление этих шумов можно, применяя модуляцию, которая состоит в том, что вместо постоянного тока питания I через элемент Холла пропускают высокочастотный ток и па выходе головки получают высокочастотную эдс с амплитудой, пропорциональной магнитному полю. Усиленная эдс после детектора позволяет восстановить записанный сигнал, избавленный от 1// шумов . [c.269]

Существует довольно много экспериментов, в которых показано, что изменение структурного состояния тонкого приповерхностного слоя приводит к существенному изменению его механических свойств [9]. Так, в известных экспериментах Адамса [104], проведенных на образцах из спектрально чистой Си (99,999% Си) при статическом растяжении, физический предел текучести отсутствовал. Упрочнение приповерхностного слоя путем поверхностного легирования атомами цинка приводило к резкому повышению напряжения течения, а после небольшой предварительной деформации и старения на кривой растяжения появлялся резкий предел текучести. Зуб текучести в этих опытах периодически появлялся, если после каждого деформирования на небольшую степень пластической деформации производилось старение. В случае чистых образцов меди промежуточное старение не изменяло хода кривой растяжения. При удалении упрочненного приповерхностного слоя толщиной 122 мкм появление зуба текучести не наблюдалось и восстанавливался первоначальный предел текучести чистой меди. Подобные эффекты были обнаружены при диффузии серебра в медь, приводящие к образованию приповерхностного слоя сплава толщиной 30 мкм. В антимониде индия зуб текучести связан с присутствием кислорода в поверхностных слоях кристалла [105]. [c.182]

Методика измерения инфракрасного излучения аналогична используемой для видимого излучения, за исключением чувствительных элементов. Применялись фотосопротивления на основе антимонида индия, помещенные в сосуд Дьюара с окном иэ сапфира и охлаждаемые жидким азотом. В основном излучение имело длину волны менее 2 мкм. Изучение следа за объектами малого диаметра производится с помощью микроволновых зондов с длиной волны, достаточно малой для обеспечения необходимого пространственного разрешения. Частота микроволновых колебаний должна превосходить плазменную частоту по крайней мере на два порядка. Так как на распространение электромагнитных волн влияет концентрация и частота столкновений электронов, то для их определения необходимо измерять затухание амплиту- [c.146]

Следовательно, в результате осаждения тонкого индий-сурь-мяного покрытия на поверхности покрываемой детали образуется легированный индием и сурьмой (или антимонидом индия, при [c.12]

Рис. 7.9. Структура энергетических зон антимонида индия с учетом зависимости энергии от волнового вектора

Арсенид индия, как и антимонид индия, имеет малую ширину запрещенной зоны (0,36 эВ) и большую подвижность электронов [3,3 м /(В -с)]. Температура плавления InAs равняется 942° С, давление паров при этом составляет 0,3-10 Па. Поэтому технологические трудности, связанные с давлением паров в точке плавления, сравнительно не велики. Наиболее чистый арсенид индия имеет концентрацию электронов порядка 10 м" (л = 2 10 м ). [c.102]

Рис. 5.4. Положение донорной и акцепторной примесей в кристаллической решетке антимонида индия а—донорная примесь теллура б —акцепторная примесь цинка

На рис. 5.4 показано положение атома донорной (Те) и акцепторной (2п) примесей в кристаллической решетке антимонида индия (1п5Ь). Примеси элементов И, IV, VI групп обычно оказываются примесями замещения. [c.250]

Г а д ж и е в С. H., Ш а р и ф о в К. А. Определение теплоты образования антимонида индия путем сплавления в калориметрической бомбе. ДАН СССР, 136, 1339,11961. [c.218]

Температуры плавления соединений А В понижаются с ростом суммарного атомного номера и атомных масс входящих в соединение элементов. Точки плавления лежат выше соответствующих температур плавления элементов, из которых состоит соединение, за исключением антимонида индия, температура плавления которого (536° С) лежит между температурой плавления сурьмы (630° С) и индия (157° С). С увеличением атомной массы и суммарного номера соединений уменьшается ширина запрещенной зоны, так как происходит размывание электронных облаков ковалентных связей и они все более приближаются к металлическим (скачкообразный переход к металлической связи наблюдается после соединения 1п5Ь у сплавов индия с висмутом, галлия с сурьмой и т. д.). [c.359]

Антимонид индия 359—361, 362 Антимониды 35д—361, 362 Антрацит 318 Аргон 25, 79, 126, 301 Арсениды 359, 360, 361 Асбест 111, 193, 265, 267 Асбестоцемент 111, 266 Аскарелы 134, 135 Ацетилцеллюлоза 166 Ацетобутират целлюлозы 166, 191 Ацетон 46, 161 [c.402]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...