Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Расстояния между элементами структуры

Расстояния между элементами структуры  [c.92]

На участке кривой аЬ (см. рис. 6) ниже температуры Тс возникает упругая деформация, обусловленная изменением расстояния между элементами структуры полимера, т. е. при малых деформациях полимер следует закону Гука а = еЕ, где а — напряжение, МПа е - деформация.  [c.14]

Связь между элементами ЛВС осуществляется с помощью общей шины моноканала с высокой пропускной способностью. Структура информационных связей САПР (рис. 2.11) представляет собой исходную инфор]Мацию для разработки логической структуры ЛВС. Расстояния между различными узлами сети зависят от их территориального расположения на предприятии, а интенсивность обмена между узлами — от сложности проектируемого объекта. В зависимости от расстояний между узлами ЛВС и планируемой интенсивности обмена информацией выбирается аппаратура передачи данных.  [c.85]


В таблице 1.1 представлены различные кристаллические структуры некоторых элементов и параметры, описывающие кристаллическую структуру число атомов, приходящееся на элементарную ячейку, периоды решетки и расстояние между ближайшими соседями.  [c.52]

Элемент Тип структуры Число атомов в элементарной ячейке Периоды решетки, А° Расстояние между ближайшими соседями, А  [c.52]

С обеих точек зрения наше рассмотрение законно только до тех пор, пока в выделенный элемент входит большое число атомов. Для этого размеры элементов, на которые мы разбиваем тело, должны быть велики по сравнению со средними расстояниями между атомами. Но, с другой стороны, размеры элементов должны быть столь малы, чтобы все атомы элемента при рассматриваемом движении двигались практически одинаково. Только в том случае, когда мы сможем разбить тело на отдельные элементы так, чтобы были соблюдены оба эти условия, рассмотрение реальных тел как сплошных оказывается возможным. Дальше ( 156) будут приведены случаи, когда оба указанных условия не могут быть соблюдены одновременно и рассматривать некоторые явления в сплошных телах без учета их атомной структуры оказывается невозможным.  [c.461]

У щелочных элементов магнитное взаимодействие электронов намного меньше электростатического. Поэтому оно приводит к тонкой структуре энергетических термов. Согласно (2.21) терм с данными п и I расщепляется на два уровня (кроме 5-термов) причем уровень тонкой структуры с большим / лежит выше. Расстояние между уровнями тонкой структуры  [c.58]

Характерными параметрами структуры являются плотность его линейных элементов в единице объема (примером может служить плотность дислокаций) и удельная поверхность — универсальный показатель дисперсности структуры, не зависящий от формы частиц. Показатели твердости и прочности являются обычно простыми линейными функциями удельной поверхности. Кроме рассмотренных параметров существенное значение имеют, например для жаропрочных сталей, упрочненных дисперсной фазой, такие факторы, как число частиц в единице объема и среднее расстояние между частицами дисперсной фазы.  [c.211]

Модулятор в данном случае формировался напылением на полученную структуру молибдена с последующим взрывным травлением. При этом получалась самосогласованная юстировка автокатодов и отверстий модулятора. Расстояние между краями графитового катода и модулятора составляет около 3—5 мкм. Конструкция элемента плоского дисплея на основе данной конструкции показала на рис. 7.9. Для уменьшения токов утечек между катодом и модулятором вытравливается полость в стекле глубиной 3— 5 мкм. Использовался анод обычной конструкции (со слоями ITO и люминофора). Далее использовалась обычная технология для образования обратных контактов.  [c.258]


Собственно таблица М не содержит сведений о способе синтеза. Однако на базе М возможно построение методов синтеза с элементами алгоритмизации. В таких методах вводится метризация морфологического пространства. Морфологическое пространство составляют возможные законченные структуры, принимается, что расстояние между структурами С, и есть число несовпадающих элементов (каждая клетка таблицы М есть один элемент). Поэтому можно говорить об окрестностях решений. Далее исходят из предположения о компактности хороших решений, которое позволяет вместо полного перебора ограничиваться перебором в малой окрестности текущей точки поиска. Таким образом, гипотеза о компактности и метризация пространства решений  [c.175]

Расстояния между повторяющими элемента ми кристаллической структуры Молекулы растворенного вещества в растворе  [c.17]

Очень высокой упорядоченностью структуры на атомном уровне обладают монокристаллы. Расстояния между отражающими атомными плоскостями (периоды) кристаллической решетки большинства доступных монокристаллов не превышают 0,4—0,5 им. Изготовленные из них диспергирующие элементы успешно применяют в специально разработанных светосильных схемах с большими апертурами в спектральном диапазоне от 0,01 до 1,0 нм [1 ]. Однако такие монокристаллы не могут быть использованы в области длин волн более 1,0 нм, поскольку дифракция возможна лишь для длин волн, не превосходящих удвоенного расстояния между отражаю-ш,ими плоскостями кристалла.  [c.303]

Глаз человека при нормальной остроте зрения на расстоянии наилучшего видения может различать мелкую структуру, состоящую из линий или точек, при условии, что соседние элементы структуры отстоят друг от друга не меньше чем на 0,08 мм. Эта величина называется разрешающей способностью глаза. Вообще же под термином разрешающая способность глаза или оптического прибора имеется в виду наименьшее расстояние между двумя точками или линиями, которые еще могут быть видимы раздельно причем чем меньше это расстояние, тем больше и лучше разрешающая способность. Наблюдение мелких предметов в течение длительного времени сильно утомляет глаз. Для повышения разрешающей способности, для наблюдения мелких предметов и деталей, невидимых или видимых с трудом невооруженным глазом, существуют оптические приборы, дающие увеличенное изображение рассматриваемого предмета. Простейший прибор, предназначенный для этой цели — лупа.  [c.5]

Структурный подход свободен от этих недостатков. В его основе лежит допущение о существовании характерного размера неоднородности гетерогенной среды регулярной структуры, позволяющее выделить представительный элемент композита и описать процедуру осреднения. Например, в случае волокнистых композитов таким характерным размером служит расстояние между волокнами. Взаимосвязь между приведенными и раздельными характеристиками изучается с помощью моделей с упрощенной микроструктурой. При таком подходе физикомеханические характеристики композита удается выразить через характеристики элементов субструктуры и структурных параметров армирования. Получающиеся при этом соотношения позволяют по известным полям средних напряжений и деформаций восстановить истинные напряжения в связующем и армирующих элементах, что открывает широкие возможности для рационального проектирования композитных конструкций.  [c.27]

Элементы структуры конструкционных материалов весьма разнообразны и их размеры изменяются в широком диапазоне — от размеров атомов и молекул до размеров деталей или элементов конструкции. Характерные масштабы структуры приведены схематически на рис. 4.1 [96. Отвлекаясь от квантово-механических явлений, начнем перечисление с уровня кристаллической решетки 1 с характерным масштабом порядка 10 . .. 10 м. Более широкий диапазон 2 занимает молекулярная структура полимеров. Характерный масштаб дислокаций 3 имеет порядок 10 . .. 10 м, а среднее расстояние между дислокациями 4 лежит в широком диапазоне 10" . ... .. 10 м. Перечисленные элементы структуры служат предметом рассмотрения физики твердого тела. При этом раздел физики твердого тела — континуальная теория дислокаций — является пограничной областью между физикой твердого тела и механикой сплошной среды.  [c.119]


Одним из наиболее важных требований при записи голограмм является высокая стабильность интерференционного поля, поэтому необходимо обеспечить как можно большую жесткость оптической установки. Чувствительность к вибрациям весьма значительна, так как расстояние между интерференционными полосами имеет величину порядка микрометра. Если во время экспозиции отдельные элементы смещаются так, что интерференционные полосы сдвигаются от максимума до минимума и наоборот, то при записи совершенно исчезнет интерференционная структура и регистрирующий материал будет иметь равномерное почернение. Этот случай является наихудшим. В промежуточном случае снижается контраст интерференционных полос, что происходит за счет флуктуаций фазы.  [c.94]

МИКРОСКОП оптический (от греч. mikroa — малый и skopeo — смотрю) — оптич. приб для получения сильно увеличенных изображений объектов (или деталей их структуры), не видимых невооружённым глазом. Разл. типы М. предназначаются для рассматривания, изучения и измерения микроструктуры орга-нич. клеток, бактерий, срезов тканей, микрокристаллов, волокон, минералов, микросхем и др. объектов, размеры к-рых меньше мин. разрешения глаза (см. Разрешающая способность), равного 0,1 мм. М. даёт возможность различать структуры с расстоянием между элементами до 0,2 мкм. Обычно М. имеет двухступенчатую систему увеличения, образованную объективом и окуляром а обеспечивающую увеличение до 1500 краг, В оптич. схему М. входят также элементы, необходимые для освещения объекта.  [c.141]

Разрешающая способность М. ( — 1/бпр) прямо пропорциональна апертуре объектива, и для её повышения пространство между объективом и предметом заполняется жидкостью с большим ( > 1) показателем преломления (см. Иммерсионная система). Макс, апертура сухих объективов А 0,95 апертура объективов с масляной и.ммерсией может быть доведена до 1,4. При этом в видимой области возможно разрешение структур с расстоянием между элементами 0,2 мкм.  [c.143]

Для ориентированных срастаний наиболее благоприятны выделения из парообразного состояния (напыление примесного компонента в высоком и сверхвысоком вакууме). По современным представлениям эпитаксия обусловлена целым рядом параметров. В качестве важнейших следует назвать аналогию строения (структурногеометрическое подобие) срастающихся плоскостей кристаллических решеток, т.е. пх симметрию и расстояние между элементами решетки в плоскостях, характер связи в основном и примесном кристалле, скорость напыления, температуру кристалла, реальную структуру подложки, глубину вакуума (остаточное давление и природа остаточной газовой атмосферы), степень покрытия  [c.337]

Эти исследования показывают, что идеальная решетка термодинамически менее устойчива, чем мозаичный кристалл , т. е. кристалл, обладающий незначительными периодическими изменениями (сжатиями) в решетке. Эта вторичная структура внутри первичной решетки обусловливает такие эффекты, как понижение прочности, пластическую деформацию и др. Чтобы дать представление о порядке величины ячеек вторичной структуры, достаточно указать, что расстояние между двумя сжатыми частями в решетке кристалла каменной соли может быть примерно в 20 раз больше расстояния между элементами неискаженной решетки, так что кубик мозаичного кристалла каменной соли может содержать 8 ООО— 10 ООО атомов. Это дает возможность проверить оценку, данную Смекалем для размера вторичных ячеек, ограниченных дефектами структуры.  [c.79]

Многие элементы с неполностью заостренными внутренними электронными й- и /-подоболочйами обладают типичными металлическими структурами типа К8, К12 или Г12. Наличие решетки типа К8 у этих элементов объясняется тем, что после отделения всех валентных электронов внешней у ионов оказывается р -подоболочка с шестью электронами, образующими взаимодействующие эллиптические электронные облака . Решетка типа К12 является плотнейшей упаковкой. Для этой решетки удвоенное расстояние между двумя наиболее плот-ноупакованными октаэдрическими плоскостями, деленное на кратчайшее расстояние между соседними атомами в этой же плоскости <1, тождественно отношению параметров идеальной решетки типа Г12 при с/а= 1,6333. Несферичные ионы не дают плотнейшей решетки типа К12, хотя образуют плотнейшую решетку типа Г12.  [c.11]

Реальные тела обладают такими механическими свойствами (способность изменять расстояния между точками под действием сил), которые в пределах даже малого объема при переходе от точки к точке изменяются. Более того, если в окрестности ка-кой-либо точки выделить малый объем, то в пределах этого объема можно выделить участки, различные по своим механическим свойствам. Это связано с особенностями микроструктуры тел. Например, в конструкционных материалах можно выделить микрокристаллические об]эазования, которые объединяются между собой по границам этих микрокристаллов, по-разному между собой ориентируясь, в кристаллы. Последние объединяются в зерна со сложной границей. Такая картина вносит в строение материалов различные неоднородности, от которых следует абстрагироваться, что и делается в механике твердого тела введением понятия однородности структуры, которая состоит в том, что в малой окрестности любой точки тела строение однородно и не зависит от размеров малого объема, включающего эту точку. В более детальном описании гипотеза структурной однородности состоит в том, что реальное тело с его сложной микроструктурой, которую определяют расположение атомов н кристаллических решетках, взаимное расположение микрокристаллических образований, объединяющихся в зерна, и т. д., заменяют средой, не имеюш,ей структуры, свойства которой равномерно распределены в пределах любого малого объема. Это эквивалентно тому, что, выделив малый объем тела, его структурные элементы мысленно измельчают до бесконечно малых частиц и потом этой измельченной средой вновь заполняют прежний объем, т. е. в этом однородном теле нет никакой возможности выявить в любом малом объеме какую-либо структуру строения материала. Однако в механике твердого тела рассматривают такие неоднородные по структуре тела, которые состоят из конечного числа конечных объемов, занятых структурно однородными телами. Например, железобетон, в котором бетон и металл порознь считаются однородными, но они занимают конечные объемы. В то же время в механике твердого тела различают однородные и неоднородные тела в том смысле, что механические свойства тел могут быть некоторой функцией коордииат точки (неоднородность механических свойств), хотя в окрестности каждой точки однородность строения сохраняется. Тело будет механически однородным, если его механические свойства не зависят от координат выбора точки тела.  [c.19]


Упрочняющими фазами в сталях могут быть карбиды разного состава нитриды, карбонитриды, интерметаллиды, чистые металлы, малорастворимые в железе (например, чистая медь). Наиболее эффективное упрочнение достигается такими фазами, которые способны растворяться в твердом растворе (например, в аусгенпге при нагреве), а затем В1,1дсляться из него в мелкодисперсном состоянии и сохранят ься при температурах технологической обрабо кп и использования изделия. К эффективным упрочнителям относятся V , VN, Nb , NbN, МоС и комплексные фазы на их основе. Оптимальное упрочнение от твердых дисперсных частиц достигается при условии, когда эти частицы достаточно малы и когда расстояние между ними в твердом растворе мало. Обеспечивается это соответствую[цим подбором легирующих элементов и режимов термической обработки (закалка и высокий отпуск, закалка и низкий отпуск), позволяющих получить структуру с высокими механическими и триботехническими характеристиками.  [c.16]

Дефектами контакторов из сплава Ag— dO при критических режимах нагрузки являются глубокие межкристал-лические разрывы, возникающие из-за термических напряжений. Такие дефекты особенно характерны для крупнокристаллической структуры. В данное время разработан новый метод получения мелкозернистого материдла на основе серебра с дисперсными равномерно распределенными включениями dO. Мелкодисперсную смесь Ag и dO получают совместным осаждением гидроокисей кадмия и серебра из раствора нитратов этих элементов. Выделившиеся порошки превращаются при нагреве в металлическое серебро и dO. В противоположность обычному порошковому методу в данном случае прессуют не готовые детали, а блоки. Блоки спекают по особому тем-пературно-временному режиму и затем горячей и холодной деформациями с общим обжатием более 95% изготовляют необходимые полуфабрикаты. Таким методом получают предельно плотную матрицу с мелкодисперсными, равномерно распределенными включениями dO. Для предотвращения образования крупнозернистой структуры в основе должно содержаться 10—15 вес. % dO. Даже после критической деформации и многочасового рекри-сталлизационного отжига при 800° С средний размер зерна основы составляет менее 10 мкм, что соответствует среднему расстоянию между частицами dO. Изделия, полученные таким методом из сплава Ag— dO, проявляют при особо критических-условиях работы значительно лучшие свойства (низкую свариваемость при высоких токах включения и равномерное обгорание).  [c.249]

После охлаждения образцы по грани 8 х 35 мм шлифовали, исследовали их структуру на металлографическом микроскопе МИМ-8М и по методу Глаголева определяли объемное содержание связующего сплава по длине образцов. Распределение меди и кобальта по длине образцов исследовали методом локального рентгеноспектрального анализа на установке Микроскан-5 . Облучение образцов проводили электронным зондом длиной 1000 и шириной 2 мкм. Это позволило замерять усредненную интенсивность рентгеновского излучения исследуемых элементов и избежать влияния структуры сплава (зернистости) на измерение интенсивностей. Пять участков измерения интенсивностей располагались на грани 8 X 35 жж по линии, перпендикулярной продольной оси грани, расстояние между этими линиями составляло 0,5 мм. В образцах, контактировавших с расплавом кобальта, количественное содержание связуюш,его металла находили также путем сравнения отношений интенсивностей кобальта и вольфрама (/ o//w) с отношением интенсивностей этих элементов в эталонах. Абсолютная ошибка определения содержания кобальта составляла 0,5 об. %. Разность результатов определения содержания связующего металла по методике Глаголева и путем измерения отношений интенсивностей не превышала 0,8 об.%.  [c.95]

Между элементами кристаллической структуры графита — межплоскостным расстоянием doo2 и диаметром ОКР — авторы работы [224] установили взаимосвязь, выраженную при  [c.106]

Спеченные материалы (САС). Получение сплавов с минималь. ным количеством окиси алюминия при использовании для легирования элементов переходной группы (железо, хром, никель и др.), образующих с алюминием малорастворимые в твердом состоянии интерметаллические соединения. В опытном производстве были получены спеченные сплавы [52, 54, 55] из легированных алюминиевых порошков, полученных распылением, содержащие до 0,5% AI2O3. Наиболее перспективными легирующими элементами являются Сг и Fe, незначительно растворяющиеся и имеющие пониженный коэффициент диффузии в алюминии. Эти элементы образуют с алюминием интерметаллические соединения СгА1, и FeAig, образующиеся в виде дисперсных частиц. Средние размеры их не превышают 0,5—1 м/с, расстояние между ними находится в этих же пределах, чем и объясняется повышенная прочность и стабильность структуры получаемых сплавов. Высокие скорости кристаллизации при распылении порошков и возможность значительного перегрева расплава способствуют удерживанию в частицах порошка (зерне) большей концентрации легирующего компонента в твердом растворе. После длительной выдержки при 400° С рекристаллизация отсутствует, в то время как в литом сплаве при этих условиях она полностью завершается.  [c.111]

Большее практическое значение (по сравнению с рассмотренными) имеют иониты, параметры кристаллической решетки которых могут изменяться в известных интервалах. Примером пространственной структуры кристаллической решетки ионитов такого типа может служить решетка, образованная рядом наложенных друг на друга чередующихся плоскостных структур двух различных типов. Плоскости одного типа образованы группами атомов (обычно Si04 или AIO4), связи между которыми являются ковалентными. Отдельные такие плоскости связаны ограниченным числом также ковалентных связей (через атомы кислорода). В пространстве между указанными плоскостями находятся ионы, заряд которых противоположен по знаку заряду плоскостей (совокупность этих ионов образует плоскость второго типа). Ионы могут мигрировать в образуемом ими плоскостном элементе и замещаться другими ионами (того же знака заряда). Изменение при этом величины заряда и радиуса ионов приводит лишь к изменению расстояния между плоскостными элементами первого типа, но не к разрушению кристаллической решетки. В плоскость, образуемую мигрирующими ионами, могут внедряться также молекулы воды, приводя к соответствующему увеличению параметров кристаллов в направлении оси, перпендикулярной указанным плоскостям. Своеобразие структуры объясняет высокую скорость диффузии ионов в твердой фазе ионита. Такая структура (и подобные ей) характерна для многих минеральных ионитов.  [c.173]

Металлич. радиусы считаются равными половине кратчайшего расстояния между атомами в кристаллич. структуре элемента-металла, они зависят от координац. числа К. Если принять А. р, при K=iZ за единицу, то при А =8, 6 и 4 А. р. того же элемента соотв. равны 0,98 0,96 0,88. Близость значений А. р. разных металлов необходимое (хотя и недостаточное) условие взаимной растворимости металлов по типу замещения. Так, жидкие К и Li обычно не смешиваются п образуют два жидких слоя, а К с Rb и s образуют непрерывный ряд твёрдых растворов (А. р. Li, К, РЬ и s равны соотв. 0,155 0,2,36 0,248 0,268 нм). Аддитивность А. р. позволяет приблюкённо предсказывать параметры кристаллич. решёток интерме-таллич. соединений,  [c.156]

Механизм высокоэластичной деформации [22]. Высокоэластичное состояние является промежуточным физическим состоянием между жидким (текучим) и стеклообразным, поэтому в комплексе механических свойств эластомера можно обнаружить элементы свойств жидкого и стеклообразного тела. В простой жидкости молекулы легко перемещаются тепловым движением. Внешнее силовое поле дает преимущество перемещению в направлении поля, что приводит к возникновению макроскопически наблюдаемого течения жидкости. Развитие высокоэластичной деформации можно рассматривать как течение звеньев или групп звеньев макромолекулы под влиянием внешних сил. С этой точки зрения полимеры (и, в частности, эластомеры) близки к жидкостям. Однако, поскольку все звенья в цепи связаны, а цепи сшиты в пространственную сетчатую структуру, то их течение ограничено связями и не является необратимым. Это соответствует твердому состоянию тела. Таким образом, при высокоэластичном состоянии возможность свободного перемещения имеют только участки цепных макромолекул при отсутствии заметных перемещений макромолекулы в целом. Тепловые движения п эиводят к многочисленным-конформациям этих участков, при которых расстояние между узлами цепей пространственной сетки намного меньше контурной длины участков цепи. Под действием внешней силы цепи изменяют свои конформации, причем проекции участков в направлении деформации удлиняются (или сокращаются). Деформация развивается путем последовательного перемещения сегментов этих участков из одного положения в другое, т. е. протекает во времени [4, 49]. Этим объясняется отставание высокоэластичной деформации от изменения внешней нагрузки. Процесс перегруппировки сегментов сопровождается преодолением внутреннего трения и, следовательно, рассеянием механической энергии. После прекращения действия внешней силы участки цепи под действием теплового движения вновь вернутся в наиболее вероятное состояние сильно свернутых конформаций. По терминологии термодинамики переход в более вероятное состояние системы связан с возрастанием энтропии. Поэтому эластомеры имеют энтропийный характер деформации деформация связана с уменьшением энтропии, а возвращение в начальное положение — с увеличением ее. На основе законов термодинамики разработана статистическая (кинетическая) теория деформации и прочности полимеров, устанавливающая связь механических характеристик с температу-4 51  [c.51]


У продуктов реакции графита и некоторых углеродистых материалов с внедряющимися веществами сохраняется основной элемент графитовой структуры — слой гексагональных сеток ароматического типа. Но расстояние между слоями атомов углерода, непосредственно связанных с внедривщимся слоем химического соединения, значительно увеличивается. Как было показано выше, расстояние между слоями у графита составляет 3,35-10 м, а при внедрении атомов и молекул оно значительно увеличивается и зависит только от их размеров. Так, при внедрении натрия оно возрастает до 4,6, калия — до 5,4, хлорида алюминия — до 9,26 А. Иными словами, слои раздвигаются настолько, насколько требуется для вмещения в решетку соответствующих реагентов.  [c.250]

Дифракционные исследования (см. раздел 1) показывают, что многие жидкие металлы структурно просты и подобны жидким благородным газам. Исключения составляют полуметаллы и метаметаллы, которые находятся в более высоких группах и низких периодах Периодической системы элементов в этих металлах в жидком состоянии в какой-то мере проявляется неметаллическая связь, что приводит в результате к обнаружению двух ближайших расстояний между атомами в жидкости. Эти расстояния часто хорошо соответствуют таким же расстояниям в твердом состоянии. Аномальная природа связи в полуметаллах доказана также отрицательным изменением объема, уменьшением сопротивления после плавления и низким значением отношения тепловых коэффициентов расширения в твердом состоянии и в жидкости, хотя эти наблюдения ничего не говорят нам о структуре жидкости. Нельзя сделать вывод о структуре из воб-щем-то неточных данных по атомному перемещению (см. раздел 3) и поверхностной энергии (см. раздел 4) жидких металлов, хотя они и не противоречат полученным выше заключениям.  [c.166]

Молекулярная структура. Основные особенности жидкого агрегатного состояния вещества — способность сохранять объем, существование свободной поверхности и текучесть под действием небольшого давления. Свойства жидкостей определяются прйродой атомов, входящих в состав молекул, взаимным расположением молекул в пространстве и расстояниями между ними, от которых зависят энергия межмолекулярного взаимодействия и подвижность элементов структуры. В твердых и жидких телах существует внутренний ( свободный ) объем Vf, равный разности внешнего объема тела V и собственного объема его молекул Dq (для одного моля вещества). Отношение к = VojV, называемое коэффициентом упаковки, для низкомолекулярных органических кристаллов составляет 0,68 — 0,80, для аморфных полимеров 0,625-0,680, для жидкостей 0,5 [81]. Структуру жидкости можно представить в виде множества определенным образом организованных молекулярных комплексов (роев), совершающих тепловое движение, в которых и между которыми спонтанно возникают  [c.21]

Сравнение структуры фуллерена Сбо с другими формами углерода (графитом и алмазом) показывает принципиальное отличие структуры Сбо от графита и алмаза не только своей молекулярной формой, но и типом симметрии. Это следует также (рис. 3.9) и из анализа геометрических образов кластеров и фуллеренов. В кристалле алмаза, как известно, каждый атом углерода окружен четырьмя другими, находящимися в узлах тетраэдра. Соседние атомы связаны между собой сильными ковалентными связями, что и определяет твердость алмаза. Среднее расстояние между атомами равно 0,154 нм. В новой форме углерода в противоположность фафиту и алмазу минимальным элементом ее структуры является не атом, а молекула. Это определяет принципиальную разницу между типами упорядочения структуры графита и фуллерена. Кроме того, как установлено в [7], кластеры правильной формы, состоящие из магического числа атомов, обладают подвижностью, сравнимой с подвижностью одиночного атома. Это является следствием кооперативного взаимодействия атомов кластера.  [c.98]

По оси ординат отложены атомные диаметры, определяемые из кратчайших расстояний между атомами в кристаллических решетках элементов. Заштрихованные области показывают интервалы благоприятных значений размерного фактора эти значения составляют 15% от соответствующих величин атомных диаметров меди, серебра и у-железа. Тип образующейся структуры для каждого элемента обозначен соответствующими условными обозначениями О объемноцентрированная кубическая решетка гра-ие1 еитрированная кубическая решетка д цлотноупа овав8ая ге С гональная решетка решетка типа алмаза.  [c.153]

Первоначальная формулировка понятия о размерном факторе для сплавов двойных систем основана на допущении, согласно которому атомный диаметр элемента можно представить равным кратчайшему межатомному расстоянию в его решетке (см. гл. I). При таком подходе к оценке атомного размера часто возникают затруднения в случае анизотропных или сложных структур, а также в случае структур с низким координационным числом. Например, если в структуре имеется несколько близких межатомных расстояний, как это имеет место в случае галлия, в структуре которого различают четыре значения d (di = 2,437 = 2,706 йз =2,736 и ( 4 = 2,795 А), то наименьшее из них di не характеризует достаточно точно атомный размер галлия при образовании твердого раствора (Юм-Розери и Рейнор [52]). Аналогичные выводы можно сделать даже в отношении элементов, кристаллизующихся в типичные металлические структуры. Например, в случае цинка, который имеет гексагональную плотноунакованную структуру с высоким отношением, осей с/а, можно выделить четыре значения межатомных расстояний, которые могли бы характеризовать размеры атома цинка расстояния между соседними атомами в базисных плоскостях, являющихся одновременно плоскостями  [c.167]

Возникновение сателлитных рефлексов вокруг нормальных рефлексов в направлении Ь в соответствии с периодичностью дальнего порядка в сверхструктуре uAu II заставляет предположить, что зона Бриллюэна должна иметь некоторое расщепление определенных граней. Это иллюстрируется схемой на фиг. 32, которая представляет горизонтальное сечение обратной решетки, проходящее через зону, показанную на фиг. 31. Сато и Тот [102] предположили, что при наличии одного электрона на атом поверхность Ферми проходит на небольшом расстоянии от граней 110 , и поэтому в случае образования сверхструктуры uAu II взаимодействие поверхности Ферми с этими расщепившимися гранями приводит к дополнительной стабилизации структуры дальнего порядка. Поскольку от периода М зависит расстояние между сателлитными пятнами в обратной решетке, то должна быть связь между М и электронной концентрацией, определяющей объем сферы Ферми. Было показано, что при увеличении электронной концентрации е а поверхность Ферми лучше соответствует граням (110), если их расщепление увеличивается. Это должно приводить в свою очередь к уменьшению периода М. Сато и Тот [101] показали, что добавление различных элементов к сплаву СпАи II, обусловливающее изменение электронной концентрации е/а, приводит также и к изменению периода дальнего порядка, согласующемуся с вышеописанной моделью. Более того, эта модель дает возможность объяснить и другие характеристики сверхструк-тур дальнего порядка, такие, как характер искажения кристаллической решетки, температурную и концентрационную зависимости этих искажений и периодичности, а также позволяет ответить на- вопрос о том, будет ли данная сверхструктура одномерной или двумерной.  [c.213]

Нагрузка на индентор должна быть тэкой, чтобы диагональ отпечатка была в несколько раз меньше размера измеряемого элемента структуры. При испытании микротвердости тонких слоев следует соизмерять глубину отпечатка с толщиной слоя. Для конструкционных материалов чаще всего применяют нагрузку 0,2 и 0,5 к (20 и 50 г). Расстояние между отпечатками должно быть не менее 2—3 диагоналей отпечатка.  [c.173]


Смотреть страницы где упоминается термин Расстояния между элементами структуры : [c.81]    [c.95]    [c.249]    [c.419]    [c.359]    [c.16]    [c.156]    [c.516]    [c.56]    [c.118]    [c.154]    [c.82]    [c.85]   
Смотреть главы в:

Металловедение и термическая обработка стали Т1  -> Расстояния между элементами структуры



ПОИСК



Расстояние

Расстояние между элементами

Структура элементов,



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте