Дефект структуры монокристалла

Феноменологический и физический пути построения критериев. Описанный выше подход к построению критерия для оценки границы перехода материала в предельное состояние имеет чисто феноменологический характер, никак не связанный с дискретностью строения материи поэтому и сами критерии имеют чисто феноменологический характер. В отличие от феноменологического, мыслим и физический подход к решению проблемы. Однако даже в случае линейного напряженного состояния или чистого сдвига теоретически находить характеристики, определяющие переход материала в предельное состояние, удается лишь для монокристаллов идеальной структуры. В случае же наличия многообразных дефектов структуры монокристалла, а тем более в случае поликристаллического тела (металла), проблема до сих пор не разрешена надежно даже для отмеченных выше элементарных однородных напряженных состояний. В настоящее время предпринимаются многочисленные попытки в направлении построения физических теорий с использованием методов математической статистики и теории вероятностей, к сожалению, пока далекие от возможности непосредственного широкого их использования в практических расчетах. Больше других удалось исследовать вопросы хрупкого разрушения, в том числе рассмотреть масштабный фактор и изменчивость прочности, а также явление усталости. Однако будущее принадлежит именно статистическим теориям, описывающим физику явления с единых позиций. [c.539]

В аморфных диэлектриках в широком диапазоне температур длина свободного пробега фононов ограничена рассеянием на дефектах структуры. Теплопроводность аморфных тел значительно меньше, чем теплопроводность кристаллов. Поликристаллические тела обладают промежуточной теплопроводностью между теплопроводностями монокристаллов и аморфных тел. [c.339]

Для изготовления солнечных элементов часто используют пластины кремния, вырезанные из монокристалла, что обеспечивает высокую чистоту и, что не менее важно, минимальное количество дефектов структуры. [c.101]

Лазерные кристаллы и стекла, изготовляемые при высокой температуре, даже при самой совершенной технологии содержат замороженные дефекты структуры, снижающие степень их оптического совершенства. От таких дефектов свободны жидкости. Если в твердотельных лазерах большой мощности рабочее тело стремится расколоться при вспышке, то в жидкостных этого не происходит. И, наконец, стоимость твердотельных лазеров растет с увеличением их размеров и мощности, а максимальные размеры монокристаллов ограничены, тогда как в жидкостных лазерах такие ограничения отсутствуют. Все это определяет преимущества использования жидкостей в качестве активных сред очень мощных и недорогих лазеров. [c.251]

Обращают на себя внимание исключительно низкие значения критического скалывающего напряжения, отвечающие пределу текучести металлических монокристаллов. Как известно, теоретическая оценка прочности металлических монокристаллов на разрыв приводит к значениям разрывных напряжений порядка 10 —10 кГ/мм , тогда как опыт показывает, что разрывная прочность их по порядку величины не превосходит указанных в таблице значений критического скалывающего напряжения. Такое резкое расхождение между теоретической и практической прочностью иа разрыв металлических монокристаллов, имеющее место также и для неметаллических кристаллов, прежде всего, связано с дефектами структуры, как имеющимися изначально в кристаллах, так п возникающими в процессе их пластического деформирования. [c.25]

Амальгамированные монокристаллы олова, так же как и цинка, при высоких скоростях растяжения обнаруживают хрупкость, а при относительно медленном течении под действием постоянной нагрузки — упрочнение [140]. Для выяснения роли напряженного состояния в этом процессе амальгамированные монокристаллы олова выдерживались некоторое время под небольшой нагрузкой, не вызывающей еще сколько-нибудь заметного течения образцов оказалось, что наибольшее упрочнение обнаруживается при длительном выдерживании в напряженном состоянии (рис. 116). Поскольку описываемое легирующее действие расплавленного покрытия обнаруживается в некоторой степени и в том случае, когда испытания производятся тотчас же после нанесения покрытия, следует полагать, что оно обусловливается не только обычной объемной диффузией атомов расплава в решетку образца, но и быстрой миграцией этих атомов вдоль дефектов структуры (полых дислокационных ядер и т. п.), развивающихся в кристалле при наложении нагрузки. [c.227]

Для характеристики совершенства структуры монокристаллов часто применяют термин физ. чистота . Отсутствие структурных дефектов (физ. чистота) во многих случаях сказывается на свойствах веществ аналогично отсутствию посторонних атомов (хим. чистота). Искажения кристаллич. решетки веществ, как правило, связаны с присутствием инородных включений и примесей, а примеси чаще всего концентрируются в структурно-дефектных участках решетки. Наряду с хим. и физ. чистотой рассматривают также изотоническую чистоту — содержание в хим. чистом веществе изотопов одного вида. [c.416]

Расчеты интегральной излучательной способности с использованием экспериментально определенного спектрального коэффициента поглощения и преломления даже для монокристаллов тугоплавких окислов и стекол весьма трудоемки и могут быть выполнены на больших ЭВМ. Объемное излучение, присутствующее в большинстве частично прозрачных материалов, благодаря наличию пор, границ кристаллов и дефектов, структуры делает точный расчет чрезвычайно сложным. Кроме того, в настоящее время в литературе крайне мало данных по спектральным характеристикам поглощения и преломления при высоких температурах. Поэтому необходимо экспериментальное определение излучательной способности частично прозрачных материалов. [c.120]

Физическая чистота. Для характеристики совершенства структуры монокристаллов нередко применяют термин физическая чистота. Под этим понимают отсутствие дефектов (вакансий, дислокаций), влияющих на физико-химические свойства веществ и являющихся местами концентрации химических примесей, В отдельных случаях учитывают и изотопическую чистоту — содержание в чистом веществе изотопов одного вида. [c.4]

В книге рассматриваются межатомные взаимодействия и энергия связи, некоторые физические свойства, симметрия и структура кристаллов, динамические и статические дефекты решетки, фазовые равновесия и превращения, новые типы аморфных материалов. Изложение ведется, как правило, таким образом, чтобы подчеркивать определяющую роль межчастичных взаимодействий в формировании структуры и Свойств твердого тела. Вместе с тем автор счел важным посвятить специальную главу аморфным материалам. Включение этого раздела отражает как возрастающую роль этих материалов в науке и технике, так и желание автора предметно показать, что физика твердого тела не сводится -к физике идеальных или чуть-чуть подпорченных монокристаллов. В то же время некоторые нередко излагающиеся в подобных книгах вопросы физики частных типов твердых тел не нашли отражения. Эти материалы читатель может найти в обстоятельных монографиях, указанных в списке литературы [1-5]. [c.6]

Если перестройка дислокационной структуры, согласно [276], обусловлена энергетическим критерием, то динамика такой перестройки определяется свойствами самого материала, и в частности величиной энергии дефекта упаковки [9, 40, 232]. Как известно, энергия дефекта упаковки является физическим параметром, и в значительной степени определяющем строение ядра дислокации, возможность ее диссоциации на частичные дислокации, подвижность последних, склонность к поперечному скольжению и т. д. Легкость поперечного скольжения винтовых компонент дислокаций и определяет во многом различия в механическом поведении металлов с разной энергией дефекта упаковки, в частности, например, металлов с ГЦК- и ОЦК-решетками. Чем эта энергия выше, тем раньше (по уровню напряжения и величине деформации) начинается интенсивное поперечное скольжение, облегчается обход движущимися дислокациями барьеров различной природы, в результате сокращаются стадии легкого и множественного скольжения монокристаллов, отмечаются изменения и на кривых нагружения поликристаллов (рис. 3.9) [5, 252]. Наблюдаемые явления связаны со структурными перестройками в металле, приводящими к образованию ячеистой структуры вследствие облегченного поперечного скольжения винтовых компонент дислокаций. [c.120]

Образование свежей поверхности металла. В большинстве практических случаев исследователь имеет дело с поликристаллическими образцами металлов, содержащих большое количество примесей. Свен е-образованная поверхность таких образцов, даже если она сформирована в условиях высокого вакуума (<10 Па) или в результате быстрого излома, имеет нерегулярную структуру — несет большое число чужеродных атомов и дефектов. Возможность получения чистой поверхности металлов с регулярной структурой, свободной от примесных атомов появилась в 60—70-х годах в связи с развитием сверхвысоковакуумной техники и разработкой технологии получения совершенных монокристаллов.. Применение ДМЭ и Оже-спектроскопии ныне дает возможность детально исследовать химический состав и кристаллографическую структуру различных граней монокристаллов металлов. [c.34]

О монокристаллах тугоплавких и редких металлов и сплавов. При обсуждении схемы, изображенной на рис. 4.58, отмечалась актуальность получения металлов без дефектов как путь, обеспечивающий их высокую прочность. Почти бездефектны так называемые усы — нитевидные монокристаллы. Однако могут быть получены весьма совершенной структуры и монокристаллы больших размеров. Свойства таких монокристаллов уникальны во многих отношениях. [c.330]

Теоретическая плотность графита с учетом размеров кристаллической ячейки составляет 2,265 г/см . Плотность искусственных графитов ниже из-за дефектов и пористости. Структурой графита обусловлена высокая анизотропия физико-механических свойств в базисной плоскости перпендикулярно к поверхности кристалла. Удельное электросопротивление монокристалла цейлонского графита в направлениях, перпендикулярном и параллельном оси с (см. рис. 1.2), составляет 0,4 и 50 0м мм /м соответственно. Для других образцов природного графита соотношение этих величин составляет от 100 до 100 000. [c.9]

В мире структурных дефектов и аномальной подвижности выдающееся место занимают границы зерен. Поликристаллы, несмотря на развитие производства монокристаллов, остаются основным материалом, а границы зерна — одним из основных элементов структуры. [c.119]

Выращивание монокристаллов. Выращивание или вытягивание монокристаллов обеспечивает минимальное количество дефектов в структуре германия и кремния и является завершающей операцией их очистки. При этой операции производится их микролегирование донорными или акцепторными примесями, [c.465]

Монокристаллические отливки подвержены тем же дефектам кристаллизации, что и отливки со столбчатыми зернами. Исключение составляет отклонение направления границ зерен от оси отливки, с этим дефектом приходится бороться только в отливках со столбчатым зерном. Однако монокристалли-ческим отливкам присуще формирование малоугловых границ. Обычно эти границы разделяют участки структуры монокристалла, разориентированные на угол не более 15°, однако и они способны послужить в качестве мест для возникновения трещины. Малоугловые границы в монокристаллических отливках обычно считаются допустимыми для некоторых сплавов и [c.248]

После холодной деформации (кроме случая чистого сдвига монокристаллов) кристалл содержит субзеренные границы, являющиеся следствием выхода дислокаций из своих плоскостей скольжения, взаимодействия дислокаций между собой и образования их сплетений. Процесс получает тем большее развитие, чем ниже энергия дефекта упаковки. Это состояние неустойчиво при нагреве часть дефектов исчезает, а часть принимает более упорядоченное строение. В результате возникает сравнительно стабильная субструктура, когда отдельные совершенные участки кристалла — субзерна повернуты друг относительно друга на небольшой угол. Размеры субзерен и величина разориентнровки колеблются в широких пределах (обычно от 10 см — до 10 " см и от нескольких минут до нескольких градусов). Чем ниже температура и чем выше (до определенного предела) степень деформации, тем меньше размер субзерен. Этому также способствует и наличие легирующих элементов и примесей, взаимодействующих с дефектами структуры. [c.183]

Кроме описанных особенностей структурной релаксации, ВТСП оксиды обладают своеобразными магнитными свойствами [120], которые напоминают поведение спинового стекла [85]. Обычно объяснение особенностей магнитной релаксации достигается на основе андерсоновской модели пиннинга вихрей на дефектах кристаллической структуры (границы двойников, зерен и т.д.), либо в рамках модели сверхпроводящего стекла. Ниже излагается картина, предполагающая, что магнитная релаксация определяется течением структурной. При этом роль центров пиннинга играют кластеры структурных элементов, а не дефекты структуры. В пользу такой версии говорит тот экспериментальный факт [119], что магнитная релаксация наблюдается не только в монокристаллах [c.152]

По-видимому, волны разрушения возможны не только в стекле, но и в других гомогенных хрупких материалах, где дефекты структуры сосредоточены в основном на поверхности тела в то время как его внутренняя часть свободна от очагов зарождения микротрещин. Так, например, в работе [104] приведены результаты наблюдений свечения в монокр11сталлических образцах кварца при ударном сжатии в окрестности динамического предела упругости. Динамический предел упругости монокристаллического кварца при ориентации нагрузки вдоль оси X составляет 6 ГПа [91, 105]. Сжатие монокристаллов кварца в этом направлении ударной волной с амплитудой 5 ГПа вызывает появление сетки светящихся полос, ориентированных по плоскостям скола. С ростом давления ударного сжатия эта сетка сгущается до образования сплошного фона. Возможно, [c.120]

Попытка создания теории на основе модели, отражающей отдельные аспекты поведения материала под нагрузкой, была сделана О. Я. Бергом [29], который исходил из концепции теории максимальных удлинений. Используя графический метод усреднения по стереографическим проекциям кристалла с гранецентрированной кубической решеткой, Закс [623 впервые описал состояние текучести поликристалла при растяжении и кручении. Н. И. Снитко [4151 предложил метод численного нахождения предела текучести поликристаллического металла при любом напряженном состоянии путем синтеза условий текучести отдельных монокристаллов. Теория критического изменения объема была предложена Бриком [524]. Давен [542] рассматривал явление разрушения как потерю устойчивости при упругой деформации материала. И. А. Одинг [326 ], связывая эффект пластической деформации с максимальными касательными напряжениями, указывал, что при различных напряженных состояниях дефекты структуры оказывают различное [c.127]

Следовательно, если режим деформации выбран таким образом, что отдых в процессе деформации не успевает в значительной степени ликвидировать образующиеся дефекты в стрзж-туре, то тем самым создаются благоприятные условия для адсорбционного воздействия поверхностно-активных веществ, так как этому воздействию наиболее подвержены слабые места — дефектные участки. Обнаруженные экспериментально оптимальные скорости деформации монокристаллов олова и свинца, при которых адсорбционный эффект максимален, отвечают условию превалирования скорости роста упрочнения над скоростью отдыха. Уменьшение величины эффекта при малых скоростях связано с возрастающей ролью в этих условиях процесса отдыха, с залечиванием дефектов структуры и со смыканием возникающих на их основе микротрещинок. Уменьшение величины эффекта при больших скоростях объясняется кратковременностью протекания деформации до разрыва и склонностью к хрупкому разрыву в результате зна-чителтшого упрочнения. [c.44]

Развивается в настоящее время и близкий к контактной микроскопии метод рентгеновской топографии монокристаллов с применением СИ. Этот мегод позволяет изучать реальную структуру монокристаллов и визуализировать различные дефекты в кристалле. Рентгеновская топография позволяет с хорошим временным п пространственным разрешением наблюдать и фазовые переходы. [c.269]

Двойники и дефекты упаковки в монокристаллах также являются довольно распространенными дефектами структуры, возникающими при росте полупроводников. Основными причинами образования двойников в монокристаллах при их выращивании из жидкой фазы являются больщие термические и механические напряжения на периферии фронта кристаллизации, а также включения второй фазы вблизи фронта кристаллизации. Двойники, причины появления которых перечислены выще, получили название двойников прорастания. Приведем примеры ситуаций, в которых появляются двойники прорастания. Значительные напряжения в выращиваемом кристалле, возникающие при кристаллизации полупроводников в тиглях методами Бриджмена и горизонтальной зонной плавки, особенно часто приводят к появлению двойников прорастания. Эти напряжения возникают в результате увеличения объема монокристалла при кристаллизации. Резкие изменения диаметра свободно растущего в методе Чохральского монокристалла также могут вызвать напряжения и появление двойников прорастания на конусной части кристалла. Попадание посторонних включений на поверхность растущего монокристалла в области фронта кристаллизации способствует появлению двойников. [c.244]

Полученные результаты объясняются на основе представлений о возникновении регулярных диссипативных структур (РД< ) дефектов в Процессе образования остаточного нарушенного слоя При множественном локальном микроразрушении поверхности кристалла. РДС формируется из метастобильных комплексов неравновесных точечных дефектов, взаимодействующих через упругие и электрические поля и профиль распределения которых промодулирован дислокационным каркасом в области вдавливания абразивных гастиц. Переход кристалла после обработки в новое квазиравновесное состояние сопровождается распадом РДС, при котором возможны локальные фазовые переходы, проявляющиеся как отрицательная мнкрог10лзу4есть кремния. Обсуждаются аспекты практического использования обнаруженного явления для оптимизации механической обработки монокристаллов. [c.91]

По аналогии с точечными, линейными и поверхностными дефектами можно наметить группу объемных дефектов. Объемные дефекты согласно классификации не являются малыми во всех трех измерениях. К ним можно отнести скопления точечных дефектов типа пор, а также системы дислокаций, распределенных в объеме кристалла. Другими словами, благодаря наличию в кристалле точечных, линейных и плоских дефектов кристаллическая решетка может отклоняться от идеальной структуры в больших объемах кристалла. Кроме того, к объемным дефектам, например в монокристалле, можно отнести кристаллики с иной структурой или ориентацией решетки. В структуре кристалла будут значительные различия между центром дефекта и матрицей, а в матрице возникнут смещения атомов, убывающие с удалением от ядра дефекта. Таким образом, наличие фаз, дисперсных выделений, различных включений, в том числе неметаллических, неравномерность распределения напряжений и деформаций в макрообъемах также относятся к объемным дефектам. [c.42]

В металлических материалах по структурному признаку различают Гомогенную и гетерогенную анизотропию [86, 87]. Гомогенная анизо-тррпия определяется типом кристаллической решетки и соответственно различием свойств кристаллов в разных направлениях. При появлении в результате деформации предпочтительной ориентировки кристаллов в поликристаллическом металле свойственное монокристаллам различие свойств проявляется во всем объеме текстурированного металла. Гетерогенная анизотропия связана с закономерно ориентированным распределением в структуре металлических и неметаллических включений, участков, отл1 чающихся по химическому или фазовому составу, а также дефектов, образовавшихся вследствие течения металла при деформации. Основное отличие титановых сплавов от других конструкционных металлов связано с гомогенной анизотропией, влияние которой на характеристики разрушения рассмотрено ниже. [c.128]

Исследование усталости монокристаллов ряда металлов показало, что большую часть их долговечности занимает процесс упрочнения и зарождения микротрещин [1]. Стадия упрочнения при усталостном нагружении связана с накоплением и перераспределением дефектов кристаллического строения, в частности дислокаций, т. е. с созданием характерной усталостной дислокационной структуры [1, 2 и др.]. С увеличением числа циклов наблюдается локализация микропластической деформации, приводящая к образованию и развитию очага усталости. По-видимому, это связано с тем, что в процессе усталостного нагружения, как и при однонаправленной деформации на стадии предразрушения, начинают проявляться коллективные свойства дислокаций ввиду их высокой концентрации в микрообъемах [3, 4]. Проявление коллективных мод микропластической деформации может сопровождаться возникновением локализованных в объеме упругих напряжений, сравнимых с теоретической прочностью материала [5]. Естественно, на этой стадии в участках локализации напряженш и деформаций могут возникать микротрещины. [c.163]

Волокна тугоплавких соединений могут быть монокристалли-ческими и поликристаллическими. Монокристаллические волокна — нитевидные кристаллы (усы) обладают уникально высокой прочностью (см. табл. 1), приближающейся к теоретической (2500—3500 кгс/мм ). Такая необычно высокая прочность вызвана совершенной монокристаллической структурой и отсутствием значительных внутренних и поверхностных дефектов. [c.35]

Отличительной особенностью всех методов, упрочняющих металл путем уве.пичения числа дефектов, является то, что, после их использования, при повышении температуры восстанавливается регулярность строения металла внутри зерен и прочность падает. Для предотвраш,ения этого падения прочности в самолетных и ракетных конструкциях, а также в газовых турбинах, где температура доходит до 1200—1500° С, ведется большой научно-технический поиск в направлении получения весьма высокой прочности металла за счет устранения из него дефектов. Высокая прочность идеальных по структуре (бездефектных) монокристаллов позволяет использовать весьма высокопрочные так называемые усы в композитных материалах. Устранение одной из категорий дефектов достигается за счет получения чистого (без примесей) металла путем применения вакуумной дистилляции, зонной плавки и разложения летучих соединений металлов. Устранение других дефектов, таких, как дислокации и их источники, не связанных с наличием примесей, достигается воздействием на металл высоких давлений, измеряемых тысячами и десятками тысяч атмосфер. По-видимому, устранение дефектов позволит получить металлы, прочность которых подойдет вплотную к теоретической. [c.297]

Характерной особенностью дефектной структуры облученных кристаллов являются хаотичность в расположении точечных и объемных барьеров и неоднородность создаваемых ими полей напряжений. Но нельзя считать распределение дефектов в кристаллах изотропным. На начальной стадии облучения кристаллов наблюдается сильная анизотропия в распределении радиационных дефектов и анизотропия влияния радиации на механические свойства в )азличных кристаллографических направлениях. О. А. Троицкий 151 на монокристаллах цинка обнаружил в плоскостях базиса более высокую скорость накопления радиационных дефектов и большее влияние радиации на сопротивление движению дислокаций в базисных плоскостях по сравнению с другими кристаллографическими плоскостями. В. К. Крицкая с сотрудниками [16] по изменению интегральных интенсивностей рентгеновских рефлексов обнаружила ориентационную зависимость в распределении радиационных дефектов в облученных электронами монокристаллах молибдена и как следствие — анизотропию величины эффекта повышения сопротивления деформированию в различных кристаллографических направлениях монокристаллов молибдена. [c.63]

При Г>0,5 Тцл в пластич. деформации начинают играть существ, роль точечные дефекты, в первую очередь вакансии, к-рые, оседая на дислокациях, приводят к их выходу из плоскостей скольжения. Если этот процесс достаточно интенсивен, то дефор.чация не сопровождается упрочнением М. течёт с пост, скоростью при неизменной нагрузке (ползучесть). Релаксация напряжений и разрядка дислокац. структуры обеспечивают высокую пластичность М. при их горячей обработке. Отжиг сильно деформиров. металлич. монокристаллов нередко приводит к образованию поликристаллов с малой плотностью дислокаций внутри зёрен. [c.120]

Исследование радиационных повреждений. Р. м. позволяет установить изменения структуры кристал-лич. тел под действием проникающей радиации (напр., изменение периодов решётки, возникновение диффузных максимумов), а также исследовать структуру радиоактивных веществ. Дефекты в достаточно крупных и почти совершенных монокристаллах определяют методами рентг. топографии. [c.378]

Величина диполь-дипольного взаимодействия парамагн. ядер изменяется в зависимости от ориентации магн. поля На относительно кристаллографич. осей. Изучение этой анизотропии даёт возможность определить взаимную ориентацию спинов ядер, расстояния между ядрами, характер и симметрию ближайшего окружения парамагн. центра, а также исследовать структурные дефекты кристаллов. При взаимодействии большого числа парамагн. ядер анализ сложных спектров ЯМР осуществляют с помощью т. н. второго момента спектральной линии, к-рый при взаимодействии одинаковых ядер описывается ф-лой Ван Флека [1, 2]. Второй момент определяется среднеквадратичной величиной локальных магн. полей, созданных на ядре всеми др. ядерными диполями. Каждая структурная модель характеризуется определ. значениями величины второго л омента, что успешно применяется при анализе структуры стеклообразных полупроводников. Существуют программы Для расчёта на ЭВМ вторых моментов линий ЯМР по структурным моделям для монокристаллов произвольной сингонии [9 ]. [c.678]

На рис. 1.33 показана кривая напряжение — деформация, получанная при растяжении монокристаллического образца сплава (% по массе) Си — 13,8А1 —4,0N вблизи М , а на рис. 1.34 представлены микрофотографии, полученные с помощью светового микроскопа и иллюстрирующие структуру поверхности образца, соответствующую отдельным точкам кривой, приведенной на рис. 1.33 [17]. На рис. 1.34,а показано начальное состояние образца, состоящего из монодомена с характеристической плоскостью габитуса -у, -мартенсита. Если к этому образцу приложить напряжения, то, как показано на рис. 1.34,5, постепенно исчезают двойниковые дефекты внутри -у ]-мартенсита и возникает монодомен -у ]-мартенсита. Если еще больше увеличить напряжение, то на кривой напряжение — деформация появляется начальная стадия. Она обусловлена превращением у —0 1. Плоскость габитуса /-мартенсита — (1, о, 13) 7 1, в этом мартенсите существуют двойниковые дефакты (10 0,10) ]. В конце рассматриваемой стадии двойниковые дефекты также исчезают, образец становится монокристаллом -мартен- [c.53]

Вейбула, и строить ее зависимость от длины измеряемого образца, то, пренебрегая существованием специфических дефектов, можно более корректно охарактеризовать прочность углеродного волокна. Измеренная таким образом прочность при растяжении углеродных волокон высокопрочного и высокомодульного типа на основе ПАН на участке длиной 0,1 мм равна 9-10 ГПа [27]. Эта величина составляет 1/20 теоретического значения и 1/2 прочности нитевидных монокристаллов графита. Для углеродных волокон на основе жидкокристаллических пеков измеренная аналогичным образом прочность равна 7 ГПа- [28]. Меньшая прочность промышленно производимых углеродных волокон связана с тем, что они не являются монокристаллами и в их микроскопической структуре имеют место значительные отклонения от регулярности. Свойства углеродных волокон можно значительно улучшить вплоть до разрушающего удлинения 2% и прочности 5 ГПа и выше [29]. [c.44]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...