Топография рентгеновская

ТОПОГРАФИЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ—см. Рентгеновская топография. [c.131]

Б. —В. у, является исходным пунктом исследований в рентгеновском структурном анализе, рентгенографии материалов, рентгеновской топографии. [c.231]

Конкретное расположение дефектов в реальной К. с. исследуется также методами рентгеновской и нейтронной топографии, электронной микроскопии (рис. 4) [c.505]

Основание для такой модели дают исследования контраста возле дислокаций, наблюдаемого с помощью рентгеновской топографии и дифракционной электронной микроскопии. [c.140]

Спенсер У. Исследование резонансных колебаний и нарушений структуры в монокристаллах методом рентгеновской дифракционной топографии. — Физ. акустика Принципы и методы. Пер, с англ. 1973, 5, с. 134—191. [c.277]

В случае рентгеновских лучей периоды осцилляции интенсивности порядка сотен микрометров. Измерения можно проводить на малоугловых клиньях, вырезанных из почти совершенных кристаллов, с помощью метода рентгеновской топографии, проиллюстрированного на фиг. 9.8 [249]. Однако в случае рентгеновских лучей большую точность, надежность и удобство обеспечивает секционная топография (гл. 9). Обзор экспериментов такого типа дал Като [252]. Он установил, что точность определения абсолютных значений структурных амплитуд, полученных таким путем, может быть - 1%, а относительные значения можно получать с точностью Еще большая точность достигается при измерениях с помощью рентгеновских интерферометров. Так Харт и Милн [177 ] оценили точность своих измерений структурного фактора для отражения (220) кремния по интерференционным полосам (которые возникают, когда небольшой нерассеивающий зазор разделяет две толстые совершенные параллельные области монокристалла) примерно в 0,2%. [c.340]

Успехи космонавтики огромны. Автоматические межпланетные станции (АМС) исследуют планеты Марс и Венера. В атмосфере Венеры совершают плавный спуск и посадку на парашютах спускаемые аппараты, передают физические характеристики атмосферы и грунта ( Венера-4, 5, 6, 7 и 8 ). Планета Марс исследуется аппаратами с пролетных орбит и с орбиты искусственного спутника, а на поверхности Марса осуществил мягкую посадку спускаемый аппарат ( Марс-2 , Марс-3 ). С Земли мы управляем движением Лунохода-1 , исследуем топографию Луны, физические характеристики лунного грунта и внегалактическое рентгеновское излучение ( Луна-17 ). [c.4]

Существует достаточно много экспериментальных методов наблюдения дислокаций. Например, за дислокациями можно наблюдать с помощью электронного микроскопа с высокой разрешающей способностью, с помощью рентгеновской топографии. Однако особенно широкое распространение при изучении дислокаций получили методы избирательного травления и декорирования. Метод избирательного травления основан на том, что вблизи дислокаций энергия связи атомов гораздо слабее, чем в недеформированной решетке. Поэтому места выхода дислокаций на поверхность кристалла травятся специально подобранным травителем быстрее, чем окружающая дислокацию поверхность. В результате такого травления на поверхности кристалла возникают ямки травления. Подсчет [c.110]

ДИФРАКЦИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЁЙ - возникновение отклонённых (дифрагированных) лучей в результате интерференции упруго рассеянных электронами вещества вторичных воли, Д. р. л, обусловлена пространственно упорядоченным расположением атомов рассеивателя и большой величиной параметра пространственной дисперсии (1 — длина волны рентгеновского н.= лучения, d — характерное межатомное расстояние в веществе). Она является осн. методом исследования атомной структуры веществ (см. Рентгеновский структурный анализ. Рентгенография материалов. Рентгеновская топография. Рентгеновская спектроскопия) [1 — 6]. [c.671]

Применение Р. и. Наиболее широкое применение Р. и. нашло в медицине для рентгенодиагностики и рентгенотерапии, в дефектоскопии, в рентгеновском структурном анализе, рентгеновской топографии, рентгеновской микроскопии, рентгеновской спектроскопии, спектральном анализе рентгеновском, рентг. астрономии. [c.645]

Наибольший интерес представляют прямые методы наблюдения и исследования дислокаций, их скоплений и точечных дефектов. К ним относятся исследования с помощью ионного проектора, рентгеновской топографии и прямые световые и электрономикроскопические исследования. Прямые методы дают наиболее ценную информацию о дефектах в кристаллах, однако неприменимы для количественных оценок при изучении металлов, подвергнутых значительной пластической деформации, или технических сплавов сложного состава. В этом случае приходится применять косвенные методы исследования рентгеноструктурный анализ с оценкой формы и интенсивности интерференционных максимумов механические испытания измерение внутреннего трения, электрических и магнитных характеристик. [c.94]

РЕНТГЕНОВСКАЯ ТОПОГРАФИЯ, использующая тот же эффект дпфракциопиого контраста, что и просвечивающая электронная микроскопия, также позволяет наблюдать отдельные дислокации. Но из-за малой разрешающей способности она применима лишь к монокристаллам с плотностью дислокаций не выше 10 — 10 см . Поэтому этот метод не может сколько-нибудь широко использоваться для изучения дислокационной структуры металлов и сплавов. Основная область применения метода — анализ дислокационной структуры совершенных монокристаллов полупроводников (кремний, германий и др.). [c.99]

Брэгговское отражение и лауэвское пропускание широко используются для мопохроматизации и получеиия слабо расходящихся (Дд 1") интенсивных пучков рентгеновских лучей. Изучение Д. р. л. в совершенных кристаллах со слабыми искажениями позволяет получить информацию о типе и строении дефектов, их плотности и распределении по объёму [8] (см. Рентгеновская топография). [c.674]

РЕНТГЕНОВСКАЯ КАМЕРА — прибор (или осв. часть установки) для изучения и контроля атомной структуры образца с помощью регистрации картины распределения рассеянного излучения при дифракции рентг. лучей на исследуемом образце. Применяется в рентгеновском структурном анализе, рентгенографии, материалов, рентгеновской топографии. [c.342]

Брэгговская оптика кристаллов. При взаимодействии рентг. излучения с кристаллом, когда выполняются условия Брэгга — Вульфа, возникает брэгговское отражение (см. Дифракция рентгеновских лучей). Это явление легло в основу рентгеноспектральных методов (см. Рентгеновская спектральная аппаратура), а также методов рентгеновской топографии. Диапазон спектра, в к-ром может использоваться тот или иной кристалл, определяется постоянной решётки 2d и диапазоном изменения (обычно от 3—5° до 60—70°) угла Брэгга б (угла между плоскостью кристалла и направлением падающего пучка). Кристаллы СО структурой, близкой к идеальной, имеют наиб, высокую разрешающую силу — энергия рентг. кванта, [c.347]

Кривые температурного расширения выращенных кристаллов оказались подобными наблюдаемым у BasNaNbjOis (см. рис. 5.4). Рентгеновская топография показала, что кристалл Ba2LiNb50is имеет тенденцию образовывать мозаичную структуру и в таком кристалле имеются значительные механические напряжения, приводящие к хрупкости. Согласно [13] разориентация смежных блоков 30 уже достаточна, чтобы привести к образованию трещин по границам зерен во время процесса охлаждения. Однако, используя совершенйый затравочный кристалл, который был ориентирован с точностью 2° параллельно оси с, и избегая образования границ зерен, авторы [13] сумели вырастить большой, свободный от трещин кристалл. [c.249]

Вывод о том, что наблюдавшиеся около +с грани дифракционные контрасты являются сегнетоэлект-рическими доменами, сделан па основании результатов работ [53, 54], в которых также исследова лась дефектная структура НЛ методом рентгеновской топографии. [c.313]

Экспериментальные исследования рентгеновского рассеяния показали, что большинство кристаллов относится к мозаичному или к промежуточному типу (наблюдается экстинкционное ослабление интенсивности ярких линий). В отдельных экземплярах природных кристаллов (алмаз, кальцит и др.), а также искусственно полученных (германий, хлористый натрий, металлы) четко проявляется динамическое рассеяние как в отношении ширины, так и интегральной интенсивности. Такие идеальные кристаллы представляют большой интерес для оптики рентгеновского диапазона длин волн и используются для изготовления рентгеновских интерферометров, резонаторов и для сверхмонохроматизации излучения и т. д. По отклонениям от динамического рассеяния можно исследовать методом рентгеновской топографии структурные несовершенства кристаллов (дислокации, дефекты упаковки). [c.110]

Границы наиболее мелкой субструктуры можно непосредственно наблюдать с помощью просвечивающего электронного микроскопа (ПЭМ). Этот метод позволяет получать точную характеристику границ и дислокаций, из которых они состоят (например, см. [42] в отношении СиаО и [53] в отношении А1) (рис. 6.1). Однако для исследования более крупных субструктур он не подходит и его необходимо дополнять другими. Можно обнаружить границы на поверхности по ямкам травления, полученным после погружения образцов в соответствующие реактивы [242, 314, 384, 385] (рис. 6.2). Для прозрачных кристаллов иногда удается найти способы выделения (декорирования) в них границ. Например, прогрев оливина на воздухе при температуре 900 °С вызывает выделение частиц окиси железа на дислокациях, что позволяет видеть их в оптический микроскоп [209] (рис. 6.3). Можно также наблюдать и изучать границы на поверхности образцов (топография поверхности) без их разрушения методами, использующими рентгеновское [c.191]

Возможность одновременного исследования структуры и элементного состава поверхности представляет особый интерес при изучении адсорбции, ее влияния на структуру поверхности взаимодействующих материалов при трении в активных смазочных средах. Для одновременного исследования структуры, состава и топографии роверхности комбинируют различные методы, а соответствующие приборы снабжают специальными пристав- ками. Широкое распространение получили просвечивающие и растровые электронные микроскопы с дифракционными приставками, растровый электронный микроскоп со спектрометром (рентгеновским микроанализатором) и др. [c.87]

Такой ПОДХОД далек от теоретической трактовки дифракции рентгеновских лучей Эвальда [126] или Лауэ [281] или даже от более простого интуитивного подхода Дарвина [108]. И тем не менее именно на эти источники следует опираться, обсуждая допущения теории, простой для использования на практике. Эта же теория дифракции лежит в основе понимания и интерпретации таких важных новых методов, как рентгеновская топография и рентгеновская интерферометрия, и более старых методов, использующих линии Косселя, но упрощения этой теории, созданные для практического использования, развиты в различных направлениях. [c.13]

Угловая ширина дифрагированного в толстом кристалле рентгеновского пучка пропорциональна структурной амплитуде и, как правило, порядка нескольких угловых секунд или 10 рад. Следовательно, очень небольшие отклонения в ориентации плоскостей решетки могут вызвать большие изменения интенсивности. Уже много лет известно, что слабые деформации в толстом кристалле, возникающие, например, при наличии температурного градиента, вызванного тем, что вблизи кристалла держали палец, будут изменять дифракционную интенсивность на несколько порядков величины. Методы рентгеновской топографии, развитые Лангом [278], применяются для регистрации полей деформаций, обязанных от-дельньш дислокациям или агрегатам примесей в почти совершенных кристаллах. Схема используемой аппаратуры изображена на [c.333]

Изображение дислокаций в рентгеновской топографии представляет собой экстремальный случай усреднения по падающим углам. При условии достаточно хорошей коллимации падающего пучка обычными рентгенографическими устройствами угол сходимости этого пучка примерно на два порядка величины больше угловой ширины отражений от совершенных областей кристалла (обычно 10" рад). Изображения дислокаций представляют собой почти однородные черные линии с весьма незначительными следами осциллирующего контраста или асимметрии [278]. Конечно, можно получить хорошо сколлимированные падающие рентгеновские пучки, используя, например, прохождение через толстый почти совершенный кристалл. В таких условиях можно наблюдать полный набор эффектов динамического контраста, как в электронной микроско-пии . Фиг. 18.4 является рентгеновской топограммой кристалла [c.407]

Хуакга 380, 382 Релаксация решетки 158, 262 Рентгеновская интерферометрия 334, 340 Рентгеновская топография 333, 340, 408 Рентгеновские лучи, амплитуда атомного [c.424]

Все чаще используется днфракцио1П1ая рентгеновская топография по методу Берга — Баг. рета [61], позволяющая исследовать процессы пластической деформациии . Метод основан па получении рентгенограммы при дифракции пучка рентгеновских лучей на металлическом образце. Монохроматический пучок на- [c.83]

Л метод Берга—Баррета для возня внутреннего сечения кристалла, поверхности, и изучения топографии пространственного расположения и распределения дислокаций. На рис. 76 показаны дислокации в пластически деформированном кристалле кремния, сфотографированные по методу проекционной рентгеновской топографии . [c.84]

Метод рентгеновской топографии Ланга позволяет наблюдать индивидуальные дислокации и получать проекционную топографию распределения дислокаций. Он применим к кристаллам со сравнительно малой плотностью дислокаций (10 —10 ) 1/с.и . Идея метода состоит в использованнп весьма узкого первичного пучка и сканирующего устройства, обеспечивающего одновременное перемещение исследуемого кристалла в виде тонкой пластинки и фою-нленкн. Между кристаллом и пленкой помещается неподвижный экран со щелью для выхода отраженных лучей. (Подробнее см. У маис к и й Я. С. Рентгенография металлов. 1967, стр. 186—230). [c.84]

Появление элементов теории дислокаций относится к 20-м годам этого столетия (работы Я. И. Френкеля, Дж. Тейлора, Е. Орована и др.). Однако экспериментальное подтверждение существования дислокаций получено лишь в 50-х годах благодаря развитию экспериментальных средств исследований строения кристаллов. Существование дислокаций было подтверждено как прямыми методами исследования (с помощью ионного проектора, рентгеновской топографии, электронномикроскопического исследования), так и косвенными методами исследования (метод ямок травления, муаровых фигур и др. [49]). [c.20]

Развивается в настоящее время и близкий к контактной микроскопии метод рентгеновской топографии монокристаллов с применением СИ. Этот мегод позволяет изучать реальную структуру монокристаллов и визуализировать различные дефекты в кристалле. Рентгеновская топография позволяет с хорошим временным п пространственным разрешением наблюдать и фазовые переходы. [c.269]

Б.—В. у. позволяет определить меж-плоскостные расстояния й в кристалле, поскольку к обычно известна, а угол д (наз. брэгговским углом) можно измерить экспериментально. Оно применяется в рентгеновском структурном анализе, рентгенографии материалов, рентгеновской топографии. Б.— В. у. остаётся справедливым при дифракции у-излучения, эл-нов и нейтронов (см. Дифракция микрочастиц), при дифракции в периодич. структурах эл.-магн. излучения радио- и оптического диапазонов, а также звука. А. в. Колпанеав- [c.59]

Л. м. применяется для пространств, ориентации монокристаллов, в особенности неогранённых (см. Рентгеновский структурный анализ), исследования совершенства внутр. строения монокристалла (см. Рентгеновская топография), фононных спектров, процессов распада, старения и перестройки крист, структ ы (напр., под действием темп-ры, облучения нейтронами или -излучением и т. д. см. Рентгенография материалов) и неупругих когерентных процессов, ф См. лит. при ст. Рентгеновский структурный анализ, Рентгеновская топография. [c.345]

Осн. области применения Л. ориентировка монокристаллов (в особенности неогранённых), определение точечной группы симметрии, нарушений совершенства внутр. строения кристалла (его блочности, мозаичности, присутствия текстуры и внутр. деформаций), изучение процессов старения и распада в метастабильных фазах (см. Рентгенография материалов), исследование дефектов в почти совершенных кристаллах (см. Рентгеновская топография) и теплодиффузного и когерентного рассеяния. [c.345]

Источником излучения для Р. к. злужит рентгеновская трубка. Р. к. конструктивно различны в зависимости от их назначения (камеры для исследования монокристаллов, поликристаллов, для рентг. топографии, для получения малоугловых рентгенограмм и др.). Все Р. к. (см. приведённые ниже рис.) содержат коллиматор, узел установки образца, кас- [c.636]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...