Германий, структура зон

Транзистор выращенный — транзистор, изготовленный путем выращивания монокристалла германия или кремния из расплава полупроводника благодаря периодическому внесению в расплав различных легирующих примесей или периодическому изменению скорости вытягивания кристалла в выращиваемом монокристалле создаются чередующиеся зоны с электронной и дырочной проводимостью при выпиливании соответствующего куска монокристалла получают транзисторную структуру [9]. [c.157]

Кремний и германий — широко используемые и наиболее исследованные полупроводники. Кристаллизуются в решетке алмаза. Имеют сложную зонную структуру. [c.455]

Введение в полупроводник примесных атомов приводит к нарушению в нем стехиометрического состава и периодичности кристаллической решетки. Примеси вносят в структуру полупроводника дополнительные квантовые уровни, отличающиеся от зонной структуры уровней основного кристалла. В полупроводниках примеси в зависимости от их природы и природы полупроводников могут образовывать п- или р-проводимости. Примеси, образующие и-проводимость, должны иметь большую валентность, чем валентность, основного полупроводника примеси, создающие р-проводимость, должны иметь валентность меньшую по сравнению с валентностью основного полупроводника. Например, для четырехвалентного германия пятивалентные примеси As, Р, Sb и др. создают электронную проводимость, поскольку четыре атома примеси, занимая в кристаллической решетке германия определенные узлы, образуют ковалентные связи с соседними атомами германия, а избыточный (пятый) электрон внешней орбиты мышьяка остается свободным. Такие свободные электроны создают электронную проводимость. Примеси, освобождающие электроны, называются донорами, а соответствующие им энергетические уровни — донорными [c.282]

Химически чистые полупроводники называются собственными полупроводниками. К ним относится ряд химически чистых элементов кремний, германий, селен, теллур и др., а также многие химические соединения арсенид галлия, антимонид индия, арсе-нид индия и др. На рис. 5.6, а показана упрощенная схема зонной структуры собственного полупроводника. При абсолютном нуле валентная зона у него укомплектована полностью, зона проводимости, расположенная над валентной зоной на расстоянии Eg, является пустой. Поэтому при абсолютном нуле собственный полупроводник, как и диэлектрик, обладает нулевой проводимостью. [c.154]

На рис. 5.9,в показана зонная структура германия, содержащего примесь индия. Непосредственно у потолка валентной зоны на расстоянии а 0,01 эВ располагаются незаполненные уровни атомов индия. Близость этих уровней к заполненной валентной зоне приводит к тому, что уже при относительно невысоких температурах электроны из валентной зоны переходят на примесные уровни. Связываясь с атомами индия, они теряют способность перемещаться в решетке германия и в проводимости не участвуют. Свободными носителями заряда являются лишь дырки, возникшие в валентной зоне. [c.158]

Диэлектрики и полупроводники качественно подобны и те и другие имеют энергетическую щель в спектре электронных состояний. Однако в полупроводниках эта щель (запрещенная зона) гораздо меньше. Поэтому проводимость полупроводников заключена в широком интервале, разделяющем проводимость металлов и диэлектриков. Например, для кремния при 300 К а=5-10 См/м, а для германия а=2,5 См/м, что в 10 —10 раз превышает проводимость диэлектриков и в то же время в 10 —10 раз уступает проводимости металлов. Зависимость о Т) полупроводников лишь в исключительных случаях и в небольшом температурном интервале может носить металлический характер как правило, и в полупроводниках, и в диэлектриках температурные зависимости проводимости подобны. Ширина энергетической щели в германии равна 0,72 эВ, а в кремнии 1,12 эВ, в то время как в алмазе — диэлектрике е такой же кристаллической структурой — запрещенная зона равна 7 эВ. Таким образом, с точки зрения зонной теории полупроводники принципиально отличаются от металлов наличием энергетической щели, в то время ак между полупроводниками и диэлектриками есть только количественное отличие. Считается, что при Д < 2—3 эВ кристалл можно отнести к полупроводникам, а при больших — к диэлектрикам. [c.16]

В кремнии и германии истинные энергии основного состояния несколько отличаются от приведенных выше приближенных значений из-за анизотропии эффективных масс и сложности реальной зонной структуры. Более точный расчет дает для энергии основного состояния экситонов в кремнии и германии значения 14,7 н 4,17 мэБ. Эти значения превосходно Согласуются с экспериментальными значениями 14,7 й 4,15 мэВ. Для [c.132]

По структуре энергетических зон реальные полупроводники делятся на два основных типа. На рис. 7.9 изображена зависимость энергии электрона от волнового вектора в случае, когда экстремумы валентной зоны и зоны проводимости расположены в точке к = 0. Такой конфигурацией зон обладает антимонид индия. Для кремния на рис. 7.10 приведена более сложная зависимость энергии электрона от волнового вектора. Из рисунка видно, что характер кривых зависит от кристаллографического направления. Одному и тому же значению волнового вектора соответствует несколько значений энергии. Наблюдается наличие нескольких экстремумов в зоне. Более глубокий минимум зоны проводимости смещен относительно к = 0. Большинство полупроводников, в том числе и германий, обладает сложной структурой энергетических зон. [c.55]

Продолжая перемещать нагреватель вдоль лодочки, расплавленная зона постепенно будет проведена от одного конца слитка до другого. Стремясь остаться в жидкой фазе (расплаве), примеси будут все сильнее и сильнее насыщать расплав и, следовательно, будут оттесняться в хвостовую часть слитка. В результате слиток станет значительно чище, чем был до этого, а хвостовая часть его окажется сильно насыщенной примесями. Отрезая эту часть слитка и повторяя при необходимости процесс плавки несколько раз, можно получить слитки, например, цветных и редких металлов, а также слитки германия требуемой чистоты. После зонной плавки (очистки) слитки имеют поли-кристаллическую структуру. [c.179]

ОЧИСТКИ при зонной плавке заключается в том, что в зоне расплава большинство примесей перемещается в направлении к холодному месту слитка при медленном перемещении зоны плавки вдоль бруска очищаемого материала примеси сосредотачиваются в одном конце и удаляются после плавки и охлаждения обрезкой. Зонная плавка германия производится в графитовых лодочках, которые помещаются в кварцевые трубы, через них все время пропускается инертный газ, во избежание окисления графита. Вокруг кварцевой трубы расположены витки индукционного обогрева, образующие в слитке узкие зоны плавления, перемещение которых вдоль слитка производится медленным (около 1 мм мин) продвижением специальной каретки, на которой укреплены витки. Принцип действия устройства для зонной плавки виден из рис. 7-6. После зонной плавки слитки имеют еще поликристаллическую структуру. Монокристаллы германия получают путем вытягивания из расплава. Сущность способа заключается в следующем в расплав германия, [c.285]

После зонной плавки слитки имеют еще поликристаллическую структуру.Монокристаллы германия получают путем вытягивания из расплава. Сущность способа заключается в следующем в расплав германия, находящийся в вакуумной камере при остаточном давлении около 0,001 Па, опускают стержень с частицей чистого германия — затравкой — на конце после частичного оплавления затравки происходит подъем стержня из расплава со скоростью, соответствующей росту кристалла на конце затравки. Получается моно-кристаллический германиевый стержень, из которого можно вырезать пластинки нужной толщины. Таким способом получают монокристаллические стержни диаметром более 100 мм. В монокристаллах, несмотря на предшествующую вытягиванию зонную плавку, остается некоторое количество примесей, неравномерно распределенных по длине — верхняя часть содержит меньше примесей, чем нижняя. [c.281]

Если же в германий или кремний в качестве примеси добавить один из пятивалентных элементов, таких как мышьяк, фосфор или сурьма, то в кристаллической структуре возникнет излишек одного электрона, как показано на рис. 5-1-4,а. Энергия ионизации при отрыве лишнего (пятого) электрона атома приме си значительно меньше энергии ионизации при отрыве электрона ковалентной связи и находится в пределах 0,01—0,5 эВ. Ее значение зависит от количества и типа примеси. Энергетическая диаграмма, соответствующая случаю введения в германий пятивалентного примесного элемента, показана на рис. 5-1-4,б, из нее видно, что в этом случае образуется заполненный примесный уровень, отстоящий от нижней границы Ес зоны проводимости на 0,01—0,05 эВ. Электроны, находящиеся на это.м уровне, уже при температуре, близкой к нормальной, вследствие теплового движения могут легко переходить в зону проводимости. Указанные электроны способствуют увеличению проводимости вещества. Механизм электропроводности в это.м случае обусловливается носителями отрицательного заря- [c.310]

Для скрайбирования кремния, обладающего высокой поглощательной способностью на полосе 1 мкм, применяются ИАГ-лазеры свободной генерации или с модуляцией добротности. Для прецизионной резки полупроводниковых материалов может использоваться установка на базе импульсного лазера на азоте. В отлитие от полупроводников, обработанных излучением твердотельных лазеров, работающих в режиме свободной генерации, монокристаллы сурьмянистого индия, арсенида галлия и германия, подвергнутые воздействию излучения азотного лазера, не изменяют структуру вблизи зоны реза. Указанное обстоятельство является весьма важным, так как даже незначительное изменение структуры поверхности полупроводника может сильно изменить его электрофизические свойства. Этот метод был применен для разделения плоского /7-л-перехода на ряд элементов различной конфигурации. [c.317]

Германий (Ое). Кристалл германия также имеет решетку типа алмаза. Зонная структура кристалла германия указана на рис. 51 для двух направле- ний волнового вектора — вдоль ребра [100] и куба. Валентная зона германия аналогична [c.293]

В центре зоны Бриллюэна уровни Г, и Г9. дважды вырождены. Это вырождение сохраняется при смещении от центра вдоль и снимается при Рис. 51. Зонная структура смещении ВДОЛЬ кх и ку, так как чистого кристалла германия. при таких смещениях сохраняются [c.294]

Эта чрезвычайно простая модель усложняется следующими возможностями (см. рис. 39). На этом рисунке в центре изображена зонная структура, сходная с изображенной на рис. 37, — в данном случае структура германия. Из этой структуры выделены некоторые области. Начнем с точки Г, т. е. с центра зоны Бриллюэна. Если нижний край зоны проводимости лежит в этой точке (рис. наверху слева), то это соответствует изотропной параболической зоне. Это значит, что состояния описываются посто- [c.111]

Вторая зонная структура, которую мы рассмотрим, принадлежит германию — типичному полупроводнику. Германий имеет кристаллическую структуру алмаза — гранецентрированную кубическую решетку с двумя одинаковыми атомами в каждой примитивной ячейке. Таким образом, зона Бриллюэна, линии и точки симметрии остаются теми же, что и раньше. Зонная структура германия показана на фиг. 29. В противоположность алюминию энергетические щели между зонами здесь довольно велики. Снова энергия в первой зоне начинает возрастать из точки Г, сильно напоминая параболу для свободных электронов, но искажения теперь значительно более сильные. Зоны в алмазе и кремнии очень похожи на зоны в германии. [c.107]

Сначала мы рассмотрим примеси в полупроводниках простейшего типа. Пусть, например, один из атомов кристалла германия замещен атомом мышьяка. В самом грубом приближении можно пренебречь разницей в потенциалах, создаваемых атомами мышьяка и германия. Тогда после такого замещения зонная структура останется неизменной. Мышьяк имеет на один электрон больше, чем германий, поэтому в кристалле появится лишний электрон, который с необходимостью попадет в зону проводимости. Потенциал мышьяка, однако, не совсем такой, как у германия заряд ядра иона мышьяка на единицу больше, поэтому появится дополнительный положительный заряд, локализованный на ионе мышьяка. Это напоминает ту картину, которая была построена для экситонов в германии. И действительно, энергии связывания электрона на положительном заряде и в экситон оказываются в этих двух случаях в основном одинаковыми. [c.192]

Рассмотрим, наконец, структуру полупроводников, для которых ширина зон в кристаллическом состоянии сравнима или больше расстояния между зонами. В действительности большинство полупроводников при плавлении становятся металлическими. Таковы, например, жидкие кремний и германий, которые вполне можно рассматривать как простые металлы. Вместе с тем, некоторые полупроводники, как, например, германий, можно получить в аморфном стеклообразном состоянии при осаждении пленок при низких температурах. В этом случае, хотя плотность низкая, как и в полупроводниковой фазе, дальнего порядка в структуре не возникает. Вероятно, отсутствие порядка приводит к высокой плотности ловушек, распределенных в запрещенной зоне. Однако, несмотря на присутствие этих многочисленных ловушек, свойства таких аморфных полупроводников весьма похожи на свойства собственного кристаллического полупроводника. После общего обсуждения электронных свойств в гл. П1 мы рассмотрим более подробно соответствующую электронную структуру и разберем следствия, вытекающие из нее. [c.243]

Полупроводниковые кристаллы относятся главным образом к классу диэлектриков с ковалентной связью ). Из простых веществ с полупроводниковыми свойствами наименее сложной кристаллической структурой обладают элементы IV группы периодической системы из них наиболее важны германий и кремний. Углерод в форме алмаза относится, строго говоря, к диэлектрикам, поскольку у него ширина запрещенной зоны составляет около 5,5 эВ. Олово в аллотропной форме серого олова представляет собой полупроводник с очень малой щелью. (Свинец — это, конечно, металл.) Другие полупроводниковые элементы — красный фосфор, бор, селен и теллур — обладают весьма сложной кристаллической структурой и характеризуются ковалентной связью. [c.188]

Германий, Кристаллическая структура и зона Бриллюэна такие же, как у кремния. Однако в этом случае минимумы зоны проводимости лежат на границе зоны Бриллюэна в точках пересечения последней с направлениями (111). Минимумы на параллельных друг другу шестиугольных гранях зоны Бриллюэна отвечают физически эквивалентным уровням, поэтому существуют четыре минимума зоны проводимости, обусловленные симметрией системы. Поверхности постоянной энергии представляют собой эллипсоиды вращения, вытянутые вдоль направлений (111) эффективные массы имеют следующую величину mjr, 1,6тп и тпу 0,08т (фиг. 28.7). Снова имеются две вырожденные валентные зоны с максимумами при к = О, которые в квадратичном по к приближении сферически-симметричны и характеризуются эффективными массами 0,28т и 0,04 4/ге (фиг. 28.8). [c.192]

В случае правильной решетки типа алмаза спектр этого гамильтониана похож на спектр электронов в кристаллических кремнии или германии, и можно так подобрать величины параметров и Уз, чтобы получить, например, правильную ширину валентной зоны и запрещенной зоны , отделяющей ее от зоны проводимости (рис. 11.4). Следовательно, спектр собственных значений этого гамильтониана в случае стеклообразной сетки должен соответствовать энергетической зонной структуре аморфных фаз указанных элементов. [c.526]

Фридель [29 предполагает, что в сплавах некоторые (s + + р)-электроны могут находиться в связанном состоянии вблизи ядер растворяемого элемента. Согласно Мотту [84], такие элементы, как цинк, галлий, германий и т. п., при растворении в меди отдают по крайней мере один электрон в зону проводимости. Следующий электрон может быть, а может и не быть в связанном состоянии, однако остальные электроны у галлия и германия почти наверняка будут находиться в связанном состоянии. Тем не менее Фридель считает, что правила валентной электронной концентрации могут оставаться справедливыми, если принять, что потенциал, действующий на электроны проводимости в сплаве, снимает со дна зоны проводимости столько связанных состояний, сколько имеется электронов на связующих атомных орбиталях. Связь между эффективными электронами проводимости и зонной структурой может быть такова, что влияние структуры зоны Бриллюэна на стабильность фаз и некоторые другие свойства сплава может оставаться почти неизменным. Для дальнейшего обсуждения данного предмета и связанных с ним вопросов необходимо обратиться к специальной литературе (Фридель [291, Мотт [84], Юм-Розери и Коулс (511). [c.156]

Оптические свойства. Исследование оптических свойств кристаллических полупроводников дает обширную информацию об их зонной структуре. Данные об энергетическом спектре аморфных полупроводников также могут быть получены из оптических измерений. Первостепенная роль отводится при этом измерениям спектров поглощения. Спектры поглощения аморфных полупроводников удобно сравнить со спектром тех же материалов в кристаллическом состоянии. Это можно сделать в случаях германия, кремния, соединений селена и теллура. На рис. 11.14 в качестве примера приведен край спектра оптического поглощения аморфного кремния, который сравнивается с соответствующим спектром кристаллического кремния. Аналогичные данные получены для аморфного германия, арсенида и антимонида индия и некоторых других полупроводников. [c.367]

Рис. 8.23. Структура поверхностного слоя германия (а) и расположение быстрых и медленных поверхностных состояний (нзгнб зон у поверхностн не-

В структурах алмаза, кремния, германия и алмазоподобных соединений сильным ковалентным <т-связям вдоль направлений <111> отвечают максимальные значения модулей упругости Еиь Однако, в отличие от металлов, для этого класса материалов наиболее важны не механические, а электрофизические свойства. Определение пoJ y пpoвoдникa трудно представить до рассмотрения электронной зонной теории кристаллических твердых тел. Можно сказать, что полупроводники - это изоляторы, в которых запрещенная зона между состояниями валентных электронов (валентная зона) и электронными состояниями, ответственными за электропроводность (зона проводи.мости), значительно меньше, чем в обычных изоляторах, и может быть преодолена при наличии определенных условий, например, с помощью теплового возбуждения. Поэтому, в отличие от металлов, электропроводность пoJTV пpoвoдникoв растет с температ рой. [c.46]

Электрические свойства кристаллического твердого тела определяются его зонной структурой, т. е. спектром разрешенных энергетических состояний его электронов, и степенью заполнения этих зон. В кристаллическом кремнии при нулевой температуре валентные электроны (по четыре от каждого атома) заполняют всю валентную зону , отделенную от пустой зоны проводимости энергетической щелью шириной примерно в 1 эБ. В элементарных полупроводниках германий и кремнии модао проследить происхождение запрещенной зоны из ковалентных связей между атомами валентная зона образуется связанными состояниями с более низкой энергией, а зона проводимости —высоколежащими антисвязанными состояниями 1) Поскольку дальнейшее увеличение кинетической энергии электронов, находящихся в заполненной зоне, невозможно, оказывается, что в основном состоянии кристалла подвижные носители заряда отсутствуют, так что при Т— 0 кристалл является диэлектриком, [c.127]

В настоящее время обычно применяют способ Чохральского. При этом протравленный после зонной очистки поликристалли-ческий германий или кремний загружают в кварцевый или без-бористый графитовый тигель и расплавляют с помощью нагревателя сопротивления или высокочастотного индуктора (см. рис. 46). Затем в расплав опускают сверхчистый тонкий затравочный монокристалл германия или кремния и выдерживают его до оплавления. Далее включают механизм вращения и подъема верхнего штока с затравкой и производят постепенное вытягивание (выращивание) монокристалла. Тянущийся за затравкой расплав затвердевает, приобретая структуру затравки. Поэтому затравка не должна иметь структурных и других дефектов и должна быть тщательно ориентирована в нужном кристаллографическом направлении, так как это в значительной мере определяет качество выращиваемого кристалла. [c.182]

Зонная плавка германия осуществляется тигельным способом, в графитовых лодочках, которые со скоростью нескольких сантиметров в час протягивают через последовательно расположенные узкие зоны индуктивного обогрева в зоне плавления и происходит очистка от примесей, большинство которых при охлаждении стремится остаться в затвердевающем объел1е. В результате этого примеси сосредоточиваются на одном конце слитка. Кремний подвергают зонной плавке специальным бестигельным способом. После зонной плавки слитки имеют еще поликристаллическую структуру. Монокристаллы германия получают путем вытягивания из расплава. Сущность способа заключается в следующем в расплав германия опускают стержень с частицей чистого германия — затравкой — на конце вокруг затравки, которая отбирает часть тепла из расплава, окружающего ее, начинается кристаллизация происходит подъем стержня с затравкой из расплава со скоростью, соответствующей росту кристалла получается монокри-сталлический германиевый стержень, из которого можно вырезать пластинки нужной толщины. [c.327]

Направленность межатомных связей и неплотноупакованные кристаллические структуры приводят к низкой пластичности и высокой твердости ковалентных кристаллов, типичными представителями которых являются алмаз (одна из полиморфных модификаций углерода), кремний, германий, серое олово, кварц, карбид кремния, нитрид бора (со структурой алмаза). Большая энергия связи в ковалентных кристаллах приводит к высокой температуре плавления. Заполнение валентных зон при образований ковалентной связи превращает ковалентные кристаллы в полупроводники и даже диэлектрики. [c.30]

Рпс. П. 5. Структура Э ергет[[ческих зон германия, построенная па основе расчетов К. Фонга. Основные особенности зонной структуры хорошо согласуются с экспериментальными данными. Заштрихоьанная область соответствует четырем валентным связям. Тонкая структура края валентной зоны обусловлена спин-орбитальным взаимодействием. [c.401]

Структура края валентной зоны в кремнии и германии довольно сложна (см. рис. 11.15). Б кристаллах этих веществ дырки характеризуются двумя эффективными массами, в связи с чем говорят о тягкелых н легких дырках. Возникновение дырок с двумя различными массами связано с разной кривизной краев валентной зоны, обусловленных двукратно вырожденным уровнем р/г изолированного атома. Энергетические поверхности определяются (см. книгу Киттеля [12]) уравнениями [c.406]

При более высокой энергии фотона в германии появляются переходы из максимума валентной зоны в точку Г наиболее глубокой зоны проводимости. Это прямые переходы, связанные с наименьшим порогом энергии. Рис. 75 показ1.1вает структуру края поглощения для различных температур. [c.282]

В структуре типа алмаза с двумя атомами на примитивную ячейку каждый атом (углерода, кремния или германия) отдает четыре электрона. Таким образом, количество электронов (восемь на примитивную ячейку) оказывается как раз достаточным, чтобы заполнить четыре зоны. Мы видим, что в основном состоянии германия первые четыре зоны целиком заполнены (зоны Лз и Л5 дважды вырождены), в то время как пятая и следующие зоны совершенно пусты. Чтобы перевести электрон из основного состояния системы в возбужденное, требуется вполне конечная энергия (в случае германия около 0,6 эВ). В кремнии и алмазе такие энергетические пороги, или энергетические щели, больше. Наличие в основном состоянии энергетических щелей, целиком заполненных нижних или валентных зон и пустых более высоколежащих зон, или зон проводимости, типично для полупроводников. Что же касается изоляторов, то это просто полупроводники с большими энергетическими щелями, а сами зоны в них, как правило, еще уже. [c.107]

Аналогичные рассуждения применимы к акцепторным примесям, валентность которых на единицу меньше валентности основного веш ества (например, галлий в германии). Чтобы описать такую примесь, можно считать, что фиксированный заряд —е расположен в том же месте, где и атом основного веш ества, и при этом один электрон в кристалле отсутствует. Отсутствуюш ий электрон можно рассматривать как дырку, связанную с избыточным отрицательным зарядом, моделируюш им примесь, причем энергия связи, как и в предыдуш ем случае, мала по сравнению с шириной запреш енной зоны Ед ). Если рассматривать зонную структуру, то такой связанной дырке будет соответствовать дополнительный электронный уровень с энергией ц, лежаш ий немного выше потолка валентной зоны (см. фиг. 28.12). Когда этот уровень пуст, дырка находится в связанном состоянии. Энергия связи дырки как раз равна энергии необходимой для того, чтобы перебросить электрон с потолка валентной зоны на акцепторный уровень, заполнив таким образом дырку около акцептора и создав свободную дырку в валентной зоне. [c.202]

Все же нельзя быть заранее уверенным, что одной локальной тетраэдрической координации самой по себе будет достаточно для появления запрещенных зон. На первый взгляд кажется, что это следует из результатов расчетов электронной зонной структуры упорядоченных алмазных политипов кремния и германия. Все атомы в этих гипотетических материалах связаны между собой в точном соответствии с тетраэдрической координацией, но решетка характеризуется элементарной ячейкой больших размеров, которая может быть не более симметричной, чем небольшой образец стеклообразного материала. В работе [161 с помощью метода полуэмпирического псевдопотенциала были получены запрещенные зоны для всех указанных систем. Однако поскольку [c.536]

На свойства собственных полупроводников сильно влияют П римеси, П ричем это влияние тесно связано с валентностью примесных атомов. Так, например, чистый кремний или германий являются собственными полупроводниками и кристаллизируются в структуре ал маза, которая отличается целиком заполненной зоной с четырьмя валентными электронами иа атом. При растворении в них мышьяка или фосфора, имеющих пять валентных электронов на атом, один электрон от каждого атома может лерейти в зону проводимости, и при этом получается полупроводник п-типа. Наоборот, бор или галлий, имеющие по три валентных электрона на атом, образуют гери этом. незанятые состояния вблизи валентной зоны,. и таким образом получается полупроводник р-типа. [c.40]

Ранее (см. стр. 31) было показано, что структуру алмаза можно рассматривать как ковалентную структуру, вытекающую из ЯLЯ-вoлнoвыx функций, или как зонную структуру, в которой внешние электроны описываются функциями Блоха. Эти же самые представления относятся к германию и кремнию. Зонная структура этих элементов подобна структуре алмаза, однако величина запрещенной зоны, отделяющей валентную зону [c.52]

Из реверсивных носителей наиболее широкое распространение получили носители из материалов на основе недоокиси теллура (ТеОж), ванадия (УОг) с ярко выраженными фазовыми переходами и др. Материалы на основе композиции недоокиси теллура с селеном, сурьмой, оловом, германием и другими материалами обладают свойствами изменять свое фазовое состояние (аморфное —кристаллическое) в узком диапазоне температур и сохранять его после быстрого охлаждения. Переход из одного фазового состояния в другое зависит от режима разогрева и охлаждения материала. Отражающая способность аморфной и кристаллической структур пленки различна, и на этом контрасте основан процесс воспроизведения. Принцип записи с предварительным стиранием сигнала на таком реверсивном носителе иллюстрируется рис. 11.3. На рис. П.3,а показаны дорожки с записанной информацией в виде зон с различным фазовым состоянием пленки халькогенида. Для стирания и записи используют сфокусированные пятна лазера различной протяженности и интенсивности (см. нижнюю дорожку рис. 11.3,а), с тем чтобы обеспечить различные режимы нагрева и охлаждения материала на дорожке (рис. 11.3,6). Шаг дорожек обычно составляет 1,6 мкм, интервал бита 0,6. ..0,8 мкм, излучаемая 126 [c.126]

В 1928 нем. физик А. Зоммерфельд применил ф-цию распределения Ферми — Дирака для описания процессов переноса в металлах, что создало основу ДЛЯ дальнейшего развития квант, теории электро- и теплопроводности, термоэлектрич., гальваномагн. и др. кинетич. явлений в тв. телах. В работах Ф. Блоха и X. А. Бете в Германии и Л. Бриллюэна во Франции 1928—34) была разработана зонная теория энергетич. структуры кристаллов, к-рая дала естеств. объяснение различию в электрич. св-вах металлов и диэлектриков. [c.815]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...