Плоскость габитуса

Фазам пластинчатых эвтектик присуща тенденция к предпочтительной относительной кристаллографической ориентации. Для полной (адекватной) кристаллографической характеристики структуры необходимо задать плоскость габитуса пластины, кристаллографические плоскости каждой фазы, контактирующие на поверхности раздела, и взаимно параллельные направления в этих плоскостях. Следует задать и направление роста при стационарной кристаллизации пластины, как правило, располагаются перпендикулярно поверхности раздела твердая фаза — расплав, так что направление роста должно лежать в плоскости раздела пластин. [c.252]

Плоский фронт кристаллизации, определяющий образование правильной микроструктуры, отражает тот факт, что энергия поверхности раздела двух твердых фаз меньше энергии поверхности раздела каждой из фаз с жидкостью. Такой минимум поверхностной энергии обусловливает предпочтительное ориентационное соответствие двух твердых фаз. Действительно, во многих эвтектических системах было обнаружено особое кристаллографическое соответствие между фазами, при котором определенные плоскости одной из фаз были параллельны плоскостям другой фазы и плоскостям габитуса пластины, а определенные направления в этих плоскостях взаимно параллельны [29]. Тот факт, что это кристаллографическое соответствие сохраняется в различных зернах эвтектики и в разных отливках, определенно указывает на [c.360]

Учитывая только величину изменения формы, определяемую экспериментально, невозможно объяснить возникновение реальной решетки мартенситной фазы, хотя при этом и принимается во внимание деформация сдвига по плоскости габитуса решетки исходной фазы (рис. 1.2,а). Это противоречие устраняется, если учесть, что в дополнение к деформации сдвига, в результате которой решетка исходной фазы [c.10]

Если рассчитать деформацию формы для каждого из 12 типов соответствия решеток при DO ЪR превращении с помощью описанной ранее феноменологической теории, то можно получить два решения для р 1, определяющих индексы плоскости габитуса. Это значит, что в решетке исходной фазы образуются кристаллы мартенсита 24-х вариантов. [c.29]

Как уже описано, образование одного кристалла мартенсита с характеристической плоскостью габитуса сопровождается постоянной деформацией формы. Следовательно, работа внешних сил, если мартенситное превращение происходит под действием этих сил, равна [c.43]

Учитывая величину приложенных напряжений и ориентировку плоскости габитуса, ур. (1.37) можно представить для случая одноосного растяжения или одноосного сжатия в виде [c.44]

В первом приближении можно считать, что деформация превращения определяется сдвиговой компонентой вдоль плоскости габитуса деформации формы и фактором Шмида. Если определить деформацию превращения посредством описанного выше расчета или экспериментальным методом, то с помощью экспериментально определенных соотношений между критическим напряжением и температурой для различных превращений, вызванных напряжениями, и уравнения (1.48) можно определить величины AS и АН при этих превращениях. Ниже приведены примеры определения указанных величин. [c.49]

Развивались также представления о существовании двух типов мартенсита в сплавах на железной основе, которые различаются индексами плоскостей, ограничивающих мартенситную пластину (т. е. имеются кристаллы с различными плоскостями габитуса 225 а и 259 а), и соответственно скоростью образования мартенситного кристалла. [c.263]

Если дополнительная деформация представляет собой двойниковый сдвиг по одной из плоскостей 112 м или скольжение вдоль этой же плоскости, то мартенситная пластина будет иметь плоскость габитуса, близкую к 259 - Подтверждением теории могут быть наблюдаемые с помощью электронного микроскопа очень тонкие двойники в фольгах сплавов на железной основе, в которых прошло мартенситное превращение [247]. [c.267]

Рис. 156. Микроструктуры для плоскостей Габитуса (3, 10, 15 , полученные компьютерным моделированием при наблюдении с плоскостей (О, 15, 19) (а), (100) (б), (101) (в) и (100) (г) [424]

Для управления и оптимизации сплавов с мартенситными структурами важно компьютерное моделирование таких структур [424, 425]. В работе [425] было смоделировано около 100 микроструктур для трех плоскостей Габитуса 3, 10, 15 , 259 и 225 . На рис. 156 представлены микроструктуры, полученные компьютерным моделированием для плоскости Габитуса 3, 10, 15 , при рассмотрении их с различных позиций. Дальнейшие успехи в моделировании мартенситных структур несомненно связаны с введением в качестве количественного параметра структуры фрактальной размерности. [c.263]

Тип плоскости зависит от состава стали и, в частности, от содержания углерода и температуры образования мартенсита. Так, плоскостями габитуса являются в низкоуглеродистых сталях— плоскость (111) аустенита в сталях с 0,5— 1,4% С—плоскость (225) аустенита и в сплавах с 1,5—1,8% С— плоскость (259) аустенита. Изменение типа габитуса с изменением содержания углерода происходит плавно. [c.13]

Следует отметить, что характер наблюдаемого макроскопического сдвига не полностью соответствует классической схеме [1 ]. Согласно этой схеме сдвиг начинается на средней плоскости образующегося кристалла, не испытывающей сдвиговой деформации (рис. 3, а). По мере удаления от этой плоскости величина сдвигового смещения атомов нарастает, достигая максимального значения у плоскостей габитуса, ограничивающих размеры возникшей пластины. Подобная деформация может осуществляться без изменения объема. Она неизбежно сопровождается значительным искажением решетки матричной фазы. [c.56]

ФОРМОИЗМЕНЕНИЕ ПРИа- 7 ПРЕВРАЩЕНИИ И ПЛОСКОСТИ ГАБИТУСА Т-ФАЗЫ [c.99]

Кристаллы мартенсита имеют определенную плоскость габитуса. Плоскостью габитуса называют поверхность раздела между исходной и мартенситной фазами, т.е. плоскость сдвига при превращении (рис. 1.1,э). Эту плоскость обычно определяют индексами кристаллогрефиче-ских плоскостей исходной фазы, но часто ее описывают как плоскость с иррациональными индексами. [c.10]

В разд. 1.1 уже указано, что при мартенситном превращении возникают деформация формы (или поверхностный рельеф) постоянной величины и деформация сдвига вдоль плоскости габитуса (имеющая компоненту и в направлении, перпендикулярном плоскости габитуса, поэтому, строго говоря, эта деформация является псевдосдвиговой деформацией). Плоскость габитуса в течение всего процесса превращения не деформируется и не вращается, поэтому деформация формы является деформацией с инвариантной плоскостью. [c.24]

Если охладить монокристаллические образць , находящиеся в состоянии исходной фазы, ниже М , то, как уже описано, образуются кристаллы мартенсита разных вариантов, имеющие 24 кристаллографически эквивалентные плоскости габитуса. Эти варианты называют кристаллографическими разновидностями с характеристической плоскостью габитуса. [c.33]

Мартенситное превращение с инвариантной решеткой в сплавах с /3-фазой, как указано, связано с дефектами упаковки или двойниковыми дефектами. В первом случае разновидности кристаллов мартенсита с характеристической плоскостью габитуса образуют монодоменные области мартенсита, решетка которого связана с решеткой исходной фазы ориентационным соотношением. Во втором случае каждый кристалл мартенсита с характеристической плоскостью габитуса состоит из двух мартенситных доменов с взаимно двойниковым соотношением ориентировок. Каждый домен имеет кристаллографически эквивалентное ориентационное соотношение решетки с решеткой исходной фазы. [c.33]

Как описано ранее, под действием напряжений, приложенных к образцу, состоящему из кристаллов мартенсита 24 вариантов ориентировок с характеристической плоскостью габитуса, происходит поглощение одних двойниковых доменов другими, т.е. развивается деформация двойникованием. Образец деформируется до тех пор, пока не возникает двойниковый монодомен, соответствующий наибольшей степени деформации. Если в процессе деформирования приостановить нагружение, то, естественно, образец оказывается состоящим из большого числа двойниковых доменов. Если нагреть такой образец выше А , то в соответствии с ориентационным соотношением решеток каждого из таких двойниковых доменов и исходной фазы возникает исходная фаза с точно такой ориентировкой, какая была до деформации. В результате этого форма образца полностью восстанавливается до той, которая была перед деформацией. [c.36]

Деформация до точки б кривой напряжение — деформация обусловлена упругой деформацией исходной фазы. В образцах, соответствующих точке б, начинают появляться пластинчатые образования. По данным нейтронографического анализа и исследований микроструктуры установлено, что указанные образования — это /3 1-мартенсит типа 1ВЯ, возникающий под действием напряжений. Следовательно, увеличение деформации от точки б до точки г обусловлено вызванным напряжениями превращением /З1 —/З ]. Образец в точке г является монокристалли-ческим образцом, почти полностью состоящим из (3 1-мартенсита. Деформация от точки г до точки б обусловлена упругой деформацией /З )-мартенсита. Если в этот момент снять напряжения, то деформация образца прежде всего упруго возвращается к точке а, затем в результате обратного превращения происходит возврат деформации до точки вблизи б. В конце концов деформация становится равной нулю в результате возврата упругой деформации исходной фазы. Обратное превращение при снятии напряжений обусловлено тем, что при приложении напряжений при температуре выше точки образуется совершенно нестабильный мартенсит. Следует особо отметить тот факт, что плоскость габитуса /3)-мартенсита при прямом и обратном превращениях одна и та же. Этот факт является весьма характерным с точки зрения обратимости превращения. [c.42]

Рис. 1.27. Стереографическое представление результатов расчетов факторов Шмида длп деформации сдвигом в плоскости габитуса р в направлении Ь при превращении /3, — -у, в сплавах Си — А1 — N1 / — интервал, в котором наблюдаетсн удлинение образца

На рис. 1.33 показана кривая напряжение — деформация, получанная при растяжении монокристаллического образца сплава (% по массе) Си — 13,8А1 —4,0N вблизи М , а на рис. 1.34 представлены микрофотографии, полученные с помощью светового микроскопа и иллюстрирующие структуру поверхности образца, соответствующую отдельным точкам кривой, приведенной на рис. 1.33 [17]. На рис. 1.34,а показано начальное состояние образца, состоящего из монодомена с характеристической плоскостью габитуса -у, -мартенсита. Если к этому образцу приложить напряжения, то, как показано на рис. 1.34,5, постепенно исчезают двойниковые дефекты внутри -у ]-мартенсита и возникает монодомен -у ]-мартенсита. Если еще больше увеличить напряжение, то на кривой напряжение — деформация появляется начальная стадия. Она обусловлена превращением у —0 1. Плоскость габитуса /-мартенсита — (1, о, 13) 7 1, в этом мартенсите существуют двойниковые дефакты (10 0,10) ]. В конце рассматриваемой стадии двойниковые дефекты также исчезают, образец становится монокристаллом -мартен- [c.53]

Следует указать, что существует определенная неясность относительно двойниковых дефактов, которые можно видеть на рис. 1.34, в, л,/и. Как указано ранее, двойниковые дефекты в кристаллах мартенсита появляются неизбежно, если плоскость габитуса является инвариантной плоскостью. Однако деформация решетки при превращении в этом случае является сдвиговой деформацией в общей базисной плоскости кристаллов до и после превращения. Поэтому если плоскость габитуса [c.55]

При закалке на плоской полированной (до обработки) поверхности стального образца всегда появляется рельеф, видимый невооруженным глазом. Изучение рельефа и анализ его связи с кристаллогеометрией мартенситного превращения показали, что плоскость габитуса макроскопически приблизительно инвариантна— она не искажается и не вращается в процессе превращения. Это объясняется тем, что упругие деформации, возникающие при превращении, минимальны. [c.13]

Habit plane — Плоскость габитуса. Плоскость или система плоскостей кристаллической фазы, вдоль которой (которых) происходят явления типа двойникования или трансформации. [c.973]

Кристаллографические теории мартенситных превращений изложены в обзорах [55-58 ]( Эти теории хорошо описывают экспериментальные данные при небольшом количестве мартенситной фазы, имеющей плоскую поверхность раздела с аустенитом (плоскость габитуса в концепции превращения с инвариантной плоскостью). При значительном количестве мартенситной фазы и при отсутствии четко выраженной плоскости габитуса отмечаются существенные расхождения между экспериментальными данными и результатами теоретических расчетов. Одна из причин расхождений - изменение аустенитной структуры поя вг-в анк 1.- чг гг) иегося мартенситного превращения. [c.27]

Определение положения плоскостей габитуса лшртенситных пластинок проводили двухплоскостным методом. На двух пересекающихся плоскостях были измерены углы между общим ребром и направлениями четких срединных пиний (мидрибов) мартенситных пластинок.- Определение плоскостей габитуса по срединным пиниям приво- [c.28]

Рис. 2.2. Положение полюсов мартенсита в основном стереографическом треугольнике аустенитного кристалла Полюсы 100 при ориентационных соотношениях Курдюмова—Закса 1) и Нишиямы 2 5- полюсы плоскостей габитуса в сплаве Fe -31%Ni

Проведенные измерения позволили получить на стереографической проекции в кристаллографических координатах аустенита положение нормалей к плоскостям габитуса, определяемым срединными пиниями мартенситных пластин (рис. 2.1). При переносе в один стереографический треугольник (рис. 2.2) эти нормали (полюсы плоскостей габитуса) ложатся очень близко друг к друтт (различие между ними меньше 1°, т.е. не превосходит погрешности измерений). Это означает, что плоскости габитуса мартенситных пластин, ориентированных на шлифе в различных направлениях, явл5потся кристаллографически эквивалентными. Они располагаются около полюса (10.3.15) в выбранной системе координат (мартенсит типа [c.29]

Бьши исследованы сплавы с одинаковой мартенситной морфологией (типа Н31 с 30-32% N1, Н26ХТ1, 30Н24М4 - химический состав и температуры фазовых преврашений приведены в табл. 3,1), имеющие мартенситную точку в области - 80 -ь -140°С, Во всех случаях после эакалки от 1050-1100°С в них образуется более 50% частично двойникованного мартенсита. Плоскость габитуса такого мартенсита близка к 5259 д или 3,10.15 д - см. главу 2 и [160]. [c.66]

Шапиро и Краус [119] определили две системы плоскостей габитуса циклированного аустенита преобладающая 0,179 0,309 0,Э35) и (0,375 0,545 0,749)J . Кесслер и Питч [121] нашли плоскость габитуса (0,21 0,55 0,81 )J и уточнили ее с использованием метода Косселя в работах [123, 124] (0,23 0,62 0,75 [c.68]

Рейки ун )азы образуют на электронограммах тяжи в направлениях, близких к<110>, что говорит об ориентации тонких кристаллов сво наибольшей гранью перпендикулярно этому налравле-нию. Следовой анализ на фольгах с ориентациями осей зоны [ЮО] [110 ]д и[1И1 позволяет определить плоскость габитуса дисперсных у-кристаллов как l56t близкую к 011 -. [c.83]

Эффективность фазового наклепа в значительной мере может определяться соотношением сдвиговых и диффузионных процессов при фазовом превращении а - у. Сдвиговая де рмация при обратном мартенситном превращении приводит к строго определенному анизотропному изменению формы превращающихся объемов и вызывает образование пластинчатой у-фазы с определенным габитусом. Чтобы установить, имеет ли место сдвихчзвая деформация при а- у превращении в различных условиях нагрева, необходимо рассчитать и сопоставить с экспериментом изменение формы монокристаллов а-фазы в процессе нагрева и плоскости габитуса у-фазы, образующейся при а- у превращении. [c.99]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...