Микроскопия световая

Изображение объекта получают с помощью различных видов микроскопии — световой и электронной просвечивающей, эмиссионной и растровой. Основное требование к данному этапу анализа — перенести без искажения (инструментальные погрешности) структурное содержание объекта на плоскость наблюдения. [c.73]

Микродеформации 1 264 Микроискажения I 251 Микролегирование 2 421—423 Микронапряжения 7 138, 264 Микроскоп световой высокотемпературный 1 59 полезное увеличение 1 45, 46 приставки для деформации 1 117 [c.457]

Бесконтактные измерения шероховатости поверхности выполняют на оптических приборах. В микроскопах светового сечения МИС-11 (рис. 138,а) объектив 3 проецирует на поверхность изделия узкий пучок света, идущий от источника 1 через щель 2. На поверхности образуется освещенная полоса, представляющая собой след пересечения профиля плоскостью светового потока. Изображение щели фокусируется объективом 4 в плоскость сетки 5 окуляра 6. Лучи, отраженные от выступов и впадин профиля, на окулярной сетке будут смещены один относительно другого. Значение смещения зависит от высоты неровностей. Совмещая линии, нанесенные на сетке окуляра-микрометра (рис. 138,6), с выступами и впадинами профиля, определяют высоту неровностей на базовой длине и затем подсчитывают параметр Кг. Перед измерением определяют цену деления окулярного [c.174]

Какие параметры используют для оценки шероховатости поверхности 2. Какими способами контролируют шероховатость с помощью образцов шероховатости 3. В чем заключается принцип действия профилографа-профилометра 201 4. Какой параметр шероховатости измеряют на микроскопах светового сечения 5. Как выглядит оптическая схема микроинтерферометра 6. Как определяют высоту микронеровностей [c.178]

Наиболее точные оптические стенды снабжены микроскопом. На колесе автомобиля укрепляют зеркальный отражатель и по смещению на шкале микроскопа светового пятна от отражателя определяют углы установки колес. [c.197]

Иными словами, в каждой точке поля зрения микроскопа световая волна, прошедшая через соответствующую точку объекта и получившая некоторое изменение фазы, встречается с другой световой волной, которую можно назвать эталонной, так как она идет мимо объекта и имеет фазу, одинаковую для всех точек поля. При наложении этих двух волн происходит интерференция, в результате которой получается усиление или ослабление освещенности отдельных точек поля. Этим и объясняется возникновение контрастного изображения в интерференционном микроскопе. [c.31]

Рис. 14. Оптическая схема микроскопа светового сечения

П 43. Микроскопы световые и злектронные,телескопы,лупы и [c.129]

Двойной микроскоп основан на использовании метода светового сечения с его помощью определяют среднюю высоту микронеровностей в пределах 3—70 мк. [c.91]

Для определения фрактальной размерности требуется использование оптической микроскопии в широком интервале изменения увеличения и разрешения. Это достигается при комбинировании световой, сканирующей электронной и трансмиссионной электронной микроскопии (в отдельных случаях также используют ионную туннельную электронную микроскопию). [c.92]

В объективах современных микроскопов числовая апертура достигает значительных величин. Для сухих систем п = 1 и sin и практически доходит до 0,95, так что возможно разрешение деталей, имеющих размеры около половины длины световой волны. С иммерсионными системами достигается разрешение в полтора раза большее. [c.354]

Двухступенчатый метод голографии впервые позволил создать микроскоп, регистрирующий не только амплитуду, но и фазу световой волны, рассеянной объектом. Появление такого микроскопа открыло новые возможности исследования микрообъектов, не достижимые известными методами классической микроскопии. [c.82]

Оптический метод основан на измерении уступа, образованного краем покрытия с основным металлом, способом светового сечения или растровым способом с помощью оптического микроскопа. Метод применим для измерения толщины покрытия от 1 до 40 мкм с коэффициентом отражения не менее 0,3. Уступ получают растворением небольшого участка покрытия с предварительной изоляцией остальной части поверхности. [c.55]

Оптическая схема микроскопа Лим-ника типа МИС-11 для измерения методом светового сечения показана на рис. 15. Источник с помощью конденсора освещает щель (0,1 х 1 мм). Линзы и микрообъектив проектируют щель на изделие. Изображение щели наблюдается в микроскоп, состоящий [c.72]

Исследование изломов выполняют а) визуально б) с помощью светового микроскопа в) с помощью электронного микроскопа [c.46]

Рис, 15. Оптическая схема микроскопа светового сече- ния Линннка [c.72]

Знаку равенства здесь соответствует введенное в 7.5 нормальное (равнозрачковое) увеличение (7.38), при котором весь проходящий через микроскоп световой поток попадает в глаз. Таким образом, нормальное увеличение совпадает с наименьшим увеличением, при котором полностью используется разрешающая способность объектива. Как и в случае телескопа, применение увеличений, превышающих нормальное, не может выявить новых деталей изображения и лишь снижает освещенность, но, как уже отмечалось, в некоторых случаях оно оказывается целесообразным по причинам физиологического характера. [c.371]

Микроннтерферо-метр-профилометр Микроскоп светового сечения [c.625]

Микроанализ 128, 129, 130 Микровключения, идентификация с помощью микродифракции 171 Микродифракция 166, 170, 171, 174, 175 Микромеханические испытания 27 Микроскоп металлографический 153—186 Микроскопия световая 151—153 [c.1648]

Р13Л0МЫ изучают на макро- и микроуровне (при увеличениях до 50 тыс. крат и вьине). Метод визуального изучения изломов, а также с помон[ью светового микроскопа при нeбoльнJИX увелич >-ниях называется фрактографией. Исследование особенностей тонкой структуры изломов под электронным микроскопом носит название микрофрактографии (рис. 3, г). [c.13]

Т ) нач1П1ается процесс озв/)ата, под которым понимают повышение структурного соверитнства наклепанного металла в результате уменьшения плотности дефектов строения, однако при этом еще не наблюдается заметных изменений структуры, видимой в световом микроскопе, по сравнению с деформированным состоянием. [c.53]

Увеличение разрешающей силы микроскопа. Из выражения разрешающей силы микроскопа видно, что суш,ествуют два пути ее увеличения а) увеличение числовой апертуры б) уменьшение длины волны света, в котором рассматривается объект. Числовую апертуру можно увеличить как увеличением угла апертуры, так и увеличением показателя преломления окружаюш,ей объект среды. Увеличення п можно добшъся, погружая объект в прозрачную жидкую Среду с возможно большим показателем преломления (со-ответствуюш,ие микроскопы называются иммерсионными). Однако, как известно, для оптически более плотных прозрачных жидкостей /г лг 1, 6, что не приводит к существенному увеличению разрешающей силы. Увеличение разрешающей силы за счет увеличения апертуры также ограничено, так как в предельном случае sin и = = 1. В реальных случаях можно добиться значения sin и = 0,95 при /г = 1. Это означает, что возможно разрешение деталей объекта размером порядка половины длины световой волны. [c.203]

Увеличение разрешающей силы микроскопа путем уменьшения длины световой волны прнв ело к положительному результату. Микроскопы, пспользующне ультрафиолетовые лучи, позволяют увеличить разрешающую силу примерно в два раза. Переход к микроскопам, использующим рентгеновские лучи, позволил бы резко увеличить разрешающую силу. Однако отсутствие оптических линз для рентгеновских лучей делает практически почти невозможным создание рентгеновских микроскопов. Такие принципиальные трудности были преодолены после того, как в 1923 г. Луи де Бройлем была выдвинута гипотеза, согласно которой любой частице с массой т, движущейся со скоростью v, соответствует волна с длиной [c.203]

Я перенес главу, посвященную основным фотометрическим понятиям, во введение, желая использовать правильную терминологию уже при описании явлений интерференции и оставив в отделе лучевой оптики лишь вопросы, связанные с ролью оптических инструментов при преобразовании светового потока. Заново написаны многие страницы, посвященные интерференции, в изложении которой и во втором переработанном издании осталось много неудовлетворительного. Я постарался сгруппировать вопросы кристаллооптики в отделе VIII, хотя и не счел возможным полностью отказаться от изложения некоторых вопросов поляризации при двойном лучепреломлении в отделе VI, ибо основные фактические сведения по поляризации мне были необходимы при изложении вопросов прохождения света через границу двух сред, с которых мне казалось естественным начать ту часть курса, где проблема взаимодействия света и вещества начинает выдвигаться на первый план. Я переработал изложение астрономических методов определения скорости света и добавил некоторые новые сведения о последних лабораторных определениях этой величины. Гораздо больше внимания уделено аберрации света. Рассмотрены рефлекторы и менисковые системы Д. Д. Максутова. Значительным изменениям подверглось изложение вопроса о разрешающей способности микроскопа я постарался отчетливее представить проблему о самосветя-щихся и освещенных объектах. Точно так же значительно подробнее разъяснен вопрос о фазовой микроскопии, приобретший значительную актуальность за последние годы. [c.11]

Свет, освещающий объект, попадает на линзу микроскопа, претерпев рассеяние (ди( зракцию) на деталях объекта, так что структура светового пучка зависит от этого объекта. Рассмотрим для простоты случай, когда освещение производится параллельным , пучком (дифракция Фраунгофера), а объект имеет простую форму ), [c.350]

Распространение указанных выводов на самосветящиеся объекты (отсутствие когерентности) особенно важно потому, что и при осве-пщнном объекте далеко не всегда имеет место полная когерентность. Точки освещенного объекта посылают вполне когерентный свет только в том случае, если угловые размеры источника настолько малы, что угол, под которым он виден из места расположения предмета, мал по сравнению с Я/с(, где X — длина световой волны, а — расстояние между освещаемыми точками объекта. Действительно, в этом случае волны, доходящие от разных точек источника до освещаемых точек, имеют различие в фазах, малое по сравнению с 2я (см. упражнение 129), так что интерференция волн, рассеиваемых нашими точками, даст практически один и тот же эффект, от какой бы точки источника ни пришла освещающая волна (когерентность). Наоборот, когда угловые размеры источника велики по сравнению с Х1с1, то свет, приходящий к освещаемым точкам от разных точек источника, будет иметь всевозможные разности фаз от нуля до 2я, и, следовательно, рассеянные нашими точками волны могут давать самые разнообразные интерференционные картины (некогерентность). При промежуточных размерах источника когерентность будет осуществляться в большей или меньшей мере. В реальных условиях освещение объекта в микроскопе производится широкими пучками лучей, и полная когерентность, как правило, не имеет места. [c.355]

НАБЛЮДЕНИЕ ЛИНИИ ДЕКОРИРОВАННЫХ ДИСЛОКАЦИИ В СВЕТОВОМ МИКРОСКОПЕ. Метод декорирования дислокаций в прозрачных кристаллах заключается в том, что в кристалл при его выращивании или диффузионным путем вводят примесь, атомы которой притягиваются к дислокациям. При соответствующей термической обработке область вокруг линии дислокации оказывается пересыщенной примесью, которая выделяется в виде мельчайших частиц вдоль линии дислокации. Эти непрозрачные частицы, рассеивающие свет, делают видимой линию дислокации, хотя диаметр ее ядра находится за пределами разрещающей способности обычного микроскопа. Таким способом наблюдали дислокации в хлористом натрии, хлористом калии, галоидных соедине- [c.100]

Оптический метад анализа текстур основан на использовании кристаллографической анизотропии скорости химического растворения. При правильном подборе режима травления на поверхности кристаллитов можно получить фигуры травления, хорошо наблюдаемые в световом микроскопе. Форма этих фигур травления и их ориентировка в плоскости шлифа зависят от того, какой кристаллографической плоскостью hikdi ориентирован соответствующий кристаллит параллельно плоскости шлифа и как эта плоскость hikili повернута вокруг нормали к плоскости шлифа. [c.272]

Приведены новейшие данные по оптической, световой, электронной, просвечивающей, растровой, дифракционной, фотоэмиссиоиной и автоионной микроскопии. Описан метод дифрактометрии в медленных электронах и при использовании электронов с высокими энергиями. Рассмотрен микроанализ с помощью электронного зонда, Оже-спектроскопии и др. Изложены сведения о сварных соединениях. С позиций металлографии классифицированы различные способы сварки, исследованы основные изменения структуры прн сварке с растрескиванием в твердом состоянии, прослежено влияние температурного поля на структурные изменения при различных способах сварки. [c.28]

В результате МТО, как уже отмечалось, в металлах и сплавах образуется полигональная структура, возникающая в результате выстраивания дислокаций одного знака в стенки. Высокая устойчивость дислокационных стенок к действию термических флуктуаций обеопечивает высокую сопротивляемость ползучести металлов и сплавов с полигональной структурой. Химическим путем полигональная структура наиболее эффективно выявляется теми реактивами, которые вытравливают места выхода дислокаций. Ниже приводятся результаты микроскопического исследования [68] с помощью светового и электронного микроскопов структуры аустенитной стали 1Х18Н9 после МТО. Поверхность образцов предварительно электропо-лировали в растворе 35 а хромового ангидрида и 250 г орто-фосфорной кислоты. До и после МТО для выявления структуры поверхность травили в водном растворе щавелевой кислоты (10 г щавелевой кислоты на 100 г воды) при малых плотностях тока продолжительность травления не превышала 30 сек. Электролитическим травлением выявляются пятна травления, соответствующие местам выхода дислокаций на поверхность металла, а также границы зерен. [c.35]

В последнее время предложена схема лазерного сканирующего микроскопа — зонда, в котором регистрируется не прошедшее через объект или отраженное от него излучение лазера, а возбужденный им в полупроводнике фотоэлектрический эффект (фотоответ). На экране кинескопа в этом случае наблюдают изсбражения, яркость отдельных точек которого пропорциональна величине фотоответов полупроводника на световое воздействие в соответствующих зонах. Метод перспективен для контроля интегральных схем. [c.96]

Использование когерентного излучения позволило создать принципиально новый метод проекционной микроскопии, основанный на применении квантовых усилителей света. Объект с помощью объектива освещается монохроматическим светом от лазера на парах меди. Отраженный от объекта свет проходит активную среду, усилн-вается и проектируется на экран. Когерентные микроскопы обеспечивают высокое пространственное разрешение (1 мкм при увеличении порядка 1000— 1500 при яркости изображения, недоступного обычным световым микроскопам). Особенностью микроскопа являются возможность фокусировки мощного лазерного излучения на любом элементе объекта и возможность осуществлять его коррекцию (напрн- [c.96]

Методом мениска цветовую интенсивность цветного пенетранта и световую интенсивность люминесцентного пенетранта характеризуют минимальной, еш,е выявляемой, толщиной цветового или флюоресцентного слоя. На обезжиренную ровную стеклянную плитку наносится 1—2 капли гцшетранта, сверху накладывается выпуклая линза малой кривизны, линза легко прижимается. Белое пятно, которое образуется на месте контакта, рассматривается и измеряется под просвечивающим микроскопом при нужном увеличении. Если контуры белого пятна размыты, то проводится измерение светопропускания от точки к точке с помощью спектрального микрофотометра. В случае люминесцентных пенетрантов осуществляется боковое облучение УФ-светом, причем интенсивность облучения нормируется и должна составлягь 500 мкВт/см . [c.158]

В работе исследованы продукты высокотемпературной обработки органосиликатных материалов с различными наполнителями — слоистыми силикатами — мусковитом, асбестом и тальком. Изучение фазового состава полученных образцов проводилось кристалдооптическим и рентгенографическими методами анализов. Микроструктура образцов изучалась при помощи световой и электронной микроскопии Результаты исследований показали, [c.348]

В дальнейшем часть образцов исследовалась на отрыв от подложки, а часть приготовленных в аналогичных условиях подвергалась термоудару со стороны подложки резким нагреванием с помощью плазменной горелки. В результате покргдтие отделялось от подложки. Анализ изломов отделившихся покрытий проводился с помощью световой и электронной микроскопии. В последнем случае препарирование образцов велось методом двухступенчатых целлулоидно-угольных реплик. [c.128]

Непосредственно перед зоной быстрого, ускоренного роста трещины мезолинии были сформированы в результате столь значительной интенсивности повреждения материала, что они могли быть хорошо выявлены при небольшом увеличении светового микроскопа. На этом этапе развития усталостного разрушения можно считать, что процесс регулярного чередования эксплуатационных нагрузок характеризовали усталостные макролинии. [c.640]

Тепловая микроскопия материалов (1976) -- [ c.5 , c.11 ]

Металловедение и термическая обработка стали Т1 (1983) -- [ c.0 ]

Металловедение и термическая обработка стали Справочник Том1 Изд4 (1991) -- [ c.0 ]

Металловедение и термическая обработка стали Том 1, 2 Издание 2 (1961) -- [ c.151 , c.153 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...