Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Обмен энергией электронов с ионами

Обмен энергией электронов с ионами 213  [c.526]

Здесь уместно напомнить [И, 12] о существовании в квантовой механике принципа неразличимости одинаковых частиц, согласно которому при рассмотрении задачи о движении нескольких электронов в поле одного или нескольких ионов нельзя сказать, какой из электронов находится в окрестности той или иной точки. Учет принципа неразличимости приводит к появлению обменной. энергии, связанной с движением электронов с антипараллельными спинами (подробнее об этом см. в гл. 5). Кроме того, появляется корреляционная энергия, связанная с движением электронов с параллельными спинами.  [c.51]


Основными структурными элементами металлов являются положительные ионы и газ свободных электронов. Силы притяжения определяются кулоновским взаимодействием электронов с ионами, а также обменной энергией между электронами. Силы отталкивания также определяются кулоновским взаимодействием, кинетической энергией свободных, электронов и перекрытием электронных оболочек ионов. Анализ указанных сил [2] приводит к следующей зависимости от сжатия б = р/рок  [c.45]

М и 26—масса и заряд иона). Выражение (31,11) относится к двухтемпературной плазме, в которой каждая из компонент имеет равновесное распределение, но с различными температурами, так что друг с другом электроны и ионы в равновесии не находятся. Такой случай возникает естественным образом ввиду того, что большая разница в массе затрудняет обмен энергией при столкновениях электронов с ионами.  [c.163]

В смесях газов с сильно различающимися массами частиц замедлен обмен энергией между компонентами, вследствие чего возможны появление состояния с разл. темп-рами компонент и процессы Р. их темп-р. Напр., в плазме сильно различаются массы ионов и электронов. Быстрее всего устанавливается равновесие электронной компоненты, затем приходит в равновесие ионная компонента, и значительно большее время требуется для установления равновесия между электронами и ионами. Поэтому в плазме могут длит, время существовать состояния, в к-рых ионные и электронные темп-ры различны, следовательно, происходят медленные процессы Р. темп-р компонент (си. Релаксация компонент плазмы).  [c.328]

Квазиравновесное распределение для слабо взаимодействующих подсистем. Рассмотрим теперь систему, состоящую из нескольких подсистем, между которыми может происходить обмен энергией и частицами. Предположим, что подсистемы слабо взаимодействуют друг с другом и поэтому обмен энергией и частицами можно считать медленным процессом. Подобная ситуация имеет место, например, в электронно-ионной плазме, где обмен энергией между электронами и ионами затруднен из-за большого различия их масс. Пример процесса, в котором  [c.101]

Анизотропия плазмы при наличии сильного магнитного поля особенно проявляется в разреженной плазме. С увеличением же плотности облегчается обмен энергией между различными степенями свободы и анизотропия температур и давлений несколько сглаживается. Кроме того, анизотропия процессов переноса (электропроводность, диффузия, теплопроводность, вязкость) в плазме не может проявляться в полной мере из-за ряда дополнительных обстоятельств. Так, анизотропия проводимости ослабляется появлением электрического тока в плазме за счет сил инерции, давления и других сил неэлектрического характера, так как под совместным действием этих сил и магнитного поля ионы и электроны в плазме движутся в противоположные стороны, а диффузионные процессы в поперечном направлении осложняются аномальной диффузией, связанной с неустойчивостью плазмы.  [c.443]


Если же газовое облако расширяется сравнительно медленно (большая масса, малая скорость разлета) и ионизационное равновесие нарушается поздно, при малой степени ионизации, когда запас потенциальной энергии меньше, чем тепловая энергия, выделение небольшого количества тепла при рекомбинации не в состоянии задержать быстрое охлаждение таза, связанное с его расширением, и скорость рекомбинации оказывается достаточно большой. Рекомбинация при этом продолжается все время, и степень ионизации непрерывно уменьшается, стремясь к нулю. Так продолжается до тех пор, пока не нарушается обмен энергией между электронным и ионным газами. Последнее происходит, когда характерное время обмена (см. 21 гл. VI) становится больше времени I от начала разлета, которое характеризует относительные скорости расширения  [c.452]

С.-ф. в. обусловливает обмен энергией между спиновой системой и решёткой — т. н. спи н-р е ш ё т о ч-ную релаксацию, к-рая может осуществляться посредством двух процессов прямого и непрямого. В прямых, или однофононных, процессах переход иона с верхнего энергетич. уровня e i на нижний сопровождается переориентацией магнитного момента электрона и излучением одного фонона с энергией /г/о =  [c.333]

Большая разница между массами электронов т и ионов М затрудняет обмен энергией между ними при столкновении тяжелой и легкой частиц энергия каждой из них почти не меняется. Поэтому установление равновесия между электронами самими по себе и ионами самими по себе происходит значительно быстрее, чем между электронами и ионами. В результате легко возникает ситуация, в которой электронная и ионная компоненты плазмы имеют каждая свое максвелловское распределение с различными температурами Г и (обычно Г, превосходит Т ).  [c.213]

Перенос тепла в ионизованном газе осуществляется как за счет нейтральных, так и заряженных частиц. При этом в слабоионизованном газе вклад положительных ионов в теплопроводность относительно невелик, поскольку значения энергии, переносимой ионом и нейтральным атомом, сопоставимы, а доля ионов относительно мала. Электроны, скорость которых значительно превышает скорость тяжелых частиц, вносят заметный вклад в теплопроводность плазмы уже при малых степенях ионизации ]Лт/Л/ (та — масса электрона М—масса атома, иона). При этом, поскольку обмен энергией электронов с атомами мал ( mlM), вклады в теплопроводность нейтральных частиц и электронов аддитивны. Наряду с этим определенный вклад в теплопроводность равновесного ионизованного газа вносит процесс установления ионизационного равновесия  [c.436]

Заключение, к которому пришли Пайне и Бом, по существу восстанавливает статус-кво, и поэтому поведение электронов можно с полным основанием рассматривать па основе одноэлектронной модели, предполагая, что взаимодействие электрон—электрон распространяется только на близкое расстояние. Это позволяет определить поперечное сечение соударений (Абрагамс [163]) (напомним, что если пользоваться неэкранированным куло-новским потенциалом, то такое определение невозможно произвести аналитическими методами). Оказывается, что это сечение имеет порядок тсГс, т. е. соответствует сечению рассеяния на отдельном ионе. Однако следует иметь в виду, что, в то время как соударение электрона с ионом может сопровождаться только очень малым обменом энергии, в случае соударения двух одинаковых частиц этого утверждать нельзя. Принцип Паули ограничивает соударения электрон—электрон по существу теми электронами, тепловая энер-  [c.216]

Рассмотрим одноатомиый кристалл из N атомов с валентностью Z таким образом, имеется n=NZ валентных эло1 троиов. Положения валентных электронов обозначим через г, (г =-1,2,..., и) и ионов — через R, (/=1, 2,.,, N). Общий гамильтониан для кристалла является суммой четырех членов кинетической энергии электронов, энергии взаимодействия электронов с ионами, кулоновского взаимодействия между электронами и гамильтониана для ионов, включающего кинетическую энергию, кулоновские и обменные взаимодействия  [c.757]

Природа сверхпроводимости. Явление С. обусловлено возникновением корреляции между электронами, в результате к-рой она образуют куперовские пары, подчиняющиеся боаевской статистике, а электронная жидкость приобретает свойство сверхтекучести. В фононной модели С. спаривание электронов происходит в результате специфического, связанного с наличием кристаллич. решётки фононного притяжения. Даже при абс. нуле темп-р решётка совершает колебания (см. Нулевые колебания, Динамика кристаллической решётки). Эл.-статич. взаимодействие электрона с ионами решётки изменяет характер этих колебаний, что приводит к появлению дополнит, силы притяжения, действующей ва др. электрон. Это притяжение можно рассматривать как обмен виртуальными фононами между электронами. Такое притяжение связывает электроны в узком слое вблизи границы ферми-поверхности. Толщина этого слоя в энергетич. масштабе определяется макс, энергией фонона Йшд Uvja, где сйр — дебаевская частота, и, — скорость звука, а — постоянная решётки (см. Дебая температура), в импульсном пространстве это соответствует слою толщиной Др К(И )1ир, где ир — скорость электронов вблизи поверхности Ферми. Соотношение веопределённостей даёт характерный масштаб области фононного взаимодействия в координатном пространстве  [c.436]


Первая классическая теория электропроводности была развита ДруДЬ. В ней предполагалось, что поведение всех электронов в электрическом поле одинаково. Взаимодействие с решеткой осуществляется процессами столкновений, при которых происходит обмен энергией и импульсом. Между двумя столкновениями электрон свободно ускоряется внешним иолем. Совместное действие ускорения и столкновений приводит к некоторой средней постоянной скорости, которая линейно изменяется с полем (закон Ома). Закон Видемана —Франца также легко следует из теории. Однако ничего нельзя сказать о температурной зависимости концентрации электронов. Также нельзя вывести температурную зависимость подвижности. При простых предположениях о температурной зависимости вошедших параметров температурная зависимость подвижности получается неправильной, ого не смогли изменить и дальнейшие улучшения теории, учет распределения скоростей электронов (Лорентц), привлечение статистики Ферми (Зоммерфельд). Несмотря на некоторые очевидные успехи теории Друде —Лорентца —Зоммерфельда, для решительного ее улучшения потребовалось заменить примитивное представление о соударении электронов с ионами решетки на электрон-фононное взаимодействие. Необходимую для этого технику мы уже приводили в предыдущих параграфах этой главы.  [c.232]

Для объяснения явления ферромагнетизма в квантовой теории используются два основных подхода. Один из них основан на предложенной Френкелем модели коллективизированных электронов, подчиняющихся статистике Ферми — Дирака. Эта модель учитывает обменное взаимодействие. В теории показано, что при некоторой плотности электронного газа возможно появление самопроизвольного намагниченного состояния вне зависимости от того, что кинетическая энергия электронов при этом увеличивается. Напомним еще раз, что увеличение кинетической энергии связано с тем, что, в силу принципа Паули, электроны с параллельной ориентацией спина не могут з нимать один энергетический уровень. Поэтому при перевороте спина электрон вынужден занять состояние с большей энергией. В настоящее время, однако, существует мнение, что газ электронов проводимости, по-видимому, не является )ерромагнитным ни при каких условиях. Строгое доказательство этого пока отсутствует. В то же время ни в одном эксперименте не было обнаружено ферромагнетизма металлов, не содержащих атомов или ионов с недостроенными d- или /-оболочками. Появление ферромагнетизма в системе d- или /-электронов связано с аномально высокой (по сравнению с s-электронами) плотностью состояний в - и /-зонах.  [c.337]

Например, если ионы Na" и С1 находятся на расстоянии R = 0,5 нм друг от друга, то для их разведения на бесконечное расстояние необходимо затратить энергию е /(4пе Я) = = 2,9 эВ. Поскольку энергия ионизации натрия равна 5,1 эВ, а энергия сродства хлора к электрону составляет 3,6 эВ, при обмене электроном между Na" и С1 высвобождается энергия 1,5 эВ и образуются атомы Na и С1. Следовательно, для перехода от системы из ионов Na" и С1 , находящихся на расстоянии 0,5 нм друг от друга, к атомам Na и С1 требуется затратить энергию 2,9 эВ - 1,5 эВ = 1,4 эВ, т.е. в принципе система Na l" при R = 0,5 нм является связанной и может составлять молекул) Na I. Однако это не означает, что стабильное состояние этой молекулы осуществляется именно при R = 0,5 нм. При уменьшении R кулоновская энергия связи ионов растет и, следовательно, для увеличения стабильности молекулы выгодно уменьшать расстояние между ионами, т.е. увеличивать роль сил притяжения между ними. Однако наряду с силами притяжения между ионами, являющимися кулоновскими, существуют также силы отталкивания, обусловленные взаимодействием электронных оболочек ионов.  [c.304]

Бомбардируя мишень, ионы выбивают из нее атомы, часть из которых попадает на подложку П и, конденсируясь, образует пленку. Таким образом, давление газа в камере влияет на распыление мишени сложным образом. С увеличением давления увеличивается число столкновений электронов с атомами газа на пути от катода до анода. Поэтому должно возрастать и количество образующихся положительных ионов при том же токе катода. Однако вовсе не каждое соударение электрона с атомом приводит к ионизации, даже если энергия электрона достаточью велика. Если же электрон еще не набрал энергии выше энергии ионизации ил й возбуждения атома, то при соударении происходит лишь обмен кинетической энергией между электронами и атомами газа. Хотя массы сталкивающихся частиц в этом случае очень сильно отличаются друг от друга и потери энергии электроном при каждом соударении невелики, тем не менее с ростом давления газа в камере средняя энергия электронов в том же самом электрическом поле уменьшается. Это значит, что уменьшается и относительное число соударений электронов, приводящих к ионизации атомов. Расчет показывает, что среднее количество ионов, создаваемых в газе каждым выходящим из катода электроном, с ростом давления сначала повышается, а затем падает. Эффект этот был открыт А. Г. Столетовым в конце XIX века, исследовавшим влияние газового наполнения на ток в приборе с фотоэлектронным катодом, и получил название эффекта газового усиления. Наибольшее газовое усиление происходит при некоторой величине отношения напряженности электрического поля к давлению, характерной для каждого газа. Для аргона, например, она равна 175 В/м-Па. Это означает, что при напряженьюстях поля 500— 1000 В/м оптимальное давление Аг составляет 3—6 Па (0,02—  [c.65]

Уровень испускания может принадлежать как тому же атому (молекуле), к-рый поглотил энергию возбуждения (такие переходы называются внутрицепт-р о в ы м и), так и др. частице. Передача энергии др. атомам и молекулам осуществляется электронами при электронно-ионных ударах, при процессах ионизации и рекомбинации, индуктивно-резонансным или обменным путём, при неносредственпом столкновении возбуждённого атома с невозбуждённым. Из-за малой концентрации атомов в разреженных газах процессы резонансной и обменной передачи энергии в них играют малую роль. Они становятся существенными в конденсированных средах, где энергия возбуждения может передаваться также с помощью колебаний ядер. И, наконец, в кристаллах определяющей становится передача энергии с помощью электронов проводимости, дырок и электронно дырочных пар (экситонов). Если заключит, актом передачи энергии является рекомбинация (наир., электронов и ионов или электронов и дырок), то сопровождающая этот процесс Л. наз. рекомбинационной.  [c.625]


ПЕРЕНОС ЭНЕРГИИ — безызлучательная передача энергии электронного возбуждения при эл.-магн. взаимодействии двух частиц (молекул, ионов, комплексов), находящихся на расстоянии, меньшем длины волны излучения. В результате П. э. молекула — донор энергии переходит в состояние с меньшей энергией, а молекула — акцептор энергии — в состояние с большей энергией. Взаимодействие частиц, вследствие к-рого происходит П. э., может быть мультипольыым (в частности, диполь-дипольным) или обменным. Характерные расстояния, при к-рых осуществляется П. э., достигают при диполь-дипольном взаимодействии 5—  [c.568]

Непосредств. взаимодействие спинов электронов в молекуле Hj практически не играет роли в образовании X. с. Энергия такого взаимодействия меньше обменной энергии. Кроме того, устойчивая X, с. образуется и в молекулярном ионе Н2, состоящем из двух ядер и только одного электрона, т. е. в отсутствие обменного взаимодействия. Т. о., для объяснения X, с. достаточно рассмотреть лишь силы притяжения и отталкивания между электронами, не вводя обменных сил. Обменный интеграл А появляется только в случае приближённого решения задачи при точном решении задачи из энергии нельзя выделить её обменную часть.  [c.407]

Расчеты по методу ячеек энергии связи щелочных металлов дали удовлетворительные результаты. Наиболее хорошее согласие с экспериментом получено для натрия. На рис. 1.14 показаны результаты расчета энергии связи металла в зависимости от междуатомного расстояния г. С уменьшением г возрастает перекрывание волновых функций валент-йых электронов соседних атомов и убывает потенциальная энергия системы ионсУБ и электронов за счет увеличения электронной плотности между ионами. Увеличение электронной плотности сопровождается в то же время ростом кинетической энергии электронов. Сумма энергий притяжения и отталкивания изображается кривой с минимумом, определяющим равновесное состояние металла (штриховая кривая). Расчет дал энергию связи 24,4 ккал/моль, а экспериментальное значение 26ккал7моль. Период элементарной ячейки из опыта а=4,25 А, из расчета с поправками на обмен и корреляцию а=4,51 А.  [c.45]

Плотности электронов и ионов будут оставаться приблизительно равными под действием сил притяжения зарядов. Но из-за малой величины обменной энергии нривон- лектропных столкновениях (нейтральных частиц с электронами) электронная температура будет отличаться от ионной температуры, как показано схематически на фиг. 12.7, соответствующей случаю очень сильной ударной волны [формула (12.116г)]. Следует отметить подобие  [c.457]

В У. в., за фронтом к-рых газ сильно иопнзовап или к-рые распространяются по плазме, ионная и электронная теми-ры Т и 7 ,. не совпадают. В скачке уплоттгения нагреваются только тяжелые частицы (рис. 6), но не электроны, а обмен энергии между ионами и электронами происходит медленно, вследствие большого различия их масс. Релаксация связана с выравниванием темн-р. Кроме того, при распространении У. в. в плазме существенную роль играет электронная теплопроводность, к-рая гораздо болыне ионной и благодаря к-рой прогреваются электроны неред скачком уплотнения. В электропроводной среде в  [c.230]

Эффективное сечение не зависит от массы заряженных частиц и характеризует фактически вероятность сильного отклонения частиц от первоначального направления их движения при взаимодействии. Эффект обмена энергией является, так сказать, следствием отклонения. При сравнимых массах частиц сильное отклонение одновременно связано и с большой передачей энергии, вследствие чего сечение о и определяло скорость обмена энергией при столкновении одинаковых частиц. При взаимодействии же частиц с резко различающимися массами (электронов и ионов) обмен энергией при столкновении, согласно законам сохранения импульса и энергии, не может превышать доли порядка Ше/т. Поэтому чтобы произошла значительная передача энергии, необходимо, чтобы частицы испытали примерно mime, т. е. очень много соударений .  [c.357]

В случае свободных радикалов -фактор обычно не сильно отличается от соответствуюшей величины для свободного электрона ge = 2,0023. Отклонение от этого значения, имеющего чисто спиновое происхождение, указывает на вклад спин-орбитальных взаимодействий. В случае примесных ионов переходных элементов -фактор становится анизотропным и определяется симметрией кристаллического поля, внутри которого находится ион. Последнее является результатом дополнительного штарковского расщепления энергетических уровней неспаренных электронов во внутрикристаллических электрических полях — в спектре ЭПР появляется тонкая структура. Благодаря этому -фактор является тензором, характеризующим симметрию этих полей. Неоднородные электрические поля в первой координационной сфере, окружающей примесный парамагнитный атом, могут достигать 10 В см . В сильных кристаллических полях взаимодействие неспаренных электронов атомов (ионов) с полем больше спин-орбитального и обменного взаимодействий. Штарков-ское расщепление Д в этом случае в результате снятия орбитального вырождения может достигать 5 эВ. При этом нарушается правило Хундта и образуются низкоспиновые состояния атома (например, многие ионы с незаполненными 4с1 и оболочками). В средних полях (Д = 1 эВ) энергия взаимодействия атома с полем по-прежнему выше энергии спин-орбитальных взаимодействий, но ниже энергии обменных взаимодействий внутри атома. Этот случай типичен для атомов с недостроенной Ъё оболочкой. И, наконец, слабые поля типичны для редкоземельных элементов с недостроенной / оболочкой Д = 10 2 эВ. В таких полях сохраняется мультиплетная структура изолированного атома. Величина Д определяется не только напряженностью поля, но и его симметрией, зависящей в свою очередь от структуры и химической природы атомов первой координационной сферы.  [c.143]

Рпс. 16.34. Асимметрия перекрытия электронных оболочек соседних ионов как одна из причин кристаллографической магнитной анизотропии. Вследствио спин-орбитального взаимодействия распределение электронного заряда — не сферическое. Асимметрия связана с направлением спина, поскольку изменение направления спина по отнопаению к осям кристалла изменяет обменную энергию, а также электростатическую энергию взаимодействия распределений заряда пар атомов. Именно эти эффекты приводят к появлению энергии анизотропии. Энергия системы а иная, чем энергия системы 6.  [c.582]

Это сплавы типа СиАи, 2пСи, РеСо, РеСг и т.д., в которых одни атомы не похищают электроны у других, как в случае ионных кристаллов типа Na+ , и изменение энергии, связанное с обменом местами атомов сорта А и В, невелико и может быть порядка температуры в. Такие сплавы могут быть не обязательно 50-процентными, могут быть сплавы типа СизАи и т.д. Мы будем полагать, что взаимодействие атомов таково, что при в = О осуществляется упорядоченное их расположение антиферромагнитного типа, когда ближайшим соседом атома сорта А являются атомы сорта В и наоборот. Это состояние фактически изображено на рис. 140, где значение сг, = +1 в узле надо сопоставить с атомом типа А, а значение сг, = -1 — с атомом типа В.  [c.336]

Детальное изучение этого процесса привело Хеллера к пониманию того, каким образом можно управлять нерадиационными потерями и свести их к минимуму. Обмен энергией между ионом и растворителем можно описать как исчезновение одного большого кванта электронной энергии , локализованной в ионе, и одновременное появление ряда меньпшх колебательных квантов энергии, локализованных где-то в оболочке растворителя или за ней. Вероятность таких нерадиационных потерь зависит от числа колебательных квантов, которые должны создаваться, и быстро уменьшается с увеличением их числа. Этот эффект можно продемонстрировать при замене обычной воды тяжелой водой (двуокисью дейтерия). Из-за увеличения массы квант колебательной энергия, соответствующей кислород-дейтери-еаой связи, уменьшается, и для дезактивации иона необходимо больше квантов. Результатом является увеличение выхода люминесценции.  [c.51]


Природа электрических явлений, сопутствующих парапро- цессу, может быть понята из следующих соображений. Рас-смотрим, например, что будет происходить с -электро- 1 нами, если мы будем нагревать ферромагнетик. В обычных металлах принято считать, что причиной возрастания электросопротивления с температурой является взаимодействие электронов проводимости с тепловыми колебаниями ионов в кристаллической решетке (фононами). В результате этого взаимодействия -электроны отдают свою энергию и импульс, вследствие чего электросопротивление растет. Взаимодействие между электронами и фононами, которое можно рас- сматривать как столкновения между ними, определяет тем- пературную зависимость электросопротивления металла. В случае ферромагнитных металлов Вонсовский допускает, что наряду с этими процессами столкновений 5-электро- нами с фононами имеют место процессы столкновения между 5-электронами и так называемыми ферромагнонами (спиновыми волнами, создаваемыми -электронами). Представление о спиновых волнах было введено Блохом для расчета обменного взаимодействия между спинами электронов. Он показал, что при низких температурах энергия электронов при учете обменного взаимодействия может быть представлена как сумма энергий отдельных элементарных возбуждений . Последним сопоставляются квазичастицы — фер-ромагноны, или спиновые волны. Введение этих частиц значительно упрощает вычисление обменного взаимодействия между спинами.  [c.197]

Микроскопнческая теория Р. базируется на молекулярно-кинетической теории, рассматривающей процессы в макроскопич. системах как проявление движения и вз-ствия атомных и субатомных ч-ц. Теория Р. наиб, разработана применительно к газам, в к-рых равновесие устанавливается благодаря столкновению ч-ц газа. При столкновениях ч-цы обмениваются энергиями и импульсами. Частоты столкновений и эффективность обмена выражаются через вероятности столкновений. Вероятности обмена энергиями и импульсами при столкновениях для ч-ц разл. сортов могут существенно отличаться, что сказывается на релаксац. процессах в системе. В электронно-ионной плазме, напр., различие масс эл-нов и ионов приводит к тому, что эти ч-цы легко обмениваются импульсами, но обмен энергией между подсистемами эл-нов и ионов затруднён. В самих же подсистемах (при электрон-электронных и ион-ионных столкновениях) обмен импульсами и энергиями идёт в одном темпе. В результате быстро устанавливается равновесие в ионной и электронной подсистемах плазмы в отдельности, но равновесие в плазме в целом устанавливается медленнее. Аналогичная ситуация наблюдается в газах из многоатомных молекул, где подсистемами явл. поступат. и внутр. степени свободы. Обмен энергией между этими видами степеней свободы затруднён. Быстрее всего устанавливается равновесие по поступат. степеням свободы, потом — по внутренним и медленнее всего — между поступат. и внутренними. В этих условиях частично равновесное состояние может быть описано введением разл. темп-р подсистем. Самый медленный процесс— выравнивание темп-р подсистем — последний этап Р. Хар-ками столкновений в газе явл. ср. время свободного пробега ч-ц Тдр и его длина =1ГСпр (у — ср. скорость ч-ц). По порядку величины Тдр совпадает с временем установления локального равновесия в объеме газа (быстрая Р.). Локально-равновесное состояние описывается макроскопич. параметрами (Г, р и др.), к-рые различны для разных локально-равновесных частей системы, но выравниваются, когда система приходит в полное равновесие. Газ можно считать макроскопич. системой, если I < Ь, где Ь — характерное расстояние (напр., размер сосуда). Переход от локального к полному равновесию (выравниванию темп-р, плотности) требует макроскопически большого числа столкновений (медленная Р.) и из-за  [c.633]


Смотреть страницы где упоминается термин Обмен энергией электронов с ионами : [c.209]    [c.265]    [c.392]    [c.393]    [c.116]    [c.109]    [c.293]    [c.692]    [c.406]    [c.108]    [c.87]    [c.412]    [c.170]    [c.366]    [c.367]    [c.406]    [c.171]    [c.672]    [c.401]   
Физическая кинетика (1979) -- [ c.213 ]



ПОИСК



Иониты

Ионный обмен

Ионов

Обмен энергией

Обмен энергией электронов с ионами в релятивистской плазм

Обмен энергией электронов с ионами с нелогарнфмнческой точностью

Обменная энергия

По ионная

Энергия электрона

Энергия электронная



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте