Анизотропия проводимости

Анизотропия проводимости достигает 50 в сло- [c.252]

В магнитном поле проявляется анизотропия проводимости в направлении, нормальном полю, проводимость уменьшается. В пол- [c.213]

В магнитном поле проявляется анизотропия проводимости в направлении, нормальном полю, проводимость уменьшается. В полностью ионизированной плазме проводимость поперек сильного магнитного поля примерно в 2 раза ниже, чем вдоль него. В газоразрядной плазме на заряженные частицы действуют кулоновские силы. При этом средняя энергия электронов оказывается значи- [c.234]

Исследование пространственных МГД эффектов в каналах с учетом анизотропии проводимости и ее возможной неравновесности, индуцированных магнитных полей и различных схем коммутации электродов на стенках канала выполнялось сотрудниками ЛАБОРАТОРИИ вместе с их коллегами из Института механики МГУ. Полученные результаты обобщены в монографии [18] и в обзорных статьях 19,20] А.Б. Ватажина, Г. А. Любимова и С. А. Регирера. [c.518]

К ним следует добавить уравнение закона Ома. Предполагая, что можно пренебречь эффектами, связанными с анизотропией проводимости при наличии магнитных полей (соответствующие оценки см. в [1]), будем пользоваться законом Ома в форме [c.588]

В предыдущем параграфе была рассмотрена вспомогательная модель общей теории электрических машин (пример 7), состоящая из двух тонкостенных цилиндров, которые обладают определенной анизотропией проводимости. Ток в стенках цилиндров является идеализацией токов в плотной проволочной обмотке реальной машины. Поэтому распределение этого тока полностью определяется распределением проводников по ротору (или статору) и способом их соединения (с контактными кольцами, коллектором и т. д.). [c.473]

Трудности, возникающие в связи с исследованием течений плазмы, носят не только математический характер. Развитие представлений о свойствах низкотемпературной плазмы на основе экспериментальных и теоретических исследований физического характера непрерывно ставит перед механической теорией новые усложненные постановки задач учет анизотропии проводимости и других свойств переноса, различия в температурах компонент, различных химических реакций, излучения, учет эффектов, связанных с взаимодействием плазмы с твердыми стенками канала, и т.д.). Новые постанови задач приводят к необходимости усовершенствования основной системы магнитогидродинамических уравнений и граничных условий. [c.445]

Анизотропия плазмы при наличии сильного магнитного поля особенно проявляется в разреженной плазме. С увеличением же плотности облегчается обмен энергией между различными степенями свободы и анизотропия температур и давлений несколько сглаживается. Кроме того, анизотропия процессов переноса (электропроводность, диффузия, теплопроводность, вязкость) в плазме не может проявляться в полной мере из-за ряда дополнительных обстоятельств. Так, анизотропия проводимости ослабляется появлением электрического тока в плазме за счет сил инерции, давления и других сил неэлектрического характера, так как под совместным действием этих сил и магнитного поля ионы и электроны в плазме движутся в противоположные стороны, а диффузионные процессы в поперечном направлении осложняются аномальной диффузией, связанной с неустойчивостью плазмы. [c.443]

Для того чтобы обойти эту трудность, были синтезированы многочисленные квазиодномерные соединения. В большинстве своем это сложные молекулярные кристаллы, которые в смысле проводящих свойств можно уподобить связкам изолированных проводящих нитей. Проводимость вдоль нитей большая, но вероятность перехода электрона с нити на нить мала, и поэтому анизотропия проводимости Оц/< х может достигать нескольких тысяч. Кроме молекулярных кристаллов изучались также полиме. ры (SN)Jf, ( H)Jf (д означает многократное повторение группы) и др- [c.328]

Обменная s—связь между электронами проводимости РЗМ-металлов и особенностями их атомной магн. структуры, к-рая имеет вид неколлинеарных винтовых структур. Эта модель, если её дополнить учётом магн. (спин-орбитального) взаимодействия, позволяет также объяснить в принципе все аномалии электронных свойств ферромагнетиков, связанных с существованием в них спонтанной намагниченности. Учёт магн. (релятивистских) взаимодействий позволяет объяснить природу магн. анизотропии и магнитострикции. [c.289]

Проводимость в идеальном композиционном материале, не имеющем пор, будет зависеть от коэффициентов проводимости компонентов непрерывной матрицы км) и армирующего наполнителя кр, объемных долей матрицы (1—ф ) и волокон фг и пространственного распределения и ориентации армирующих волокон Б матрице Ц) Ру Кроме того, эффективный коэффициент проводимости композиционного материала кс будет также зависеть от размеров волокна и степени анизотропии рассматриваемых свойств материалов волокна и матрицы. [c.288]

Анизотропия резонансного сдвига возникает вследствие нарушения простой симметрии решетки металлов (фазы внедрения, замещения, сплавы или чистые металлы после деформации). Наглядно анизотропию линии спектра ЯМР можно продемонстрировать на порошковых металлических образцах. Если каждому из кристаллитов соответствует симметричная линия, положение которой зависит от ориентации кристаллической оси по отношению к вектору Но, то во всем объеме образца содержатся кристаллиты практически всех ориентаций. Рассмотрим два крайних случая ориентаций кристаллитов 6=0 и 0=я/2 (6 — угол между осью симметрии и направлением поля Но). Для 9 = 0 (гексагональная или тетрагональная ось) полное добавочное поле, вызванное электронами проводимости в месте расположения ядра, можно представить в следующем виде [c.175]

Ферми, отнесенная к единице объема ( г — мера анизотропии в распределении заряда, связанная с волновой функцией электронов проводимости. [c.176]

Постановка задачи. В данной статье изучается осесимметричное течение изотропно проводяндей среды в круглой трубе при наличии осесимметричного магнитного поля без учета индуцированных магнитных полей. Дополнительный учет эффектов анизотропии проводимости и индуцированных магнитных полей с помондью предложенных в данной статье алгоритмов, вообнде говоря, не вызовет затруднений. [c.387]

Если ввести в рассмотрение анизотропию проводимости (эффект Холла), то решение сохранит структуру (4.2), однако продольное и врагцательное движения будут взаимосвязаны. Задача снова сводится к линейным обыкновенным уравнениям, но решение в конечном виде получить не удается. [c.634]

Модель неявнополюсной электрической машины с цилиндрическим барабанным якорем представляет собой систему, которая состоит из двух полых цилиндров радиусов а и Ь с тонкими проводящими стенками. Внешний цилиндр (стдтор) неподвижен, внутренний (ротор) может вращаться относительно общей оси О (рис. 7.9). Поскольку активные проводники обмоток реальной электрической ма- /// шины параллельны оси вращения Ог, примем, что модель рис. 7.9 обладает соответствующей анизотропией проводимости, т. е. токи статора /<, и ротора р текут вдоль образующих цилиндров, другими словами, имеют место только г-компоненты. Оставляя в стороне [c.467]

Такая модель плазмы учитывает анизотропию проводимости. При больших магнитных полях и в разреженной плазме необходимо учитывать анизотропию и других переносных свойств, и система уравнений еще усложняется (см., например, В. Б. Баранов, 1964 Э. Г. Сахновский, 1964). Так как электроны более подвижны, чем другие частицы, и с трудом отдают приобретенную энергию более тяжелым частицам, то температура электронов часто существенно отличается от температуры ионов и нейтронов. В этом случае приходится от одножидкостной модели переходить к многожидкостнош, записывая уравнения для каждой из компонент плазмы в отдельности, учитывая еще взаимодействие череа электрические и магнитные поля и взаимное трение и вводя свою температуру для каждой из компонент ( двухтемпературная модель). Уравнения, описывающие плазму, еще более усложняются, когда необходимо учитывать химические реакции, неравновесные процессы, излучение и т. д. [c.435]

Одной из наиболее интересных задач в области изучения ламинарных движений несжимаемой жидкости в каналах в настоящее время является исследование движений анизотропнопроводящих сред, а также сред, свойства которых зависят от величины магнитного поля. Анизотропия проводимости приводит к появлению новых качественных эффектов. В частности, наличие продольных токов в канале приводит к появлению электромагнитных сил в поперечном сечении канала, которые, по-видимому, вызыва- [c.444]

В связи с этим следует отметить, что основой идеи Литла была не одномерность, которая, как уже отмечено, только мешает сверхпроводимости, а наличие сильно поляризующихся боковых групп, окружавших основную нить толстой шубой . В существующих ныне молекулярных квазиодномерных кристаллах анизотропия проводимости происходит не из-за больших расстояний между нитями, а из-за большой анизотропии электронных волновых функций, которые сильно перекрываются вдоль нитей и слабо—в поперечном направлении. Следовательно, в соединениях такого типа просто нет места для сильно поляризующейся шубы . [c.329]

В этом последнем случае параметр Холла, который в соответствии с (1.48) определяет величину холловской ЭДС, характеризует анизотропию проводимости замагниченной плазмы [c.20]

Многополосковый ответвитель, описанный в работах [218, 219], предназначен для распространения пучка ПАВ между двумя каналами. Наиболее простой способ переноса изображен па рис. 7.25. Ответвитель включает систему параллельных металлических полос на пьезоэлектрической подложке. Верхняя часть системы составляет канал А, нижняя часть — канал Б. Вследствие действия пьезоэлектрического эффекта ПАВ, которая вышла нз преобразователя А, вызовет по ходу распространения в верхней части ответвителя (канал А) электрическое напряжение между соседними полосами. Между полосами в нижней части ответвителя создается электрическое поле благодаря пьезоэлектрическому эффекту ПАВ в канале Б. В результате переноса энергии амплитуда ПАВ в верхней части ответвителя уменьшается, а в нижней части возрастает, так что при определенном числе полос ПАВ будет перенесена из канала А в канал Б. Предположим, что каналы имеют одинаковую ширину. Максимальное число полос, необходимое для полного переноса энергии, можно приблизительно определить, исходя нз анизотропии электропроводности ответвителя [220], который в направлении, перпендикулярном полосам, действует как изолятор, а в направлении полос — как проводник. Ответвитель можно заменить условным слоем пренебрежимо малой толщины, обладающим идеальной анизотропией проводимости. В направлении распространения ПАВ этот слой не является проводником, а в перпендикулярном направлении он идеальный проводник. Амплитуду Ао входящей ПАВ разложи.м на симметричную As и асимметричную Аа составляющие (рис. 7.26). Потенциал симметричной составляющей в направлении полос является величиной постоянной, не влияющей на проводящие свойства слоя, поэтому симметричная составляющая амплитуды ПАВ распространяется со скоростью V, характерной для свободной поверхности. В отличие от этого проводимость слоя закорачивает потенциал [c.350]

Наиболее изученные полупроводники кристаллизуются в рещетках типа сфалерита или вюрцита и имеют прямую зонную структуру (экстремумы зоны проводимости и валентной расположены в точке к = 0). Кристаллы кубической структуры (сфалерит) изотропны одна из подзон их валентной зоны отщеплена за счет спин-орбитального взаимодействия As (см. рис. 22.97). Кристаллы гексагональной структуры (вюрцит) слабо анизотропны (этой анизотропией часто пренебрегают) наличие дополнительного взаимодействия Асг (кристаллическое поле некубического кристалла) приводит к расщеплению валентной зоны на три подзоны (см. рис. 22.98). Экспериментально определяемые оптическими методами расщепления i и связаны с Aso и Асг соотнощениями [138] [c.480]

Измерения удельного электрического сопротивления детонационного покрытия из твердого сплава ВК15 в направлениях, перпендикулярном и параллельном оси напыления, выявили анизотропию электропроводимости. Численные значения удельного электросопротивления в двух взаимно перпендикулярных направлениях отличаются в 2—3 раза [16, 139]. Наличие границ между слоями и деформированными частицами в направлении, перпендикулярном оси напыления, значительно уменьшает проводимость, в то время как проводимость в направлении, параллельном оси напыления, приближается к этой характеристике для спеченного твердого сплава,, так как в этом случае определяющую роль играет проводимость отдельных слоев [16, 139]. [c.87]

Следствием структурной анизотропии — текстурированно-сти — является анизотропия макросвойств. Поэтому удобно сопоставить показатель текстуры материала и анизотропию его электросопротивления или электрической проводимости. Последнюю можно выразить через электропроводность кристаллов вдоль плоскости базиса (оа) и перпендикулярно к ней ((Тс) [229] [c.39]

ФОСФОРЕСЦЕНЦИЯ — люминесценция, продолжающаяся значительное время после прекращения ее возбуждения ФОТО ДЕЛЕНИЕ — деление атомного ядра гамма-квантами ФОТОДИССОЦИАЦИЯ—разложение под действием света сложных молекул на более простые ФОТОИОНИЗАЦИЯ — процесс ионизации атомов и молекул газов под действием электромагнитного излучения ФОТОКАТОД — холодный катод фотоэлектронных приборов, испускающий в вакуум электроны под действием оптического излучения ФОТОЛИЗ— разложение под действием света твердых, жидких и газообразных веществ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ—люминесценция, возникающая под действием света ФОТОМЕТРИЯ— раздел физической оптики, в котором рассматриваются энергетические характеристики оптического излучения в процессах его испускания, распространения и взаимодействия с веществом ФОТОПРОВОДИМОСТЬ изменение электрической проводимости полупроводника под действием света ФОТОРЕЗИСТОР — полупроводниковый фотоэлемент, изменяющий свою электрическую проводимость под действием электромагнитного излучения ФОТОРОЖ-ДБНИЕ — процесс образования частиц на атомных ядрах и нуклонах под действием гамма-квантов высокой энергии ФОТОУПРУГОСТЬ — возникновение оптической анизотропии и связанного с ней двойного лучепреломления в первоначально оптически изотропных телах при их деформации [c.293]

Другие эффекты, связанные е разогревом электронов, 1) В сильном электрич. поле электропроводность полупроводников кубич. сингонии становится анизотропной даже в отсутствие магн. поля (в слабых полях она изотропна). Это связаио преим. с разной заселённостью Г. э. долин зоны проводимости. 2) Изменяются коэфф. диффузии и спектральная плотность флуктуаций тока (см- Флуктуации электрические) возникает анизотропия этих величин даже при изотропной зависимости энергии электронов от квазиимпульса (характеристики шума, измеренные вдоль и поперёк тока, разные). 3 Наблюдается эмиссия Г. э. в вакуум из ненагретых полупроводников. 4) Возникает эдс при однородной темп-ре кристалла, но неоднородном разогреве электронов. [c.520]

Для электрич. свойств О. в, с. в нормальном состоянии типичен линейный рост сопротивления с изменением темп-ры. Ква-аидвумерная слоистая структура О. в. с. проявляется в сильной анизотропии ферми-поверх-ности, электрических и сверхпроводящих свойств. Измерение ковф. Холла и Зеебека указывает, что носителями заряда в большинстве О. в. с. являются дырки (см. Зеебека эффект. Холла эффект], хотя имеются соединения и с электронным типом проводимости (наир., т . Се СиО , Г, - 24К). [c.403]

В большинстве РЗЛ металлов существуют перводич., магнитные атомные структуры, Период к-рых довольно часто является несоизмеримым с периодом кристал-лнч. решётки. Обменное взаимодействие между РЗЛ ионами является косвенным и осуществляется через электроны проводимости (см. РКП И-обменное взаимодействие). Волновой вектор периодич. магн. структур определяется топологии, особенностями фермиг поверхности и близок к диаметрам её экстремальных сечений. Магн. структуры и магнитные фазовые переходы зависят также от специфики косвенного обменного взаимодействия и влияния магн. анизотропии и магнитоупругого взаимодействия. В Се обнаружено антиферро-магн. упорядочение ниже Нееля точки Гдг = 12,5 К. [c.306]

Распространение СДВ в земных условиях происходит в сферич. волноводном канале, образованном Землёй и ионосферой (см. Волноводное распространение радиоволн). На отражение СДВ от ионосферы оказывает влияние ее ниж. часть — существенная для отражения область располагается на высотах 60—80 км днём и 80—100 км ночью. В этой области высот на очень низких частотах ионосфера представляет собой неоднородную проводящую среду, проводимость к-рой резко возрастает с высотой и приобретает, начиная с высоты 75 км, заметно выраженный анизотропный характер вследствие влияния магн. поля Земли. В дневных условиях влияние магн. поля Земля на отражение СДВ и их распространение в приземном волноводе невелико, однако ночью оно оказывается существенным. При отражении от анизотропной ионосферы в отражённом поле возникают компоненты, отсутствовавшие в падающей волне, что является причиной ошибок в системах радиопеленгации. Наличие анизотропии приводит к зависимости характеристик эл.-магн. поля от азимута трассы распространения и к появлению невзаимности — изменению характеристик поля при изменении направления трассы распространения на обратное. [c.428]

Проводимость пленок j, -Si H изменяется в широких пределах в зависимости от условий их получения и, соответственно, от относительного содержания и размеров присутствующих в них микрокристаллитов, а также от уровня легирования пленок. Проводимость нелегированных пленок i -Si H с параметром близким к единице, при комнатной температуре, составляет 10 ...10 Oм м . Путем легирования фосфором или бором проводимость может быть увеличена до 1 Ом см . Величина дрейфовой подвижности электронов и дырок в нелегированном i -Si H изменяется в пределах 0,5...3 м B , в зависимости от величины Xq. Температурная зависимость проводимости пленок в области температур, превышающих 250...270 К, носит активационный характер. Энергия активации зависит от уровня легирования и изменяется в пределах 0,1...0,6эВ. При температурах ниже 250 К проводимость с понижением температуры изменяется существенно слабее. Колоннообразная структура пленок является причиной анизотропии их электрических и фотоэлектрических параметров. Оптические свойства пленок j, -Si H, и прежде всего спектральная зависимость коэффициента поглощения, также являются весьма чувствительной функцией Х( и изменяются в пределах, характерных для а-Si И (при Xq . ) и кристаллического кремния Х 1). В отличие от пленок a-Si H, в пленках j, -Si H не наблюдаются светоиндуцированные изменения электрических и фотоэлектрических параметров. Благодаря своим специфическим электрическим и оптическим свойствам микрокристаллический кремний является хорошим дополнением к a-Si H при создании многослойных пленочных структур различного приборного применения. В значительной степени этому способствует и совместимость технологий получения этих материалов. [c.105]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...