Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Температура ионная

Часто при низких температурах ионная проводимость диэлектрика обусловлена примесями, а при высоких связана с перемещением основных ионов вещества. Зависимость а Т) в этом случае описывается выражением вида  [c.275]

Чтобы определить зависимость степени ионизации от температуры, предположим, что газ находится в состоянии термодинамического равновесия, т. е. температура ионов и электронов одна и та же. Допустим далее, что средняя энергия теплового движения частиц значительно меньше потенциала ионизации, но больше средней энергии кулоновского взаимодействия между двумя заряженными частицами е г (где г — среднее расстояние между частицами), т. е.  [c.638]


Уравнение (6) называется формулой Саха. Формула Саха основывается на предположении термодинамического равновесия между атомами, ионами и электронами. Это предположение не всегда оправдывается, так как в большинстве случаев температура электронов не равна температуре ионов и атомов. Температура электронов и ионов будет заметно различаться, если в одной из частей смеси (электронной или ионной) выделяется теплоты значительно больше, чем в другой. Так, выделение теплоты вследствие действия сил трения (например, при движении с трением в ударных волнах) происходит в основном в ионной составляющей, а выделение джоулевой теплоты — в электронной составляющей. Вообще при наличии сильных внешних электрических полей температура электронов всегда будет больше температуры ионов и нейтральных атомов.  [c.638]

Каждую из компонент плазмы (ионную, электронную или нейтральную) можно характеризовать своей температурой. Температуры ионов (7j) и нейтралов (7) обычно близки друг к другу. Температура электронов Те в плазме оптического пробоя может значительно отличаться от них, так как именно электроны поглощают энергию лазерного излучения. Тем не менее время, за которое поглощенная энергия распределяется равномерно между электронами и ионами, в большинстве случаев мало.  [c.103]

Скачок ионной температуры газа Т на разрыве связан с переходом кинетической энергии набегающего потока в тепло,. А7 =Г2— /ИаД /2 (Гг и Т — значения температуры непосредственно за фронтом ударной волны и сразу же перед фронтом). Видно, что температура ионов максимальна сразу же за  [c.115]

Максимальная температура ионов 7 = 2 кэВ при пт 10 была достигнута при дополнительном нагреве инжекцией нейтральных  [c.592]

Контрольная обработка (без покрытия) заключалась в нагреве образца до температуры ионной очистки и последующем медленном охлаждении.  [c.152]

Интенсификация реакций в газовой фазе при повышении температуры — ионы калия испаряются, атомы железа являются центрами гомогенной кристаллизации углерода. Повышение температу-  [c.24]

Как видно из (4.35), высокие удельные параметры Аг-лазера возможны лишь при высоких плотностях токов, т. е. при использовании дуговых разрядов. Это обстоятельство сказывается на конструкции ионных лазеров. Для обеспечения однородного сильноточного разряда разрядную трубку приходится делать в виде достаточного тонкого капилляра. Иногда для достижения максимальной концентрации заряженных частиц разрядный капилляр помещают в продольное магнитное поле. Ряд проблем возникает в Аг-лазерах из-за эффекта переноса ионов Аг" " от анода к катоду. В результате этого вдоль разрядной трубки образуются большие градиенты давления и для ликвидации их приэлектродные области разряда приходится соединять длинной обводной трубкой, по которой газ возвращается обратно в прианодную зону. Однако основная проблема создания мощных Аг-лазеров заключается в преодолении высоких тепловых нагрузок. Для получения излучения мощностью 10 Вт необходимо подвести к трубке 10 кВт электрической энергии. Температура ионов в разряде составляет при этом 3000 К. Это приводит к серьезному усложнению конструкции и сокращению ресурсных характеристик ионных лазеров.  [c.161]


Сущность метода измерения ЭДС Е, В, состоит в следующем если две среды с различными химическими потенциалами, например, по кислороду и разделены перегородкой из электролита, имеющего при определенной температуре ионные подвижные носители электрических зарядов (рис. 2.3), то па границах I и II появляется разность ЭДС. Если то поток ио-  [c.96]

Расчеты инициирования термоядерной тепловой волны при сосредоточенном подводе энергии для более сложной модели, учитывающей наличие двух компонент плазмы — ионов и электронов, каждая из которых имеет свою температуру, а также их вязкость, с определением пороговой энергии и структуры одномерной плоской волны горения проводились в уже упоминавшейся работе [3]. Роль вязкости оказывается малой, роль же различия температур и теплопроводности электронной и ионной компонент на существенно нестационарном этапе развития волны весьма значительна. Предполагалось, что начальная энергия сообщается электронному газу, поэтому первоначально по холодной среде распространяется лишь тепловая волна в электронном газе, нагревание ионов происходит вследствие процесса выравнивания температур компонент, температура электронов всюду превышает ионную. При достижении ионным газом температуры интенсивного протекания термоядерной реакции выделяющееся в глубине волны тепло передается в ее головную часть электронной теплопроводностью. В случае воспламенения в глубине волны температура ионов превышает электронную, в головной части волны более нагретой продолжает оставаться электронная компонента. Наконец, на развитой стадии распространения тепловой волны во всей ее основной области температура ионов существенно превышает температуру электронов.  [c.158]

Из сказанного выше следует, что генерацию в аргоновом лазере следует ожидать на переходе 4p->4s. Так как оба уровня 4s и 4р на самом деле состоят из многих подуровней, аргоновый лазер может генерировать на многих линиях, среди которых наиболее интенсивными являются зеленая (А, = 514,5 нм) и синяя (А, = 488 нм). Из измерений спектра спонтанного излучения было найдено, что доплеровская ширина линии AvJ, например зеленого перехода, составляет около 3500 МГц. Это означает, что температура ионов, определяемая в соответствии с выражением (2.78), равна Т 3000 К. Иными словами, ионы являются очень горячими благодаря их ускорению в электрическом поле разряда. Относительно широкая доплеровская ширина линии также приводит к тому, что в режиме синхронизации мод в аргоновом лазере наблюдаются сравнительно короткие импульсы ( 150 пс см. табл. 5.1).  [c.355]

На рис. 6.12 приведена схема устройства современного мощного ( 1 Вт) аргонового лазера. Заметим, что как плазменный ток, так и лазерный пучок ограничиваются металлическими (вольфрамовыми) дисками, помещенными в керамическую (ВеО) трубку большего диаметра. Использование такой теплопроводной и изолирующей металлокерамической комбинации необходимо для того, чтобы обеспечить хорошую теплопроводность трубки и в то же время ослабить проблемы, связанные с эрозией вследствие высокой температуры ионов. Диаметр центральных отверстий в дисках делается небольшим ( 2 мм),  [c.356]

В физике плазмы рентгеновская спектроскопия применяется для диагностики источников двух типов с большим размером плазменного объема 0,1—1,0 м (например, токамаков) и источников малого размера 0,1—1,0 мм (лазерной плазмы, плазменного фокуса, вакуумной искры). Температура этих источников одного порядка — от единиц до нескольких десятков миллионов градусов, и основная часть линейчатого и непрерывного излучения приходится на мягкий рентгеновский диапазон от нескольких сотен электронвольт до нескольких килоэлектронвольт. В термоядерных установках проводятся исследования Н, Не, Ы, Ве — подобных ионов легких (О, С, Н) и тяжелых (Т1, N1, Ре) элементов, по которым определяются электронная и ионная температуры, ионный состав и состояние равновесия, а также исследуются макроскопические процессы и кинетика плазмы. Исследуемые линии принадлежат ионам примесей, поступающих в плазменный объем из стенок или остаточного газа, поэтому их интенсивность по сравнению с континуумом относительно невелика. Для разделения линий ионов различных элементов и кратностей необходимо разрешение порядка (1 — 3). 10 в отдельных, относительно узких, участках спектра. По изменению интенсивностей линий ионов различных кратностей можно судить об изменениях температуры, плотности и ионного состава плазмы по объему. Для таких измерений спектральная аппаратура должна иметь пространственное разрешение порядка 1 см для токамаков и 1 мкм для лазерной плазмы. Горячая плазма существует непродолжительное время (характерное время изменения параметров плазмы токамаков порядка 1 мс, лазерной плазмы — 10 нс), поэтому приборы должны обладать достаточно большой апертурой и многоканальной системой детектирования. Поскольку большинство координатно-чувствительных детекторов высокого разрешения имеют плоскую чувствительную поверхность, фокальная поверхность спектрометра тоже должна быть плоской, и угол падения излучения к ней должен по возможности быть небольшим.  [c.286]


В табл. 17.8 представлены значения коэффициента диффузии различных ионов в некоторых газах при Т/ = = 273° К и Р = 1 атм [4]. Коэффициент диффузии ионов в собственном газе выражается с неопределенностью 5—10% через сечение резонансной перезарядки иона на атоме, когда температуры ионов и атомов близки [4]  [c.291]

Продольные колебания в электронно-ионной плазме могут иметь еще одну низкочастотную ветвь, которая существенно связана с наличием ионов плазмы. Как мы покажем для плазмы, частицы которой распределены по скоростям по закону Максвелла, такие колебания возможны, если температуры электронов значительно превышает температуру ионов.  [c.111]

Это означает, что ионно-звуковые колебания суш ествуют лишь в плазме, температура электронов которой значительно превышает температуру ионов, и лишь для длин волн, больших дебаевского радиуса ионов [8].  [c.112]

Легко видеть, что если температура ионов не превышает чрезмерно температуру электронов, то для интересующего нас процесса релаксации в интеграле столкновений (37.2) можно пренебречь скоростями ионов по Сравнению со скоростями электронов. Тогда  [c.138]

ДЛЯ течения плазмы без тока, в котором м = м, выделение тепла становится обусловленным электронной вязкостью лишь в условиях, когда температура электронов заметно превышает температуру ионов ((TJT ) >  [c.171]

Это подтверждает полученные ранее результаты (Уэбб и Берг) и тот, факт, что при низких температурах ионы Ag+ в решетке бромистого серебра неподвижны.  [c.276]

Влияние температуры ионной бомбардировки на среднюю стойкость Тср (при Аз=0,3 мм) и коэффициенты вариации стойкости v твердосплавных пластин с покрытием TiN толщиной 5 мкм при продольном точении стали 45 (НВ 200)  [c.25]

Данные, представленные в табл. 2, позволяют отметить заметное влияние температуры ионной бомбардировки на стойкость инструмента и коэффициенты вариации стойкости. При температуре 800°С ионная бомбардировка оказывает наиболее благоприятное влияние на субструктуру поверхности твердого сплава, что способствует ее термомеханической активации и прочному удержанию покрытия на такой поверхности. При низких температурах наблюдается тенденция полного отслаивания покрытия, при этом стойкость твердосплавных пластинок увеличивается весьма незначительно, коэффициент вариации стойкости практически не изменяется. При температурах выше оптимальной (1000—1200 °С) имеется тенденция разупрочнения твердого сплава. Для пластин ВК6 особенно заметно возрастает коэффициент вариации стойкости.  [c.25]

Это приводит к необходимости применения дополнительных (к омическому) методов нагрева плазмы. В настоящее время наиболее перспективными из них считаются инжекционный, высокочастотный, лазерный, турбулентный, адиабатный и др. Инжекционный метод основан на дополнительной инжекции быстрых нейтральных атомов дейтерия и трития в плазму. Источники быстрых нейтральных частиц называются инжекторами. Нейтральные атомы спокойно проходят через магнитное поле в уже нагретую омическим способом плазму и ионизуются. Образовавшиеся ионы удерживаются магнитным полем и, соударяясь с другими частицами, передают им часть энергии и тем самым дополнительно нагревают плазму. Опыты по инжек-ционному нагреву в различных установках показывают, что температура ионов плазмы Г увеличивается почти линейно с ростом мощности инжекторов 1 — 2 эВ на 1 кВт мощности. Питание систем инжекции и их управление являются сложными задачами при большом числе инжекторов (мощность одного инжектора около 1-5 МВт).  [c.282]

Пока основные работы ведутся на установках Токамак (тороидальная камера в магнитном поле), предложенных советскими учеными. В тороидальной камере создается плазма из впрыснутого газообразного дейтерия при сравнительно невысоком давлении. Эта камера одета на ярмо трансформатора, и в ней индуктируется кольцевой ток, который, ионизуя дейтерий, образует плазму и удерживает ее от соприкосновения со стенками с по-лющью собственного магнитного поля. Удержание плазмы обеспечивается тем, что силовые линии магнитного поля направлены перпендикулярно току и охватывают плазменный виток. Кроме того, ток, протекая по плазме, нагревает ее. Однако сам по себе такой плазменный виток с электрическим током неустойчив. Для придания ему устойчивости на поверхность камеры надеваются катушки, создающие большое магнитное поле, напряженность которого во много раз превышает напряженность поля, создаваемого током, а силовые линии параллельны току в плазме. Это магнитное поле придает жесткость всему плазменному шнуру с протекающим по нему током. Недавно введена в строй экспериментальная термоядерная установка Токамак-10 , завершающая долговременную программу разработок и исследований, проводимую в Институте атомной энергии им. И. В. Курчатова [31]. На подобных установках достигнута температура электронов порядка 20—30 млн. К и температура ионов около 7 млн. К при концентрации плазмы (3—5)-101 см со временем удержания в течение 0,01—0,02 с.  [c.165]

На рис. 2-1 показано изменение с ростом температуры ионного яроизведения воды, а на рис. 2-2 — величины pH. Несмотря на аномальное поведение воды в отношении  [c.36]

ПИНЧ-ЭФФЕКТ есть свойство канала электрического разряда в электропроводящей среде уменьшать свое сечение под действием собственного магнитного поля тока ПИРОЭЛЕКТРИК— кристаллический диэлектрик, обладающий самопроизвольной поляризацией ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСТВО — возникновение электрических зарядов на поверхости некоторых кристаллов диэлектриков при их нагревании или охлаждении ПЛАЗМА (есть частично или полностью ионизированный газ, в котором объемные плотности положительных и отрицательных электрических зарядов практически одинаковы высокотемпературная имеет температуру ионов выше 10 К газоразрядная находится в газовом разряде кварк-глюонная возникает в результате соударения тяжелых ядер при высоких энергиях ядерного вещества низкотемпературная имеет температуру ионов менее 10" К твердых тел — условный термин, обозначающий совокупность подвижных заряженных частиц в твердых проводниках, когда их свойства близки к свойствам газоразрядной плазмы) ПЛАСТИНКА вырезанная из двоя-копреломляющего кристалла параллельно его оптической оси, толщина которой соответствует оптической разности хода обыкновенного и необыкновенного лучей, кратной [длине волны для пластинки в целую волну нечетному числу (половин для волн для пластинки в полволны четвертей длин волн для пластинки в четверть волны)] зонная — прозрачная плоскость, на которой четные или нечетные зоны Френеля для данного точечного источника света сделаны непрозрачными нлоскопараллельная — ограниченный параллельными плоскостями слой среды, прозрачной в некотором интервале длин волн оптического излучения ПЛАСТИЧНОСТЬ — свойство твердых тел необратимо изменять свои размеры и форму под действием механических нагрузок ПЛОТНОСТЬ тела — одна из основных характеристик тела (вещества), равная отношению массы элемента тела к его объему  [c.259]


Входящие в это выражение характеристики определяются природой иона и ионита. Зная их, можно оценить селективность ионитов в сложных системах и управлять ею. Так, можно оценить селективность ионита к различным ионам и селективность различных ионитов к одному и тому же иону. При прочих равных условиях (концентрации противоионов, аддендов, температуры) ионит будет тем избирательнее к одному и тому же иону, чем меньшей величиной и большей он будет обладать.  [c.31]

Возможно, при более низких температурах ионы магния и свинца или олова, соединяясь, образуют ионные пучки, как в расплавленных солях, приводя к относительно высокой вязкости. При повышении температуры эти пучки разрушатся более легко это может произойти в Mg2Pb, у которого энтальпия образования ниже, чем у Mg2Sn, и это ведет к большей температурной зависимости вязкости. Удельное сопротивление в каждом случае зависит прежде всего от гетерополяр-иой связи, на которую нагревание мало влияет в том же температурном интервале.  [c.129]

ЗдесьЯ-j и Ti — длина свободного пробега и температура ионов.  [c.430]

При высоких температурах ионы водорода можно ввести в расплавленные галогениды, растворяя в них галоидоводоро-ды. Как показали исследования, растворимость хлористого водорода повышается с температурой в расплавах хлоридов щелочных металлов [270, 272] и остается практически неизменной в расплавах хлоридов щелочноземельных металлов Н9]. Несмотря на то, что растворимость хлористого водорода незначительна в таких расплавах, коррозия металлов в них сильно возрастает в результате окисляющего действия ионов водорода [18, 299, 300]. Кажущийся стандартный электродный потенциал водородного электрода в расплавленных  [c.183]

Задача IV. 6. В неизотермической плазме с температурой электронов. знач1ггельно превышающей температуру ионов, электроны равномерно дрейфуют относительно ионов со скоростью, много меньшей их тепловой скорости. Найти условие возникновения неустойчивости относительно раскачки нонно-звуковых колебаний плазмы [12].  [c.125]

Если температура ионов не очень сильно превышает температуру электронов, то очевидно, что время ( елаксации температуры аиачительно превышает времена релаксации как электронного, так и ионного импульса. Поэтому можно мыслить себе такую ситуацию, в которой хотя характерные времена изменения распределения частиц будут велики в сравнении с временами релаксации импульса, они все же окажутся сравнимыми с временем релаксации температуры. Это означает, что для плазмы следует иметь уравнения, описывающие усредненные макроскопические движения, в условиях, когда температуры различных компонент плазмы различны. Для получения таких уравнений можно определеипым образом модифицировать метод Энскога — Чепмена [2]. Однако  [c.146]

Совершенно противоположная возможность открывается для случая неизотермической плазмы, в которой температура электронов достаточно сильно превышает температуру ионов. Действи-  [c.240]

Полученные дважды логарифмические выражения полностью определяют поперечную частоту столкновений лишь в случае изотермической плазмы. Для неизотермической плазмы в условиях, когда температура электронов превышает температуру ионов, необходимо знать выражениеПосле интегрирования с логарифмической точностью из формулы (64.15) получаем Ц8,19]  [c.300]

Механизм, который предложили Кабрера и Мотт [161], предполагает существование на металле образовавшейся в процессе хемосорбции пленки, в которой ионы и электроны движутся независимо друг от друга. При низких температурах ионы не могут просто диффундировать через пленку вследствие существо-  [c.106]

Такая модель плазмы учитывает анизотропию проводимости. При больших магнитных полях и в разреженной плазме необходимо учитывать анизотропию и других переносных свойств, и система уравнений еще усложняется (см., например, В. Б. Баранов, 1964 Э. Г. Сахновский, 1964). Так как электроны более подвижны, чем другие частицы, и с трудом отдают приобретенную энергию более тяжелым частицам, то температура электронов часто существенно отличается от температуры ионов и нейтронов. В этом случае приходится от одножидкостной модели переходить к многожидкостнош, записывая уравнения для каждой из компонент плазмы в отдельности, учитывая еще взаимодействие череа электрические и магнитные поля и взаимное трение и вводя свою температуру для каждой из компонент ( двухтемпературная модель). Уравнения, описывающие плазму, еще более усложняются, когда необходимо учитывать химические реакции, неравновесные процессы, излучение и т. д.  [c.435]

В области, прилегающей к аноду, при достаточном межэлек-тродном расстоянии возникает положительный столб, который представляет собой неизотермическую плазму (температура электронов значительно превышает температуру ионов). Известно, что плазма — ионизированный газ с достаточно высокой концентрацией заряженных частиц, обладающий свойством квазинейтральности, т. е. содержащий практически одинаковые количества положительных и отрицательных зарядов.  [c.109]


Смотреть страницы где упоминается термин Температура ионная : [c.432]    [c.285]    [c.393]    [c.396]    [c.166]    [c.552]    [c.537]    [c.92]    [c.291]    [c.141]    [c.25]    [c.265]    [c.83]    [c.160]   
Введение в термодинамику Статистическая физика (1983) -- [ c.34 ]



ПОИСК



Иониты

Ионов

Концентрация водородных ионов (pH) водных растворов серной, соляной и азотной кислот (комнатная температура)

Коньков, В. П. Ионов. Спектральные характеристики некоторых газов при высоких температурах и давлениях

Передача энергии от электронов к ионам — релаксация температуры

По ионная

Ханде.л Магнитные явлении при низких температурах Влияние магнитного и электрического нолей на энергетические уровни магнитных ионов



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте