Диэлектрик определение

Нагревостойкость органических диэлектриков часто определяют по началу механических деформаций растяжения или изгиба, погружению иглы под давлением при нагреве диэлектрика (определение теплостойкости ). Однако и для них возможно определение нагревостойкости по электрическим характеристикам. [c.107]

Водопоглощаемость ш — характеристика, позволяющая оценить свойство материала противостоять проникновению в него воды. Для измерения водопоглощаемости пластины диэлектрика определенного размера вначале взвешивают, а затем погружают в сосуд с дистиллированной водой при 20° С. По истечении 24, 48 ч и более образцы вынимают из воды и снова взвешивают. Водопоглощаемость вычисляют по [c.19]

Водопоглощаемость X — это количество воды (мг или %), поглощенной образцом диэлектрика определенной формы после пребывания его в дистиллированной воде в течение 24 ч при температуре 20 С или выше. [c.11]

Действительно, уменьшение излучательной способности будет не беспредельно и, достигнув определенной величины, вновь начнет возрастать. Об этом свидетельствуют многие экспериментальные данные по степени черноты, полученные в зависимости от температуры для ряда тугоплавких соединений. Объяснение такого рода дает классическая электродинамика, рассматривающая излучение как результат взаимодействия электромагнитной волны с веществом. Если сообщить металлу и диэлектрику одинаковое количество тепловой энергии, то в металле энергия расходуется на возбуждение электронов и, следовательно, ведет к росту интенсивности излучения в диэлектрике часть энергии идет на изменение величины дипольного момента, т. е. наблюдается относительное уменьшение излучательной способности. Такой [c.66]

Граничные условия. Поставим перед собой задачу определения интенсивности отраженных и преломленных световых волн, а также их фаз и частот, опираясь на теорию поля Максвелла. Пусть плоская монохроматическая световая волна падает на плоскую, бесконечно простирающуюся границу раздела двух однородных изотропных прозрачных диэлектриков [c.45]

Поляризация света при отражении и преломлении на границе раздела диэлектрик — металл. Так как для металлов п является комплексной величиной, то, согласно формулам Френеля, амплитуды как преломленной, так и отраженной волны окажутся комплексными. Это означает, что между компонентами отраженной (а также и преломленной) волны и падающей возникает разность фаз. Эта разность фаз для s- и р-компонент не является одинаковой, поэтому между S- и р-компонентами отраженной (а также преломленной) волны возникает определенная разность фаз, приведшая к эллиптической поляризации отраженной от поверхности металла волны. Как известно из раздела механики курса общей физики , сложение двух взаимно перпендикулярных колебаний с отличной от нуля разностью фаз между ними в общем случае приводит к так называемой эллиптической поляризации , В эллиптически поляризован- [c.63]

Для того чтобы наиболее просто проиллюстрировать методику определения коэффициента отражения R, воспользуемся соотношениями, справедливыми при малых углах падения. Для нормального падения плоской волны из вакуума на поверхность диэлектрика было получено ю/-Еоо = п — 1)/(п + 1). Следовательно, для отражения от металла под углом ф, близким к нулю при замене п на п = п — inx находим соотношение [c.103]

Явление поляризации света, т. е. выделение световых волн с определенной ориентацией электрического (и магнитного) вектора, имеет место и при отражении или преломлении света на границе двух изотропных диэлектриков. Этот способ поляризации был открыт Малюсом, который случайно заметил, что при поворачивании кристалла вокруг луча, отраженного от стекла, интенсивность света периодически возрастает и уменьшается, т. е. отражение от стекла действует на свет подобно прохождению через турмалин. Правда, при этом не происходило полного погасания света при некоторых определенных положениях кристалла, а наблюдались лишь его усиление и ослабление. [c.374]

В отличие от упругой тепловая поляризация устанавливается достаточно медленно. Приложение внешнего злектрического поля к диэлектрику, находящемуся в состоянии термодинамического равновесия, приводит к определенной перестройке системы (диэлектрика). В результате этого через некоторое время, называемое временем релаксации, устанавливается новое поляризованное равновесное состояние. Если электрическое поле выключить, то за счет тепловых колебаний и перемещений частиц восстанавливается хаотическая ориентация диполей или хаотическое распределение электронов и ионов в ловушках . Поляризованное состояние че- [c.283]

При формулировке основных положений теории необходимо в первую очередь учесть поглощение электромагнитной волны, чего мы не делали при рассмотрении диэлектриков, предполагая, что сумма потоков энергии для отраженной и преломленной волн всегда равна потоку падающей энергии. Однако любая среда в большей или меньшей степени поглощает электромагнитное излучение, что ведет к затуханию электромагнитной волны, амплитуда которой будет постепенно уменьшаться. Для волны, распространяющейся вдоль оси 2, в слое малой толщины 2 поглощается определенная часть падающего света, пропорциональная толщине слоя (И——кМг. В соответствии с этим интенсивность света убывает по мере проникновения в поглощающую среду по закону [c.26]

Антисегнетоэлектрик — диэлектрик, самопроизвольно переходящий при определенной температуре в такое состояние с упорядоченным распределением диполей, что спонтанная поляризованность остается равной нулю. [c.105]

Характерной особенностью всех довольно чистых полупроводников (в равной мере и диэлектриков) является то, что при определенной длине волны коэффициент поглощения начинает резко убывать и вещество становится прозрачным со стороны более длинных волн. Этот участок быстрого спада коэффициента поглощения называется краем собствен н о г о п о г л о щ е н и я. [c.157]

Поляризация диэлектрика в электрическом иоле связана с определенной работой. В зависимости от характера задачи (что определяе выбор различных независимых переменных, характеризующих состояние диэлектрика в электрическом поле) эта работа разная и для ее вычисления приходится пользоваться различными выражениями (см. 51). [c.28]

Этот результат не является неожиданным. Из электродинамического определения энергии поля видно, что величина е /(8т1) является не энергией, а свободной энергией поля в диэлектрике. Как показывают соотношения (10.25), она как раз совпадает со свободной энергией поляризованного диэлектрика. Внутренняя же энергия поля в термодинамическом смысле совпадает с внутренней энергией диэлектрика в поле (10.27). Легко видеть, что интегрирование уравнения (10.22) для dU при заданных энтропии и объеме не дает для изменения энергии диэлектрика с линейной связью П = гЕ величины D /(8ne) [c.192]

Нелинейным диэлектрикам — сегнетоэлектрикам наряду с электронной и ионной свойственна спонтанная (самопроизвольная) поляризация, относящаяся к числу релаксационных видов. Спонтанная поляризация возникает в определенном температурном интервале, ограниченном сегнетоэлектрическими точками Кюри, под влиянием внутренних процессов самопроизвольно. При этом структура элементарной ячейки кристалла становится несимметричной, приобретая электрический момент. В пределах [c.544]

Поведение диэлектриков в электрическом поле, зависимость их характеристик от различных факторов рассмотрены в монографиях и пособиях [1—7, 9], свойства представлены в справочной литературе [9—12], методы определения электрических и неэлектрических характеристик диэлектриков — в [8, 9]. [c.545]

Для упрощения полагают также, что вместо изучения движения всех электронов можно рассматривать движение одного (любого) из них, который движется в поле периодически расположенных ионов. Такой подход называют одноэлектронным. Будем также считать справедливым адиабатическое приближение, согласно которому координаты ядер можно считать фиксированными, поскольку массивные ядра движутся несравненно медленнее,, чем электроны. В случае, когда потенциал взаимодействия электронов с ионами принимается слабым, рассматриваемое приближение нередко называют приближением почти свободных электронов. Отметим, что в целом учет взаимодействия электронов с периодическим полем кристаллической решетки, как будет ясно из дальнейшего, позволил с единых позиций описать характеристики различных типов твердых тел, в том числе металлов, диэлектриков и т. д. Поэтому исходные положения модели и многие ее следствия в определенной мере относятся к любым кристаллическим телам. [c.56]

Статистическая обработка результатов испытаний. Процессы, протекающие в электроизоляционных материалах, в особенности такие, как механическое разрушение, электрический пробой, подчиняются статистическим закономерностям, и измеряемая величина для одного и того же материала при одинаковых условиях испытаний может претерпевать заметные колебания. Рассмотрим, например, определение электрической прочности. При определении электрической прочности твердых материалов после пробоя образец приходит в негодность, и для повторного определения Е р необходимо брать новый образец. При испытаниях газообразных и жидких веществ можно производить ряд повторных пробоев одного и того же образца (очищая периодически, если необходимо, электроды), так как после пробоя и выключения напряжения электрическая прочность восстанавливается при испытаниях жидких диэлектриков удаляют, кроме того, копоть, образующуюся между электродами. [c.10]

Электроды для испытаний твердых диэлектриков должны удовлетворять общим требованиям (см. 1-2). При определении р могут применяться массивные металлические электроды, пленочные (осажденные путем распыления или вжигания) и графитовые. Во всех случаях необходимо обеспечить хороший контакт электрода с испытуемым образцом. Материалы некоторых применяемых электродов и способы создания контактов с образцом указаны в табл. 5-1 (по ГОСТ 6433.3—71). [c.101]

Для диэлектриков кристаллического строения, таких, как воски, определяется температура плавления. Для этой цели можно применить способ просверливания капилляра, метод Жукова (ГОСТ 4255—75) и другие методы. В связи с существованием у кристаллических вегцеств определенной температуры плавления эти способы дают достаточно правильный результат. [c.171]

Формальное определение р, вытекает из следующих соображений поверхностное сопротивление участка поверхности твердого диэлектрика [c.103]

Рис. 4.11. Определение удельного поверхностного сопротивления диэлектрика с плоскими электродами

Процесс смещения связанных зарядов диэлектрика под действием сил электрического поля имеет определенную длительность, и поэтому в переменном гармоническом поле вектор поляризации будет запаздывать по фазе относительно вектора напряженности поля. В переменном поле диэлектрическая восприимчивость оказывается комплексной величиной а = PI bqE) и соответственно [c.139]

Для определения удельных сопротивлений — объемного и поверхностного — необходимо разделить в образце объемный и поверхностный токи и измерить их в отдельности, после чего, подсчитав по напряжению и току соответствующие сопротивления, найти значения удельных сопротивлений.и ля этой цели может быть использована трехэлектродная схема, показанная на рис. 1-4. При включенном налево переключателе и ключе в положении 1 под положительным потенциалом оказывается нижний электрод 4 (рис. 1-4, а), охранное кольцо (электрод 2) будет заземлено верхний — измерительный электрод 1 соединен с гальванометром, снабженным регулируемым шунтом г . В этом случае через толщу диэлектрика с нижнего электрода на измерительный проходит основной объемный ток утечки, который измеряется гальванометром. Между нижним электродом и охранным кольцом проходят частично объемный ток и поверхностный ток, отводимые мимо гальванометра. После определения объемного тока утечки и вычисления объемного сопротивления R по формуле [c.10]

Для определения удельного объемного сопротивления жидких диэлектриков применяются металлические электроды — сосуды или в виде плоской чашки, или цилиндрические, показанные на рис. 1-5, в. [c.12]

Зонная структура твердого тела является результатом взаимодействия волновой функции электрона с рещеткой. Зонная структура позволяет найти частоты и направления, для которых волновая функция электрона может или не может проходить через решетку. Отражение электронной волны под углами Брэгга от кристаллографических плоскостей является идеально упругим и не вносит вклада в электрическое сопротивление. Для каждого кристалла и каждой электронной конфигурации условия Брэгга налагают определенные ограничения на направление волнового вектора и значения энергий, которые может принимать электронная волна. Эти ограничения в направлениях и значениях энергий приводят к появлению щелей в почти непрерывном спектре энергий и направлений. Именно эти щели (порядка 1 эВ для полупроводников и 5 эВ или больше для хороших диэлектриков) обусловливают сильнейшие различия между металлами, полупроводниками и диэлектриками (рис. 5.2). Для металлов характерно, что уровень Ферми оказывается внутри зоны, имеющей вакантные энергетические уровни. Полупроводники имеют полностью заполненную разрешенную зону. Ширина запрещенной зоны у них невелика, н поэтому ие большое число электронов при тепловом возбуждении может перейти в расположенную выше разрешенную зону. Диэлектрик отличается от полупроводника тем, что его запрещенная зона очень велика, и практически ни один возбужденный электрон не может ее преодолеть. [c.190]

Электромагнитное поле ЭМП распределено в объеме с различными средами (магнитопровод, воздушные зазоры, электропроводящие материалы и диэлектрики и т. п.), которые имеют сложную геометрическую конфигурацию поверхностей раздела. Учитывая это, а также нелинейность свойств магнитной среды и трехмерность объема ЭМП, можно представить, что расчет электромагнитного поля с помощью (4.8) в полном объеме ЭМП практически невозможен даже при использовании наиболее мощных современных ЭВМ. В связи с этим обычно осуществляется декомпозиция электромагнитного поля на отдельные составляющие и достаточно простые участки. Так, например, в активном объеме ЭМП при определенном-удалении от торцов имеется значительная средняя область, в которой трехмерное поле можно расматривать как совокупность идентичных распределений плоскопараллельных полей, плоскость которых перпендикулярна оси вращения. Наоборот, в зоне лобовых частей ЭМП свести трехмерное поле к двухмерному не удается, но и здесь возможны определенные упрощения при учете симметрии относительно оси вращения. [c.89]

При изготовлении интегральной схемы на пластинку из полупроводникового материала наносятся последовательно слои примесей, диэлектриков, напыляются слои металла. Для каждого нового слоя используется своя технология нанесения и свой рисунок расположения деталей. В результате на одном кристалле одновременно создается несколько тысяч транзисторов, коыден-саторов, резисторов и диодов, соединенных процодаиками в определенную схему. Например, микросхема часов Электроника размещена на кремниевом кристалле толщиной 0,5 мм и размерами 4x3,6 мм. В этой микросхеме содержится около 3000 транзисторов. Размеры отдельных элементов микросхемы могут быть 2—5 мкм, погрешность при их нанесении не должна превышать 0,2 мкм. [c.162]

По определению собственная энергия системы равна работе, которую нужно произвести, чтобы образовать эту систему из бесконечно малых элементов, первоначально находившихся на бесконечно больших расстояниях друг от друга. Рассмотрим собственную энергию сил тяготения — гравитационную энергию она всегда отрицательна, потому что силы тяготения являются силами притяжения и нужно произвести положительную работу против них, чтобы разделить, например, атомы, входяшие в состав звезды, удалив каждый атом в бесконечность. Собственная гравитационная энергия обычно определяется при решении задач небесной механики, относящихся к звездам и галактикам. Расчеты собственной электростатической энергии часто производятся в теории кристаллов — как диэлектриков, так и металлов. [c.273]

В твердых диэлектриках, имеющих определенного рода дефекты, возможна электронная поляризация, обусловленная тепловым движением. Механизм такой поляризации рассмотрим на примере кристалла ТЮа (рутил), содержащего анионные вакансии. Двухмерная модель структуры Т1О2 с анионной вакансией изображена на рис. 8.7. [c.288]

Сегиетоэлектриками называют диэлектрики, обладающие в определенном температурном диапазоне спонтанной поляризацией. К своеобразным свойствам сегнето-электриков относятся высокое и сверхвысокое значение бг резкая зависимость е, от температуры с острыми пиками в точке Кюри резкая зависимость вг от напряженности электрического поля. Эти свойства используются в устройствах на основе сегнетокерамическпх материалов. На рис, 23.8 приведена зависимость е., титаната бария от температуры, откуда видно, что при 125 °С у этого материала существует точка Кюри. На рис, 23.9 для этого же материала показана зависимость е, от напряженности [c.557]

Так, для полированных непроэр1Чных диэлектриков спектральный коэффициент излучения может быть определен по формулам Френеля [c.44]

Решение задачи о движении потенциального потока сводится к экспериментальному определению параметров электрического поля, в которое помещается модель, например, обтекаемого тела. Если эта модель диэлектрик, то линии тока электрического и гидромеханического полей, а также линии равного потенциала (как электрического, так и гидродинамического) совпадают. Таким образом, в ЭГДА аналогом напора является электрический потенциал, аналогом линий равного напора Я=сопз1 — линии равного электрического потенциала / = сопз1, аналогом векторов скорости потока — векторы плотности тока. [c.396]

В тех случаях, когда ячейка двухзажимная или требуется получить значение е с повышенной точностью, необходимо из результатов обоих измерений исключить паразитную емкость С , обусловленную наличием твердого диэлектрика, пустот и емкости зажимов. Для определения паразитной емкости ячейку заполняют калибровочной жидкостью, значение е, которой должно быть известно с достаточной точностью, а значение tg б весьма мало. В качестве калибровочной жидкости стандартом рекомендуется применять нормальный эталонный гептан Н, обработанный перед испытанием силикагелем в целях удаления влаги и продуктов окисления. Обработанный [opмaлы ый гептан имеет в диапазоне температур 20—30 °С = 1,92. Измеряют значения емкости Сц пустой ячейки [c.60]

Иногда при определении теилоироводь10сти по методу одного температурно-временного интервала применяется плоский бпкало-риметр, состоящий из двух испытуемых образцов в форме дисков, между которыми помещен тонкий металлический диск с заделанной в него термопарой. Вся система находится в герметичном корпусе. Бикалориметр вначале нагревают, а затем помещают в термостат с маслом определенной температуры, где он охлаждается. Для определения теплопроводности берут линейный участок изменения температуры со временем, когда имеет место так называемый регулярный режим охлаждения. Зная температуры образцов в моменты времени и и значения те(.1Лоемкости диэлектрика и металлической пластинки, можно вычислить коэффициент теплопроводности. [c.168]

Сущность электроискрового метода (рис.55,д) заключается в приложе-кии тока высокого напряжения к гуммировочному покрытию, являющемуся диэлектриком, и обнаружению в нем дефектов по возникновению искрового разряда в месте нарушения стюшности между металлическим изделием и щупом дефектоскопа. Контроль сплошности проводят электроискровыми дефектоскопами марок ДИ-64, ДИ-1У, ЭИД-1. Напряжение для испытания подбирают в зависимости от толщины и материала покрытия. Обычно оно находится в пределах И. ..26 кВ. Сущность электролитического метода (рнс.55,6) заключается в приложении тока напряжением 12 В через увлажненный электролитом (например, 20 %-ным раствором Na i) щуп к г>-м.мировочному покрытию и определении сквозных дефектов по отклонению стрелки показывающего прибора от нулевого положения. [c.104]

Ток абсор>бции приводит к накоплению носителей заряда в определенных местах диэлектрика - дефектах решетки, фаницах раздела, неоднородностях. Вследствие появления объемных зарядов распределение напряженности поля в диэлектрике становится неоднородным. Накопление в диэлектрике объемных зарядов приводит и к такому нежелательному явлению, как неполный разряд конденсатора при коротком замыкании его обкладок, характеризуемый коэффициентом абсорбции, равным отношению остаточного напряжения к начальному. [c.98]

У проводниковых материалов поверхностные токи исчезающе малы по сравнению с объемными поэтому у этих материалов поверхностное сопротивление не учитывается. Не определяется поверхностное сопротивление также у жидких и газообразных диэлектриков. Не и.меет смысла определение поверхностного сопротивления и у тонких слоев твердых диэ.вектрикоЕ (например, лаковых пленок), так как в этом случае практически невозможно отделить поверхностные токи утечки от объемных. [c.103]

Для более точного определения величены рз можно измерить поверхностное сопротивление Л, между помешенными на поверхности диэлектрика электродами в виде двух коаксиальных колец (рис.4.12). В этом случае связь между Д, и Рз можно выразить в виде уравнения [c.104]

Ионизационные потери или потери на частичные ращяды наблюдаются в пористых диэлектриках при повышении напряжения сверх определенного предела называемого порогом ионизации рис.(4.18). При напряжениях [c.113]

Кроме того, электроизоляционные материалы использутотся в качестве диэлектриков в электрических конденсаторах для создания определенного значения электрической емкости конденсатора, а в некоторых случаях для обеспечения определенного вида зависимости этой емкости от температуры или иных факторов. [c.126]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...