Кристаллические диэлектрики

В газах и жидкостях, а также некоторых кристаллических диэлектриках полярные молекулы разориентированы за счет теплового движения, так что результирующая поляризация равна нулю. Под действием внешнего поля устанавливается некоторая преимущественная ориентация диполей в направлении поля. Поскольку [c.281]

Аморфные диэлектрики в виде тонких пленок находят широкое применение в микроэлектронике. Во многих таких диэлектриках,, так же как и в аморфных полупроводниках, проводимость (весьма незначительная ) осуществляется путем перескоков из одного локализованного состояния в другое. Энергия активации этого процесса значительно ниже, чем энергия активации примесной проводимости в кристаллических диэлектриках. [c.371]

Ионная поляризация характерна для ионно-кристаллических диэлектриков и обусловливается смещением упруго связанных ионов. Этот вид поляризации, так же как и электронной, относится к мгновенным (10 сек) и не зависит от частоты вплоть до инфракрасных колебаний. , [c.7]

Проводимость твердых тел и зависимость ее от температуры определяется составом и структурой вещества. У кристаллических диэлектриков с ионной решеткой проводимость связана с валентностью ионов. Она больше у веществ с одновалентными ионами, чем с многовалентными. Например, удельная проводимость поваренной соли больше, чем глинозема и окиси магния. [c.20]

Ионно-кристаллические диэлектрики различаются двух видов [c.26]

К первой подгруппе преимущественно относятся кристаллические вещества с плотной упаковкой ионов [кварц, слюда, каменная соль (см. рис. В-2, а), корунд, рутил ]. Ко второй подгруппе принадлежат неорганические стекла, материалы, содержащие стекловидную фазу (фарфор, микалекс), и кристаллические диэлектрики с неплотной упаковкой частиц в решетке. [c.22]

Отдельные составляющие твердой фазы теплозащитного материала могут находиться в кристаллическом либо в аморфном состоянии. Механизм переноса тепла в этих состояниях резко отличен. В свою очередь кристаллы подразделяются на проводники и диэлектрики в зависимости от того, что является основным носителем тепловой энергии электроны или колебания кристаллической решетки — фононы. В последнем случае проводимость определяется длиной свободного пробега, т. е. расстоянием, на котором сохраняется правильная структура кристаллической решетки или так называемый дальний порядок. Аморфные диэлектрики, у которых зерна кристаллов расположены хаотично, имеют меньший коэффициент теплопроводности по сравнению с кристаллическими диэлектриками, у которых структура более упорядочена. При 50 К коэффициент теплопроводности кристаллического кварца в 150 раз выше, чем у аморфного кварцевого стекла. [c.75]

Неполярные диэлектрики могут иметь молекулярное (полиэтилен, фторопласт-4 и др.) или ионное кристаллическое (слюда, кварц и др.) строение. Молекулярные диэлектрики состоят из электрически нейтральных молекул, которые до воздействия на них электрического поля не обладают электрическими свойствами. Ионные кристаллические диэлектрики образованы парами ионов, причем каждая пара составляет нейтральную частицу. Ионы располагаются в узлах кристаллической решетки. [c.92]

Связанные заряды входят в состав атомов и молекул диэлектрика, а также ионов в кристаллических диэлектриках с ионной решеткой и не могут их покинуть. Свободные заряды не входят в состав молекул диэлектрика и находятся либо в диэлектрике, либо за его пределами. [c.229]

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ [c.9]

По своим механическим свойствам кристаллические диэлектрики отличаются большей хрупкостью и твердостью, в то время как металлы более пластичны и упруги. В этом также сказывается влияние свободных электронов на свойства металлов, которые кристаллизуются в простые, плотно упакованные решетки, где преобладающей силой взаимодействия является металлическая связь (другие виды электрической связи между атомами экранируются свободными электронами). В диэлектриках, напротив, часто образуются сложные многоатомные структуры с весьма различными по физической природе взаимодействиями структурных элементов [1-6]. [c.12]

Структура энергетических зон электронов в кристаллических диэлектриках и металлах качественно различна. При сближении атомов и образовании кристалла электронные уровни энергии атомов за счет их взаимодействия расщепляются, образуя зоны (рис. 1.3). Особенно сильное расщепление происходит для энергетических уровней внешних (валентных) электронов, так как они силь- [c.12]

Рис. 1.4. Образование энергетического спектра электронов в кристаллическом, диэлектрике

Кристаллы и поликристаллы — важнейшие материалы электронной техники именно они используются во многих современных акустических, электронных и оптических приборах (см. гл. 5—7). В отличие от типичных полупроводников, в которых преобладает ковалентная связь атомов, кристаллические диэлектрики, в том числе пьезо-, пиро- и сегнетоэлектрики, характеризуются главным образом конной связью (хотя во многих случаях в них нельзя пренебрегать и другими видами связей [9]). [c.82]

Кристаллический диэлектрик содержит парамагнитные атомы, расположенные в узлах решетки I. Вывести из (5.2.63) правило сумм для тензора магнитной восприимчивости (5.1.92) в однородном поле (к = 0). [c.425]

По некоторым свойствам кристаллы диэлектриков принципиально не отличаются от веществ, не имеющих кристаллического строения. В электрических полях они тоже в какой-то степени обладают электрической проводимостью, поляризуются и имеют диэлектрические потери. Однако ряд свойств кристаллических диэлектриков отличается от свойств твердых веществ аморфного строения. [c.7]

Выше была рассмотрена электропроводность твердых тел при относительно невысоких напряженностях поля. При больших напряженностях необходимо учитывать возможность появления в кристаллических диэлектриках электронного тока, быстро возрастающего с увеличением напряженности поля, благодаря чему наблюдается отступление от закона Ома. [c.64]

Как общее правило, кристаллические диэлектрики имеют большие, чем аморфные. Величина Х несколько зависит от температуры. [c.125]

Ко второй группе относятся диэлектрики, обладающие одновременно электронной и ионной поляризациями. В эту группу входят преимущественно кристаллические диэлектрики с плотной упаковкой ионов, например кварц, слюда, каменная соль, корунд, рутил, перовскит. [c.30]

Ионная упругая поляризация. Она происходит в кристаллических диэлектриках, построенных из положительных и отрицательных ионов, — в галоидно-щелочных кристаллах, слюдах, керамиках. В электрическом поле в таких диэлектриках происходит смещение электронных оболочек в каждом ионе — электронная поляризация. Кроме того, упруго смещаются друг относительно друга подрешеткииз положительных и отрицательных ионов (рис. 5.12,6), т. е. происходит упругая ионная поляризация. Это смещение приводит к появлению дополнительного электрического момента увеличивающего поляризованность, а следовательно, и диэлектрическую проницаемость на Еги. Таким образом, диэлектрическая проницаемость ионного кристалла равна = ег . + ги, где Еги зависит от физической природы ионов, сил их взаимодействия и строения кристаллической решетки. [c.154]

Твердые кристаллические диэлектрики при нагреве плавятся и для них характерным параметром является температура плавления Т ц (К). Аморфные материалы переходят из твердого состояния в жидкое в интервале температур. Такой переход характеризуют температурой размягчения Тра ,м-Температуру размягчения таких диэлектриков, как битум, воск, и некоторых видов компаундов определяют методом кольца и шара . Для этого испытуемый диэлектрик заливается в цилиндрическое кольцо до самого верха (рис. 5.42, а). После затвердевания диэлектрика кольцо помещают на стойку и в центре поверхности кладут стальной шар. Стойку помещают в сосуд с жидкостью. При нагревании происходит размягчение диэлектрика и под нагрузкой, создаваемой шариком, он выдавливается из кольца. За Граам принимают температуру, при которой выдавленная масса коснется пластины, расположенной на глубине h. [c.187]

Значения Ух электроизоляционных материалов за исключением оксида бериллия меньше, чем большинства металлов. Наименьшими значениями обладают пористые электроизоляционные материалы с воздушными включениями. При иропитке, а также при уплотнении материалов давлением Ут увеличивается. Как правило, кристаллические диэлектрики имеют более высокие значения чем аморфные. Кроме того. Ух зависит от температуры. [c.84]

Для теплозащитных материалов наиболее важен третий участок области твердого состояния материала — диапазон высоких температур, который простирается от температуры Дебая до температуры плавления или сублимации данного вещества. В соответствии с данными рис. 3-12 для большинства чистых веществ — проводников электричества (в основном это металлы) можно принять, что коэффициент теплопроводности в этом диапазоне практически не изменяется с температурой (кривая 3). У кристаллических диэлектриков, например окислов AI2O3, 2гОг и т. д., теплопроводность в этой области падает обратно пропорционально температуре (кривая 2). У большинства аморфных материалов (стекло, некоторые полимеры) заметно некоторое увеличение коэффициента теплопроводности с ростом температуры (кривая 1). Интересно отметить, что разность между теплопроводностью кристаллических и аморфных диэлектриков быстро убывает с ростом температуры и в точке плавления исчезает совсем. Чистые металлы имеют максимальные значения [c.76]

ПИНЧ-ЭФФЕКТ есть свойство канала электрического разряда в электропроводящей среде уменьшать свое сечение под действием собственного магнитного поля тока ПИРОЭЛЕКТРИК— кристаллический диэлектрик, обладающий самопроизвольной поляризацией ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСТВО — возникновение электрических зарядов на поверхости некоторых кристаллов диэлектриков при их нагревании или охлаждении ПЛАЗМА (есть частично или полностью ионизированный газ, в котором объемные плотности положительных и отрицательных электрических зарядов практически одинаковы высокотемпературная имеет температуру ионов выше 10 К газоразрядная находится в газовом разряде кварк-глюонная возникает в результате соударения тяжелых ядер при высоких энергиях ядерного вещества низкотемпературная имеет температуру ионов менее 10" К твердых тел — условный термин, обозначающий совокупность подвижных заряженных частиц в твердых проводниках, когда их свойства близки к свойствам газоразрядной плазмы) ПЛАСТИНКА вырезанная из двоя-копреломляющего кристалла параллельно его оптической оси, толщина которой соответствует оптической разности хода обыкновенного и необыкновенного лучей, кратной [длине волны для пластинки в целую волну нечетному числу (половин для волн для пластинки в полволны четвертей длин волн для пластинки в четверть волны)] зонная — прозрачная плоскость, на которой четные или нечетные зоны Френеля для данного точечного источника света сделаны непрозрачными нлоскопараллельная — ограниченный параллельными плоскостями слой среды, прозрачной в некотором интервале длин волн оптического излучения ПЛАСТИЧНОСТЬ — свойство твердых тел необратимо изменять свои размеры и форму под действием механических нагрузок ПЛОТНОСТЬ тела — одна из основных характеристик тела (вещества), равная отношению массы элемента тела к его объему [c.259]

В кристаллических диэлектриках, где ионы разного знака расположены упорядоченно, поляризация может существовать и в отсутствие электрического поля, например при деформации — пъезоэлектрики, при повышении температуры — пироэлектрики. Разноввдностью пироэлектриков являются сегнетоэлектрики (титанат бария, сегнетова соль и др.), в которых поляризация может существенно изменяться как по величине, так и по знаку, например при понижении температуры. [c.93]

Температурная зависимость теплопроводности всех исследованных нами жидкостей по своему характеру dkldt < 0) является продолжением нисходящей ветви кривой К = f t) для кристаллического диэлектрика и совершенно противоположна виду аналогичной функции в газах (dkldt > 0). [c.86]

Для физического объяснения температурной зависимости теплопроводности используется понятие средней длины свободного пробега волн L, которая, согласно теории Дебая [6, 71], определяет температурную зависимость к кристаллического диэлектрика. Аналогичное понятие используется в некоторых квазикристалл ческих теориях теплопроводности жидкости, где величина L принимается равной среднему меж-молекулярному расстоянию. Однако наличие в жидкостях области ближней упорядоченности позволяет предположить, что средняя длина свободного пробега волн ограничена именно размерами области ближней упорядоченности или радиусом корреляции. С повышением температуры данная величина, как это следует из вида радиальной функции распределения, полученной экспериментально, быстро уменьшается, что влечет за собой возрастание теплового сопротивления жидкости. Таким образом, именно температурные изменения средней структуры ближнего окружения частиц в жидкости являются основным фактором, определяющим вид функции [c.86]

В поиных кристаллических диэлектриках могут происходить ФП с резки.м изменением ионной составляющей электрического тока (рис. 4.15). Как и в [c.124]

Примеси и дефекты создают благоприятные условия для увеличения электропроводности кристаллов. В свою очередь благодаря электропроводности создаются условия (особенно в первлменных полях) для рассеивания энергии в диэлектрике (диэлектрические поляри). Но эти явления зачастую не связаны с процессами, имеющими прямое отношение к основным свойствам кристаллических диэлектриков, и мы их рассматривать не будем. [c.30]

Наибольшие злачения р имеют материалы пористые с воздушными включениями при пропитке и увлажнении материалов, а также при их уплотнении внешним давлением р уменьшается. Кристаллические диэлектрики, как общее правило, имеют меньшие, чем аморфные. [c.24]

Ко вторым принадлежат неорганические стекла, кристаллостекла (фарфор, микалекс) и кристаллические диэлектрики с неплотной упаковкой частиц в решетке. [c.45]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...