Время переноса заряда

ТТ Время переноса заряда 0 с [c.199]

TF Время переноса заряда через базу в нормальном режиме 0 с [c.203]

ТТ 1-3 Время переноса заряда через р-п-переход 0 с [c.213]

Приведенные данные показывают, что электрические и оптические свойства аморфных полупроводников похожи на свойства кристаллических полупроводников, но не тождественны им. Это сходство, как показал специальный анализ, обусловлено тем, что энергетический спектр электронов и плотность состояний для ковалентных веществ, которым относятся полупроводники, определяются в значительной мере ближним порядком в расположении атомов, поскольку ковалентные связи короткодействующие. Поэтому кривые N (е) для кристаллических и аморфных веществ во многом схожи, хотя и не идентичны. Для обоих типов веществ обнаружены энергетические зоны валентная, запрещенная и проводимости. Близкими оказались и общие формы распределения состояний в валентных зонах и зонах проводимости. В то же время структура состояний в запрещенной зоне в некристаллических полупроводниках оказалась отличной от кристаллических. Вместо четко очерченной запрещенной зоны идеальных кристаллических полупроводников запрещенная зона аморфных полупроводников содержит обусловленные топологическим беспорядком локализованные состояния, формирующие хвосты плотности состояний выше и ниже обычных зон. Широко использующиеся модели кривых показаны на рис. 12.7 [68]. На рисунке 12.7, а показана кривая по модели (Мотта и Дэвиса, согласно которой хвосты локализованных состояний распространяются в запрещенную зону на несколько десятых эВ. Поэтому в этой модели кроме краев зон проводимости (бс) и валентной (ev) вводятся границы областей локализованных состояний (соответственно гл и ев). Помимо этого авторы модели предположили, что вблизи середины запрещенной зоны за счет дефектов в случайной сетке связей (вакансии, незанятые связи и т. п.) возникает дополнительная зона энергетических уровней. Расщепление этой зоны на донорную и акцепторную части (см. рис. 12.7, б) приводит к закреплению уровня Ферми (здесь донорная часть обусловлена лишними незанятыми связями, акцепторная — недостающими по аналогии с кристаллическими полупроводниками). Наконец, в последнее время было показано, что за счет некоторых дефектов могут существовать и отщепленные от зон локализованные состояния (см. рис. 12.7, в). Приведенный вид кривой Л (е) позволяет объяснить многие физические свойства. Так, например, в низкотемпературном пределе проводимость должна отсутствовать. При очень низких температурах проводимость может осуществляться туннелированием (с термической активацией) между состояниями на уровне Ферми, и проводимость будет описываться формулой (12.4). При более высоких температурах носители заряда будут возбуждаться в локализованные состояния в хвостах. При этом перенос заряда [c.285]

Магн. поле, искривляя траектории электронов (см. выше), уменьшает их длину свободного пробега I в направлении у2. Т. к. время свободного пробега (время релаксации т) зависит от энергии электронов то уменьшение I неодинаково для горячих и холодных носителей оно меньше для той группы, для к-рой т меньше. Т. о., магн. поле меняет роль быстрых и медленных носителей в переносе анергии, и термоэлектрич. поле, обеспечивающее отсутствие переноса заряда при переносе энергии, должно измениться. При этом коэф. Л ц также зависит от механизма рассеяния носителей. Термоэлектрич. ток растёт, если т падает с ростом - энергии носителей ё (при рассеянии носителей на аку-ЗЗЧ стич. фононах), или уменьшается, если т увеличивается [c.334]

Десять лет назад вышла монография авторов данной книги Молекулярные кристаллы в нелинейной оптике (М Наука, 1975). В те годы изучение молекулярных кристаллов, обладающих нелинейными оптическими свойствами, еще только начиналось, природу нелинейных восприимчивостей молекулярных кристаллов еще предстояло выяснить. За время, прошедшее с тех пор, идея о связи нелинейной восприимчивости кристаллов с внутримолекулярным переносом заряда и определяющими этот перенос структурными факторами молекул, выдвинутая и обоснованная авторами, бьша проверена, принята и использована для получения новых нелинейных материалов с помощью структурных изменений молекул, в циклах работ, проведенных в различных лабораториях мира. [c.3]

Прежде чем приступить к математическим выкладкам, имеет смысл хотя бы кратко обсудить физическую сторону задачи. Важная особенность нелинейного процесса переноса заряда состоит в том, что он характеризуется несколькими временами релаксации. Электрон-электронное взаимодействие, описываемое оператором Я, приводит к термализации электронов за некоторое время релаксации Заметим, что это взаимодействие не меняет суммарный импульс электронов и их полную энергию. Поэтому, если не учитывать других взаимодействий, на достаточно грубой шкале времени состояние электронной подсистемы можно характеризовать средним значением полного импульса (Ре) и средней энергией HJK Релаксация импульса электронов обусловлена их взаимодействием с фононами и примесными атомами. Если температура не слишком велика, то в реальных полупроводниках характерное время релаксации импульса электронов г определяется, в основном, их упругим рассеянием на примесных атомах ). С повышением температуры возрастает роль электрон-фононного взаимодействия, которое приводит к релаксации как среднего импульса электронной подсистемы, так и средней энергии. Тогда вместо и г нужно использовать другие значения времен релаксации с учетом вклада электрон-фононного взаимодействия. В главе 5 первого тома (см. приложение 5Б) было показано, что следует различать изотермические (Tgg С г) и адиабатические (г > г) условия. В первом случае для описания состояния электронной подсистемы достаточно задать средние значения полного импульса и энергии, а во втором требуется более детальное описание, скажем, с помощью функции распределения электронов. [c.100]

Второй способ разрушения окисной пленки — электрический, который несколько упрощенно можно представить так. Во время горения электрической дуги между электродом и основным металлом (алюминием) столб дуги насыщен парами и каплями металла, а также ионизированными газами. Ток через столб дуги проходит как в виде движения электронов от катода (—) к аноду (+), так и в виде переноса зарядов более тяжелыми ионизированными частицами — ионами. Установлено, что на катоде возникает ярко светящееся и кипящее на поверхности катодное пятно. В катодном пятне пленка окислов алюминия быстро разрушается и оттесняется к краям пятна. [c.84]

Поскольку взаимодействие, обусловливающее стабильность комплексов-переноса заряда, того же типа, что и другие взаимодействия ковалентного характера, то очевидно, что сила притяжения, как и в случае других подобных взаимодействий, будет уменьшаться по экспоненциальному закону по мере увеличения расстояния между двумя компонентами комплекса. Аналогичное поведение характерно и для сил, приводяш,их к образованию водородной связи, в то время как вандерваальсовы силы убывают гораздо медленнее по мере увеличения расстояния между взаимодействующими частицами (см. стр. 436). [c.444]

Вычислим электрический ток. При этом надо иметь в виду различие между переносом заряда и переносом энергии. В то время как энергия переносится квазичастицами, имеющими энергию = ( + Д ) / и скорость де/др, заряд переносится исходными [c.404]

Оказалось, что пороги перехода носителей заряда из полупроводника в диэлектрик зависят от температуры. Проиллюстрируем это на примере отрицательного заряжения ДД — рис. 6.6,6 (кривые 1-3). С понижением Т пороги отрицательного заряжения растут. Аналогичное повышение порога можно было достичь, уменьшая время освещения образца. На основании детальных измерений оптического заряжения ЛД и кинетики заряжения было показано, что низкоэнергетические пороги соответствуют заряжению через хвосты состояний — пунктир на рис. 6.6,а. Характер температурной зависимости объясняется прыжковым механизмом переноса заряда (см. 2.7.3) [c.188]

Теперь мы должны дополнить уравнение Шредингера (2.4) граничным условием, отражающим тот факт, что электрон удерживается внутри куба. При этом мы должны быть уверены, что выбор граничного условия не повлияет на рассчитываемые объемные характеристики. Одна из возможностей — потребовать, чтобы волновая функция 1 з (г) обращалась в нуль в точках г, лежащих на поверхности куба. Однако такой выбор часто оказывается не вполне удовлетворительным, поскольку тогда решения уравнения (2.4) имеют вид стоячих волн, в то время как явления переноса заряда и энергии электронами намного удобнее анализировать, используя бегущие волны. Более приемлемым оказывается другой путь — вообще избавиться от поверхности, подчеркнув тем самым, что ее наличие не имеет значения. Это можно сделать, представив, что каждая из граней куба соединена с противоположной ей гранью тогда электрон, подходящий к поверхности, не отражается обратно, а выходит из металла и одновременно возвращается в него в соответствующей точке на противоположной поверхности. Если бы металл был одномерным, то это означало бы. что отрезок прямой от О до в котором содержатся электроны, заменяется окружностью длиной Ь. В трехмерном случае геометрическое осуществление подобного граничного условия, которое приводило бы к соединению всех трех нар противоположных граней куба, оказывается топологически недопустимым. Однако в аналитическом виде такое граничное условие легко обобщить и на этот случай. В одномерном случае круговая модель металла приводит к граничному условию х Ь) = 1 з х) для трехмерного куба его обобщение очевидно [c.46]

Электрофотография (ксерография) — процесс, в котором используются фотопроводящие свойства селенового стекла. Остававшийся долгое время без объяснения этот процесс сейчас в основном понят. Для получения копии сначала заряжают верхнюю поверхность пленки из селенового стекла, распыляя по, ней положительные ионы. При этом на металлической подложке, на которую нанесено стекло, образуется отрицательный заряд изображения. Затем пленку освещают отраженным от копируемого оригинала светом. Там, где на оригинале была буква, свет поглощается, где буквы не было, свет отражается от листа и после попадания на стекло его энергия поглощается электронно-дырочными парами вблизи верхней поверхности. Сильное электрическое поле внутри полупроводника разделяет пары. Электроны поднимаются наверх и нейтрализуют положительные ионы на верхней поверхности дырки движутся к металлической подложке и нейтрализуют на ней отрицательный заряд. В результате этого поверхность селенового стекла становится электронейтральной там, где не было букв на оригинале, и остается положительно заряженной там, где буквы были. Затем к положительно заряженным областям притягиваются отрицательно заряженные черные частицы красителя. Краситель переносится на лист положительно заряженной бумаги и закрепляется нагреванием. На этом процесс копирования заканчивается. [c.369]

Эффект рассеяния может быть различным для различных процессов переноса, в частности для электропроводности и теплопроводности. Это связано с тем, что, например, электрон-фононное рассеяние, не сопровождающееся изменением импульса и заряда, не оказывает влияния на значение электросопротивления. Однако электрон-фононное рассеяние оказывает влияние на теплопроводность, так как вызывает изменение энергии. Фонон-фононное рассеяние с сохранением импульса не влияет на теплопроводность, так как при этом энергия не меняется. Таким образом, времена релаксации для процессов электропроводности и теплопроводности в общем случае имеют разное значение. [c.457]

Время переноса заряда 93 Выбеливание 105 Вывод логический 289 Вычисление разности в кадре 80 Вычисления символьные 271 Вычислительные возможности 72 [c.434]

При вольтстатическом анодировании алюминия в растворе кремнекислого натрия время достижения стационарного состояния не превышает 0.2 с, а выход по току составляет 20—40 %. Рост пленки сопровождается заметным выделением газообразного кислорода, что позволяет предположить значительный вклад электронной составляющей в процесс переноса заряда. [c.75]

Магний—довольно электроотрицательный металл (5 g2+/Mg= = —2,1 В) —корродирует в свободном от кислорода нейтральном растворе хлористого натрия с выделением водорода. Железо в таких же условиях остается нетронутым. В то же время при многих коррозионных процессах в растворах, содержащих кислород, реакции с выделением водорода и восстановлением кислорода протекают одновременно. Относительную роль кислорода, гидратированного протона и молекулы воды в процессе коррозии установить сложно, поскольку она зависит от таких факторов, как природа металла, раствора, значения pH, концентрации растворенного кислорода, температуры, возможности образования комплексов и др. Скорость реакции с восстановлением водорода обычно контролируется активацией и в существенной степени зависит от природы электрода, хотя pH раствора, температура и пр. также оказывают определенное влияние. Поэтому в данном случае зависимость между перенапряжением и плотностью тока отвечает уравнению Тафеля (1.19), причем на значениях а и Ь сказываются природа металла и состав раствора. При высоких плотностях тока перенос зарядов становится существенным и линейное соотношение между Т1 и logi нарушается. При восстановлении кислорода контроль активацией существен при низких плотностях тока, но при повышении плотности тока большее значение приобретает диффузия, и скорость коррозии тогда соответствует предельной плотности тока. Отметим, что в отличие от перенапряжения активации перенапряжение концентрации не зависит от природы электрода, хотя пленки и продукты коррозии, которые задерживают передачу электронов на катодных участках, будут заметно влиять на ее скорость. [c.29]

В последнее время стало очевидным, что способность окисных фаз пассивировать металлы находится в прямой зависимости от полупроводниковых свойств окислов. Еще в наших ранних работах с Оше [19, с. 103], а также в работах Бялоб-жеского с сотр. [20] по изучению влияния облучения на сплавы было обращено внимание на то, что электрохимическое и коррозионное поведение металлов меняется в соответствии с тем, как меняются под влиянием излучения свойства окисных пленок, которые рассматривались как полупроводники. При этом исходили из того, что природа полупроводниковой пленки и отклонения от стехиометрии играют существенную роль в процессах переноса зарядов и вещества через эти пленки. [c.20]

Интересным также представляется использование для записи оптической информации двухфотонного поглощения [102, 103]. Идея этого нового метода заключается в том, что необходимый для записи в сегнетоэлек-трических кристаллах перенос заряда в зону проводимости возможен лишь при одновременном действии излучений с двумя разными длинами волн, в то время как воздействие каждого из этих излучений в отдельности к такому переносу не приводит. Этот эффект в некотором смысле аналогичен оптической накачке в оптических квантовых генераторах. [c.168]

В соответствии с вышесказанным расчет гиперполяризуемости по формулам для двухуровневой модели особенно удачен в случае, если энергии преобразованного изл)Д1ения намного ниже энергии возбужденных уровней рассматриваемых систем. Этим свойством обладают комплексы переноса заряда (1ШЗ) (см. разд. 2.5). Полоса поглощения комплексов, рассмотренных в разд. 2.5, связанная с ПЗ, находится в области 5—5,5 эВ, в то время как знергая квантов второй гармоники излучения неодимового лазера равна 2,34 эВ. В указанном случае дисперсией гиперполяри-зувмости можно пренебречь, и формула, описывающая гиперполяризуемость двухуровневой системы (119), примет вид [189] [c.137]

Как и электрическая поляризация (см. гл. 3), электроперенос зарядов происходит главным образом под действием внешнего электрического поля. Но в электропроводность вносят вклад только некоторые (свободные) электрические заряды, в то время как поляризация представляет собой смещение в электрическом поле всех связанных зарядов диэлектри-ка. При поляризации отсутствует обмен зарядами между диэлектриком и металлическими электродами, в то время как для сквозной электропроводности такой обмен обязателен. Поэтому процесс переноса заряда в диэлектриках в сильной степени зависит от материала электродов, тогда как электрическое смещение зарядов (поляризация) практически не связано со свойствами электродов (если нет контактных ЭДС). Различие между электропроводностью и поляризацией может быть установлено, однако, лишь в постоянном электрическом поле. В переменном поле эти процессы смешиваются и различие между ними становится условным. [c.41]

На рис. 4.13,а пр2 ведена температурная зависимость проводимости одного из наиболее изученных одномерных проводников — полимера TTF—T NQ. Плоская молекула-ион (T NQ)- обладает сильными акцепторными свойствами и может образовывать соли с переносом заряда. Среди многих таких солей, имеющих квазиодномерную структуру, следует отметить хорошо проводящее при 300 К соединение T NQ- с TTF, играющим роль катиона. В настоящее время исследовано много кристаллов-полимеров этого типа, образующих целый [c.119]

В ряду электроноакцепторных молекул (галогены, кислород и др.), растворенных в предельных углеводородах, полосы собственного ультрафиолетового поглощения сильно расширены [4]. Наличие комплексов с растворителем не подтверждается никакими методами. Возможно, что расширение полосы происходит за счет дополнительного поглощения, связанного с переносом заряда во время соударения обоих компонентов. Интенсивность полосы контактного переноса заряда возрастает, если электрон донора переходит на орбиту акцептора, которая оказывается свободной в результате поглощения собственной частоты. [c.123]

В настоящее время комплексам с переносом заряда в спектроскопии жидкостей уделяется особое внимание. Ряд неизученных электронных полос интерпретируется с иснользованием таких представлений. Предполагается, что КПЗ образуются в конденсированных средах некоторых сложных органических соединений и играют определенную роль на промежуточных стадиях химических превращений и, в частности, в процессах фотосинтеза [25]. [c.124]

Скорость протекания всего процесса в целом определяется стадией, сопровождающейся наибольшими торможениями. Этими торможениями могут быть замедленный перенос разряжающихся ионов к катоду — концентрационное перенапряжение (1-я стадия) замедленный разряд ионов, который обусловлен затруднениями переноса заряда через двойной электрический слой и связанным с этим изменением физико-химического и энергетического состояния ионов (дегидратация, десольватация, распад комплексных ионов и др.) — электрохимическое перенапряжение (2-я стадия) трудности, связанные с построением кристаллической решетки (замедленная диффузия ад-атомов или ад-ионов по поверхности катода к местам роста кристаллов, затруднения при внедрении атомов в кристаллическую решетку или при образовании двух- или трехмерных кристаллических зародышей), — так называемое кристаллизационное перенапряжение (3-я стадия). Значения кристаллизационного перенапряжения сравнительно невелики и зависят от природы металла и состояния поверхности катода, которое во время электролиза меняется в результате адсорбции посторонних ионов и молекул органических веществ. Для многих металлов (5п, РЬ, Ag, Нд, Сс1 и др.), имеющих сравнительно большие токи обмена, кристаллизационное перенапряжение составляет всего лишь несколько милливольт и возникает, когда электрохимическое перенапряжение при выделении этих металлов очень мало, напри- [c.12]

До последнего времени противоокислительное действие соответствующих присадок — экранированных фенолов, бисфенолов, аминов, фосфитов и их синергетических смесей — не связывали с их поверхностной активностью и коллоидным строением и объясняли исключительно их химическим взаимодействием (реакциями) с короткоживущими свободными радикалами, перекисями и гидроперекисями. В последнее время наряду с этим большое внимание уделяется межмолекулярным взаимодействиям противоокислительных присадок между собой, с молекулами среды или других присадок, приводящим к образованию долгоживущих стабильных радикалов, их комплексов (КСР), активированных Н-комплексов или комплексов с переносом заряда (КПЗ), а также истинных, вторичных или смешанных мицелл [88, 105, 109, ПО]. Последнее особенно важно в связи с развитием теории мицеллярного катализа, согласно которой образование мицелл может на порядок или даже на несколько порядков ускорять или тормозить химическую реакцию [109]. Влияние противоокислительных свойств на защитные [c.83]

Тлеющий и д у г о в о й р а 3 р я д [ ]. Эти формы газового разряда являются стационарными, то может длительное время проходить через газ, не меняя своего значения. Нетрудно сформулировать требования стационарности разряда. Около поверхности отрицательного электрода (катода) ионизации нет, т. к. агенты ионизации—электроны—именно отсюда начинают двигаться и способны достигнуть ионизационной энергии, только пройдя нек-рое расстояние d, В области от катода до этого й газ остается так. обр. непроводником. В первые моменты по наложении напряжения ток может проходить через газ емкостным образом в непро одящем слое и путем переноса за рядов в остальной части междуэлектродного пространства длительное же существование разряда возможно очевидно только при наличии переноса зарядов также и в непроводящем слое. Было показано, что источником носителей тока в этом слое являются электроны, сорванные с катода. Процесс развивается след, образом при включении напряжения равномерное распределение потенциала между электродами быстро искажается таким образом, что у катода образуется большое падение на непроводящем слое. Положительные ионы разгоняются в этом слое и, попадая на поверхность катода, вырывают оттуда электроны. В виду того что этот акт сильно зависит от металла катода, характеристики тлеющего разряда определяются не одним только газом, как в Тоунсенд-форме, но и материалом катода. Замечательной особенностью тлеющего разряда является постоянство катодного падения потенциала в очень значительных пределах изменения, приложенного извне к трубке. Сида тока через газ при тлеющем разряде может быть представлена соотношением [c.28]

Л1е(СК) " . Ударная ванна серебрения обычно содержит цианид меди. Интересно, что эта ванна рекомендуется для предва-4>ительного покрытия стали, в то время как ваииы, рекомендуемые для медных сплавов дианида меди не содержат. Автор в своей работе применяет ударные медноциаиис-тые ванны серебрения для сплавов иа основе железа или меди. Сочетание низкой концентрации серебра и высокой концентрации цианида означает, что потенциал катода при относительно высокой плотности тока имеет очень низкое значение, тогда как перенос заряда и диффузионная поляризация великн. При погружении подложки под напряжением низкий потенциал препятствует ионизации подложки и, таким образом, позволяет избежать нежелательного иммерсионного осаждения серебра. Из ударных ванн осаждается тонкий слой металла после чего процесс электроосаж-дения проводят в обычных гальванических ваннах. Из разбавленных ударных ванн при высоких плотностях тока нельзя получить толстые покрытия при продолжении электролиза образуется рыхлое порошкообразное покрытие. Образование таких покрытий проходит с низким катодным выходом по току и сопровождается значительным выделением водорода. [c.340]

Чтобы понять, как возникает перенос заряда, на рис. 3.8 и 3.9 показаны электростатические потенциалы и электрические поля в материале. Потенциалы отсчитываются относительно дна зоны проводимости, потенциал затвора берется за начало отсчета при О В. На рис. 3.8 изображены распределения потенциала и электрических полей вдоль оси у (по нормали к плоскости устройства) для двух случаев. В случае (а) слой GaAs состоит из однородно легированного слоя п-типа на полуизолирующей подложке, в то время как случай (б) дает описание слоя п-типа [c.86]

На рис. 3.13 показаны расчетные зависимости времен, необходимых для переноса заряда с эффективностью в 99,99%, от толщины Т п-слоя. Представлены данные для двух структур с проводящими затворами и одной структуры с резистивными затворами. Заштрихованная область указывает диапазон величин Т, желательный для обеспечения работы полевых транзисторов на высоких частотах. Видно, что устройства с резистивным затвором имеют лучшие характеристики, особенно при меньших толщинах слоя. Заметим, что четырехфазное устройство с 7 = 0,25 мкм могло бы иметь время переноса менее 250 пс для тактовых частот более 1 ГГц. Эта цифра также учитывает фактор заполнения QF, представляющий отношение фактической емкости заряда, деленной на полный заряд донорных центров под двумя затворами, и показывающий, что устройства с резистивным затвором также имеют более высокую емкость заряда для тонких слоев. Недавно полученные экспериментальные результаты для этих устройств дали значение эффективности переноса заряда более 0,99 при 2,5 ГГц [27]. [c.91]

Отметим, что мы имеем дело с линейной комбинацией атомных волновых функций, которые для каждого атома суть волновые функции всех электронов данного атома. В противоположность этому в методе сильной связи мы строим линейные комбинации одноэлектронных волновых функций. Поэтому если мы конструируем волновой пакет из волновых функций в приближении сильной связи, это означает, что мы локализуем плотность заряда в области, занятой пакетом. Еслиже, сдругой стороны, мы образуем линейную комбинацию экситонных волновых функций, то в области пакета мы локализуем не заряд, а энергию. Экситон, таким образом, не может сам по себе переносить заряд, он может переносить по кристаллу энергию, в то время как одноэлектронные состояния в приближении сильной связи могут переносить как заряд, так и энергию. Экситоны изоляторов вносят вклад в теплопроводность, но не приводят к электропроводности. [c.186]

В настоящее время метод импеданса все шире применяют в корро-зиометрии, поскольку коррозия как фарадеевский процесс (прохождение тока через электрохимическую систему) описывается фарадеевским импедансом. К достоинствам метода относятся использование очень слабых электрических сигналов (АЕ < 5 мВ), которые не оказывают воздействия на корродирую1цую систему, а также возможность измерения скорости коррозии в средах с низкой электропроводностью [103 ] и оценки защитных свойств покрытий на металле [104], коща метод поляризационного сопротивления непригоден. Это обусловило интенсивные работы по установлению взаимосвязи скорости коррозии и составляющих фарадеевского импеданса [102,105]. Согласно теории [102] коррозионный ток (скорость коррозии) определяется сопротивлением переноса заряда (т.е. сопротивлением электрохимической реакции переменному току при активационном контроле) Кт. Величину Кт можно рассматривать как предел ( радеевского импеданса при бесконечной частоте переменного тока [106 ], поскольку экспериментальные данные лучше согласуются со значениями импеданса, измеренными при достаточной высокой частоте, коща не нарушается диффузионное и адсорбционное равновесие в электрохимической системе [c.20]

Важнейшей задачей при создании систем преобразования видеосигнала является построение оптимальной схемы управления формированием и обработкой видеосигнала. Известно, что от формы тактовых импульсов, степени их перекрытия, крутизны фронтов зависит эффективность переноса. На выход формирователя видеосигнала проникают импульсные наводки (например, от транзистора сброса), и от степени их подавления зависит качество телевизионного изображения [28]. Телекамера на среднеформатной матрице ПЗС, содержащей 288x232 элемента разложения, включает два тактовых генератора, состоящих из синхрогенераторов и формирователей фазных напряжений, а также усилитель-формирователь видеосигнала (рис. 3.28). Один тактовый генератор, работающий на частоте 280 кГц, предназначен д.яя управления секциями накопления СИ и памяти СП, а другой высокочастотный (до 14 МГц) — для управления выходным регистром ВРг. Камера работает на телевизионное воспроизводящее устройство без чересстрочной развертки. Растры обоих полей идентичны и имеют по 288 строк на прямом ходе кадровой развертки и по 24 строки на обратном. В этом случае снижаются требования к качеству кадровой синхронизации, а отличие кадровой или строчной частоты от стандартных составляет не более 0,2 %. Для передачи изображения в первом поле используются нечетные строки, а четные гасятся, во втором поле — наоборот. Во время обратного хода кадровой развертки осуществляется 144 переноса заряда из секции накопления в секцию памяти. Информация из секции памяти выводится с интервалом в две строки во время обратного хода строчной развертки. При этом частота всех переносов в этих двух секциях одинакова и составляет примерно 94 кГц. [c.106]

Существует ряд явлений, родственных Э., в к-рых перенос носителей заряда осуществляется не электрич. полем, а градиентом темп-ры (см. Термоэлектрические явления), звуковыми волнами (см, Акустоэлектрический эффект), световым излучением (см. Увлечение электронов фотонами) и т. п. Э. жидкостей, газов и плазмы обладает рядом особенностей, отличающих её от Э. твёрдых тел (см. Электрические разряды в газах, Электрический пробой. Электролиз). Э. М. Эпштейн. ЭЛЕКТРОРАКЁТНЫЕ ДВИГАТЕЛИ (электрореактивные двигатели, ЭРД)—космич. реактивные двигатели, в к-рых направленное движение реактивной струи создаётся за счёт электрич, энергии, Электроракетная двигательная установка (ЭРДУ) включает собственно ЭРД, систему подачи и хранения рабочего вещества и систему, преобразующую электрич. параметры источника электроэнергии к номинальным для ЭРД значениям я управляющую функционированием ЭРД, ЭРД—двигатели малой тяги, действующие в течение длит, времени (годы) на борту космич. летательного аппарата (КЛА) в условиях невесомости либо очень малых гравитац. полей. С помощью ЭРД параметры траектории полёта КЛА и его ориентация в пространстве могут поддерживаться с высокой степенью точности либо изменяться в заданном диапазоне. При эл.-магн. либо эл.-статич. ускорении скорость истечения реактивной струи в ЭРД значительно выше, чем в жидкостных или твердотопливных ракетных двигателях это даёт выигрыш в полезной нагрузке КЛА. Однако ЭРД требуют наличия источника электроэнергии, в то время как в обычных ракетных двигателях носителем энергии являются компоненты топлива (горючее и окислитель). В семейство ЭРД входят плазменные двигатели (ПД), эл.-хим. двигатели (ЭХД) и ионные двигатели (ИД). [c.590]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...