Прыжковый механизм

Ранее существовало представление, согласно которому перенос молекулярного потока при транспортных процессах объяснялся прыжковым механизмом, причем прыжки происходят редко на расстоянии порядка межмолекулярного. Прыжок может произойти в том случае, когда расстояние между ближайшими соседями, окружающими частицу, таково, что она может выскочить из этого окружения. Согласно этому механизму диффузии должны существовать две характерные длины свободного пробега, одна из которых соответствует колебанию частицы в ячейке, а другая имеет [c.192]

Если перенос осуществляется дырками, то соответствующие приближения получаются обращением знаков е и Е —в этих уравнениях. Такое же приближение может использоваться для описания прыжкового механизма переноса по локализованным состояниям вблизи энергии 1, когда 1 — Ef >4kT. [c.100]

Процессы переброса 50, 226 Прыжковый механизм 532 [c.638]

Оказалось, что пороги перехода носителей заряда из полупроводника в диэлектрик зависят от температуры. Проиллюстрируем это на примере отрицательного заряжения ДД — рис. 6.6,6 (кривые 1-3). С понижением Т пороги отрицательного заряжения растут. Аналогичное повышение порога можно было достичь, уменьшая время освещения образца. На основании детальных измерений оптического заряжения ЛД и кинетики заряжения было показано, что низкоэнергетические пороги соответствуют заряжению через хвосты состояний — пунктир на рис. 6.6,а. Характер температурной зависимости объясняется прыжковым механизмом переноса заряда (см. 2.7.3) [c.188]

В задаче 19.7 рассматриваются полупроводники совершенно иного типа. В этом случае перекрытие орбиталей достаточно мало по сравнению с расстояниями между атомами в решетке, поэтому уже нельзя пользоваться представлением об энергетических зонах и считать, что носители заряда могут свободно двигаться внутри решетки. В первом приближении скорее следует считать, что носители покоятся в определенных узлах решетки, и для того, чтобы они могли преодолеть энергетический барьер, отделяющий данный узел от эквивалентного соседнего узла, необходима определенная энергия активации Еа- Вещества, в которых проводимость обусловлена процессами диффузионного типа, называются веществами с прыжковым механизмом проводимости. Для того чтобы такой механизм был возможен, в веществе, конечно, должны существовать как избыточные носители, так и соответствуюшие незаполненные узлы. [c.490]

Рассмотрим физические характеристики твердых тел, в которых перенос электронов производится при помощи прыжкового механизма, о котором говорилось выше (см. 19.0). [c.501]

Рассмотрим термоэлектрические свойства веществ, проводимость в которых осуществляется при помощи прыжкового механизма. [c.504]

Потенциальная энергия межмолекулярного взаимодействия 9.1 Потенциальный барьер 23.5 Приближение случайных фаз 13.12 Проводимость, прыжковый механизм 19.0, [c.634]

В гл. 2, 4, мы обсудили вклады в теплопроводность от движения атомов Ха и от излучения Кг теперь мы должны рассмотреть только электронный вклад Хе. Первый вопрос, который следует рассмотреть, состоит в том, приводят ли различные механизмы переноса, рассмотренные в предыдущем параграфе, в частности, прыжковый и диффузионный, к специфическим эффектам в Xg. В приложении А выведено выражение для Хе [выражение (А8)], представляющее собой некоторое среднее от о Е), аналогичное результату для термо-э. д. с. (6.3). Это показывает, что в Хе нет особенностей, зависящих от типа механизма переноса, которые не были бы учтены в о Е). Это заключение связано с начальными предположениями, в частности с тем, что предполагается отсутствие неэлектронного теплопереноса, как обсуждается в 1, п. 1, данной главы. [c.108]

ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ, механизм электропроводности тв, тел, связанный с перескоками эл-нов, локализованных в пр-ве, из одного состояния в другое. П, п, наблюдается в неупорядоченных системах, у к-рых электронные состояния, локализованные в разных местах, имеют разную энергию. При прыжке эл-на из одного состояния в другое дефицит энергии покрывается за счёт энергии тепловых колебаний атомов. С этим связана характерная температурная зависимость электрич, сопротивления р. При умеренно низких темп-рах, когда доминируют прыжки между соседними состояниями, С пониже- [c.595]

Важно заметить, что из-за резкого уменьшения о (В) на пороге подвижности с а( ) 1 Ом" см для Е<Ес электронный перенос в области 1 <а<200 0м см- обеспечивается, по-видимому, электронами, термически возбужденными в делокализо-ванные состояния выше порога подвижности. Имеется сравнительно мало исследований жидких полупроводников в интервале проводимостей сг<1 Ом- см- , так что суш,ествует мало экспериментальных оснований для обсуждения применимости обрисованной выше теории прыжковой проводимости в жидкостях. В недавнем исследовании частотной зависимости а в сплавах 5е—Те Андреев [9] пришел к заключению, что прыжковый механизм существен в жидких полупроводниках только в области 0<О,1 Ом- см- . [c.106]

Взаимодействие электронного возбуждения с колебаниями решетки приводит к двум эффектам а) уменьшается величина матричных элементов М т — экситон утяжеляется б) происходит рассеяние (упругое и неупругое с потерей части энергии) экситонов на фононах. В этом случае движение экситона когерентно только между двумя столкновениями с фононами. Длина свободного пробега экситона определяется отношением матричных элементов обмена возбуждением /И , к энергии взаимодействия экситонов с фононами. Если это отношение очень мало, то длина свободного пробега становится сравнимой с расстоянием между молекулами кристалла. Движение возбуждения становится полностью некогерентным и напоминает прыжки с одной молекулы на другую. В связи с этим говорят о прыжковом механизме движения возбуждения. Модель когерентного движения развивалась впервые в работе Мерифильда [414], а модель некогерентного движения в работе Трлифая [404] и других [385, 398]. [c.532]

Механизмы а и б более характерны для ХСП, случай в — для ЭТАП. Прыжковый иерепос носителей проявляется в слабой зависимости проводимости на хгеремепном токе от те.мп-ры зависимости от частоты (o sK fe(u t ) в противоположных знаках термоэдс и Холла эффекта. [c.66]

Нарушения кристаллич. структуры приводят в определённой части энергетич. спектра к локализации электронных и фононных состояний. В аморфных полупроводниках локализованными оказываются электронные состояния, лежащие в запрещённой зоне там, где плотность состояний относительно мала. Электроны, находящиеся в локализов. состояниях, могут переносить ток лишь путём прыжков из оДного состояния в другое (см. Прыжковал проводимость). Т. к. состояния имеют разную энергию, прыжки осуществляются лишь с поглощением или испусканием фононов. При Г О К этот механизм ее работает и локализов. состояния вообще не могут переносить электрич. ток. Энергетич. граница между локализов. и делокализов. состояниями наз. порогом подвижности. Хим, потенциал (уровень Ферми jr) в аморфных полупроводниках находится глубоко в запрещённой зоне, и при не очень низкой Т электропроводность осуществляется с помощью теплового заброса электронов в состояния, лежащие Bbinie порога подвижности. Т. о., порог подвижности играет роль электрич. границы разрешённой зоны. При самых низких темп-рах электропроводность становится прыжковой. [c.342]

П. э. в кристаллах и стёклах имеет большое значение в лазерных материалах с редкоземельными и переходными ионами. В этом случае П. э. обусловливает само-тушение при увеличении концентрации активатора. Механизм самотушения обычно связан с миграцией энергии по иоиам активатора, что ускоряет передачу к тушащей примеси, роль к-рой может играть и сам активатор в виде близкорасположенной пары ионов. Теория самотушения показывает, что в этом случае для описания миграции энергии и П. э. к примеси обычно неприменимо диффузионное приближение, а необходимы др. модели ( прыжковое тушение ). П. э. используется также для повышения эффективности лазерных материалов, как и др. люминофоров, путём сенсибилизации. [c.569]

Прыжковая проводимость в переменном электрическом поле связана со смешением носителей лишь на конечные расстояния. Поэтому при частоте поля iu > а проводимость определяется не бесконечным кластером, а переходами электронов между парами конечных кластеров, состоящих из доноров, связанных сопротивлениями с < (<о) S 1п(У ,/ш). При больших частотах, когда разница 1,. — (о ) становится ае мала по сравнению с проводимость определяется поглощением энергии в изолиров. парах локализованных состояний. При относительно малых частотах и высоких темп-рах, когда Аш кТ, основным механизмом поглощения являются релаксац. потери, а при Асо > кТ — резонансное (бесфононное) поглощение фотонов. [c.171]

Третьим важным аспектом явления электропроводности диэлектриков следует считать механизмы переноса заряда. Этот механизм называется дрейфовым, если большую часть времени носители заряда тратят на движение (в том числе и ускоренное движение в электрическом поле), а меньшую — на соударение, захват и рассеяние на других частицах. Дрейфовая скорость заряженных частиц под воздействием электрического поля обычно гораздо ниже, чем скорость их хаотического перемещения. Вторым важным механизмом следует считать прыжковый , о котором уже говорилось выше в связи с поляронной проводимостью. При этом механизме носители заряда большую часть времени находятся в локализованном состоянии и лишь незначительную часть времени тратят на движение — перескок на соседний узел кристаллической решетки. И наконец, возможен диффузионный механизм переноса заряда, при котором за счет беспорядочных хаотических движений носителей заряда выравнивается их концентрация в диэлектрике. При этом носители заряда перемещаются из области повышенной концентрации в область меньшей концентрации одинаковых частиц. [c.45]

В случае слабой связи электронов, ионов или диполей в структуре диэлектриков на процессах поляризации сильно сказывается их тепловое движение и поляризация называется тепловой (или прыжковой). В газах и жидкостях слабо связаны лищь молекулы и тепловая поляризация обусловлена дипольным механизмом. В твердых диэлектриках в тепловой поляризации могут участвовать не только диполи, но также электроны (дырки) или 62 [c.62]

Во всех устройствах и приборах, где ЭНП выполняет функции электрической изоляции, она работает в достаточно сильных полях, напряженность которых приближается к Enf тех же диэлектриков в толстых слоях. В этих условиях через ЭНП протекают токи, значительно большие, чем те, которые можно ожидать, учитывая лишь объемную проводимость массивных образцов. В большинстве случаев концентрация в тонких пленках носителей заряда будет определяться инжекцией их из электродов или возбуждением с различных примесных уровней. Механизмы электропроводности будут различны в зависимости от характера контакта электрод — пленка и от степени чистоты материала ЭНП. Можно яэ-эвать наиболее часто наблюдаемые механизмы эффекты Шотки и Пуля — Френкеля, токи, ограниченные объемным зарядом (ТООЗ) перескоки электронов по локальным уровням в запрещенной зоне аморфных пленок ( прыжковая проводимость). Законы изменения токов, определяемых этими механизмами, будут весьма различны. [c.259]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...