Активация термическая

Рис. 15.2. Энергия активации (термическая) в зависимости от количества я-электронов в системе сопряженных связей

В условиях ввода в материал ультразвуковых колебаний, направленных нормально к свариваемым поверхностям, разогрев свариваемого материала происходит одновременно за счет конвективной передачи тепла от нагретого инструмента и его опоры и в результате поглощения материалом ультразвуковых колебаний. При этом существование температурного градиента приводит к перераспределению и изменению поглощения колебаний, концентрируя их в перемещающемся слое с температурой, близкой к температуре а-перехода полимера. Суммарная величина вводимой в зону сварки энергии не должна превышать энергию активации термического разложения полимера соответствующего объема. Экспериментально установлено [32], что тепловое и ультразвуковое воздействие в пределах продолжительности сварки не приводит к заметной деструкции при температуре нагретого инструмента и его опоры 380-390°С, сварочном давлении 0,4-0,8 МПа и амплитуде ультразвуковых колебаний 5-10 мкм. Более точные значения этих параметров, а также продолжительности изотермической выдержки и ультразвукового воздействия устанавливают экспериментально для конкретных типов изделий. [c.46]

Эффект интенсификации помола железа наблюдается в присутствии различных полимеров. Причем, степень помола железа зависит от энергии активации термической деструкции полимера (рис. 183). Наблюдается обратная зависимость чем ниже энергия активации деструкции полимера, тем выше степень помола металла. Это подтверждается данными, полученными при измельчении железа в контакте с различными полимерами. Степень помола железа зависит также от процентного содержания полимерной фазы в композиции металл — полимер (рис. 184). [c.310]

Как указывалось, значение 11 в формуле (4,1.2) совпадает со значением энергии химической связи в цепях главных валентностей полимеров 17 определялась, например, для полимеров [484] по энергии активации термической деструкции в вакууме, и как при механическом разрыве, так и при термической деструкции были обнаружены одинаковые летучие продукты. [c.191]

Табл. 9Э нергия активации термического распада углеводородов. [c.217]

Такая энергия активации может в общем случае сообщаться в виде теплоты (термическая активация), упругопластической деформации (механическая активация), электронного, ионного и других видов облучения (радиационная активация). [c.13]

Эта энергетическая функция обобщает все вопросы строения и состава реагирующих веществ и способов их возбуждения (термическое, радиационное, электронный удар). Таким образом, далеко не все столкновения молекул реагирующих веществ будут активными, а только те, которые будут обладать энергией, равной или большей энергии активации. [c.296]

Миграция границ — термически активируемый процесс. Для перехода от одного зерна к другому атом должен обладать некоторым избытком энергии, т. е. энергией активации. При этом частота перехода атомов, а следовательно, и скорость миграции увеличиваются с повышением температуры. [c.505]

Рекристаллизация начинается при нагреве свыше температуры рекристаллизации Грек, составляющий 0,4 т. е. когда становится заметной скорость самодиффузии. Процесс термически активирован, т. е. для образования зародышей зерен и их роста требуется определенная энергия активации, поэтому он получает развитие в металле, претерпевшем определенную критическую пластическую деформацию (около 5...10%), другими словами, после накопления в металле некоторого минимума энергии. С увеличением степени деформации снижается энергия активации рекристаллизации и несколько понижается Грек. Это приводит к увеличению скорости рекристаллизации. [c.507]

Рисунок 4.15 - Зависимость между эффективной энергией активации движения (Uq) дислокаций в плоскости семейства (110) и коэффициентом интенсивности напряжений (Kполученный путем построения прямых U(o)-Kq. Здесь характеризует активационные объемы при термически

Для того, чтобы перейти к анализу разрушения при ползучести, необходимо рассмотреть механизм стадии повреждаемости при длительной высокотемпературной деформации. Как известно, повреждаемость при ползучести связана с порообразованием на фаницах зерен, инициируемом коллективными дислокационными процессами. Они так или иначе зависят от термически-активируемых процессов скольжения и переползания дислокаций с развитием диффузии по дислокационным трубкам или объемной диффузии. Экспериментальные данные, накопленные к настоящему времени, позволяют составить иерархическую последовательность (рисунок 4.34) включения механизмов пластической деформации в зависимости от параметра ре, характеризующего эффективную энергию активации в терминах К. [c.316]

В то же время, при наличии в диэлектрике примесных атомов, свободные носители заряда могут появиться за счет термической активации примесных уровней. Вследствие этого при нормальных и низких температурах проводимость в диэлектриках имеет примесный характер. Так же, как и в полупроводниках, носителями заряда здесь могут быть электроны и дырки. Если примесь имеет донорный характер, то основными носителями заряда являются электроны, а неосновными — дырки. Такой диэлектрик (по аналогии с полупроводником) называют электронным или диэлектриком п-типа. Если же примесь акцепторная, то основными носителями являются дырки. В этом случае диэлектрик называют дырочным или р-типа. [c.272]

Приведенные данные показывают, что электрические и оптические свойства аморфных полупроводников похожи на свойства кристаллических полупроводников, но не тождественны им. Это сходство, как показал специальный анализ, обусловлено тем, что энергетический спектр электронов и плотность состояний для ковалентных веществ, которым относятся полупроводники, определяются в значительной мере ближним порядком в расположении атомов, поскольку ковалентные связи короткодействующие. Поэтому кривые N (е) для кристаллических и аморфных веществ во многом схожи, хотя и не идентичны. Для обоих типов веществ обнаружены энергетические зоны валентная, запрещенная и проводимости. Близкими оказались и общие формы распределения состояний в валентных зонах и зонах проводимости. В то же время структура состояний в запрещенной зоне в некристаллических полупроводниках оказалась отличной от кристаллических. Вместо четко очерченной запрещенной зоны идеальных кристаллических полупроводников запрещенная зона аморфных полупроводников содержит обусловленные топологическим беспорядком локализованные состояния, формирующие хвосты плотности состояний выше и ниже обычных зон. Широко использующиеся модели кривых показаны на рис. 12.7 [68]. На рисунке 12.7, а показана кривая по модели (Мотта и Дэвиса, согласно которой хвосты локализованных состояний распространяются в запрещенную зону на несколько десятых эВ. Поэтому в этой модели кроме краев зон проводимости (бс) и валентной (ev) вводятся границы областей локализованных состояний (соответственно гл и ев). Помимо этого авторы модели предположили, что вблизи середины запрещенной зоны за счет дефектов в случайной сетке связей (вакансии, незанятые связи и т. п.) возникает дополнительная зона энергетических уровней. Расщепление этой зоны на донорную и акцепторную части (см. рис. 12.7, б) приводит к закреплению уровня Ферми (здесь донорная часть обусловлена лишними незанятыми связями, акцепторная — недостающими по аналогии с кристаллическими полупроводниками). Наконец, в последнее время было показано, что за счет некоторых дефектов могут существовать и отщепленные от зон локализованные состояния (см. рис. 12.7, в). Приведенный вид кривой Л (е) позволяет объяснить многие физические свойства. Так, например, в низкотемпературном пределе проводимость должна отсутствовать. При очень низких температурах проводимость может осуществляться туннелированием (с термической активацией) между состояниями на уровне Ферми, и проводимость будет описываться формулой (12.4). При более высоких температурах носители заряда будут возбуждаться в локализованные состояния в хвостах. При этом перенос заряда [c.285]

Энергия дислокаций составляет несколько электрон-вольт на атом, поэтому в противоположность образованию точечных дефектов термическая активация не может помочь образованию дислокаций. [c.103]

В уравнении (125) произведение dP равно работе, совершаемой силой Р, действующей на линию дислокации, при одинарном пересечении с дислокацией леса. Энергия активации процесса U понижается на величину dP. Оставшаяся энергия Uq должна быть обеспечена термическими флуктуациями d — средний эффективный диаметр препятствия , которое преодолевается при помощи комбинированного действия термических флуктуаций и приложенных напряжений). [c.215]

Мотт [34] интерпретировал элементарный процесс полигонизации как переползание краевых дислокаций из плоскостей скольжения вследствие термической активации, приводящей к перестройке горизонтальных скоплений дислокаций в вертикальные. Движущей силой при этом является упругое взаимодействие дислокаций, которое для вертикальных рядов меньше, чем для горизонтальных. [c.26]

В формальной интерпретации сопротивление кристаллической решетки движению дислокаций, или напряжение Пайерлса — Набарро, обусловлено наличием на плоскости скольжения периодических потенциальных барьеров с периодом, равным межатомному расстоянию. При наложении внешнего напряжения эти барьеры преодолеваются дислокационной линией с помощью термической активации, например по механизму образования двойных перегибов [90, 92, 93]. В различных теориях показано, что потенциальный барьер Пайерлса или соответственно энергия активации и , необходимая для образования двойного перегиба за счет термических флуктуаций, снижается до некоторого эффективного значения У в присутствии внешнего напряжения, что в линейном приближении может быть представлено [c.46]

Если пренебречь вкладом термической активации в поперечное скольжение, что справедливо при температурах выше 0,2Г л [76, 146, 166], и считать, что поперечное скольжение определяется в основном напряжениями, действующими в плоскости скольжения, то при поперечном скольжении ближайшей к частице петли ее сегмент должен изогнуться в плоскости поперечного скольжения до критического радиуса изгиба, равного примерно радиусу частицы (рис. 2.29, в), после чего он получит возможность свободно распространяться дальше (по аналогии с прохождением дислокаций между частицами). Для такого изгиба дислокационного сегмента требуется напряжение сдвига [c.80]

Было также выведено кинетическое выражение для описания термической устойчивости мусковита при облучении быстрыми нейтронами [33] если К — степень частичного уменьшения содержания воды в мусковите (начальная концентрация воды равна примерно 0,045), А — коэффициент Аррениуса, Е — энергия активации, то [c.225]

По мнению Б. И. Костецкого и сотрудников [34], особенности физического механизма структурной приспособляемости состоят в том, что работа трения посредством упругопластической деформации вызывает первичное изменение структуры поверхностного слоя и выделение теплоты. К особенностям пластической деформации они относят локализацию в тончайших поверхностных слоях диспергирование и ориентацию относительно направления перемещ,е-ния исключительно высокую плотность энергии, запасенной в поверхностном слое одновременную структурную и термическую активацию поверхностного слоя. [c.12]

Изучение термических свойств пленки ПОД показало, что при длительном нагревании на воздухе потери массы наблюдаются при температурах около 250 °С. Энергия активации термоокислительной деструкции составляет 157 кДж/моль, а энергия активации термической деструкции — 218 кДж/моль. Время длительной эксплуатации пленки ПОД (по данным фирмы) составляет 20000 ч при 247 °С и 40000 ч при 238 °С. Пленки ПОД отличаются высокой гигроскопичностью. На основе пленки ПОД разработаны также дублированные пленки с фторопластовым покрытием. Характеристики полиоксадиазольных пленок йриведены ниже [c.118]

Рис. 183. Зависимость степени измельчения железа (мкм) от энергии активации термической деструкции полимера (ккал1моль).

При больших освещенностях (наш случай) вместо центров скрытого изображения создаются субцентры, состоящие из двух атомов серебра [94]. Эти центры не могут адсорбировать на себе ионы серебра постоянно и заряжаться положительно, становясь акцепторами электронов. Субцентры могут расти под действием проявляющего вещества только за счет совпадающей во времени адсорбции иона серебра и проявляющего вещества. Такое состояние может длиться очень долго из-за протекания двух взаимно противоположных процессов приблизительно с одинаковой энергией активации увеличения числа атомов I серебра в центре и его термического рассасывания [95]. С увеличением числа I атомов серебра в центре до четырех и более энергия активации термического рассасывания скрытого изображения в общем не изменяется, а энергия актива- [c.545]

BOM приближении прочность металлов при высоких температурах увеличивается с повышением их температуры плавления. Это связано с тем, что ползучесть металлов при высоких температурах совершается путем восходящего движения дислокаций, которое может осуществляться при наличии термической активации и диффузии атомов. Энергия активации процесса ползучести при высоких температурах Т по Дорну, равна энергии акти- [c.117]

Для стягивания частичной дислокации необходима дополнительная энергия, так как реакция Ay-iryD=AD обратна реакции (56) и согласно критерию Франка энергия системы должна быть повышена. Для реализации такой реакции требуется затратить дополнительную энергию. Термическая активация и высокие напряжения для кристаллов с большой шириной расщепленной дислокации способствуют протеканию реакции (58). Ве- [c.74]

Сопротивление скольжению Тл, как впервые отметил Зегер, обусловливает температурную зависимость критического напряжения сдвига металлов с г. п. у. и г. ц. к. решеткой. Сопротивление Тп складывается из температурно-независимой (тс) и температурнозависимой (тя) составляющих, при этом тс обычно отождествляется с сопротивлением дислокаций в параллельных плоскостях скольжения (полях дальнодействия), а ts — с пересечением дислокаций леса. Преодоление дислокаций леса существенно облегчается термической активацией. Для металлов с о. ц. к. решеткой температурная зависимость Тл слабее, чем температурная зависимость тП—н, и в отличие от г. п. у. и г. ц. к. кристаллов ее практически можно не учитывать. [c.220]

Вместе с тем деформированное состояние все же является довольно устойчивым ( замороженным ) при пониженных температурах. Это объясняется тем, что переход в ненаклепанное состояние требует определенной термической активации (энергии активации Q) для преодоления потенциальных энергетических барьеров. [c.298]

ТЕМПЕРАТУРА И ДЛИТЕЛЬНОСТЬ НАГРЕВА. Зарождение и рост центров рекристаллизации являются термически активируемыми процессами. Для данной степени деформации зависимость Я и G от температуры описывается уравнениями Аррениуса N = Noexp —QnI JRT)-, G = Goexp —Qo RT), где и Qo — соответственно эффективные энергии активации процессов зарождения и роста центров. [c.338]

Величина д.у, оказывая влияние на термическую активацию, контролирует скорость релаксационных и раз-упрочняющих процессов. Она тем больше, чем выше д.у. Поэтому чувствительность сопротивления деформации к температуре для металлов с более высокими значениями Ед.у будет больше, т. е. диаграммы Ts—0 при е= onst и 8= onst будут круче, а показатели упрочнения rti(0) и 2(0) будут больше для металлов с большим значением д.у. [c.472]

Образованные в результате реакций (2.19) и (2.20) сидячие дислокационные конфигурации (см. рис. 2.10) вызываютШоявление температурной зависимости сопротивления движению дислокаций. Обусловлено это тем, что для движения винтовой дислокации внешнее напряжение и термическая активация должны обусловить протекание процесса редиссоциации, т. е. образования перетяжек [831 на расщепленной дислокационной линии, после чего только она получит возможность перемещаться. Фактически достаточно подтянуть к центру расщепления хотя бы один из дефектов упаковки. Данная модель редиссоциации винтовых дислокаций [82, 83] объясняет не только температурную зависимость прочностных характеристик, но и асимметрию скольжения в [c.48]

Экспериментальные данные [57] по температурной зависимости пределов упругости стя и неупругости стл для железа показывают (рис. 2.42), что только увеличение стя в области температур ниже 50 К можно считать результатом вклада напряжения Пайерлса. Выше 50 К термическая активация сводит на нет вклад напряжения Пайерлса в прочностные характеристики железа и поэтому основную роль здесь уже должны будут играть примеси и процесс редиссоциации дислокаций [82, 83]. В пользу последнего свидетельствует значительный рост напряжения ол после возрастающих степеней пластической деформации (рис. 2.42). [c.97]

Хорошую связь керамического покрытия с металлом можно-получить, используя окисел на поверхности металла [2, 3]. Для-этого только необходимо, чтобы сам окисел был связан с металлом-достаточно прочно. Процесс такого соединения протекает в два-стадии 1) подготовительная, на которой осуш ествляется сближение соединяемых веществ на расстояния, требуемые для межатомного взаимодействия и 2) конечная, приводящая к образованию соединения, в которой главную роль играют процессы химического взаимодействия. Это взаимодействие требует определенной величины энергии для активации поверхности подложки, поскольку жидкая или пластичная частица покрытия не будет лимитировать процесс соединения. Энергия активации может сообщаться в виде тепла (термическая активация) или механической энергии упругопластической деформации подложки (при ударе частиц). Величина энергии активации будет зависеть от химического состава соединяемых окислов, энергии связи в окислах и типа электрон- ного взаимодействия. Материал покрытия и окисла на подложке необходимо подбирать в соответствии с диграммами состояния, которые описывают характер взаимодействия между соединяемыми материалами. [c.227]

Кларк [39,401 изучал оптические характеристикиMgO, подвергнутой действию различных видов излучения. Кристаллы MgO облучали ультрафиолетовым светом, рентгеновскими лучами и нейтронами. Им было проанализирована схема образования полос поглощения, а также их светового и термического восстановления, предложена модель активации под действием ультрафиолетовых лучей и сделана попытка объяснить некоторые результаты рентгеновского и нейтронного облучения. Он исследовал роль примесей в MgO и сделал вывод, что радиационные изменения оптических свойств не зависят непосредственно от примесей. По степени эффективности в образовании полос поглощения виды излучения располагаются в следующем порядке нейтроны, электроны, рентгеновские лучи. Вопрос о влиянии облучения на оптические свойства MgO обсуждается в работе Биллипгтопа и Кроуфорда [21]. Верц и др. [214, 215] применили технику электронного спинового резонанса для изучения центров окрашивания в MgO и объяснили полосы поглощения на основе химических изменений примесей переходных элементов, содержащихся в MgO. [c.174]

Б. И. Костецкий, И. Г. Носовский и Л. И. Бершадский [36], руководствуясь положением о едином дислокационно-вакансионном механизме схватывания и окисления, считают, что модель износа при высоких температурах состоит из нескольких этапов пластической деформации (текстурирования), структурной и термической активации металла, образования вторичных структур, их разрушения. [c.9]

Химические реакции принадлежат к термически активируемым процессам, поэтому принято относить результат механического воздействия к изменению энергетического активационного барьера химической реакции. При этом предположение о линейной зависимости уменьшения аррениусовской энергии активации (энергетического барьера) термически активируемого процесса от величины растягивающего напряжения обычно вводится произвольно (теории ползучести металлов, уравнения долговечности полимеров и т. д.) или в лучшем случае как первое приближение разложения неизвестной зависимости в ряд Тэйлора. Формализм такого подхода не позволяет раскрыть физический смысл коэффициентов в соответствующих уравнениях (в том числе активационного объема) и более того приводит к противоположному результату при замене растягивающих напряжений сжимающими (вопреки эксперименту) растяжение подлежащей разрыву химической связи увеличивает мольный объем веществ в активирован-i HOM состоянии и согласно классическому уравнению Вант-Гоффа для зависимости константы скорости реакции от давления сжимающее давление должно тормозить реакцию, т. е. сдвигать химическое равновесие в сторону рекомбинации связей. [c.4]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...