Вклад электронов

Сопротивление при абсолютном нуле температуры, когда исчезает вклад электрон-фононных взаимодействий, зависит от наличия примесей и качества отжига, и, как следовало ожидать, существует явная связь между а и W (О К) (рис. 5.10). Величину (0 К) получают из измерений при температуре жид- [c.203]

При обсуждении закона Дюлонга и Пти отмечалось, что если исходить из классических представлений и считать электроны в металле свободными, так же как молекулы идеального газа, подчиняющиеся статистике Максвелла—Больцмана (рис. 6.6), то такой газ электронов имеет большую теплоемкость (с учетом вклада электронов теплоемкость в 1,5 раза больше, чем это следует из закона Дюлонга и Пти) из-за того, что энергия, подводимая [c.176]

Если к диэлектрику приложены слабые электрические поля (в области выполнения закона Ома), то они не могут изменить ни концентрации, ни подвижности носителей заряда. Значения величин п и 1, таким образом, остаются весьма низкими, и вклад электронной проводимости незначителен. В сильных электрических полях ситуация резко меняется. Энергии электрического поля. может быть достаточно для освобождения полем электронов (или дырок) из связанного состояния. Вследствие этого возрастает подвижность носителей заряда. Кроме того, из-за ударной ионизации резко увеличивается и концентрация освобожденных электронов в зоне проводимости (или дырок в валентной зоне). Все это приводит к росту электронной проводимости. [c.274]

Ясно, что изучая зависимость диэлектрической проницаемости от частоты, можно экспериментально выделить вклады различных видов поляризуемости. Так, например, вклад электронной упругой поляризации может быть найден путем измерения г на оптиче- [c.294]

Ферми находится внутри Зс -зоны, вклад электронов этой зоны в величину ga ) очень мал. [c.359]

Теплоёмкость. Существование в М. вырожденного электронного газа большой плотности приводит к линейной зависимости теплоёмкости М. от Т при низкой темп-ре (рис. 7). Вклад электронов в теплоёмкость М. [c.118]

Формирование сигнала. Вклад в амплитуду импульса за счёт перемещения первичных ионов и электронов мал. Время развития лавины <10 с, однако вследствие того, что электроны в лавине проходят сравнительно малые расстояния (большинство электронов рождаются только на последних стадиях лавины ), вклад электронной компоненты в полную амплитуду импульса 10%. Положит, ионы, большинство к-рых расположено от поверхности нити на расстоянии ср. пробега электронов в лавине (1 Ч- 5 мкм), после окончания лавины начинают двигаться к катоду, индуцируя изменение потенциала на нём во времени ( [c.148]

Для нахождения вклада электрон-фононных взаимодействий в электропроводность необходимо знать, в какой мере столкновения способствуют установлению равновесного распределения электронных им- [c.195]

Электрон-электронное рассеяние уменьшается при низких температурах, но в почти идеальных металлических образцах оно может стать основным процессом, обусловливающим сопротивление. В некоторых случаях вклад электрон-электронного рассеяния, даже если оно не является преобладающим процессом при низких температурах, удается выделить, анализируя результаты измерений полного теплового сопротивления. [c.206]

При температурах, близких к абсолютному нулю, следует учитывать вклад электронной теплоемкости в общую теплоемкость. Средняя энергия электрона Е при температуре 7 (7)=3/5 F[l-f (5я2/12)(й7/ р)2], где Ер — энергия Ферми. Вклад электронной доли в молекулярную теплоемкость =п 1г1 7/2 . [c.276]

Как указывалось выше, при рассмотрении температурной зависимости теплопроводности металлов необходимо учитывать изменение соотношения между вкладами электронной и решеточной теплопроводности в общее ее значение. При этом для различных металлов это отношение меняется неодинаково в зависимости от концентрации и подвижности электронов проводимости. Например, для меди вклад решеточной составляющей незначителен (см. табл. 17.3). [c.282]

Магниторезистивный эффект — увеличение сопротивления металлического образца, помещаемого в магнитное поле,— описывается довольно сложной теорией. Магниторезистивный эффект будет наблюдаться в том случае [1], когда поверхность Ферми несферична, и особенно когда она содержит вклады электронов и дырок или электронов из двух зон. Если существуют два типа носителей, имеющие различный заряд, массу или время релаксации, то магнитное поле будет влиять на них по-разному. Соответственно будет изменяться и полная проводимость, представляющая собой векторную сумму двух компонентов. Этот механизм приводит к появлению поперечного магниторезисторного эффекта, который примерно пропорционален квадрату напряженности магнитного поля Я, а в сильных полях приходит к насыщению. Особый случай представляет металл, у которого различные типы носителей имеют одинаковое время релаксации. Тогда изменение сопротивления Ар под действием магнитного поля можно записать в виде [c.250]

Вблизи О К теплоемкость, связанная с колебаниями решетки, падает быстрее электронной теплоемкости (рис. 6.11). Приравнивая теплоемкости Среш=Сэл [ср. (6.37) и (6.64)], можно определить температуру начиная с которой при понижении температуры вклад электронов в теплоемкость становится существенным. Эта температура примерно составляет [c.183]

В предыдущей главе при обсуждении вклада электронов проводимости в теплопроводность и теплоемкость металлов было установлено, что электронный газ в металлах является сильно вырожденным. Поскольку в этом случае концентрация электронов от температуры практически не зависит, температурная зависимость электропроводности металла o=e/ip, определяется зависимостьк> подвижности от Т. В области высоких. температур в металлах, так же как и в полупроводниках, доминирует рассеяние электронов на фононах. Выше было показано, что для вырожденного электронного газа подвижность, обусловленная рассеянием на фононах, обратно пропорциональна температуре (7.164). [c.255]

Решеточный вклад в теплоемкость остается таким же, как и для нормального металла, а вклад электронного газа существенно изменяется. Отсюда следует, что сверхпроводность связана с какими-то коренными изменениями поведения электронов проводимости. [c.264]

На фиг. 4 приведены также результаты Батиа [70] по вычислению решеточной теплоемкости. Батиа считает, что теоретическая и экспериментальная кривые хорошо согласуются всюду, за исключением области вблизи максимума. 13есьма возможно, что расхождение ниже 4° К объясняется вкладом электронов в теплоемкость. [c.337]

Группа VI6. а) Хром. Если обработать по способу наименьших квадратов результаты Эстермана и др.[60 в области гелиевых температур, то величина во окажется несколько меньше значения, приводимого самими авторами. Впрочем, ни одно из этих значений не является достаточно надежным, что объясняется в основном большим вкладом электронов в теплоемкость и сильным разбросом экспериментальных точек. Данные по теплоемкости в области водородных температур были опубликованы в очень сжатой форме, поэтому, основываясь на них, нельзя сделать никаких количественных заключений. [c.354]

ВНОСИТ существениый вклад как в нормальном, так и в сверхпроводящем состояниях. Вычитая вклад электронной комионенты, можно получить значение В образце сплава Sn-f-4% Hg отношение превышает [c.665]

Если зона заполнена почти полностью (остается всего один Незанятый уровень k ), то возникнет следующая ситуация. Под действием поля точка представляющая пустой уровень (дырку), будет двигаться так, как будто отвечающий ему заряд положителен (или эффективная масса отрицательна). Поэтому вклад дыркй будет равен по величине и противоположен по знаку вкладу электрона, заполнявшего бы пустой уровень. [c.93]

При вольтстатическом анодировании алюминия в растворе кремнекислого натрия время достижения стационарного состояния не превышает 0.2 с, а выход по току составляет 20—40 %. Рост пленки сопровождается заметным выделением газообразного кислорода, что позволяет предположить значительный вклад электронной составляющей в процесс переноса заряда. [c.75]

При оксидировании алюминия в растворе силиката натрия в области предпробнвных значений напряженности поля вклад электронной составляющей тока в процесс переноса, заряда составляет более 80 что делает невозможным использование традиционных кинетических уравнений для ионного тока. В связи с этим был выполнен теоретический анализ и экспериментальная проверка применимости уравнений Янга—Цобеля, Шоттки и Пула—Френкеля для описания полного тока и его электронной составляющей на границах раздела фаз ц в объеме оксида. Путем обработки кривых спада тока при вольтотатическом режиме формовки получены линейные характеристики в координатах Ini—VU и показано, что кинетика процесса контролируется контактными явлениями на границах раздела фаз. Энергетический расчет позволил предположить существование блокирующего контакта на границе металл— оксид. [c.238]

Здесь 0Jn.ri= (4лие /т ) тронов, п — их концентрация, гн — эффективная масса алектрона, е — его заряд. В анизотропных средах а( о) — тензор. При выполнении условия (2) описание В. и. возмо/кно путём введения т, н. эффективной д и э л е к т р и ч. про и п ц а е м о с т и, учитывающей вклад электронов [c.371]

Размерные эф кты в теплопроводвостн. В металлах перенос тепла осуществляется электронами н фононами, но электронная компонента — доминирующая. При Г > 0д и при достаточно низких темп-рах, когда электров-фояонное рассеяние мало по сравнению с злектрон-примесным, вклад электронов в коэф. теплопроводности X определяется Видемана — Франца законом, т. е. повторяет зависимость а 3). При Т 0д, когда существенно электрон-фононное рассеяние, электронная теплопроводность в пластинах х сл 3/ту/1. В проволоках х со o((i), но с иным, чем в законе Видемана — Франца, коэф. пропорциональности. [c.245]

ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕПЛОПРОВбДНОСТЬ—вклад электронов проводимости в теплопроводность твёрдых тел. Э, т. играет осн. роль в металлах (в нормальном состоянии), полуметаллах и нек-рых полупроводниках. При низких темп-рах Э. т, определяется рассеянием электронов примесями и дефектами и возрастает с темп-рой, при высоких темп-рах—рассеянием на фононах и падает с ростом темп-ры, так что при нек-рой темп-ре Э. т. достигает максимума, тем более высокого, чем совершеннее кристалл (см. Рассеяние носителей заряда). [c.555]

При температурах, близких к абсолютному нулю, необходимо учитывать вклад электронной теплоемкости в общую теплоемкость крисхалла. Поскольку средняя энергия электрона равна [c.48]

В разд. 6.9 мы показали, что на границе между однородной диэлектрической и периодической слоистой диэлектрической средами могут существовать поверхностные электромагнитные волны. Эти моды являются в действительности затухающими блоховскими волнами периодической среды. При данной частоте ш в такой структуре может распространяться большое число как ТЕ-, так и ТМ-мод. Покажем теперь, что поверхностные электромагнитные волны могут также существовать на границе между двумя средами, если диэлектрические проницаемости сред имеют противоположные знаки (например, воздух и серебро). При данной частоте существует лищь одна ТМ-мода. Амплитуда волны экспоненциально уменьшается в обеих средах в направлении, перпендикулярном поверхности. Эти моды называются также поверхностными плазмо-нами вследствие вклада электронной плазмы в отрицательную диэлектрическую проницаемость металлов, когда оптическая частота меньше плазменной частоты (т. е. ш < w ). Ниже мы получим характеристики распространения поверхностных электромагнитных волн. [c.528]

Смотреть страницы где упоминается термин Вклад электронов : [c.292] [c.331] [c.155] [c.295] [c.338] [c.348] [c.379] [c.91] [c.125] [c.221] [c.38] [c.6] [c.372] [c.439] [c.87] [c.190] [c.603] [c.215] [c.280] [c.561] [c.226] [c.49] [c.66] [c.183]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...