Транзистор полевой

МОП — транзистор — см. транзистор полевой. [c.149]

Транзистор полевой — полупроводниковый прибор, в котором ток создают основные носители под действием продольного электрического поля между электродами, называемыми истоком и стоком исток — полупроводниковая область, от которой начинается движение зарядов, а сток — полупроводниковая область, к которой по каналу движутся эти заряды управление величиной тока в канале производится поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным между истоком и управляющим электродом — затвором (З]. [c.158]

Кремний является основным материалом для производства полупроводниковых приборов выпрямительных, мощных и маломощных биполярных транзисторов, полевых транзисторов и приборов с зарядовой связью. Кремний применяют также для создания детекторов ядерных излучений, датчиков Холла и тензодатчиков. Достаточно большое значение ширины запрещенной зоны позволяет кремниевым приборам работать при температурах до 180...200 С. [c.379]

Приставка работает следующим образом. Если фотодиод не освещен, его внутреннее сопротивление велико (более 20 МОм), напряжение на затворе полевого транзистора значительно меньше его порогового напряжения [41], и полевой транзистор заперт. Следовательно, транзистор Гг тоже заперт, а транзисторы Гз и Г4 отперты, что соответствует замкнутым контактам прерывателя. При освещении фотодиода его сопротивление резко падает и почти все напряжение питания прикладывается к затвору полевого транзистора. Полевой транзистор отпирается. Следовательно, отпирается также транзистор Гг, а транзисторы Гз и Г4 запираются, что соответствует размыканию контактов прерывателя. Положительная обратная связь, создаваемая цепочкой / 5, С1, обеспечивает необходимую скорость размыкания контактов вне зависимости от частоты вращения непрозрачного диска фотодиодного датчика. [c.82]

Знак перед токами - для резисторов, катушек и конденсаторов расчет тока проводится в прямом направлении от вывода 1 к выводу 2, для биполярных транзисторов, полевых транзисторов, тиристоров и т.п. расчет тока проводится в прямом направлении, если он является входящим в данный компонент схемы. [c.84]

Транзистор полевой с каналом Р-типа [c.1141]

Транзистор полевой с изолированным затвором [c.1141]

Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с / -каналом с выводом от подложки [c.1142]

Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с 7У-каналом и с внутренним соединением подложки и истока [c.1142]

Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с 7У-каналом и с выводом от подложки [c.1142]

Транзистор полевой с каналом типа [c.1159]

Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки [c.1160]

Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного тнпа с Л -каналом, с внутренним соединением истока и подложки [c.1160]

Транзистор полевом с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом [c.1160]

Транзистор полевой с затвором Шоттки [c.1160]

Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки [c.1160]

Рассмотрим теперь логические схемы на МОП-транзисторах. Полевой транзистор со структурой металл — окисел — полупроводник (МОП) представляет собой прибор, управляемый напряжением. [c.11]

Статически индуцированный биполярный транзистор Биполярный п—р—п-транзистор Биполярный р—л—р-транзистор Боковой биполярный р—п—р-транзистор Полевой транзистор с каналом п-типа Полевой транзистор с каналом р-типа МОП-транзистор с каналом п-типа МОП-транзистор с каналом р-типа Линия передачи [c.124]

Рис. 3. Обозначения физических элементов полевых транзисторов

Рис. 7. Размеры обозначений полевых транзисторов

Транзистор МДП с индуцированным каналом — полевой транзистор с изолированным затвором, у которого отсутствует управляемая проводимость между стоком и истоком при напряжении между затвором н истоком, равном нулю [3]. [c.158]

Транзистор о управляющим р—п переходом — полевой транзистор, работа которого основана на модуляции эффективного сечения канала модуляция осуществляется изменением толщины запорного слоя обратно смещенного р—п перехода [3]. [c.159]

Схема полевою транзистора а) и его включение в схемы (б) [c.366]

Транзистор канальный — см. транзистор полевой. Транзистор кремниевый — транзистор, изготовленный на основе кремния отличается от германиевого транзистора способностью работать при волее высоких температурах — до 120—150 С (4, 9]. [c.157]

Моноскоп ( Лжетрубка ) 149 МОП-транзистор — см. Транзистор полевой 149 МРТУ 12Н 736 МРТУ 12Н № 88—64 739 МРТУ I2H № 118—64 739 МРТУ 12Н-120-64 739 МРТУ 38—1-150-64 738 Муфты — Выбор типа 451— 453 — Классификация 449. — Компенсирующая способность 450—451 [c.757]

Такие приборы, как транзистор, полевой транзистор или вакуумный триод являются трехполюсными. Полюсами являются база, эмиттер и коллектор для транзистора, затвор, исток и сток для полевого транзистора и сетка, катод и анод для вакуумного триода. Если эти приборы используются в активных цепях с двумя входами, то вход и выход таких схем должны иметь один общий полюс. По этой причине говорят о схемах с общим эмиттером, общим истоком или общим катодом общей базой, общим затвором или общей сеткой общим коллектором, общим стоком или общим анодом. Более распространенными для последних трех схем являются названия эмиттерный, истоковый и катодный повторители. [c.36]

Транзистор Полевой транзистор Металлооксидный транзистор (МОП) Оптотранзнстор Се, 81 Се, 81 81. Се Транзисторный эффект Полевой эффект Полевой эффект Два р—п-пе-рехода [c.314]

КОЙ температурой в цепь усилителя вводится точный аттенюатор. На рис. 3.15 приведена блок-схема, поясняющая принцип действия метода равных сопротивлений. Как всегда в таких случаях, предварительная ступень усилителя выполнена на полевых транзисторах. Метод равных сопротивлений требует определения собственного шума усилителя, поскольку он входит в измеряемые шумовые сигналы неодинаково. Кроме того, часть усилителя, находящаяся перед аттенюатором, должна обладать высокой линейностью. Параллельно аттенюатору включается схема компенсации, которая обеспечивает равенство полосы пропускания частот для двух сигналов. Переключатель, основанный на механическом принципе, работает на частоте 30 Гц и вносит незначительные помехи в цепь усилителя. Переключатели на входе и в цепи заряда запоминающих конденсаторов работают в противофазе, что позволяет подавить наводки, связанные с переключением. Кровини и Эктис [21] измерили отношение термодинамических температур с точностью в 2-10 (на уровне За), что составляет 0,25 К при 1000 К- [c.117]

Алкатрон — униполярный полевой четырехэлектродный транзистор кольцевой конструкции, позволяющей увеличивать габариты прибора и его мощность, не снижая предельную частоту усиливаемых сигналов служит для усиления мощности сигналов с частотой до 100 МГц при мощности рассеяния до десятков ватт [3, 10]. [c.139]

Пьеэотранзистор полевой—униполярный полевой транзистор, в котором механическое напряжение изменяет скорость дрейфа носителей зарядов стабильность таких транзисторов выше, чем пьезотранзисторов. [c.152]

Текнетрон — полевой транзистор цилиндрической формы с кольцевым р—я переходом, расположенным вблизи истока, что позволяет осуществлять более сильную модуляцию тока, но мощность текнетрона меньше, чем унитрона (3, 10]. [c.155]

Транзистор МДП — полевой транзистор с изолированным затвором, состоящий из трех слоев металлического (М), диалектричесКогО (Д) и полупроводникового (П) в качестве диэлектрика обычно используют пленку окисла кремния (МОП — транзистор) [9]. [c.158]

Транзистор с изолированным ватвором — полевой транзистор, в ко-юром модуляция проводимости канала осуществляется с помощью металлического электрода, отделенного от канала тонким слоем диэлектрика (3]. [c.159]

Унитрон — плоскостной униполярный транзистор, представляющий собой пластину полупроводника, у которой на торцах имеются омические контакты, а на больших гранях слои, образующие с пластиной р—п переходы выходная цепь образуется пластиной полупроводника одного типа, т. е. не включает р—п перехода к унитронам чаще всего относят различные разновидности полевых транзисторов, реже — двухбазовый диод [9. 10]. [c.162]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...