Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Электронные полосы

Имеется достаточно оснований предполагать, что в процессе карбидообразования углерод отдает свои валентные электроны на заполнение d-электронной полосы атома металла,  [c.352]

Так как электронные полосы поглощения лежат в ультрафиолетовой области спектра, то со Мо и, следовательно, можно пренебречь в знаменателе выражения (12.31), в результате чего полу-  [c.304]

Уже указывалось, что wqi 02 Тогда A.qi Х02. Следовательно, если электронные полосы поглощения лежат в ультрафиолетовой области спектра, то полосы поглощения ионов должны быть расположены в инфракрасной его области. Их наличие существенно скажется на ходе показателя преломления в видимой области спектра, где исследуемое вещество может быть совершенно прозрачно, так как зависимость пСк.) определяется двумя резонансными членами, из которых 2 q2/( 02) играет во всяком случае не меньшую, чем роль (напом-  [c.148]


Интересные закономерности наблюдаются также для жидких растворов железа, кобальта и никеля с непереходными элементами. Согласно недавним исследованиям [21], эти сплавы можно подразделить на два типа. Для первого, к которому относятся сплавы с поливалентными /j-элементами (Ga, Ge, Sn), наблюдается постепенное заполнение Зй1-электронной полосы переходных металлов за счет валентных электронов второго компонента. Ко второму типу принадлежат сплавы с золотом, для них не наблюдается эффекта заполнения d-электронной полосы по мере увеличения концентрации золота при любом содержании переходного металла в растворе сохраняется ее дефектность.  [c.158]

Из сравнения металлохимических характеристик компонентов указанных выше систем (см. таблицу) видно, что разница электроотрицательностей компонентов для сплавов золота больше, а размерное несоответствие — меньше, чем для сплавов олова. Поэтому существенно меньшую энергию взаимодействия компонентов в сплавах Ni—Аи и Со—Аи по сравнению с соответствующими сплавами олова можно объяснить отсутствием дополнительного энергетического вклада, связанного с заполнением З -электронной полосы.  [c.158]

В соответствии с указанным положением карбиды образуют только те элементы, которые располагаются левее железа в периодической системе элементов, т. е. имеющие менее достроенную е1-электронную полосу.  [c.333]

Рис. 4. Электронно-колебательные переходы, при которых образуются прогрессии ("а, и секвенции электронных полос. Рис. 4. <a href="/info/334166">Электронно-колебательные переходы</a>, при которых образуются прогрессии ("а, и секвенции электронных полос.
В сталях карбиды образуют только металлы, расположенные в периодической системе элементов левее Fe. Эти металлы, также как и железо, относятся к элементам переходных групп, но они имеют менее достроенную d-электронную полосу. Чем левее расположен в периодической системе карбидообразующий элемент, тем менее достроена его d-электронная полоса.  [c.77]

Электронные спектры поглощения менее характеристичны, но и они могут использоваться для целей идентификации и структурно-группового анализа. многих классов соединений. Электронные спектры выгодно отличаются от колебательных спектров поглощения те.м, что их интенсивность больше и поэтому они чаще используются для количественных определений в аналитической химии. Этому же способствует и простота работы с ними. Электронные полосы довольно характеристичны не только по частоте (положению в спектре), но и по интенсивности, однако их большая ширина в конденсированной фазе ухудшает характеристичность.  [c.96]


Возможность применения формул (2.32) и (2.33) к сплошным спектрам сложных молекул впервые показана Клочковым [28]. Для описания контура полосы необходимо знать следующие параметры v, Уе, е, 2. Частота у-о, определенная из данных по колебательным спектрам или из анализа структуры электронной полосы родственного соединения, считается известной. Для определения частоты электронного перехода V в поглощении используют рекуррентные соотношения формулы (2.32)  [c.60]

Существует ряд спектральных и люминесцентных методов, позволяющих доказать принадлежность отдельных полос различным электронным переходам. Среди них надежную информацию дают поляризационные спектры (зависимость поляризации свечения от частоты возбуждающего света) [36]. Степень поляризации флуоресценции зависит от величины угла между направлениями осцилляторов поглощения и испускания. При возбуждении различными частотами взаимная ориентация этих осцилляторов меняется. Поэтому каждой электронной полосе поглощения соответствует определенное значение степени поляризации свечения.  [c.68]

На первых этапах исследования влияния среды на положение электронных полос многоатомных молекул применялись в основном эмпирические методы анализа.  [c.81]

Вопрос о влиянии молекулярных взаимодействий на электронные спектры молекул принципиально может быть решен путем расчета изменения потенциальных кривых комбинирующих состояний. Располагая такими данными, можно вычислить новые частоты переходов (спектральные сдвиги), интегралы наложения волновых функций и распределение вероятностей перехода (интенсивность и форму полос). К сожалению, такой общий подход, позволяющий решить одновременно полный комплекс вопросов об изменении электронных полос в растворах, практически не используется, во-первых, из-за отсутствия достаточно строгой теории электронно-колеба-тельных спектров вообще, во-вторых, из-за недостатка данных о физико-оптических параметрах возбужденных молекул.  [c.93]

Интенсивность электронных полос жидкостей  [c.101]

Значительны изменения электронных полос и при образовании внутримолекулярной водородной связи, кото-  [c.113]

Рис. 47. К интерпретации сдвига электронных полос при образовании водородной связи Рис. 47. К интерпретации сдвига электронных полос при образовании водородной связи
Интерпретация сдвига электронных полос комплексов с учетом влияния среды дана в книге [15.  [c.116]

Электронные полосы. Электронные полосы образуются переходами, при которых изменяются электронные, колебательные и вращательные квантовые числа. Здесь не требуется наличия постоянного дипольного момента в том или ином электронном состоянии, а нужно, чтобы матричный элемент дипольного момента между двумя состояниями не равнялся нулю (см. 4.17). Это обеспечивается, если удовлетворяются приведенные ниже правила отбора.  [c.126]

Не существует правил отбора для колебательных квантовых чисел в электронной полосе, но Аг> ограничивается требованиями  [c.126]

В ЭТОМ случае нет твердого правила отбора для А1 , кроме принципа Франка — Кондона, 4.11. Эффективное сечение для всей электронной полосы частот а (томсоновское) приблизительно равно 10 и оно должно быть распространено на все колебательно-вращательные компоненты.  [c.184]

Поглощение фотона. В 4.9 обсуждались правила отбора для вращательных, вращательно-колебательных и электронных полос. Примеры абсолютных величин эффективных сечений будут рассматриваться в 11.6. Для электронных полос численные значения сил осцилляторов 4.17 и приложения Б колеблются от 10" до возможно 10" , т. е. они много меньше, чем типичные значения для атомных переходов.  [c.184]

Возвращаясь к случаю среды, находящейся в локальном термодинамическом равновесии, находим, согласно работе [30], что при температуре, меньшей 1000° К, основной вклад в излучение дают трехатомные молекулы (НгО, СОг, МгО, N02, Оз). В интервале от 1000 до 5000° К излучение в основном определяется вращательно-колебательными полосами молекул N0. Начиная с 1000°К появляется также заметный вклад электронных полос N0 и Ог. Электронные полосы N0 заслуживают особого интереса. Во-нер-  [c.410]


Выше 3000° К появляются электронные полосы N2 и NJ. Выше 6000° К существенным становится непрерывный спектр, определяемый связанно-свободными переходами от 0 и свободно-свободными переходами в поле нейтральных частиц, из-за того, что эти переходы заполняют окна в длинноволновой области спектра [33]. Наконец, при кТ=1 эв ь излучение дают преобладающий вклад связанно-свободные и связанно-связанные переходы в атомах и атомных ионах. Основные источники излучения и соответствующие им диапазоны длин волн и температурные интервалы приведены в табл. 11.2.  [c.412]

Б.4. Электронные полосы молекул  [c.514]

Для молекулярных электронных полос (см. 4.9.4) силы осцилляторов также могут быть определены для каждой полосы с учетом того, что вращательные уровни являются вырожденными состояниями колебательных уровней.  [c.514]

При (В шо (электронные полосы поглощения лелсат в ультра-164  [c.164]

Проанализируем выражение (21.22). Поскольку сое (Оа, то Д<Яа. Это ознзчает, что если электронные полосы поглощения располагаются в ультрафиолетовой области спектра, то полосы поглощения ионов должны лежать в инфракрасной области.  [c.95]

Формирование электронных полос поглощения и люминесценции происходит в результате наложения этих двух статистических распределений распределения вероятностей соответствующих электронно-колебательных переходов (конфигурационное распределение) и распределения молекул по колебательным уровням исходного электронного состояния [тепловое распределение). Форма контуров, образующихся полос поглощения и люминесценции, изображена соответственно в левой и правой частях рис. 67. В отли--чие от полосы поглощения полоса люминесценции построена так, что в коротковолновой ее части происходит гораздо более быстрее падение интенсивности свечения, чем в длинноволновой.  [c.173]

Об образовании ассоциированных молекул можно прежде всего судить по деформациям видимой электронной полосы поглощения исследуемого красителя. Характер происходящих при этом изменений виден на рис. 79, где показаны концентрационные деформации электронного спектра поглощения красителя магдаловского красного в воде. Спектр поглощения этого красителя практически не изменяется в области малых концентраций раствора (до С 10 ° г/мл). Следовательно, в этом диапазоне концентраций образования ассоциированных молекул не происходит и наблюдаемый спектр поглощения принадлежит мономерным молекулам красителя. При дальнейшем возрастании концентрации наблюдается интенсивное уменьшение длинноволновой мономерной полосы поглощения (/.м=555 нм) и одновременное появление и быстрое нарастание новой коротковолновой полосы (> д = 525 нм), принадлежащей возникающим в растворе ассоциированным молекулам маг-далового красного. Из рисунка видно, что все семейство спектров  [c.209]

Иные закономерности наблюдаются для сплавов, образованных переходными металлами, находящимися в середине рядов, например марганцем и хромом, атомы которых в свободном состоянии имеют полузаполненные 3d -электронные оболочки. В сплавах с непереходными элементами эти металлы, в отличие от Pd или Ni, не проявляют тенденции к заполнению З -электронной полосы,  [c.157]

Для люминесцирующих молекул при изменении длины волны возбуждающего света в пределах электронной полосы поглощения спектр люминесценции не зависит от длины волны возбуждающего света. Эта независимость обусловлена быстрой (но сравнению с временем жизни возбуждённого электронного уровня) релаксацией энергии по колебат.-вращат. иодуровням электронного состояния. В частности, при возбуждении -- в длинноволновой части спект- ралъной полосы поглощения нек-рая часть энергии люминесценции приходится на более коротковолновую антистоксовую область. В этом случае возбуждающий квант hvg атом поглощает из возбуждённого колебат. состояния  [c.108]

Эти ф-лы справедливы также и для колебат. и вращат. переходов (в этом случае следует переопределить матричные элементы дипольного момента). Для разрешённых электронных переходов обычно коэф. поглощения на неск. порядков больше, чем для колебат. и вращат. переходов. Иногда коэф. поглощения достигает величины 10 —10 м атм , т. е. электронные полосы наблюдаются при очень низких давлениях (. 10 — 10 мм рт. ст.) и малых толщинах (. 10—100 см) слоя вещества.  [c.201]

Т. к. величины молекулярных констант В, DJ и т. д.) в разл. электронных состояниях могут сильна отличаться друг от друга, структура Р-, Q-, й-ветвей электронных полос может сильно отличаться от структуры этих ветвей в чисто колебат. полосах. Именно этим обусловлена более сильная сходимость линий и образование кантов (резких краёв) полос в электронных спектрах, при В < В" образуется ВЧ-кант й-вет-вн (красное оттенение полосы), а при В > В" образуется НЧ-кант Р-ветви (фиолетовое оттенение полосы). Образование кантов лучше всего иллюстрируется диаграммой Фортра, т. е. зависимостью / от частоты перехода (рис. 5), к-рая оказывается полезной для идентификации отд. линий.  [c.204]

ПОЛОСАТЫЕ СПЕКТРЫ — оптич. спектры молекул и кристаллов. Возникают при электронных переходах в молекулах или межзовных переходах в кристаллах. П. с. состоят из широких спектральных полос, положение к-рых характерно для данного вещества. В спектрах простых молекул электронные полосы распадаются на более или менее узкие колебат. полосы и вращат, линии. Полосы сложных молекул чаще сплошные, лишены дискретной структуры (рис.). Полосы могут уши-  [c.28]

Насыщенные углеводороды, спирты и простые эфиры имеют электронные полосы поглощения в вакуумной УФ-области и поэто.му широко используются в качестве растворителей при иссле-  [c.96]

Знание частоты чисто электронного перехода необходимо для решения целого ряда спектроскопических задач. Для структурных спектров величина V, обычно определяется без особых затруднений на основании анализа колебательной структуры, но этот случай нас не интересует. Для веществ со сплошными электронными полосами дело обстоит зна-читёльно сложнее.  [c.9]

Для исследования спектральных закономерностей простых и сложных соединений используются различные методы. Расчет спектров простых и полусложных молекул сильно усложняется и не всегда возможен из-за необходимости учета индивидуальности их нормальных колебаний, которая непосредственно проявляется в характерной структуре электронных полос.  [c.34]


Вибрационную природу максимумов электронных полос можно подтвердить, внимательно сравнив структуры спектров поглощения и испускания. В ряде соединений имеется определенное сходство в расположении, а иногда и распределении интенсивности колебательных максимумов обоих спектров, их зеркальная симметрия. В табл. 4 сопоставлены, например, разности Уп—Уе частот максимумов полос поглощения и испускания радикала трифе-нилметана, измеренных при низкой температуре [3]. Их симметрия свидетельствует о колебательном происхождении структуры спектров.  [c.69]

В настоящее время комплексам с переносом заряда в спектроскопии жидкостей уделяется особое внимание. Ряд неизученных электронных полос интерпретируется с иснользованием таких представлений. Предполагается, что КПЗ образуются в конденсированных средах некоторых сложных органических соединений и играют определенную роль на промежуточных стадиях химических превращений и, в частности, в процессах фотосинтеза [25].  [c.124]

Для электронов полосы равной толщины наблюдают в темнопольных и светлопольных электронно-микроскопических изображениях. Измерения в принципе можно делать на клиновидных кристаллах размером только в несколько тысяч ангстрем, таких, как небольшие (полученные осаждением из дыма ) кубические кристаллы MgO. Однако существуют практические трудности в определении ориентации таких кристаллов с высокой точностью и выдерживании ориентации постоянной. В наиболее точных измерениях, выполненных до сих пор, использовались клиновидные края больших кристаллов, которые можно жестко закреплять. Тогда с большой точностью ориентации можно определить из картин кикучи-линий, полученных от относительно большой области кристалла.  [c.340]


Смотреть страницы где упоминается термин Электронные полосы : [c.353]    [c.175]    [c.122]    [c.159]    [c.234]    [c.648]    [c.691]    [c.83]    [c.221]   
Физическая теория газовой динамики (1968) -- [ c.126 , c.128 ]



ПОИСК



Влияние матрицы на расщепление полос в колебательных и электронных спектрах

Вращательная структура электронных горячих полос

Вращательная структура электронных дублетных полос

Вращательная структура электронных синглстных полос

Вращательная структура электронных триплетных полос

Динамическая теория электрон-фононных оптических полос

Интенсивность электронных полос жидкостей

Оптические полосы при сильном электрон-фононном взаимодействии

Осциллятора сила молекулярных электронных полос

Полосы голова электронные

Полосы равной толщины и кривые качания при дифракции электронов

Правила отбора для электронных полос

СПЕКТРАЛЬНАЯ ДИФФУЗИЯ В ПОЛИМЕРАХ И СТЕКЛАХ Теория формы электрон-туннелонных полос

Типы полос при различных электронно-колебательных переходах для молекул типа слегка асимметричного волчка

Функция формы электрон-туннелонной оптической полосы

Электронно-колебательное начало системы полос («ложное» начало)



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте