Электронные переходы полей

Процесс 3-распада в теории Ферми рассматривается как результат взаимодействия нуклона ядра с электронно-нейтринным полем нуклон переходит в другое состояние (из нейтрона в протон или наоборот) и образуются электрон (позитрон) и антинейтрино (нейтрино). Источниками легких частиц являются нуклоны. [c.150]

Процесс на рис. 9.4, б — двухфотонное испускание электрон переходит с уровня 2 на уровень / переходы в поле излучения — рождаются два фотона с энергией Асо, определяемой соотношением (9.2.1). [c.222]

Процесс на рис. 9.4, в — комбинационное рассеяние (стоксов компонент) электрон переходит с уровня 1 на уровень 2 переходы в поле излучения — уничтожается фотон с энергией кщ (при этом рождается [c.222]

ГЛАВА 10 ВЕРОЯТНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПЕРЕХОДОВ 10.1. Квантовые переходы п нестационарной теории возмущений 241 10.2. Квантовые переходы под влиянием гармонического возмущения 245 10.3. Оператор взаи.модействия электрона с полем световой волны. Операторы рождения и уничтожения фотонов 250 10.4. Матричные элементы оператора взаимодействия электрона с полем световой волны 257 ГЛАВА 11 ОДНОФОТОННЫЕ ПРОЦЕССЫ 11.1. Вероятности однофотонных процессов 261 11.2. Дипольные переходы [c.239]

Полосатые молекулярные спектры поглощения и излучения возникают при переходах между дискретными уровнями молекул. В точной постановке задача определения энергетических уровней молекулы не имеет решения и для учета взаимного влияния движения электронов и ядер, связи спиновых моментов с орбитальными и т. д. приходится опираться на приближенные методы, использующие характерные особенности внутримолекулярных взаимодействий. Вследствие заметной разницы в массах скорость движения электронов в молекулах велика по сравнению со скоростью движения ядер и стало быть электроны и ядра вносят неодинаковый вклад в полную энергию молекулы. При этом оказалось возможным отделить проблему определения энергии, связанной с движением электронов в поле ядер, от энергии собственно ядерного движения и учесть методами последовательных приближений взаимное влияние электронной (характеризующейся относительно большой частотой переходов) и ядерной (характеризующейся относительно малой частотой переходов) подсистем в молекуле. [c.849]

Предположим, что имеется разомкнутая цепь с двумя спаями разнородных металлов / и 2 (рис. 2.27, б). Если температуры обоих спаев различны, а температуры обоих концов цепи (точки and) одинаковы, то между этими концами существует разность потенциалов, называемая термоэлектродвижущей силой Ет- Возникновение e.j связано с граничными условиями в месте контакта двух разнородных металлов. Так как энергия Ферми этих металлов различна, то при установлении контакта электроны переходят из одного металла в другой. В результате на границе возникает электрический двойной слой, толщина которого соответствует межатомным расстояниям. Напряженность электрического поля в этом слое имеет такую величину, что изменение (скачок) электрического потенциала Аф равно разности энергий Ферми обоих металлов. [c.173]

Рассмотрим контакт металл - электронный полупроводник (рис. 3.21). Если напряженность внешнего электрического поля направлена так, как изображено на рис. 3.21, то прохождение электрического тока через контакт будет связано с переходом электронов из полупроводника в металл. Однако энергия электронов в зоне проводимости полупроводника больше, чем у электронов проводимости в металле. Поэтому электроны, переходя из полупроводника в металл, избыток энергии передадут кристаллической решетке в области контакта. В результате этого переход электронов из полупроводника в металл будет сопровождаться выделением тепла на контакте и его нагревом. [c.74]

Создадим в кристалле внешнее поле ё. На каждый электрон это поле действует с силой F = qS, которая стремится нарушить симметрию в распределении электронов по скоростям, пытаясь затормозить электроны, движущиеся против силы, и ускорить электроны, движущиеся в направлении действия силы. Подобное ускорение (замедление) неизбежно связано с изменением энергии электрона, т. е. с переходом электрона в новое квантовое состояние с большей или меньшей энергией. Такие переходы могут осуществиться, очевидно, лишь в том случае, если в энергетической зоне, к которой принадлежит электрон, имеются незанятые состояния, т. е. если зона укомплектована неполностью. В этом случае уже слабое электрическое поле способно сообщить электронам достаточный дополнительный импульс, чтобы перевести их на близлежащие свободные уровни. В теле появится преимущественное движение электронов против поля, обусловливающее возникновение электрического тока. Такие тела должны быть хорошими проводниками, что и имеет место в действительности. [c.153]

ЭПР, а переходов A5z = 0, Д/ =1 — ЯМР. Если приложить к образцу достаточно сильное перем. магн. поле с частотой ЭПР = Д/A, то электронные переходы можно насытить, т. е. выровнять населённости уровней, между к-рыми происходят соответствующие переходы ASi = 1, Д/г — 0), при этом Ni и Aj. [c.398]

Электронно-деформационный эффект обусловлен тем, что в твёрдых телах электроны (как валентные, так и свободные) в значит, мере определяют силы взаимодействия между атомами. Если под действием света происходит разрыв ковалентных связей (валентный электрон переходит в свободное состояние), то изменяются силы связи между атомами и возникают механич. напряжения нетепловой природы. При нестационарном освещении эти напряжения и создают звуковые волны. Тензор напряжений Oit пропорционален концентрации созданных светом неравновесных носителей заряда, поэтому электронно-деформац. механизм Ф. я. оказывается существенным в полу- [c.341]

При выводе (2.50) мы приняли, что векторы электрического поля и ди-польного момента параллельны, а частота лазерного фотона равна частоте электронного перехода П. Учитывая, что объем V, занимаемый лазерным излучением, можно представить в виде V = Set, где S — площадь сечения лазерного луча, at — длительность лазерного импульса, можно преобразовать формулу (2.50) к следующему виду [c.35]

Электронный луч представляет собой сжатый поток электронов, перемещающихся с большой скоростью от катода к аноду в сильном электрическом поле. При соударении электронного потока с твердым телом более 99 % кинетической энергии электронов переходит в тепловую, которая расходуется на нагрев этого тела. Температура в месте соударения может достигать 5000...6000 °С. [c.426]

Как видно, в электрическом поле и вследствие температурного градиента возникают разные неравновесные распределения электронов, и в связи с этим скорости релаксации в указанных двух случаях могут существенно различаться. Электрическое сопротивление появляется вследствие процессов рассеяния, стремящихся восстановить равновесное распределение в электрическом поле. В процессе рассеяния электрон из правой части фиг. 10.5, а переходит в левую, и его волновой вектор должен при этом существенно измениться. С другой стороны, когда отклонения от равновесия вызваны температурным градиентом, то возвращение к равновесию может происходить как вследствие процессов с большим изменением волнового вектора (при этом электроны переходят с заполненных уровней на свободные в противоположных сторонах фигуры), так и вследствие процессов с малым изменением волнового вектора и энергии (при этом электроны переходят с заполненных на свободные уровни в одной стороне фигуры). Поскольку область энергии вблизи ферми-поверхности, в которой функция распределения Ферми меняется от 1 до 0, имеет порядок АвТ , то этот же порядок имеют изменения энергии при последнем процессе и соответственно происходят малые изменения волнового вектора электрона. Как будет видно в дальнейшем, если сопротивление обусловлено главным образом рассеянием на [c.188]

Физический смысл явления Томсона заключается в следующем. Если в проводнике с током существует градиент температуры и направление тока соответствует движению электронов от горячего конца к холодному, то, переходя из более горячей области в более холодную, электроны передают избыточную энергию окружающим атомам, чем вызывают нагрев проводника (выделение тепла). При обратном направлении тока электроны, переходя из более холодной области в более горячую, отбирают энергию от окружающих атомов (поглощение тепла). Для более точного описания явления необходимо учесть тот факт, что в первом случае электроны тормозятся, а во втором — ускоряются полем ТЭДС. Это изменяет значение коэффициента Томсона, в некоторых случаях приводит к перемене его знака. [c.16]

Электронный луч представляет собой сжатый поток электронов, перемещающийся с большой скоростью от катода к аноду в сильном электрическом поле. При соударении электронного потока с твердым телом более 99 % кинетической энергии электронов переходит в тепловую, расходуемую на нагрев этого тела. Температура в месте соударения может достигать 5000—6000 °С. Электронный луч образуется за счет эмиссии электронов с нагретого в вакууме 133 (10 -i-10 ) Па катода У и с помощью электростатических и элек- [c.202]

Выше уже упоминалось, что задача о движении электрона в поле световой волны может рассматриваться квантово-механически. В результате этого получается почти такое же выражение, как и классическая формула (4.13), однако смысл сходных f6o3-начений будет в этом случае совсем иным. Здесь символ aik означает уже не частоты свободных колебаний различных квазиупругих электронов, а круговые частоты, соответствующие разрешенным переходам в атоме для одного и того же оптического (валентного) электрона, которые можно опре- " Л.с ниТпГборГ делить по известным правилам, впервые сформулированным Бором. Так, [c.145]

Процесс на рис. 9.4, г — комбинационное рассеяние (антистоксов компонент) электрон переходит с уровня 2 на уровень / переходы в поле излучения — уничтожается фотон с энергией oi, рождается фотон с энергией Аоза (при этом h(i32>E2—El). Согласно условию сохранения энергии, [c.223]

Трехфотонные процессы. На рис, 9.5 изображены шесть различных трехфотонных процессов. Процесс на рис. 9.5, а — трехфотонное поглощение-, электрон переходит с уровня / на уровень 2 переходы в поле излучения — уничтожаются три фотона с энергия1ми tio). Согласно условию сохранения энергии, [c.223]

Электрон переходит с уровня / на уровень 2 переходы в поле излучения — уничтожаются два фотона с энергиями i oi и A oj и рождается один фотон с энергией Ашя. Согласно условию сохранения энергии, [c.224]

Процесс на рис. 9.5, г— трехфотонный процесс, при котором рассеяние на электроне излучения с частотой ffli приводит к появлению излучений с частотами со г и сод. Электрон переходит с уровня 1 на уровень 2 переходы в поле излучения — уничтожается один фотон с энергией и [c.224]

Однако электроны проводнИ ОСти обладают не только па-Р Вмагнетизмом но и д и а м ад нет и з мо м (Л. Д. Ландау). Воздействие магнитного поля ра электронный газ сводится к тому, что из-за искривления траекторий электронов в поле проекция их движения на плоскость перпендикулярную магнитному полю, имеет вид замкнутых окружностей, т. е. носит периодический характер. При переходе к квантовой механике всякое классическое периодическое движение квантуется, поэтому при включенном магнитчЮ поле свободные электроны будут менять свою энергию и в. результате будет иметь место отличный от нуля диамагнитнйЙУЗ< ект [c.146]

Оптические и магнитооптические свойства. Ферриты обладают сравнительно высокой прозрачностью в ряде участков ближнего и далекого инфракрасного спектров. Ферриты-гранаты характеризуются лучшей прозрачностью, чем ферриты-шпинели. Так, в иттриевом феррите-гранате имеются окна прозрачности при длинах волн K>L<0,1 мм и 1<л<10 мкм между двумя этими областями наблюдается сильное решеточное поглощение. В редкоземельных ферритах-гранатах в первой области прозрачности могут наблюдаться поглощение при ферромагнитном резонансе (если поле анизотропии велико) в случае обменного резонанса редкоземельной подрешетки в поле железных подрешеток, а также электронные переходы между уровнями основного мультиплета редкоземельных ионов. Во второй области наблюдаются электронные переходы в редкоземельных ионах и (при более коротких длинах волн) электронные переходы в ионах яселеза в октаэдрических и тетраэдрических позициях. Ферриты-гранаты в видимой и ближней инфракрасных областях спектра обнаруживают значительный эффект Фарадея при распространении света вдоль вектора намагниченности и примерно такой же по модулю эффект Коттона — Мутона (магнитное линейное двупреломле-ние) при распространении света перпендикулярно вектору намагниченности fl09—110]. [c.708]

Как только плазма возникла, в ней начинает поглощаться лазерное излучение (обычно этому соответствуют температуры 5000-4- 12000 К). Поглощение в плазме обусловлено обратным тормозным эффектом, при котором свободный электрон погло щает фотон. Электрон переходит в более высокое энергетическое состояние непрерывного спектра. Для сохранения количества движения этот процесс должен происходить в поле иона,, атома или молекулы. На начальных стадиях пробоя число ионов мало, а температура газа остается низкой. Взаимодействие электрона с излучением происходит в этом случае в поле нейтрального атома или молекулы. Коэффициент поглощения связанный с обратным тормозным эффектом в системе, состоящей из нейтрального атома и свободного электрона, вычислен, например, для нейтрального водорода (в единицах СГС) [29] [c.103]

Контактное поле вызывает перемещение электронов в направлении к м-области, а дырок — к р-полу-проводнику. На границе образуется так называемый запорный слой с ничтолсно малой концентрацией носителей и, следовательно, низкой проводимостью толщина этого слоя порядка 10 см. Запорный слой образуется также на границе между металлом и р-полупроводником, если у первого работа выхода электронов меньше, чем у второго, или же на границе между металлом и п-полупроводником,если у первого работа выхода больше, чем у второго электроны переходят в металл и в п-полупроводнике у границы раздела появляется положительный объемный заряд. [c.176]

Однако с повышением температуры вследствие термического возбуждения электронов валентной зоны часть из них приобретает энергию, достаточную для преодоления запрещенной зоны и перехода в зону проводимости (рис. 5.6, б). Это приводит к появлению в зоне проводимости свободных электронов, а. в валентной зоне — свободных уровней, на которые могут переходить электроны этой зоны. При приложении к кристаллу внешнего поля в нем возникает направленное движение электронов зоны проводимости и валентной зрны, приводящее к появлению электрического тока. Кристалл становится проводящим. Чем меньше ширина запрещенной зоны и выше температура, тем больше электронов переходит в зону проводимости и тем выше должна быть электропровод- [c.154]

Г. э. наблюдается гл. обр. в т. н. многодолинкых полупроводниках, зона проводимости к-рых состоит из одной пиж. долины и одной или неск. верх, долин. Подвижность электронов в верх, долинах значительно меиыие, чем в шпк. долине. В сильных электрич. полях происходит ра.зогрев электронов (см. Горячие электроны) и часть электронов переходит из ниж. / долины в верхние, вследствие чего ср. подвижность носителей заряда и электропроводность падают. Это приводит к падению плотности тока с ростом Е в полях, превышающих нек-ров критич. поле itp. [c.415]

Полупроводники типа GaAs или 1пР в сильных электрич. полях позволяют реализовать характеристику А-типа в объёме материала за счёт зависимости подвижности электронов от напряжённости электрич. поля (Ганна эффект.). В сильном электрич. поле образец становится неустойчивым, переходит в резко неоднородное состояние — разбивается на области (домены) слабого и сильного поля. Рождение (на катоде), движение по образцу и исчезновение домена (на аноде) сопровождаются колебаниями тока во внеш. цепи, частота к-рых в простейшем случае определяется длиной образца L и скоростью V дрейфа электронов в поле (ш v L) и может достигать 100 ГГц. [c.514]

ПОЛЯРИМЁТРПЯ — оптич. методы исследования сред с естественной или наведённой магн. полем оптической активностью, основанные на измерениях величины вращения плоскости поляризации света с помощью поляриметров и спектрополяриметров. Поляри-метрич. и спектрополяриметрич, исследования сред с естеств. оптич. активностью используются для измерения концентрации оптически активных молекул в растворах (см. Сахариметрия), для изучения структуры молекул и кристаллов, межмолекулярных взаимодействий. идентификации электронных переходов в спектрах поглощения оптически активных систем, определения симметрии ближайшего окружения молекул в жидкости или в твёрдом теле и т, д. [c.76]

Яркой особенностью С. д., отличающей его от др. эффектов воздействия излучения на движение частиц газа, является то, что для возникновения направленного движения газовых компонентов не обязателен прямой или косвенный обмен импульсом и энергией между излучением и внеш. степенями свободы частиц газа. Особенно отчётливо это видно на примере сугубо радиационной релаксации возбуждённого состояния поглощающих частиц (что характерно для электронных переходов атомов) поглощённый частицей фотон в результате спонтанного испускания снова возвращается в поле излучения практически без изменения энергии. Т. о., энергия поступат. движения газовых компонентов черпается из тепловой анергии, а действие излучения, выступающего в роли своеобразного демона Максвелла, состоит в преобразовании хаотич. (теплового) движения частиц газа в упорядоченное (направленное) движение компонентов смеси. Неизбежное при этом уменьшение энтропии газовой подсистемы компенсируется увеличением энтропии второй подсистемы — излучения из упорядоченного (направленного) оно [c.469]

Глубина скин-слоя существенно зависит от проводимости о, частоты эл.-магн. поля о, от состояния поверхности. На малых частотах б велика, убывает с ростом частоты и для металлов на частотах оптич. диапазона оказывается сравнимой с длиной волны к 10 см. Столь малым проникновением эл.-магн. полни почти олным его отражением объясняется метадлич. блеск хороших проводников. На ещё больших частотах, превышающих плазменную частоту, в проводниках оказывается возможным распространение эл.-магн. волн. Их затухание определяется как внутризонныии, так и межзонными электронными переходами (см. Зонная теория). [c.541]

Если электронные переходы происходят в хорошо экранированных внутр. оболочках примесных атомов (напр., в атомах переходных и редкоземельных элементов), то константы электрон-фонояного взаимодействия и соответственно ширины полос оказываются малыми. Так, полоса поглощения центров окраски и обычных примесных центров имеет ширину 10 см" (при комнатной темп-ре). Линии поглощения в спектрах примесных редкоземельных ионов составляют 10 м . Эти переходы, как правило, осуществляются между уровнями одной конфигурации, расщеплёнными внутри-кристаллич. полем. При понижении темп-ры эти линии сужаются до ширины, определяемой неоднородным уши-рением, т. е. до долей см . Ушнрение, обусловленное электроя-фонопным взаимодействием, однородно, время т. н. поперечной релаксации —10 с. Неодно- [c.628]

Симметрия кристаллич. поля определяет выделенные направления дипольного момента переходов, к-рые проявляются в различии степени поляризации люминесценции кристаллов и коэффициентов поглощения света, поляризованного вдоль и перпендикулярно оптич. оси кристалла. Напр., в кристалле рубина решётка А1еОа представляет собой октаэдр, слегка деформированный вдоль пространственной диагонали, к-рая в этом случае является оптич. осью. Деформация приводит к тому, что поглощение света, падающего вдоль оптич. оси, в полосе 5500 Л оказывается в 2 раза больше, а в полосе 4000 А на 10% меньше, чем распространяющегося в перпендикулярном направлении. Изучение поляри-зац. характеристик С. к. позволяет определять симметрию решётки, пространственную структуру центров и ориентацию дипольных моментов, соответствующих электронным переходам центров, находящихся во внутрикристаллич. поле. [c.628]

Энергетический спектр электронов в чистом полупроводнике состоит из ряда зон. Первая — валентная зона и вторая — зона проводимости отделены друг от друга щелью, ширина которой Д имеет порядок величины (0,5—3) эВ. Более высокие зоны не играют никакой роли в физических явлениях в полупроводниках, и в дальнейшем мы их не рассматриваем. При температуре абсолютного нуля уровни нижней зоны полностью заняты электронами, а уровни зоны проводимости — свободны, так что кристалл не обладает проводимостью. С повышением температуры часть электронов переходит на уровни зоны проводимости, а в валентной зоне возникают вакантные места —, д1ырки . Под действием электрического поля электроны в верхней зоне могут теперь приобретать энергию и двигаться в направлении, противоположном полю, а дырки — в направлении поля. Кристалл приобретает проводимость — она называется собственной проводимостью, — которая является суммой электронной и дырочной проводимостей. [c.284]

На рис. 3. 2 сравнивается дисперсия света в различных средах. В вакууме Д"сперсии иет и о) = с/е, где с — скорость света. В диэлектрике с исключительно оптической поляризацией при всех частотах, включая оптический диапазон, скорость электромагнитных волн уменьшается в ]/е пт раз (v = ln), а закон дисперсии вплоть до УФ-волн имеет вид a — kln. При дальнейшем повышении частоты происходят, во-первых, индуцированные светом электронные переходы и возникает широкая область поглощения (см. рис. 3.12,6). Кроме того, в УФ-об-ласти электронная поляризация уже не успевает изменяться со скоростью электромагнитного поля, так что для достаточно жесткого излучения коэффициент [c.83]

Электретное состояние в диэлектриках может быть достигнуто и другими методами. Например, в магнитоэлектретах для создания поляризованного состояния используются одновременно электрическое и магнитное поля. Механоэлектреты получают при механической деформации некоторых диэлектриков — обычно растяжением полимерных пленок. Некоторые полярные полимеры при механическом растяжении поляризуются и приобретают нецентросимметричную структуру (поливинилиденфторид). Трибо-электреты возникают при трении двух различных диэлектриков два диэлектрика, находящиеся в соприкосновении, обладают разной работой выхода электронов, вследствие чего из диэлектрика с меньшей работой выхода электроны переходят в диэлектрик с большей работой выхода. [c.165]

В отношении механизма электронного перехода, связанного с экситонным поглощением, и модели самого экситона могут быть две альтернативы переход электрона в какое-то возбужденное состояние иона хлора или переход электрона с иона хлора на соседний ион щелочного металла. Совершенно бесспорно, что собственное поглощение щелочно-галоидных кристаллов обусловлено поглощением света ионами галоида. В связи с этим можно полагать, как и поступает Декстер [15] в своих вычислениях, что возбужденный электрон преимущественно связан с ионом галоида, возбужденное состояние которого подобно 3p 4sP состоянию. Стедует отметить, что для свободных отрицательных ионов водорода теоретически доказана возможность существования дискретных уровней энергии, расположенных ниже потенциала ионизации [23]. Напряженность поля, в котором находится избыточный электрон в отрицательном ионе водорода, падает более быстро с расстоянием по сравнению с кулоновским полем. Поэтому в таком поле может быть только ограниченное число дискретных состояний. [c.13]

Изложенные эксперименты дают основания полагать, что селективное поглошение в нерентгенизованных щелочно-галоидных фосфорах, активированных оловом, связано с электронными переходами в ионах олова. Поэтому при интерпретации спектров поглощения можно положить в основу схему уровней изолированных ионов Sn+ +, имея в виду их деформацию полем решетки основного вещества. [c.201]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...