Поле свободное

При отсутствии электрического поля свободные электроны перемещаются в кристалле металла хаотически. Под действием электрического поля свободные [c.151]

В обычных условиях газ между электродами является диэлектриком и не проводит электрический ток. Если быстрая заряженная частица проходит между электродами Л и /С, то газ в сосуде ионизируется, т. е. в нем создаются свободные электроны и положительные ионы. Под действием наложенного электрического поля свободные электроны и ионы придут в движение между электродами и в цепи возникнет ионизационный ток. Ток измеряется чувствительным гальванометром Г. [c.38]

При приложении к диэлектрику электрического поля свободные носители начинают ускоряться и таким образом возникает электропроводность. В соответствии с природой носителей заряда (электроны или дырки) рассмотренный механизм - электропроводности называют в общем случае электронным. Очевидно, что вследствие низкой концентрации электронов (дырок) электропроводность диэлектриков незначительна. Для различных веществ она колеблется от 10- ° до Ом -см . Необходимо отметить, [c.272]

Автор настоящей главы предположил [73, 79], что возрастание ДХ/Х при низких температурах объясняется нелинейными членами, которые должны появиться в более точном варианте теории Лондона благодаря поправкам второго порядка к волновой функции. Эти поправки дадут в выражении для плотности тока члены, квадратичные по полю. Свободная энергия сверхпроводящей пластинки толщины W в поле, параллельном ее поверхности, с точностью до членов четвертого порядка ио внешнему [c.739]

Жидкость с давлением р и расходом Q подводится в канал 1 и поступает в полый свободно перемещающийся в цилиндрической расточке поршень 2. При равенстве противодавлений в гидравлических цилиндрах 3 и 6 р1 потери давления в участках сети, подводящих жидкость к гидроцилиндрам, будут одинаковы, как в параллельно включенных трубопроводах (см. 6.4.2), т. е. PSй lQг = Pgй 2 2 равенстве сопротивлений параллельных [c.199]

В отсутствие внешнего поля свободные электроны и дырки находятся в равновесном состоянии и совершают (при температуре ТфО К) хаотическое движение в объеме полупроводника, средняя тепловая скорость носителей заряда и велика (например, при Т = 300 К1) м/с). [c.59]

Жидкость с расходом Q подводится в канал 1 и поступает в полый свободно перемещающийся в цилиндрической расточке поршенек 2. [c.199]

В большинстве диэлектриков электропроводность в основном бывает не электронная, а ионная вызванная движением в электрическом поле свободных ионов, появляющихся вследствие диссоциации находящихся в диэлектрике примесей и части молекул самого диэлектрика. [c.8]

Анализ ангармонического расширения [34] показывает, что чисто гидростатическое давление и напряжения любого вида (в том числе касательные) вызывают дилатацию, пропорциональную запасенной энергии. Следовательно, в случае и краевых, и винтовых дислокаций дилатация, обусловленная ангармоническими членами, пропорциональна энергии дислокации AWV W. Отсюда расчеты дают оценку увеличения объема А У ЗЬ /2 на отрезке длиной Ъ (вектор Бюргерса) вдоль дислокаций, хорошо согласующуюся с экспериментальными данными измерения дилатация в сильно деформированных металлах [6]. Хотя средняя по кристаллу величина дилатации невелика, локальные значения дилатации при краевых дислокациях (в отличие от винтовых) достигают большой величины, так что на этих дислокациях возникает электрический диполь [35] вследствие перераспределения электронов проводимости, обусловленного изменением гидростатического давления в окрестности дислокации [5]. Локальное возмущение самосогласованного поля свободных электронов, вызываемое появлением потенциала деформации с нарушением локальной электронейтральности, должно оказать влияние на различные физические процессы в крис-сталЛе [5]. В случае же винтовой дислокации гидростатическое давление связано только с ангармоническим расширением и мало [6]. [c.45]

Критерий Галилея (критерий полей свободного течения) [c.216]

Основным способом подачи СОЖ на режущие инструменты, работающие на АЛ, является, полив свободно падающей струей. СОЖ. как правило, [c.158]

Критерий полей свободного течения (критерий Галилея) [c.60]

В силу сказанного в видоизмененном лагранжиане автоматически возникают члены строго определ. структуры, описывающие взаимодействие полей, исходно входивших в со вновь введёнными калибровочными полями. При этом калибровочные поля осуществляют роль переносчиков взаимодействия между исходными полями, Конечно, поскольку в лагранжиане появились новые калибровочные поля, свободный лагранжиан должен быть дополнен членом, связанным с ними, и подвергнуться процедуре видоизменений, описанной выше. При точном соблюдении калибровочной инвариантности калибровочные поля отвечают бозонам с нулевой массой. При нарушении симметрии масса бозонов отлична от нуля, [c.605]

Широкое применение при пайке получил индукционный нагрев, прн котором под влиянием индукции быстроменяющегося электромагнитного поля свободные электроны в металлах и сплавах приобретают большое ускорение, а двигаясь в кристаллической решетке, обеспечивают их нагрев (джоулево тепло). [c.235]

Известно, что замкнутый цилиндр из электропроводного материала непрозрачен для электромагнитного поля, однако если сделать в этом цилиндре хотя бы один продольный разрез, то поле свободно проникнет внутрь. Поэтому металлические газоразрядные камеры для ВЧИ-плазмотронов делают разрезными или секционными. Специальные разрезные водоохлаждаемые металлические разрядные камеры обычно изготовляют из меди, т.е. из материала с хорошей электропроводностью. На рис. 4.6.4 представлены разные варианты конструктивных решений для секционных металлических газоразрядных камер, различающихся между собой числом секций и их формой. [c.445]

С помощью интерферометра можно исследовать физическую картину газовых течений. Интерференционная картина обтекания модели или поля свободного потока дает возможность определить распределение плотности, форму ударного фронта, структуру ударного слоя и его толщину, найти зависимости параметров потока От формы и характерного размера модели и т. д. [118]. [c.152]

Fq — свободная энергия при отсутствии поля. Свободная энергия есть функция температуры. При интегрировании предполагается, что диэлектрическая проницаемость 8 не зависит от индукции D (но мол<ет зависеть от температуры). [c.110]

Проверяют и регулируют провалы и растворы контактов, зазоры между штоками контактов и упорами поднятого пола, свободный ход штоков при наличии груза. [c.141]

Для оценки корреляционных членов в этих уравнениях можно предположить, что временная эволюция функций и /С определяется уравнениями для операторов поля свободных частиц. Тогда несложный анализ показывает, что корреляционные члены быстро осциллируют и отличны от нуля на самом раннем этапе эволюции, когда ( 1 о) и ( 2 — о) где — средняя энергия частицы. Таким образом, если система достаточно хорошо описывается в рамках модели квазичастиц, то для не слишком малых промежутков времени и 2 можно по-прежнему пользоваться соотношениями (6.3.93). В пространственно однородном состоянии, которое мы рассматриваем, из (6.3.94) следует, что [c.79]

Если в постоянное магнитное поле свободно поместить рамку, через которую течет переменный ток, то она начнет колебаться (рис. 7). Приравнивая нулю сумму моментов сил, действующих на рамку, можно получить уравнение ее колебаний [16] [c.297]

Однако электроны проводнИ ОСти обладают не только па-Р Вмагнетизмом но и д и а м ад нет и з мо м (Л. Д. Ландау). Воздействие магнитного поля ра электронный газ сводится к тому, что из-за искривления траекторий электронов в поле проекция их движения на плоскость перпендикулярную магнитному полю, имеет вид замкнутых окружностей, т. е. носит периодический характер. При переходе к квантовой механике всякое классическое периодическое движение квантуется, поэтому при включенном магнитчЮ поле свободные электроны будут менять свою энергию и в. результате будет иметь место отличный от нуля диамагнитнйЙУЗ< ект [c.146]

В диэлектриках свободными зарядами, которые перемещаются в электрическом поле и обусловливают электропроводность, могут быть ионы (положительные и отрицательные), молионы (в жидких диэлектриках), электроны и электронные вакансии (дырки), поля-роны. Такие свободные заряды образуются за счет нагрева диэлектрика, в результате которого происходит термическая диссоциация частиц, при воздействии на диэлектрик света или при его ионизирующем (радиационном) облучении. В сильных электрических полях возможна инжекция зарядов (электронов, дырок) в диэлектрик из металлических электродов заряды (ионы) могут инжектироваться в диэлектрик, если электродами служат вода или другая жидкость — электролиты, в которых имеются свободные положительные или отрицательные ионы наконец, в сильных электрических полях свободные заряды (ионы и электроны) образуются в дилектрике в результате ударной ионизации, когда свободные заряды, главным образом электроны, ускоряются в электрическом [c.137]

При приложении к кристаллу внешнего электрического поля свободные электроны будут перемещаться против поля (из-за отрицательного заряда), а дырки — в направлении поля. Но электроны, хотя и движутся в противоположном направлении, создают обычный ток, совпадающий с внешним приложенным полем. Следовательно, электронный и дырочный токи текут в одном и тоьг же направлении и поэтому складываются. [c.268]

При внесении неоднородных материалов в электрическое поле свободные электроны и ионы проводящих и полупроводящих включений перемендаются в пределах каждого включения, образуя боль-иие поляризованные области. В слоистых материалах на границах раздела слоев и в приэлектродных слоях может быть накопление зарядов медленно движущихся иорюв. [c.21]

В сверхпроводниках II рода внешнее поле свободно проникает внутрь даже при температурах ниже критической до тех пор, пока его магнитная индукция выше критического значения Вкр. При значениях магнитной индукции внешнего поля между Вкра и более низким уровнем Вкр1 проницаемость плавно меняется и становится меньше. При магнитной индукции поля ниже Вкр1 силовые линии поля полностью вытесняются, так же как у сверхпроводников I рода. Для большинства материалов II рода Вкр1 имеет весьма низкое значе- [c.233]

Напряженность поля Е в конденсаторе 1 до удаления диэлектрика можно было садтать складывающейся из напряженностей двух полей — поля заряда на пластинах (которое, очевидно, равно Е ) и поля связанных зарядов диэлектрика. После удаления диэлектрика остается только поле свободных зарядов на пластинах конденсатора. [c.262]

Применяют следующие способы подвода жидкости в зону обработки полив свободно падающей струей (при скорости струи 1—3 м/сек й среднем расходе 10—15 л/мин), струйное охлаждение (при подаче жидкости иод давлением 20—30 кГ1см и расходе 0,4—0,6 л/мин) распыление жидкости (при скорости струи до 300 м сек и расходе до 500 г/ч) контактное смачивание. [c.162]

Рис. 99. Способы подвода СОЖ при шлифовании а — полив свободно падающей струей б — струйное внезонное охлаждение в — схема установки для распыления жидкости г — подача жидкости через поры шлифовального круга I — для кругов шириной 8—10 л<л1 II — для подачи по всей ширине круга

Охлаждение кругов. Применяют следующие способы подвода жидкости в в зону шлифования (рис. 99) полив Свободно падающей струей (средний расход 0,8—1,5 л/мин на 1 мм высоты круга) внезонный подвод струи под давлением 20—30 кПсм (расход 0,4—0,6 л1мин) распыление жидкости со скоростью истечения до 300 м/сек (расход до 500 г/ч), через поры шлифовального круга контактное смачивание поверхности круга. В настоящее время для распыления применяют только масло индустриальное 20 и 1,5%-ную водную эмульсию. Некоторые составы смазывающе-охлаждаюпщх жидкостей, применяемых при шлифовании, приведены в табл. 184. [c.358]

Fr А/ d Т Ga Критерий подобия полей свободного течения (критерий Галилея) Является мерой отношения сил молекулярного трения и тяжести в потоке. В форме Gr = рАШа (критерий Грасгофа) характеризует взаимодействие молекулярного трения и подъемной силы, обусловленной различием плотностей в отдельных точках неизотермического потока [c.37]

В аксиоматич, подходе Уайтмена [предложен в 1956 А. С. Уайтменом (А. S. Wightman)] исходным физ, объектом служит взаимодействующее квантованное поло (поле, описывающее взаимодействия). В принципе это — ненаблюдаемая величина, являющаяся обобщением развитой ещё при зарождении КТП концепции квантованного поля свободных частиц. [c.35]

Влияние на атом электрич4ч ких и магнитных полей. А.— система электрически заряженных частиц, поэтому на него оказывают воздействие внеш. электрич. и магн. поля. Свободные А. не могут обладать постоян- [c.151]

ФЁРМИ-ГАЗ—газ из частиц с полуцелым (в единицах Л) спином, подчиняющихся квантовой Ферми—Дирака статистике. Ф.-г. из невзаимодействующих частиц наз. идеальным, а в отсутствие внеш. полей—свободным. К Ф.-г. относятся электроны в металлах и полупроводниках, газы из атомов с нечётным числом нуклонов (напр., Не) электроны в атомах с большими атомными номерами, изучаемые в Томаса—Ферми теории нуклоны в тяжёльсх сильно возбуждённых ядрах, описываемые в рамках статистической модели ядра элементарные возбуждения электронов, взаимодействующих с фононами в кристаллич. решётке, и т. д. (см. также Ферми-жидкость). [c.282]

Будем рассматривать оба конденсатора до разъеди нения как одну электростатическую систему. Мы мо жем теперь в рамках системы СГС определить смеще ние как напряженность поля свободных зарядов (т. е без учета поля связанных зарядов на проводниках которое обусловлено присутствием диэлектрика). Дей ствительно, согласно (7.97) смещение представляв собой поле смещенных зарядов, перераспределение ко торых между конденсаторами было вызвано введениед диэлектрика в конденсатор. [c.216]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...