Упругое рассеяние электронов на атомах

УПРУГОЕ РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ НА АТОМАХ [c.158]

Эффективное сечение перезарядки а есть отношение вероятности обмена электроном в единицу времени к плотности потока налетающих частиц А при единичной плотности частиц мишени. Сечение резонансной перезарядки обычно превышает сечение упругого рассеяния иона на атоме даже при тепловых энергиях столкновения. [c.425]

Дело в том, что ввиду закрепленности положений примесных атомов и упругости рассеяния электронов на них, вся задача о вычислении электрического тока может быть сформулирована в принципе как квантовомеханическая задача о движении электрона в некотором заданном сложном, но потенциальном внешнем поле. Для состояний электрона, определенных как стационарные состояния в этом поле, энергия не имеет неопределенности при Г = 0 электроны будут заполнять область состояний, ограниченную резкой ферми-поверхностью—но не в импульсном пространстве, а в пространстве квантовых чисел движения в этом поле. В такой постановке задачи условия типа (78,18) вообще не возникают. [c.398]

Упругое рассеяние. Электроны рассеиваются заметным образом как атомными электронами, так и ядрами. Когда электрон, массы покоя и скорости v проходит через атом, взаимодействие между его зарядом и центральным полем ядра вызывает отклонение или рассеяние электрона. Для каждого атома вероятность рассеяния на данный угол пропорциональна [c.44]

Комптон-эффект — упругое рассеяние кванта на свободном электроне — имеет место, когда энергия кванта значительно превышает энергию связи электрона. Часть энергии кванта передается электрону, который может быть выброшен из атома. При этом направление движения кванта может измениться на некоторый угол 0, а электрон тоже отклоняется от направления движения кванта на угол ф, в общем случае не равный 0. Вероятность комптоновского рассеяния пропорциональна количеству электронов в атоме, т. е. атомному номеру вещества. [c.171]

Основным механизмом взаимодействия быстрых нейтронов с веществом является упругое рассеяние на ядрах атомов. В среднем нейтрон передает атому мишени энергию, равную Е/А. Атомы средних или тяжелых элементов, получив энергию от быстрого нейтрона, движутся со скоростью, значительно меньшей скорости внешних орбитальных электронов, поэтому должна происходить не ионизация их, а потеря энергии в основном за счет упругих столкновений с другими атомами твердого тела. В результате только небольшая часть энергии нейтрона теряется на иони- [c.281]

Рассеяние на примесных атомах. При рассеянии на примесных атомах возмущение 67 обусловлено элект-рич. полем (если примесь заряжена) и деформацией решётки в окрестности примеси. Иногда нужно учитывать обменные силы и магн. момент примеси. В случае заряж, примесей (примесных ионов) в полупроводниках вклад в 67 от деформации решётки несуществен. Т. к. в полупроводнике р Ь(,1 изменение импульса электрона при упругом рассеянии мало, а это значит, что рассеяние на больших расстояниях (г оц) определяется сглаженным потенциалом 67(г). Такой потенциал не зависит от микроструктуры примеси и имеет кулоновский вид [c.276]

Упругие столкновения с атомами. Если предположить, что атом находится в покое перед столкновением (средняя скорость движения атомов на самом деле гораздо меньше средней скорости движения электронов), то электроны будут терять энергию при столкновениях. При помощи прямого расчета можно показать, что если направление движения рассеянного электрона случайно, то электрон в среднем теряет 2(т/Л/)-ную часть своей начальной энергии (где т — масса электрона, а iW — масса атома). При этом теряемая доля энергии невелика, поскольку мало отношение mIM (например, для атомов Аг т/М = 1,3-10 ). [c.134]

Прежде чем приступить непосредственно к вычислению проводимости, сделаем одно замечание. Мы отмечали а параграфе 5.1. первого тома (см. также приложение 5Б), что в теории электропроводности могут встретиться два предельных случая. В адиабатическом пределе средний импульс носителей заряда релаксирует значительно быстрее, чем устанавливается равновесное распределение частиц по энергиям или, как говорят, происходит термализация в системе. Такая ситуация возникает, например, в полупроводниках, когда концентрация электронов проводимости и дырок мала, а средний импульс носителей заряда быстро релаксирует из-за их упругого рассеяния на примесных атомах. Как мы видели в приложении 5Б, в адиабатическом пределе необходимо рассматривать процесс релаксации всех моментов одночастичной функции распределения, поскольку упругие процессы рассеяния сами по себе не приводят к установлению равновесного распределения частиц по энергиям. Относительно проще обстоит дело в изотермическом пределе, когда характерное время термализации носителей заряда значительно меньше времени релаксации их полного импульса. В этом пределе достаточно рассматривать лишь процесс релаксации первого момента одночастичной функции распределения, т. е. среднего импульса. В плазме ситуация близка к изотермической, поскольку сильное кулоновское взаимодействие между электронами быстро приводит к термализации электронной подсистемы. Важно подчеркнуть, что само по себе это взаимодействие не меняет полный импульс электронов, который релаксирует только за счет взаимодействия между электронами и ионами. Из-за эффектов экранирования в плазме электрон-ионное взаимодействие является относительно слабым и может быть учтено а рамках теории возмущений. [c.38]

Прежде чем приступить к математическим выкладкам, имеет смысл хотя бы кратко обсудить физическую сторону задачи. Важная особенность нелинейного процесса переноса заряда состоит в том, что он характеризуется несколькими временами релаксации. Электрон-электронное взаимодействие, описываемое оператором Я, приводит к термализации электронов за некоторое время релаксации Заметим, что это взаимодействие не меняет суммарный импульс электронов и их полную энергию. Поэтому, если не учитывать других взаимодействий, на достаточно грубой шкале времени состояние электронной подсистемы можно характеризовать средним значением полного импульса (Ре) и средней энергией HJK Релаксация импульса электронов обусловлена их взаимодействием с фононами и примесными атомами. Если температура не слишком велика, то в реальных полупроводниках характерное время релаксации импульса электронов г определяется, в основном, их упругим рассеянием на примесных атомах ). С повышением температуры возрастает роль электрон-фононного взаимодействия, которое приводит к релаксации как среднего импульса электронной подсистемы, так и средней энергии. Тогда вместо и г нужно использовать другие значения времен релаксации с учетом вклада электрон-фононного взаимодействия. В главе 5 первого тома (см. приложение 5Б) было показано, что следует различать изотермические (Tgg С г) и адиабатические (г > г) условия. В первом случае для описания состояния электронной подсистемы достаточно задать средние значения полного импульса и энергии, а во втором требуется более детальное описание, скажем, с помощью функции распределения электронов. [c.100]

Уравнения, подобные уравнению (1.15), можно непосредственно применять к случаю упругого взаимодействия быстрых электронов (с энергиями, превышающими 20 кэВ) с веществом, поскольку длины таких электронных волн меньше 10 и, таким образом, значительно меньше размеров атомов. Такие уравнения можно использовать и в случае рассеяния рентгеновских лучей или тепловых нейтронов (длины соответствующих волн порядка 1 А) на частицах вещества, которые по своим размерам значительно больше длины волны, т.е. в экспериментах по малоугловому рассеянию. Однако эти уравнения нельзя использовать в случаях рассеяния рентгеновских лучей на электронах или рассеяния нейтронов на ядрах. В таких случаях следует опираться на теорию рассеяния, которая соответствует несколько иным выводам из волнового уравнения электромагнитной теории или из основных постулатов квантовой механики. [c.23]

Эффект Рамзауэра - Т аунсенда. Рамзауэр исследовал (1921) упругое рассеяние электронов на атомах аргона при энергиях электрона от меньше чем одного до нескольких десятков [c.54]

Зависимость поперечного сечения упругого рассеяния электронол на атомах аргона от энергии электрона [c.54]

Упругие С. а. в газах иля слабоиоинзов. плазме определяются переноса процессами. Испытываемые частицами С. а.— акты рассеяния на др. частицах — препятствуют их свободному движению. Наиб, существенно на перемещение частицы влияют те С. а., в к-рых направление её двнжевня заметно меняется. Поэтому коэф. диффузии (перенос частиц), вязкости (перенос импульса), теплопроводности (перенос энергии) и др. коэф. переноса газа выражаются через эфф. сечение рассеяния атомов или молекул этого газа на большие углы. Аналогично подвижность ионов связана с сечением рассеяния иона на атоме или молекуле газа на большие углы, а подвижность электронов в газе или электропроводность слабоионизов. плазмы — с сечением рассеяния электрона на атоме или молекуле газа. [c.691]

Главный вклад в поглощение дают электроны, которые рассеиваются на довольно большие углы, так что они либо отрезаются краями апертуры объектива, либо не фокусируются или смещаются под влиянием сферической аберрации, о могут быть как упруго рассеянные электроны, так и электроны, неупруго рассеянные на тепловых колебаниях атомов или вследствие возбуждения атомных электронов. Для тонких образцов и не слишком больших апертур основной вклад в поглощение возникает за счет исключения упруго рассеянных электронов. На основании вывода функций поглощения для разупорядоченных материалов, проведенного Каули и Погани [91 ], Гринтон и Каули [171 ] показали, что в случае не слишком большой дефокусировки функцию поглощения можно записать в виде [c.295]

Изучалось также упругое рассеяние электронов на дейтронах. Из данных этих экспериментов может быть получена информация о самой дейтроппой системе, если предполагать известной Э. с. нуклонов. Сведения об электромагн. форм-факторе Сдц( 2) при малых д , точнее о среднеквадратичном радиусе распределения заряда в нейтроне, были получены из опытов по рассеянию медленных нейтронов на атомах. [c.464]

Комптон рассмотрел упругое рассеяние фотона на свободном покоящемся электроне (что является хорошим приближением для рассеяния фотонов рентг. лучей на атомных электронах лёгких атомов). При рассеянии фотон передаёт электрону часть энергии и импульса, что соответствует уменьшению частоты (увеличению длины волны) рассеиваемого света. Из законов сохранения энергии и импульса он нолучил ф-лу для сдвига длины волны [c.431]

Эксперим. измерения С. рассеяния дают сведения о структуре сталкивающихся частиц. Так, измерения угл. зависимости С. упругого рассеяния о -частиц атомами позволили открыть атомное ядро, а С. упругого рассеяния электронов нуклонами определить радиусы нуклонов и распределение в них электрич. заряда и магн. момента (т. н. эл.-магн, формфактори]. Изучение С. глубоко неупругих процессов рассеяния леп-тонов на нуклонах обнаружило составляющие их точечные частицы достаточно малых размеров — пар-тоны. [c.488]

Величина носит название эффективного сечения рассеяния для атома данного вещества и определяет рассеяние электронов на этом атоме на угол, больщий апертурного угла а. Очевидно, что в общем случае величиной а,, учитывается как упругое, так и неупругое рассеяние электронов. [c.7]

Для атомов тяжелых элементов можно считать, что рассеяние электронов на них носит в основном упругий характер. Это предположение тем точнее, чем больший порядковый номер в таблгще Менделеева имеет данный элемент. [c.110]

По упругому рассеянию электронов были также измерены формфакторы, а соответственно, и среднеквадратичные радиусы заряженных тг-и К-мезонов. Однако в этом случае постановку эксперимента пришлось обратить поскольку пионы и каоны не могут быть использованы в качестве мишеней, их нучки рассеивали на электронах в атоме, которые в данном случае можно считать свободными. Установки регистрировали как рассеявшиеся 7г(или К)-мезоны, так и выбитые из атома электроны. Отбирались события, соответствующие кинематике упругого рассеяпия пиопов (или каопов) заданной энергии на электронах. Эти эксперименты были впервые осуществлены на серпуховском ускорителе под руковод- [c.132]

Т. и. в С1)еде. Все приведенные выше ф-лы были рассчитаны для Т. и. электрона в поле изолированного атома и справедливы для сколь угодно больших энергий (точнее для тех энергий, длп к-рых доказана эк-снориментально справедливость квантовой электродинамики этим энергиям соответствует передача импульса на расстояниях 104 см). При прохождении электрона через слой вещества на эффект Т. и. иа одиночном ядре будут накладываться дополнит. эффекты, связанные со структурой среды, а также с различными возможными в среде процессами ионизационными потерями эпергии электрона, эффектами многократного упругого рассеяния электрона, процессами многократного излучения одним электроном и др. Это приводит к изменению формы сиектра и искажению углового распределения фотопов Т. и. [c.193]

При rjii = Ша, 0 = 0V2 и при rui < 0 = 0 эти две системы совпадают. В последнем случае это происходит потому, что можно пренебречь импульсом отдачи ядра. Хорошим примером, иллюстрирующим эти два случая, может служить процесс упругого рассеяния электронов низкой энергии на атомах (введение, рис. 2). [c.25]

Упругие С. а. определяют переноса явления в газах или слабоионизов. плазме. Испытываемые ч-цами С. а.— акты рассеяния на др. ч-цах — препятствуют их свободному движению. Наиболее существенно на перемещение ч-цы влияют те акты рассеяния, в к-рых направление её движения заметно меняется. Поэтому коэффициенты диффузии (перенос ч-ц), вязкости (перенос импульса), теплопроводности (перенос энергии) и др. коэфф. переноса газа выражаются через эфф. сечение рассеяния атомов или молекул этого газа на большие углы. Аналогично подвижность ионов (см. Подвижность ионов и электронов) связана с сечением рассеяния иона на атоме или молекуле газа на большие углы, а подвижность эл-нов в газе или электропроводность слабоиони-зованной плазмы — через сечение рас- [c.725]

Комптон обратил внимание на то, что первая и вторая закономерности весьма сходны с картиной упругого рассеяния частиц, где энергия рассеянной частицы отлична от первоначальной энергии и зависит от угла рассеяния (см. 19, п. 1). В связи с этим он предложил квантовую интерпретацию явления рассеяния, согласно которой рентгеновские лучи надо рассматривать как поток частиц-фотонов, упруго рассеивающихся на других частицах —электронах. Так как электроны содержатся во всех атомах и для них выполняется условие Ef > Ее (связь с атомом несущественна), то рассматриваемый процесс можяо описать в любой среде как рассеяние фотона на свободном электроне. В связи [c.247]

МАГНИТНАЯ НЕЙТРОНОГРАФИЯ — исследование атомной магн. структуры кристаллов методами упругого когерептного рассеяния медленных нейтронов, длина волны к-рых порядка межатомных расстояний в кристалле (>. 10" мкм, см. Дифракция нейтронов). Наличие у uoiiTponOB магн. момента приводит к тому, что наряду с рассеянием нейтрона на атомных ядрах происходит т. U. магв. рассеяние, обусловленное в.заи-модействием магн. момента нейтрона с магн. моментами электронных оболочек атомов. [c.656]

В отличие от поглощения, при рассеянии Р. и. фотоны изменяют направление движения и могут потерять лишь часть своей энергии. При когерентном (упругом) рассеянии Р. и. энергия фотонов не изменяется, ио после рассеяния они движутся в др. направлении (рэлеев-ское рассеяние). Некогерентное (неупругое) рассеяние с уменьшением энергии фотонов Р. и. может быть двух типов корпускулярное (см. Комптона эффект) и комбинационное. При корпускулярном рассеянии происходит обмен импульсами между электроном атома и фотоном, в результате чего энергия фотона уменьшается на величину, зависящую от угла рассеяния, а из атома вылетает электрон отдачи. При комбинац. рассеянии за счёт части энергии фотона атом испускает электрон. Потеря энергии фотона в этом процессе от угла рассеяния не зависит. Обычно вероятность комбинац. рассеяния значительно меньше вероятности корпускулярного рассеяния однако если комбинац. рассеяние происходит на одном из электронов -оболочки, а энергия фотона совпадает с энергией электронов АГ-оболочки (с точностью до ширины -уровня), то наблюдается резонансное комбинационное рассеяние Р, и,, вероятность к-рого повышается на нёск. порядков величины и значительно превосходит вероятность корпускулярного рассеяния. В области малых Av и Z преойпадает когерентное рассеяние, при больших Av и Z — некогерентное рассеяние. В результате интерференции когерентно рассеянного [c.375]

С помощью Э. в. осуществляется взаимодействие положительно заряженных ядер и отрицательно заряженных электронов в атомах и молекулах. Тем самым Э. в. определяет (на основе законов квантовой механики) возможность устойчивого состояния таких микроскопич. систем. Размеры и существ, образом определяются величиной электрич. заряда электрона (так, Бора радиус равен где —масса электрона). Эл.-магн. природу имеют фотоэффект, явления ионизации и возбуждения атомов среды быстро движущимися заряж. частицами, процессы расщепления ядер фотонами, реакции фоторождеиия мезонов, радиационные (с испусканием фотонов) распады элементарных частиц и возбуждённых состояний ядер, упругое и неупругое рассеяние электронов и мюонов на ядерных мишенях и т. п. [c.540]

Наиб, важное квантовое свойство всех Э. ч.—их способность рождаться и уничтожаться (испускаться и поглощаться) при взаимодействии с др. частицами. В этом отношении они полностью аналогичны фотонам. Э. ч.— это специфич. кванты материи, более точно—кванты соответствующих полей физических. Все процессы с Э. ч. протекают через последовательность актов их поглощения и испускания. Только на этой основе можно понять, напр., процесс рождения я -мезона при столкновении двух протонов (р+р->р+п+тс ) или процесс аннигилящси электрона и позитрона, когда взамен исчезнувших частиц возникают, напр., два у-квакта (е -f-e - у-(-у). Но и процессы упругого рассеяния частиц, напр. е +р->е +р, также связаны с поглощением нач. частиц и рождением конечных частиц. Распад нестабильных Э. ч. на более лёгкие частицы, сопровождаемый выделением энергии, отвечает той же закономерности и является процессом, в к-ром продукты распада рождаются в момент самого распада и до этого момента не существуют, В этом отношении распад Э, ч. подобен распаду возбуждённого атома на осн. состояние и фотон. Примерами распадов Э. ч. могут служить [c.598]

Далеко не ясно, в какой мере элементарные частицы являются первичными элементами материи. В начале 30-х годов, когда был открыт "нейтрон и установлено, что ядро состоит из протонов и нейтронов, было введено понятие элементарные частицы . До сих пор эти частицы не удалось разделить на более мелкие части. Однако было бы неправильно считать, что элементарные частицы представляют собой неделимые элементы материи, так же как неправильно было в свое время мнение о неделимости атома. Наличие структуры у элементарных частиц не вызывает сомнений. Например, изучение картины упругого рассеяния пи-мезона и электрона на нуклоне приводит к выводу о том, что нуклон состоит из трех областей центральной части или керна нуклона (радиус Ю см), пи-мезонной атмосферы нуклона (радиус см) и пи-мезонной стратосферы нукло- [c.449]

По мере повышения температуры число и амплитуда колебаний кластеров одновременно увеличиваются, так что уже вблизи точки плавления кристалл оказывается раздробленным на мелкие структурно упорядоченные атомные группировки, окруженные бесструктурными прослойками атомов. Это и является причиной наблюдаемых аномалий предплавления. Точка плавления определяется переходом от колебательного к броуновскому движению кластеров, когда прослойки между ними увеличиваются настолько, что упругое взаимодействие кластеров становится невозможным. При этом области когерентного рассеяния электронов, нейтронов и рентгеновских лучей разрушаются, а дифракционная картина показывает широкие гало, обусловленные самостоятельно движущимися кластерами. [c.216]

В начальной стадии прохождения высокоэнергетического иона через вещество преобладает рассеяние на электронных оболочках атомов мишени. С уменьшением энергии иона доминируютдим оказывается вклад ядерного торможения. При использовании легких ионов потери энергии в упругих и неупругих взаимодействиях сопоставимы при энергии иона 10 —10 эВ. На рис. 3.2 приведены результаты расчета на ЭВМ энергетических потерь в ядерных и электронных взаимодействиях при бомбардировке титана ионами с энергией 40 кэВ. До тех пор пока энергия иона составляет несколько килоэлектронвольт и выше, расстояние между отдельными ядерными процессами достаточно велико, чтобы анализ взаимодействий можно было вести в рамках теории изолированных бинарных столкновений, т. е. серии случайных событий. При дальнейшем уменьшении энергии иона расстояние между отдельными столкновениями уменьшается настолько, что приближение бинарных столкновений становится неприменимым. Необ одим анализ соударений многих тел, развиваемый в рамках теории молекулярной динамики. Рассеяние энергии в неупругих взаимодействиях обычно рассматривается как непрерывный процесс, для описания которого используются аналитические зависимости ссчския от энергии иона. [c.78]

В результате взаимодействия нейтронов с ядрами появляется вторичное излучение в виде у-квантов, протонов отдачи (особенно При упругом рассеянии на ядрах водорода), а-ча-стиц (ядер гелия) и продуктов радиоактивности образующихся изотопов (из которых наиболее существенны, с точки зрения воздействия на орбитальные электроны, изотопы с небольшим периодом полураспада). Эти вторичные излучения взаимодействуют с электронами атомов (молекул) вещества и вызывают собственно химические изменения, наблюдаемые в процессе и после облучения полимерных электроизоляционных материалов. При испытаниях образцов материалов толщина их не превышает обычно нескольких миллиметров, поэтому для взаимодействия ИИ по всей глубине-образца обычно бывает достаточно энергии электронов до 20 МэВ и протонов до W0 МэВ. Применение заряженных частиц с энергией менее 10 МэВ не вызывает наведения радиоактивности и дает возможность работать с образцами без какого-либо ограничения. Проникающая способность у-квантов и нейтронов (не имеющих зарядов) наибольшая, поэтому часто при испытаниях применяются источники у-квантоБ. [c.314]

Дополнительным аргументом в пользу определяюш ей роли перерассеяния фотоэлектрона на атомном остове явились результаты эксперимента 7.60], в котором наблюдался процесс надпороговой ионизации атома водорода. Условия проведения этого эксперимента были аналогичны описанным выше условиям экспериментов с многоэлектронными атомами. Использовалось излучение с частотой 2 эВ и интенсивностью до I = Ю Вт/см при длительности импульса в 40 фс. Зарегистрированные при этом электронные энергетические спектры суш ественно отличаются от описанных выше — не наблюдается явно выраженное плато и нет быстрых электронов. Причина состоит в том, что в данном случае (е — 2е)-процесс невозможен из-за отсутствия второго электрона, а упругое рассеяние назад быстрого (единственного) электрона атома водорода имеет малое сечение. [c.194]

Первое, на что надо обратить внимание, это на тесную взаимосвязь та ких феноменологически различных процессов, как образование фотоэлек тронов при надпороговой ионизации, отклонения от каскадной ионизации атомарных ионов в туннельном режиме (разд. 9.3) и генерация высоких оптических гармоник (гл. XI). Эта взаимосвязь обусловлена тем, что в основе всех этих процессов лежит эффект перерассеяния электрона, вырванного из атома, на атомном (ионном) остове. Результатом процесса перерассеяния может быть упругое или неупругое рассеяние электрона (при надпороговой ионизации) или рекомбинация электрона в исходное атомное состояние с испусканием спонтанного фотона большой частоты (генерация высоких гармоник). [c.195]

Теперь обратимся к разделу 3.5, в котором рассмотрен эффект воздействия переменного поля на свободный электрон. Из материала, приведенного в этом разделе, следует, что после примерно половины периода колебаний поля электрон, вернувшийся в точку образования, имеет максимальную энергию шах = ЗД7 кол, где кол = F /Аш — средняя (за период) энергия свободного электрона в поле электромагнитной волны. Эффектом второго возвращения электрона после упругого рассеяния мы пренебрегаем ввиду весьма малой вероятности этого процесса. Исходя из приведенной величины шах и OДFa получим энергию рассеивающего электрона щах > Еа, где Еа — атомная единица энергии. Имея в виду резкую (квадратичную) зависимость от напряженности поля F, ясно, что всегда могут реализоваться самые различные процессы неупругого рассеяния ускоренного полем электрона на атомном остове, так как величина Fjnax может быть больше или много больше энергии связи электрона в атомах и их ионах (во всяком случае, при не слишком большом заряде иона). [c.234]

Наличие рассеянных (в т о р и ч н ы х) Р. л. указывает на необходимость работающим с Р. л. защищать себя от действия не только прямого пучка Р. л., но и от вторичных лучей, рассеянных предметами, на к-рые падают пе рвйчныеР.л. (напр, стены). Спектральный состав вторичных Р. л. в основе совпадает с составом первичных, отличаясь однако рядом особенностей. В спектре вторичных лучей кроме линий, имеющихся в спектре первичных, заметны линии, несколько смещенные в сторону длинных волн (эффект Ком-пт о н а), а также линии, характерные для рассеивающего вещества (радиатора). Эффект Комптона объясняется с квантовой точки зрения след, образом. Столкновение кванта с электроном рассматривается как столкновение упругих шариков. Если электрон слабо связан, то по законам упругого удара он испытает явление отдачи и вылетит за пределы атома (электроны отдачи). Отразившийся от него квант потеряет при этом часть энергии, а так как энергия кванта е связана с частотой соотношением то длина волны Л должна при этом увеличиться. Изменение АЯ (в А) связано с углом рассеяния 6 соотношением [c.309]

Взаимодействие между Ф. позволяет объяснить тепловое расширение, различие и темн-рное изменение удельных теплоемкостей при постоянном давлении (6 р) и постоянном объеме (С ,), зависимость упругих постоянных от темп-ры и давления. При этом смещения из положения равновесия по-прежнему предполагаются малыми по сравнению с межатомными расстояниями. В обычных кристаллах это условие выполняется вплоть до точки плавления. На языке взаимодействия с с]), могут быть сформулированы многие задачи о взаимодействии различного рода излучений с колеблющимися атомами кристалла (рассеяние нейтронов и рентгеповских лучей, Мессбауэра эффект, инфракрасное поглощение и т. д.), а такл е рассеяние электропов на тепловых колебаниях решетки в Л1с-та.глах и полупроводниках. Только учет электрон-фононного взаимодействия позволил объяснить сверхпроводимость. [c.332]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...