Эффект экранирования

Во-вторых, даже если принять какой-то приближенный и упрощенный закон ядерного взаимодействия, то и в этом случае квантовомеханическая задача о ядре весьма громоздка, число ее независимых переменных равно числу степеней свободы (ЗЛ, не учитывая спиновой переменной). Здесь возникают значительно большие трудности по сравнению с теми, с которыми мы встречаемся при решении задачи об атоме. В атоме имеется динамический центр — ядро, взаимодействие электронов с которым играет основную определяющую роль. Взаимодействие электронов друг с другом может быть сведено к эффекту экранирования действия заряда ядра. Электроны атома движутся в сферически симметричном поле ядра, которое удается представить некоторым скалярным потенциалом V (г), являющимся функцией только расстояния г от ядра. Сферическая симметрия поля ядра и сравнительно простой вид потенциала V (г) существенно облегчает решение квантовомеханической задачи (например, решение уравнения Шредингера) об атоме, основанное на оболочечной модели атома. В атомном же ядре, учитывая совокупность известных фактов, нет выделенного центрального тела, так как все нуклоны, входящие в ядро, равноправны. [c.170]

Заметим, что разогрев электронного газа наблюдается в полупроводниках и практически не имеет места в металлах. Причиной этого является невозможность создать в металле сильные поля из-за высокой концентрации свободных электронов и эффекта экранирования. [c.256]

Приложение 4. Учет эффектов экранирования [c.117]

В используемом здесь приближении зависящая только от объема часть энергии включает в себя энергию свободного электронного газа, состоящую из вкладов кинетической, обменной и корреляционной энергий (3.52), (3.53), (3.54), а также первого порядка теории возмущений (5.47). Однако поскольку плотность электронов вблизи иона будет искажена эффектом экранирования, необходимо в качестве среднего значения (5.47) использовать сумму средней величины потенциальной энергии электрона в поле иона и экранирующих электронов. Выше говорилось, чта псевдопотенциал вне остовной части равен —Ze /r. Поскольку экранирующие электроны полностью его экранируют, то это означает, что вне остовной части их потенциальная энергия соответственно равна 2е2/л, и в этой области оба обсуждаемых вклада компенсируют друг друга. Поэтому потенциальную энергию необходимо усреднить только по объему остова. [c.120]

Зная величину К , проектируют обеспечивающую его конструкцию экранного заземления с учетом сопротивления одиночного электрода, его размеров и эффекта экранирования. [c.48]

При очень высоких плотностях мощности (более 10 Вт/см ) потерями энергии, обусловленными теплопроводностью, можно пренебречь. Падающее на поверхность излучение поглощается в тонком слое материала и вызывает быстрое испарение вещества. При лазерном излучении толщина поглощающего слоя приблизительно равна 1 мкм. Если пары удаляются с поверхности достаточно быстро и эффект экранирования пренебрежимо мал, скорость испарения связана с плотностью потока q простым соотношением [c.130]

При толщине скин-слоя (d I мкм) для <7 = 3-10 Вт/см и L = 3 10 Дж/см это время согласно (124) будет равно/ц = 10 с. Как видно из примера, пары материала образуются за очень малое время, и поэтому на последующих стадиях процесса нужно учитывать эффект экранирования падающего излучения, который состоит в том, что пары материала поглощают падающее излучение. Экранирование излучения парами приводит к уменьшению количества испаренного материала. В [113] показано, что при малых значениях q формула (123) верна, в то время как при больших плотностях мощности [c.130]

Применение твердотельных лазеров для сварки металлов малых толщин позволяет производить обработку с большими скоростями по сравнению с применением СОг-лазеров той же мощности, что объясняется более эффективным поглощением металлами излучения с меньшей длиной волны. При импульсном режиме излучения лазера скорость обработки меньше, чем при непрерывном, но в этом случае эффективность использования энергии, а соответственно, и КПД процесса сварки гораздо выше, что связано с отсутствием эффекта экранирования излучения. [c.246]

Эффект экранирования тонкостенных элементов изделия прн печной пайке можно устранить также применением печей с принудительной циркуляцией газового теплоносителя. [c.235]

Что касается введения в качестве ингибиторов добавок молекулярного типа, то их эффективность зависит от того, как ориентируются диполи в двойном слое. Если молекулы при адсорбции ориентируются положительными концами в сторону металла, возникает положительный адсорбционный скачок потенциала, повышается перенапряжение водорода и уменьшается коррозия. Если же они ориентируются таким образом, что к металлу обращены их отрицательные концы, возникает отрицательный адсорбционный скачок потенциала, который должен наподобие добавки анионного типа снижать перенапряжение водорода. При использовании добавок молекулярного типа эффекты экранирования или снижения напряженности электрического поля, благодаря увеличению толщины двойного слоя, могут иногда быть значительными. В результате эффект, возникающий от определенной ориентации ингибитора в двойном слое, может быть перекрыт. В связи с этим молекулярные добавки, ориентированные своим отрицательным концом в сторону металла, могут оказаться также хорошими ингибиторами. [c.119]

Уравнения (3.1.17) содержат два параметра параметр Л = фо/ту определяющий интенсивность взаимодействия по сравнению со средней кинетической энергией частиц, и безразмерную плотность п = пгц. Эти параметры позволяют выделить два характерных случая, для которых можно использовать теорию возмущений. В первом случае Л С 1, п = 1, что соответствует системе со слабым взаимодействием, во втором Л = 1, п 1, что соответствует газу малой плотности. Плазма требует специального рассмотрения, так как кулоновское взаимодействие имеет бесконечный радиус действия, в связи с чем необходимо учитывать эффекты экранирования. Кинетические свойства плазмы мы обсудим в параграфе 3.4. [c.168]

Мы оборвем цепочку уравнений для корреляционных матриц, полагая (t) = О в уравнении (4.3.7), т. е. пренебрегая неприводимыми трехчастичными корреляциями. Это приближение можно назвать приближением парных корреляций. Не следует, однако, понимать это название слишком буквально, в том смысле, что все прочие корреляции никак не учитываются. Мы видели, например, что многочастичные эффекты экранирования в плазме в хорошем приближении можно описать на языке парных корреляций. [c.285]

Как уже отмечалось, для систем с короткодействующим потенциалом в правой части уравнения (4.3.7) можно пренебречь матрицей которая описывает эффекты экранирования. Мы не будем также учитывать многочастичные обменные эффекты и поэтому опустим матрицу (4.3.14). Тогда уравнение для парной корреляционной матрицы принимает вид [c.291]

Прежде чем перейти к выводу формул линейной реакции, сделаем одно замечание. Напомним, что коэффициент электропроводности (или проводимость) определяется как коэффициент пропорциональности между плотностью тока и средним полем в среде или, в случае дисперсии, как коэффициент пропорциональности между их пространственными и временными фурье-компонентами. Однако среднее электрическое поле Е в среде не равно, вообще говоря, внешнему полю из-за эффектов экранирования, возникающих благодаря кулоновскому взаимодействию между заряженными частицами. Таким образом, для определения проводимости нужно знать, как связано внешнее поле со средним полем. Обычно используются два подхода к этой проблеме. [c.357]

В первом подходе кулоновское взаимодействие учитывается неявно через введение экранировки взаимодействия частиц, как это делается, например, в электронной теории металлов [16]. Чтобы не учитывать эффекты экранирования дважды, среднее поле в среде берется равным внешнему полю, т. е. Е = Е . [c.357]

Прежде чем приступить непосредственно к вычислению проводимости, сделаем одно замечание. Мы отмечали а параграфе 5.1. первого тома (см. также приложение 5Б), что в теории электропроводности могут встретиться два предельных случая. В адиабатическом пределе средний импульс носителей заряда релаксирует значительно быстрее, чем устанавливается равновесное распределение частиц по энергиям или, как говорят, происходит термализация в системе. Такая ситуация возникает, например, в полупроводниках, когда концентрация электронов проводимости и дырок мала, а средний импульс носителей заряда быстро релаксирует из-за их упругого рассеяния на примесных атомах. Как мы видели в приложении 5Б, в адиабатическом пределе необходимо рассматривать процесс релаксации всех моментов одночастичной функции распределения, поскольку упругие процессы рассеяния сами по себе не приводят к установлению равновесного распределения частиц по энергиям. Относительно проще обстоит дело в изотермическом пределе, когда характерное время термализации носителей заряда значительно меньше времени релаксации их полного импульса. В этом пределе достаточно рассматривать лишь процесс релаксации первого момента одночастичной функции распределения, т. е. среднего импульса. В плазме ситуация близка к изотермической, поскольку сильное кулоновское взаимодействие между электронами быстро приводит к термализации электронной подсистемы. Важно подчеркнуть, что само по себе это взаимодействие не меняет полный импульс электронов, который релаксирует только за счет взаимодействия между электронами и ионами. Из-за эффектов экранирования в плазме электрон-ионное взаимодействие является относительно слабым и может быть учтено а рамках теории возмущений. [c.38]

Абсолютная величина эффективного сечения имеет тот же порядок, что и сечение тормозного излучения. При больших энергиях 1п заменяется константой благодаря эффекту экранирования поля ядра электронами атома. [c.153]

Экранирование помогает направить звук, но следует помнить, что звук дифрагирует, обходя экран, и что этот эффект увеличивается с понижением частоты (см. рис. 34). Экран, поверхность которого обращена к источнику, сильно поглощает звук, что несколько снизит дифракцию, но было бы неразумно рассчитывать на больший эффект экранирования, чем на 5—6 дБ при частотах выше 500 Гц ниже же этой частоты мало на что можно рассчитывать. Эффект экранирования сильно зависит от расположения источника и приемника (поскольку от этого зависит угол погружения в акустическую тень), а также от эффективной высоты экрана. Звук, выходящий из-за края экрана, как бы создается длинной линией источников, а звук с обеих сторон экрана приведет к появлению интерференционной картины (как на рис. 35), в которой даже при случайном шуме эффект экранирования окажется зависящим от направления. [c.261]

Интенсивность изнашивания обычно возрастает прямо пропорционально плотности потока [6]. Однако при достижении определенной критической плотности потока в нем возрастает число соударений частиц и происходит их дробление кроме того, возникает эффект экранирования поверхности отскакивающими частицами и. их осколками, что приводит к снижению интенсивности изнашивания. [c.9]

Эффект снижения интенсивности изнашивания проявляется не для всех материалов. Для некоторых резин и пластмасс эффекта экранирования не наблюдается. [c.9]

Таким образом, отщепление и окисление в сополимере менее термостойких групп (экранирующих) приводит к повышению температуры отщепления и деструкции других более термостабильных заместителей. Мерой экранирования более термостойких групп в кремнеорганических сополимерах является сдвиг на термограммах температуры второго экзотермического эффекта. В сополимере ЭФ-5 эффект экранирования вызывает повышение температуры деструкции фенильных групп примерно на 80°. [c.105]

Пятая особенность сильно легированных полупроводников связана с ролью экранирования поля заряженных атомов примеси. Причины, вызывающие эффект экранирования, могут быть различными перераспре Деление свободных носителей заряда в пространстве, преимущественное расположение отрицательно заряженных ионов примеси около положительных (в случае компенсации) и т. д. Рассмотрим следствия из этого факта. [c.123]

Данное уравнение показывает, что упругая энергия полностью хаотических массивов дислокаций равна сумме энергий дислока-дий, из которых состоят эти массивы. Это означает, что в данном случае отсутствует эффект экранирования напряжений. Это утверждение также справедливо для произвольно ориентированных векторов Бюргерса дислокаций [208]. [c.106]

Величина 1В0зникающей вследствие эффекта экранирования ошибки определяется величиной отсекаемого диафрагмой потока излучения и вычисляется по формуле [c.445]

Д. с. п. заряженных частиц (электронов и ионов). При класспч, рассмотрении понятия полного эффективного сечения и Д. с. п. по отношению к упругим столкновениям ааряж. частиц теряют смысл, поскольку за-ряж. частицы взаимодействуют между собой на сколь угодно бо,1ьших расстояниях г. Квантован механика, основываясь на соотношениях неопределенностей, даёт конечное значение для о и если взаимодействие убывает быстрее, чем 1/г . В плазме существен эффект экранирования кулоновского поля заряда на расстояниях, определяемых дебаеоспи.ч радиусом экранирования. [c.704]

Т. о., кинетич. ур НИЛ и ур-ння Максвелла образуют связанную систему ур-ний, определяющих все неравновесные явления Б плазме. Такой подход наз. приближением самосогласованного поля. При этом столкновения между электронами учитываются не явно, а лишь через создаваемое ими самосогласованное поле (см. Нинетические уравнения для плазмы). При учёте столкновений электронов возникает кинетич. ур-ние, в к ром эфф. сечение столкновений очень медленно убывает с ростом прицельного расстояния, становятся существенными столкновения с малой передачей импульса, в интеграле столкновений появляется логарифмич. расходимость. Учёт эффектов экранирования позволяет избежать этой трудности. [c.355]

В качестве примера теории неидеального Ф.-г. рассмотрим явление сверхпроводимости на основе Бардина — Купера— Шриффера модели (БКШ модели).В сверхпроводнике электроны с противоположно направленными спинами и импульсами вблизи поверхности Ферми испытывают притяжение вследствие кваЕггового обмена фононами. Если величина этого притяжения больше, чем влияние кулоновского отталкивания между электронами (уменьшенного вследствие эффекта экранирования), то возможно образование коррелированных пар электронов с противоположно направленными импульсами и спинами (т. н. куперовских пар), что является причиной перехода металла в сверхпроводящее состояние. [c.282]

Для соединений А В с решёткой ZnS исследованы разл, магн. взаимодействия и их влияние на второй момент спектральной линии. Аналогичные расчёты позволили оценить концентрацию собств. дефектов в GaAs, установить их вид, место нахождения и заряд [10]. Изучение влияния примесей на форму спектров ЯМР позволяет определить положение примесей в решётке и их концентрации, а также влияние примесей на эффекты экранирования градиентов электрич. полей в кристалле. [c.678]

Выравнивание потенциала по поверхности землп в результате эффекта экранирования внутри замкнутых контуров из горизонтальных электродов используется на территориях открытых подстанций для снижения напряжений прикосновения и шага. [c.26]

В зависимости от того, как изменяется г1з1-потенциал, можно ожидать при адсорбции органических соединений как усиления коррозии, так и ее замедления. В тех случаях, когда в результате адсорбции возникает положительный адсорбционный потенциал, эффект экранирования поверхности 9 суммируется с эффектом из- [c.142]

Выражение (4.3.26) представляет собой обобщение интеграла столкновений Ландау на квантовый случай. Недостатки у квантового интеграла столкновений Ландау те же, что и у классического, — расходимости при малых и больших волновых числах к, поэтому в практических расчетах приходится вводить ограничение (3.4.36) на волновые числа. Чтобы учесть эффекты экранирования в марковском приближении, нужно найти стационарное решение полного уравнения (4.3.24). Это можно сделать несколькими способами (см. [90, 166] и задачу 4.12), однако здесь мы не будем останавливаться на этой чисто математической задаче. Как можно было ожидать, эффекты поляризации, описываемые двумя последними членами в (4.3.24), приводят к регуляризации куло-новского потенциала при малых к. Вместо формулы (4.3.27) для вероятности перехода теперь имеем [c.287]

Квантовое уравнение Энскога. Мы применим теперь квазирав-повеспый статистический оператор (4.3.35) для вывода кинетического уравнения в рамках приближения парных корреляций, сформулированного в разделе 4.3.1. Для определенности будем считать, что система описывается гамильтонианом (4.3.32) или, что то же самое, гамильтонианом (4.2.1). Предположим также, что потенциал Ф соответствует малому радиусу взаимодействия и поэтому эффекты экранирования можно не учитывать. [c.291]

Особенно большой эффект экранирования наблюдается при 1 орячей обработке. В этих условиях процесс деформации (волочения) без смазки, даже при незначительных обжатиях, не выполним. При обработке анодированных образцов процесс выполняется при средних обычных обжатиях без налипания металла при относительно небольших усилиях. [c.226]

В работе [5.65] исследовалось влияние остаточного взаимодействия между валентными электронами на процесс многофотоиной ионизации атомов благородных газов. Для расчета эффективного дипольного оператора, учитывающего это взаимодействие, использовалось приближение хаотических фаз. Было найдено, что приближение хаотических фаз существенно занижает сечения по сравнению с приближением независимых валентных электронов. Такой эффект экранирования объясняется коллективным возбуждением атома, связанным с большим числом частично-дырочных возбуждений. Отталкивание между валентными электронами уменьшает их эффективный заряд. Таким образом, коллективные возбуждения валентных электронов сильно влияют на абсолютные значения сечений и их зависимость от частоты излучения. [c.136]

При большой насыщенности потока взвесью частицы начинают затенять друг друга (экранирующий эффект) и применение кино- и фотометодов, для обычных сочетаний жидкости с твердыми частицами становится невозможным. Этот дефект метода является особенно досадным из-за того, что мы сталкиваемся с ним в наиболее интересных с научной и практической точек зрения случаях (в обычных условиях эффект экранирования препятствует изучению движения наносов в придонном слое, в технических же условиях при изучении гидротранспорта материалов с высокими консистенциями гидросмеси область проявления эффекта экранирования становится тем более значительной). [c.771]

Однако в ряде случаев даже при введении фотохимически инертных пигментов эффект экранирования не про-, является, а, наоборот, происходит ускорение процесса фотоокислення [41]. [c.49]

В противоположность обычному процессу черно-белого копирования в методе голокопии не используется непосредственный эффект экранирования зернами проявленного серебра. Поскольку каждое проявленное зерно имеет небольшую степень поглощения, в процессе копирования участвуют все зерна, расположенные на различной глубине, и каждое из них вносит свой определенный вклад в построение изображения. При этом контраст между дырками и участками с повышенной концентрацией проявленных зерен уменьшается, что приводит к меньшей зернистости негатива. Контраст отбеленного негатива сильно уменьшается, тогда как передача деталей объекта даже улучшается. [c.69]

На рис. 2.18 и 2,19 представлена зависимость г и 1д7 от степени заполнения 0 при торможении катодного выделения водорода на никеле ПАВ, способными к специфической адсорбции, а также пропиловым спиртом. Из рисунков видно, что независимо от состава кислотного фона все эти вещества, кроме пропилового спирта, проявляют эффект экранирования. В связи с линейностью зависимости ду —0 в случае пропилового спирта можно высказать предположение о преобладании фгэффекта. [c.54]

Используя уравнение (1.88), связывающее и Д11)1 при проявлении ингибитором обоих эффектов, можно оценить величину А ] " при адсорбции П-2. Согласно расчетам, найдено 0,11 В, что находится в. пределах изменения фгпотенциала при адсорбции органических катионов. Для П-3 относительный вклад фрэффекта выше, чем эффекта экранирования. Это можно объяснить большей локализацией положительного заряда иа атомах азота в катионах П-3, чем в катионах П-2, что связано с особенностями строения этих соединений. Об этом же говорит и несколько большая величина Д ф" = 0,12В, рассчитанная по уравнению (1.88). [c.57]

Если г < а и, следовательно, V > 1. экранированием можно пренебречь (передача импульса происходит вблизи ядра). Случай /- >а,т.е. соответствует полному экранированию. Поправки па экранирование велики только в случае Е , Е тс (для больших энергий электрона и мягких фотонов). Эффект экранирования (там, где он существен) снижает сечение Т.н., т. к. в этом случае эффективное ноле меньпхе кулоновского поля ядра. Для вычисления электростатич. поля атомных электронов обычно иснользуется Томаса — Ферми модель атома. Расчеты [c.192]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...