Рассеяние атомами

Здесь А — амплитуда волны, рассеянной одним электроном. Число, показывающее, во сколько раз эта амплитуда больше амплитуды волны, рассеиваемой электроном, при тех же условиях, т. е. под тем же углом и для той же длины волны, есть f атомный фактор рассеяния атома некоторого элемента с радиальной функ-цией распределения U r) [c.43]

КРИСТАЛЛОГРАФИЯ ДВОЙНИКОВАНИЯ. Плоскости двойникования в отличие от обычных границ являются когерентными, так как в плоскости двойникования атомы занимают позиции, общие для двойниковой области и матричного кристалла (см. рис. 77,а). Рентгеновское и иное излучение, рассеянное атомами общих частей кристалла, закономерно отличается по фазе, т. е. когерентно. [c.132]

Аналогичный подход к рассеянию атомами одной элементарной ячейки кристалла дает амплитуду лучей, рассеянных элементарной ячейкой (структурная амплитуда) [c.115]

Законы рассеяния рентгеновских лучей, электронов и нейтронов существенно различны. Рентгеновские лучи рассеиваются только электронами атома, электроны — электрическими полями электронов атома и атомных ядер, а нейтроны, не имеющие электрического заряда, рассеиваются только под действием ядерных сил. Амплитуды рентгеновских лучей, рассеянных атома яи элемента с атомным номером г, примерно пропорциональны Для разных углов рассеяния зависимость амплитуды рассеянных электронов от атомного номера различна, но в среднем амплитуда примерно пропорциональна т. е. зависит от атомного номера рассеивающего элемента в меньшей мере, чем амплитуда рассеянных рентгеновских лучей. Эффективные сечения рассеяния электронов — величины того же порядка, что и действительные сечения атомов, а абсолютные амплитуды рассеяния на 2—3 порядка превышают абсолютные амплитуды рассеяния рентгеновских лучей. Благодаря этому в рассеянии участвуют только тончайшие слои вещества (практически толщиной 10 —Ю" м), в то время как рентгеновскую интерференционную картину дают обычно слои толщиной 10 —10 м. В рассеянии тепловых нейтронов участвуют слои толщиной в несколько миллиметров и даже сантиметров [93, 75]., [c.64]

Учитывая полученные к настоящему времени результаты, нельзя не признать, что метод функционала плотности (вместе с ирименяемыми на практике приближениями) пригоден для описания основных состояний систем с взаимодействием. Следовательно, он представляет собой полезный инструмент для дальнейших исследований в физике твердого т ла. Его совместное использование с методами дифракции низкоэнергетических электронов и рассеяния атомов на поверхности позволяет исследовать самые разнообразные расположения атомов на поверхностях и лежащие в их основе физические причины. Привлекая еще и методы рассеяния и поглощения рентгеновского излучения, можно определять структуры и параметры связи новых сложных материалов. Расчеты структур твердых тел, подвергаемых воздействию различных внешних факторов (таких, как давление), могут помочь расшифровке структурных фазовых переходов. Точные расчеты эффективного взаимодействия атомов в твер- [c.202]

При исследовании рассеяния атомов О и N на молекулах N2 и О2 обнаружены особенности — резкие изломы кривые зависимости Q (00, ) от Е. Эти изломы объясняются сильным химическим взаимодействием сталкивающихся частиц и свидетельствуют о перестройке электронных оболочек (и, следовательно, характера взаимодействия) частиц в результате столкновения. Для системы О—N2 например, излом в области расстояний между атомом и молекулой А является следствием неадиабатического перехода с потенциальных кривых и системы О ( Р)—N2( 2) на потенциальную кривую — состояния системы 0(Ф)—N2(41) из-за пересечения указанных потенциальных кривых. [c.223]

Упругое рассеяние частиц — наиболее простой процесс их взаимодействия. Опо прямо связано с динамикой этого взаимодействия и структурой центра рассеяния, прежде всего — с его размерами (вспомним знаменитые опыты Э. Резерфорда по рассеянию атомами се-частиц, в которых было обнаружено существование атомных ядер). [c.91]

Этот вектор состояния Ф) объединённой системы позволяет ответить на вопросы, касающиеся импульсного распределения рассеянных атомов, особенно в ситуации, когда нас интересует результат совместного измерения для поперечного движения и квантованного поля резонатора. [c.620]

Рассеяние атомов классическим световым полем [c.639]

Эксперимент no рассеянию атомов [c.639]

Считывание статистики фотонов с помощью рассеяния атомов квантованным световым полем [c.640]

В задаче рассеяния атомов возникают интегралы вида [c.740]

УПРУГОЕ РАССЕЯНИЕ АТОМОВ И МОЛЕКУЛ Упругое рассеяние атомов и молекул (см. обозначения в 4.12). А + В—>АгВ, а л 10" сл , [c.165]

НЕУПРУГОЕ РАССЕЯНИЕ АТОМОВ И МОЛЕКУЛ [c.171]

Отметим, что неупругое рассеяние фотонов было предсказано теоретически (А. Смекаль, 1923 г.) для их взаимодействия именно с атомами. Однако экспериментально оно было обнаружено намного позднее комбинационного рассеяния молекулами. Комбинационное рассеяние ионами было обнаружено в 1963 г., а комбинационное рассеяние атомами—в 1967 г. [c.607]

Наиб, ярко Д. р. л. выражена в кристаллах, являющихся для рентгеновских лучей естеств. трёхмерными дифракционными решетками. Дифракц. максимумы в них возникают в направлениях, в к-рых вторичные (рассеянные атомами) волны распространяются с одинаковыми фазами. Для кристаллов это условие фазировки требует удовлетворения одновременно TpiiM условиям дифракции на одномерных дифракц. решетках [c.671]

Фокусируя лазерное излучение, можно производить спектральный анализ микроколичеств вещества, локализованных в малых (до 10 см ) объёмах. С помощью импульсов непрерывного когерс [тпого излучения исследуется комбинационное и резонансное рассеяние атомов и молекул, а также возбуждается флуоресценция на больших расстояниях от источника, что даёт 1 0зможтгость дистанциоииого анализа атомного или молекулярного состава исследуемого объекта. [c.554]

Взаимодействие атомов в ридбецговском состоянии с нейтральными атомами. Если л достаточно велико, то сечение процесса взаимодействия атомов в Р. с. с нейтральными атомами выражается через амплитуду рассеяния свободного электрона на нейтральном атоме и амплитуду рассеяния атома на положительно заряженном атомном остатке. Надр., в результате взаимодействия с нейтральны.ми атомами Р. с. испытывают уширенйе у и сдвиг Д, пропорциональные концентрации возмупщющих частиц ТУ [c.393]

Упругие С. а. в газах иля слабоиоинзов. плазме определяются переноса процессами. Испытываемые частицами С. а.— акты рассеяния на др. частицах — препятствуют их свободному движению. Наиб, существенно на перемещение частицы влияют те С. а., в к-рых направление её двнжевня заметно меняется. Поэтому коэф. диффузии (перенос частиц), вязкости (перенос импульса), теплопроводности (перенос энергии) и др. коэф. переноса газа выражаются через эфф. сечение рассеяния атомов или молекул этого газа на большие углы. Аналогично подвижность ионов связана с сечением рассеяния иона на атоме или молекуле газа на большие углы, а подвижность электронов в газе или электропроводность слабоионизов. плазмы — с сечением рассеяния электрона на атоме или молекуле газа. [c.691]

Определение элементного состава методом ионизационной спектроскопии основано на измерении энергий связи электронов остова [6]. Одно из новых направлений иони-зац. спектроскопии—анализ протяжённой тонкой структуры спектра, проявляющейся в виде осцилляций за порогом ионизации и охватывающей область энергий до сотен эВ. Природа этих осцилляций подобна природе осцилляций EXAFS (см. Рентгеновские спектры) и связана с интерференцией волны де Бройля выбитого из атома электрона и волн, рассеянных атомами ближайших координац. сфер данного атома в направлении назад . Фурье-анализ образующейся тонкой структуры энергетич. спектра электронов позволяет с высокой точностью определять радиусы координац. сфер [7 ]. Тонкая структура в спектре, прилегающая к порогу ионизации остовных уровней, служит ис- [c.553]

По положению цшггра тяжести первого пика ФРР в аморфном сплаве Со—18,3 /о (ат.) Р можно разделить вклад корреляций Со—Со и Со—Р, определяя S(Q) методом рассеяния импульсных нейтронов [35]. Поскольку амплитуда рассеяния атома фосфора гораздо- больше амплитуды рассеяния атома кобальта, роль атомов металлоида в аморфной структуре сплавов Со—Р может быть отчетливо выявлена. [c.74]

При 723 °С реализуется фазовое превращениез аустенит распадается на феррит и цементит. Подноготная превращения достаточно прозрачна при этой температуре ГЦК решетка аустенита трансформируется в ОЦК решетку феррита (заметьте, что углерод смещает температуру полиморфного превращения). Но в ней растворимость углерода намного ниже и его избыток выделяется в виде цементита. Необходимая для образования цементита группировка рассеянных атомов углерода — процесс диффузионный. А раз так, то на него требуется время, и быстрым охлаждением его можно затормозить. Поэтому при закалке стали [c.216]

Рентгеновски определяемый период решетки твердого раствора фиксируется как результат интерференции рентгеновских лучей, рассеянных атомами, которые относятся к области, рассеивающей как единое целое, так называемой области когерентного рассеяния (ОКР). Размеры ОКР, даже в сильно искаженном кристалле, имеют порядок десятков нанометров. Именно поэтому получаются резкие реф- [c.128]

Смена щелей осуществляется поворотом барабанов с помощью рукояток 5 и 7. Барабаны охлаждаются жидким азотом, помещенным в сосуд 6. В камере возбуждения установлена электронная пушка W для возбуждения свечения пучка. Экран 11 устраняет рассеяние атомов пучка на горячих электродах, он также охла-ящается жидким азотом. Смена двух отверстий на экране // выполняется рукояткой 9. [c.66]

Схема типичной установки для проведения исследований по методу ОРР приведена на рис. 5.2. Пучок ионов гелия создается с помощью генератора Ван дер Граафа, коллимируется серией щелевых диафрагм и направляется в приемную камеру. Исследуемый образец устанавливается на гониометрической головке, обеспечивающей вращение вокруг трех взаимно ортогональных осей. Оси вращения пересекаются в точке, на которую падает пучок ионов. Приемная камера откачивается до давления порядка 10 Па, чтобы избежать потерь анализирующего пучка за счет рассеяния атомами остаточного газа. Обратно рассеянные ионы " Не фиксируются детекторами, например, кремниевыми детекторами с поверхностным барьером. [c.166]

Богданов А. В., Сергеев В. Л., Эикональная модель отражения атома газа от кристаллической поверхности. Вестник ЛГУ, № 19, 69—72, (1974) Индикатриса рассеяния атома газа на кристалл[1ческой поверхности в эйкональном приближении, в кн. Аэродинамика разреженных газов , вып. 7, Л., изд-во ЛГУ, 71—76, 1974. [c.180]

Полная постановка задачи рассеяния атома на кристаллической решетке содержит большое число параметров. Возмолчиые аналитические решения, конечно, будут различными в отдельных характерных областях пространства этих параметров. В каждой области целесообразно найти простейшую модель и строить асимптотическое решение в окрестности такой модели. При энергиях падения Е 100 эВ для легких газов эффективное взаимодействие исчерпывается одним-двумя парными столкновениями, причем главную роль играет отталкивающая ветвь потенциала. Аппроксимируя ее вертикальным барьером, в качестве простейшей атомной модели поверхности имеем решетку твердых сфер. Теория рассеяния на такой решетке содерл<ит три основных параметра угол падения 0ь отношение масс х и радусов атомов. [c.454]

Мы говорили о том, что рассеянные атомом волны сферически симметричны и амплитуда их спадает обратно пропорционально расстоянию от об-ьекта г. Кроме того, нужно учесть, что амплитуды вторичных волн пропорциональны амплитуде начальной, а значит и рассеянная интенсивность пропорциональна начальной [c.18]

На рис. 14 представлен график сравнения относительных рассеивающих способностей первых (с 2 до 12) атомов периодической системы для трех рассматриваемых излучений [6]. За единицу принято рассеяние атомом водорода. Из этого рисунка видно, что рассеяние рентгеновых лучей наиболее сильно зависит от атомного номера (примерно как рассеяние электронов — более с.т1а- [c.37]

Рис. 1.1. Схемы однофотонных процессов, а — фотоионизация атома, б —- фо-товозбуждение атома, в — рэлеевское рассеяние света атомом, г — рамановское рассеяние света атомом. Е — энергия электрона в атоме, Ег — потенциал иониза-ции атома, п — основное состояние, т, q — возбужденные связанные состояния электрона в атоме, прямые стрелки — вынужденные переходы электрона в результате поглощения фотона, волнистые стрелки — свет, рассеянный атомами

Рассмотрение оптических систем в малоугловом приближении воспроизводит большинство свойств реальных оптических систем и является очень хорошим приближением для электронной оптики систем, в которых используются электроны средних и высоких энергий, поскольку рассеяние атомами электронов с такими энергиями представляет собой существенно малоугловой эффект. В разд. 3.3 мы показали, как в таком приближении записывати.уравнения для дифракционных картин, изображений или распределений амплитуды в любой плоскости для простых систем с идеально тонкими линзами. Обобщим теперь это рассмотрение на многокомпонентные системы. Для краткости и удобства ограничимся лишь одномерными объектами. Возможность обобщения нашего рассмотрения на двумерные объекты очевидна. [c.75]

Поскольку заметное рассеяние происходит лишь при относительно малых углах, вместо борновского приближения (1.21) для описания рассеяния атомами можно использовать приближение Фраунгофера (1.37). Рассматривая атом как квазидвумерный объект, выведем функцию прохождения д х, у). [c.89]

Рис. 19.4. Влияние распределения фотонов резонаторного поля на импульсное заспределение рассеянных атомов. Поле находится в когерентном состоянии а) со средним числом фотонов гп = = 9. Пуассоновское распределение для фотонов (пунктирная линия) приводит к плавному импульсному распределению. Максимум ш определяет максимальное значение р. Правый край распределения ш задаёт и правый край функции

Решетка а-железа искажена она вначале сохраняет тетраго-нальность с малым соотношением осей и содержит остатки незначительного количества неравномерно рассеянных атомов углерода, т. е. является по существу малоуглеродистым мартенситом. Последний постепенно освобождается от остатков углерода, образовавшиеся в нем мельчайшие частички карбида Ре С вызывают образование в зернах а-железа блоков дюзаичной структуры и препятствуют снятию напряжений. [c.224]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...