Горячие электроны, электронная температура

Основное понятие термодинамики — понятие температуры, которая характеризует значение энергии и ее распределение между частицами вещества. В разреженной или в горячей плазме электронная Те й ионная Ti температуры не равны между собой (рис. 2.16), но с увеличением давления газа их значение и распределение по сечению столба дуги становятся почти одинаковыми (рис. 2.17). Ионная температура близка к температуре газа Ti T . [c.49]

Плазмой называют частично или полностью ионизированный газ, состоящий из ионов, электронов, нейтральных атомов и молекул. В отличие от термоядерной горячей плазмы с температурой в десятки миллионов градусов при газовом разряде возникает холодная плазма, имеющая температуру до 50 000°С. В плазмотронах столб электрической дуги сжимают водоохлаждающим соплом, получая так называемую сжатую дугу. При этом ее температура значительно повышается. [c.18]

В дуге с горячим катодом электроны, вылетая из катода, ускоряются сильным электрическим полем в области катодного падения потенциала и ионизируют ато.мы окружающего газа (в слое, равном одному свободному пробегу электронов). Образующиеся положительные ионы под действие.м электрического поля устремляются к катоду и отдают е.му полученную энергию, поддерживая этим высокую температуру. При равенстве в столбе зарядов электронов и положительных ионов подвижность электронов в 100 раз больше и, следовательно, они переносят 99% тока. [c.62]

Горячие электроны, электронная температура. [c.61]

В ХОЛОДНОМ конце проводника, вызывает градиент электрического потенциала. Отрицательный заряд на холодном конце нарастает до момента достижения динамического равновесия между числом электронов с большей энергией, диффундирующих от горячего конца к холодному под действием градиента температуры, и числом электронов, перемещающихся от холодного конца к горячему под действием градиента потенциала электрического поля. Этот градиент потенциала существует, пока есть градиент температуры, и называется термоэлектрической э.д.с. Отсюда следует, что термо-э.д.с. не может возникнуть без температурного градиента. [c.268]

Теплопроводность плазмы также обусловлена движением частиц. Главную роль в переносе теплоты от более горячих участков плазмы к холодным играют электроны (благодаря большей тепловой скорости). Если вдоль некоторого направления существует перепад температур, то электроны с большими энергиями идут в одну сторону, а с меньшими — в другую. [c.57]

При сдвигании электродов разность потенциалов между ними перед самым соприкосновением приблизительно равна сумме Однако при тесном сближении столб дуги может смещаться в сторону и длина ее становится больше зазора между электродами. Напряжение при / 0,1...0,2 мм может вновь возрастать, поэтому при снятии кривой U =U 1 ) и экстраполировании ее на /д=0 надо это учитывать. Кроме того, и во многих случаях суш,ественно зависят от 1 . Выделение и из суммы также вызывает большие трудности. При высоких температурах плазмы, характерных для сварочных дуг, можно использовать зондовый метод. Зонды, например вращающиеся, перемещают с большой скоростью, чтобы они не успели расплавиться. Потенциал зонда регистрируют с помощью электронного осциллографа. Точно измерить разность потенциалов между холодным зондом и горячей плазмой достаточно сложно, поэтому нельзя определить и с точностью, большей, чем 1...2 В. [c.70]

Увеличение результирующей скорости электронов в сильных полях приводит к возрастанию энергии электронов и, следовательно, к увеличению температуры электронного газа. Поэтому данный эффект называют разогревом электронного газа, а сами электроны в этом случае называют горячими электронами. [c.256]

Схема термоэлектрического генератора показана на рис. 8.54. На горячем (с температурой Ti) спае двух полупроводниковых материалов (вверху расположен полупроводник р-типа, внизу — полупроводник п-типа) электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости и перемещаются к холодному спаю с температурой Та, а затем переходят в примесную зону полупроводника /э-типа. В результате в цепи протекает электрический ток по направлению часовой стрелки. На стыке полупроводников п- и р-типов развивается термо-ЭДС [c.576]

При соприкосновении двух тел, имеющих различную температуру, происходит обмен энергией их частиц (молекул, атомов, свободных электронов), вследствие чего интенсивность движения частиц тела, имевшего меньшую температуру, увеличивается, а интенсивность движения частиц тела с более высокой температурой уменьшается. В результате одно из соприкасающихся тел нагревается, а другое остывает. Поток энергии, передаваемой частицами более горячего тела частицам более холодного, называется тепловым. [c.113]

Одним из видов нанесения защитных покрытий на детали из высокотемпературных материалов служит метод окунания в расплав [1]. Такой метод используется для кратковременной защиты покрытий при горячей обработке давлением молибдена и ниобия. Для нанесения качественного покрытия необходимо определение оптимальных температур и состава расплава, при которых происходит удовлетворительное смачивание твердых металлов расплавом. Смачивание твердых молибдена и ниобия расплавами на основе алюминия исследовали на установке, позволяющей раздельный нагрев твердой и жидкой фаз [2]. Опыты проводили в среде гелия, температуру фиксировали платина — платинородиевой термопарой. В качестве объектов исследования использовали молибден и ниобий после электронно-лучевой плавки, алюминий чистоты 99,98% и порошки легирующих компонентов кремния, титана и хрома марки ч. д. а. Для экспериментов готовили навески одинаковой массы 500 мг. При достижении твердой подложкой температуры опыта навеска плавилась и соприкасалась с подложкой, время контакта при заданной температуре составляло 2 мин, по истечении которого каплю фотографировали аппаратом Зенит-С на [c.55]

В настоящее время сварные соединения можно образовывать двумя принципиально разными способами действием тепла при температурах плавления металлов или использованием явления схватывания металлов (ультразвук, холодная сварка и др.). Большие перспективы открывают возникшие в последнее время новые виды сварки — концентрированным потоком электронов в вакууме (электронно-лучевая сварка) и когерентным лучом (лазеры). При этих видах сварки можно проплавлять металл узким кинжальным швом, вследствие чего не требуется разделки кромок под сварку, снижаются термические деформации и повышается стойкость швов к образованию горячих трещин. Использование новых высококонцентрированных источников нагрева с предельно малым термическим воздействием, т. е. оказывающим наименьшее отрицательное влияние на изменение свойств основного металла (что является одной из важных задач технологии сварки новых материалов, в особенности высокопрочных и стойких против коррозии), приведет к значительному уменьшению объемов доводимого до расплавления [c.143]

При одновременном отпуске горячей воды и пара арматура и автоматика питания по данным предприятия действуют надежно. Регу-< лирование температуры горячей воды, идущей к потребителям, осуществляется с помощью термодатчиков и электронных мостов, воздействующих на клапаны с пневма- [c.43]

Как известно, до настоящего времени природа приэлектродных потерь Fnp (5.35) изучена слабо. По-видимому, к факторам, влияющим на величину Уцр, относятся столкновения электронов с нейтральными частицами и ионами в тепловом пограничном слое с пониженной температурой, эмиссия с электродов, а также явления ионизации и рекомбинации в электрическом пограничном слое (у катода) В современных расчетах суммарную величину Fnp обычно принимают (на основании экспериментальных данных) в пределах 30—100 в в зависимости от типа электродов (холодные, горячие), размеров канала и т. д. [c.116]

Некоторые особенности теплопроводности полупроводников заслуживают специального рассмотрения. В чистых полупроводниках теплопроводность при нормальных и низких температурах определяется главным образом решеткой и поэтому обнаруживает такое же поведение, как и в неметаллах, которое уже описывалось ранее. Введение небольшого количества примесей прежде всего уменьшает фононную теплопроводность, поскольку фононы начинают испытывать рассеяние на ионах примеси, а во многих случаях также и на электронах, появляющихся из-за наличия примесей. Последний тип рассеяния во многом отличается от рассеяния на электронах, образующих вырожденную систему, когда в рассеянии участвуют только электроны с энергиями, близкими к энергии Ферми. При достаточно сильном легировании полупроводника может стать существенной и электронная теплопроводность, но, если система электронов остается невырожденной, соотношение между электропроводностью и электронной теплопроводностью имеет иной вид, чем в обычном металле. Существует еще один дополнительный механизм переноса тепла в полупроводниках. Электрон-дырочные пары, образующиеся на горячем конце сносятся в направлении градиента температуры и рекомбинируют на холодном, конце. При этом происходит перенос по полупроводнику энергии ионизации пары. [c.253]

СТОЯНИИ для гладких образцов и образцов с надрезом были получены такие же значения сопротивления удару (3,4 кгс>м), что связано с повышенным сопротивлением удару матрицы. Это положение подтверждается более высокими ударными свойствами термообработанных прутков по сравнению с прутками, находящимися в состоянии после горячего прессования. Следовало ожидать, что термообработка при 1090° С в течение 250 ч понизит вклад вольфрамовых волокон в сопротивление удару вследствие увеличения глубины зоны взаимодействия матрицы с волокном. Однако ожидаемое улучшение связи между частичками порошка в матрице повышает сопротивление удару матрицы. Фотографии микроструктуры соответствующих образцов, полученные на сканирующем электронном микроскопе, подтвердили улучшение условий деформации матрицы на поверхности излома. При температурах ниже температуры перехода волокна из пластичного в хрупкое состояние вклад матрицы в сопротивление удару композиции значителен, если состав матрицы выбран надлежащим образом и матрица способна пластически деформироваться. Следует отметить, что вклад матрицы может быть уменьшен путем стеснения ее пластической деформации. [c.270]

В физике плазмы рентгеновская спектроскопия применяется для диагностики источников двух типов с большим размером плазменного объема 0,1—1,0 м (например, токамаков) и источников малого размера 0,1—1,0 мм (лазерной плазмы, плазменного фокуса, вакуумной искры). Температура этих источников одного порядка — от единиц до нескольких десятков миллионов градусов, и основная часть линейчатого и непрерывного излучения приходится на мягкий рентгеновский диапазон от нескольких сотен электронвольт до нескольких килоэлектронвольт. В термоядерных установках проводятся исследования Н, Не, Ы, Ве — подобных ионов легких (О, С, Н) и тяжелых (Т1, N1, Ре) элементов, по которым определяются электронная и ионная температуры, ионный состав и состояние равновесия, а также исследуются макроскопические процессы и кинетика плазмы. Исследуемые линии принадлежат ионам примесей, поступающих в плазменный объем из стенок или остаточного газа, поэтому их интенсивность по сравнению с континуумом относительно невелика. Для разделения линий ионов различных элементов и кратностей необходимо разрешение порядка (1 — 3). 10 в отдельных, относительно узких, участках спектра. По изменению интенсивностей линий ионов различных кратностей можно судить об изменениях температуры, плотности и ионного состава плазмы по объему. Для таких измерений спектральная аппаратура должна иметь пространственное разрешение порядка 1 см для токамаков и 1 мкм для лазерной плазмы. Горячая плазма существует непродолжительное время (характерное время изменения параметров плазмы токамаков порядка 1 мс, лазерной плазмы — 10 нс), поэтому приборы должны обладать достаточно большой апертурой и многоканальной системой детектирования. Поскольку большинство координатно-чувствительных детекторов высокого разрешения имеют плоскую чувствительную поверхность, фокальная поверхность спектрометра тоже должна быть плоской, и угол падения излучения к ней должен по возможности быть небольшим. [c.286]

Напыление ведется при помощи специальных плазменных пистолетов-распылителей, в которых создается мощная электрическая дуга в камере между вольфрамовым катодом и медной фюр-сункой-анодом. И анод и катод интенсивно охлаждаются проточной водой. Проходящий через камеру газ подвергается высокой ионизации и переходит в состояние плазмы. Этот процесс протекает с поглощением большого количества тепла. После выхода из форсунки струи плазмы начинается обратное соединение ионов и электронов в атомы, сопровождающееся выделением тепла, повышающего температуру струи. В аргонном пистолете-распылителе можно достигнуть температуры 10 000—20 000 °С, в азотном — 6000—8000 °С. Распыляемый материал вводится в струю плазмы в виде порошка или прута. Плавящиеся в горячей плазме и переносимые струей с большой скоростью частицы ударяются [c.185]

Качественно явление Зеебека можно объяснить следующим образом. В различных проводниках энергия свободных электронов, участвующих в электрическом токе различна и по-разному изменяется с изменением температуры. При наличии градиента температуры вдоль проводника электроны на горячем конце приобретают более высокие скорости и в результате появляется поток электронов от горячего конца к холодному на холодном конце накапливается отрицательный заряд, а на горячем остается нескомпенсированный положительный заряд. Накопление продолжается до тех пор, пока возникшее падение потенциала не создает встречный поток электро- [c.14]

Физический смысл явления Томсона заключается в следующем. Если в проводнике с током существует градиент температуры и направление тока соответствует движению электронов от горячего конца к холодному, то, переходя из более горячей области в более холодную, электроны передают избыточную энергию окружающим атомам, чем вызывают нагрев проводника (выделение тепла). При обратном направлении тока электроны, переходя из более холодной области в более горячую, отбирают энергию от окружающих атомов (поглощение тепла). Для более точного описания явления необходимо учесть тот факт, что в первом случае электроны тормозятся, а во втором — ускоряются полем ТЭДС. Это изменяет значение коэффициента Томсона, в некоторых случаях приводит к перемене его знака. [c.16]

Поэтому по отношению к электронной теплопроводности градиенты в релаксационной зоне не малы и теплопроводностный теплообмен в этой зоне сравним с теплообменом между ионами и электронами. Электронная теплопроводность способствует скорейшему выравниванию температур за вязким скачком, так как она перекачивает тепло из более удаленных от скачка уплотнения слоев газа в передние, где электронная температура меньше. Кроме того, и этот эффект чрезвычайно суш ествен, электронная теплопроводность приводит к прогреванию гаэа перед вязким скачком уплотнения. Если горячие ионы не могут далеко вырваться из-эа скачка уплотнения в область перед скачком (их тепловая скорость сравнима со скоростью распространения скачка по невозмущенному газу), то горячие электроны с успехом проникают вперед и опережают скачок уплотнения, так как их скорость примерно в УШг/те раз больше скорости фронта. Перед скачком уплотнения образуется прогревный слой. В этом слое электронная температура выше, чем ионная, ибо прежде всего нагревается электронный газ и [c.401]

Будем рассматривать металл как жесткую решетку атомов, между которыми газ свободных электронов может двигаться под действием электрических и магнитных полей и температурных градиентов. При наличии перепада температуры в проводнике электроны диффундируют от горячего конца к холодному, передавая решетке часть своей кинетической энергии. Это — процесс теплоИроводности. Избыток электронов, возникший [c.267]

Функциональная схема управления и автоматического регулирования включает в себя два регулятора температуры, позволяющих поддерживать температуру в камере в заданном диапазоне. Роль регуляторов выполняют электронные потенциометры ЭПВ2. Управление и согласование отдельных блоков системы осуществляется коммутирующим устройством, представляющим собой систему контакторов и переключателей, энергия к которым подводится от блока питания. Датчиками температуры 5, 6 и 7 являются хромель-копелевые термопары. Исполнительными механизмами служат электроклапаны и электромотор, соединенный с дросселем на горячем конце низкотемпературной вихревой трубы. [c.250]

Рассмотрим механизм образования термо-э. д. с. на примере однородного по.тупроводникз. Пусть один из концов полупроводника нагрет больше, чем второй. Свободные носители заряда у горячего конца будут иметь более высокие энергий и скорости, чем у холодного. Кроме того, благодаря значительной зависимости концентрации свободных носителей заряда в полупроводнике от температуры у горячего конца концентрации свободных носителей заряда окажется больще, чем у холодного. В силу этих причин поток свободных носителей от горячего конца к холодному будет больше, чем от холодного к горячему. Если концентрация свободных электронов и дырок в полупроводнике или их подвижности неодинаковы, то концы полупроводника окажутся противоположно заряженными. Состояние равновесия наступит при равенстве потока свободных носителей заряда, обусловленного градиентом температур, потоку, обусловленному действием электрического поля, возникшего в результате разделения зарядов. Установивгоуюся в состоянии равновесия термо-э. д. с. называют объемной тер.мо-э. д. с. [c.73]

A[i2- Если А Л1 А Л2. то при этом уровни Ферми у проводников / и 2 в горячем контакте оказываются не на одной высоте, что свидетельствует о нарушении равновесия в этом контакте, установившемся при температуре (рис. 9.1, г). Новое равновесие достигается за счет перетекания электронов из первого проводника во второй до установления уровней Ферми на одной высоте (рис. 9.1, 5). Возникающая контактная разность потенциалов теперь будет равна Ук + AV == (1/< ) (Хг — хО = (1/ ) (Хг — Xi) — —(1/<7) (А[Ха — AfXj). Она больше, чем в контакте В, находящемся при температуре < Т , на величину [c.258]

Получение композиционного материала методом горячего прессования в вакууме также описано в работе [178]. Для улучшения прочности связи матрицы с волокном и с целью исключения возможности образования на поверхности раздела углеродное волокно—алюминий карбида алюминия на поверхность углеродных волокон наносили слой меди толщиной 0,2—0,4 мкм. Исходные волокна имели предел прочности 200 кгс/мм , плотность 1,73 г/см средний диаметр отдельных волокон был равен 8 мкм. Материал получали в вакууме 2—5 10 мм рт. ст. при температуре 620—650° С и времени выдержки 30—120 мин прессованием пакетов из чередующихся слоев алюминиевой фольги и однонаправленного углеродного волокна с медным покрытием. Предел прочности композиций, содержащих 10—15 об. % волокон, был равен 23—32 кгс/мм , а композиций с 20—40 об. % волокон — 35—48 кгс/ мм . Микрорентгеноспектральное, электронно-микроскопическое исследования композиций, а также исследсвание в растровом электронном микроскопе не обнаружили повреждений углеродных волокон. [c.138]

Термогальванические макрокоррозионные пары образуются в результате тех изменений, каким. электродный потенциал металла подвергается при измеиении температуры. Чаще всего повышение ее сопровождается смещением потенциала в сторону более отрицательных значений. Поэтому при замыкании цепи из двух электродов, помещенных в один и тот же .раствор, но с различной температурой, электроны будут протекать во внешней цепи от горячего электрода (анода) к холодному. Такие термогальванические лары являются нормальными. Во многих случаях, однако, именно горячий электрод обладает более положительным потенциалом, а хо- [c.164]

Начиная с середины 60-х годов был выполнен большой комплекс работ по натурной тензометрии атомных реакторов при гидропрессовках и во время холодной и горячей обкаток [7, 8, 10, И]. Для этих целей были созданы информационно-измерительные системы высокотемпературной тензометрии (ИИСВТ), включающие термо- и радиационностойкие тензо-резисторы, первичные преобразователи, магнитографы, корреляторы, осциллографы и электронно-вычислительные машины. Эти системы позволили вести измерения напряжений в широком диапазоне частот (до 500— 1000 Гц), уровней напряжений (от 0,01 до 500 МПа), давлений (до 15 МПа), температур (до 300-450 °С), скоростей потоков теплоносителей (до 10-20 м/с) и при радиационных воздействиях (рис. 2.6). Натур- [c.33]

Испытания проводились в следующих средах минеральное масло МК-22 кондиционное, дистиллированная вода и воздух. Температура среды поддерживалась постоянной с помощью регулируемого электронагревателя, расположенного по всей наружной поверхности на сменной головке, с точностью 2°С. Температура на поверхности трения измерялась с помощью малогабаритных хромель—Копелевых термопар, горячий спай которых располагался вблизи поверхности трения в теле металлического кольца термопары располагались также в середине образца и на его нерабочей торцевой поверхности температура непрерывно регистрировалась автоматическим электронным потенциометром типа ЭПП-09М2, градуировки ХК. [c.170]

Температуру трущихся поверхностей замеряли термопарой, установленной на валу. Горячий спай этой термопары находился на расстоянии менее 1 мм от рабочей поверхности стального контртела. Для соединения ее с регистрирующим прибором служили ртутно-амальгамированные токосъемники ТРАК-1. Регистрирующими приборами служили микроамперметр М-95 или электронный автоматический трехточечный потенциометр ЭПП-09М1. Погрешность измерения не превышала 1 С. [c.128]

В промыщленных котельных, оборудованных котлами ДКВР с бойлерами, для отпуска пара и горячей воды на технологические нужды производства ряд приборо в автоматики регулирования, как-то термометры сопротивления. наружного. воздуха и горячей воды 23, 33 (см. рис. 42) регулятор температуры 40, 41 электронный дифференциатор 45 с соответствующими импульсными трубками, исключается. [c.83]

На горячих участках твердого и жидкого металлического тела электроны обладают большей средней энергией, чем на холодных. Легко переходя в области с низкой температурой, электроны вносят добавочную энергию и повышают температуру. Большой подвижностью общих электронов объясняют высокую электро- и теплопроводность металлов. Следовательно, с увеличением валентности теплопроводность металлов должна расти и для металлов с однотипной кристаллической решеткой должна быть периодической функцией порядкового номера со-01ветствующих химических элементов. На опыте это и наблюдается. Например, для натрия, магния и алюминия с числом валентных электронов 1, 2 и 3 коэффициент теплопроводности при 325" К составляет соответственно 100,8 135,4 и 178 ккал м-ч-град). В отличие от металлов в телах с ионной к ковалентной связью главную роль играет теплопроводность основной решетки, вызванная колебаниями ее узлов. Такие тела относительно мало теплопроводны. [c.6]

Направление перехода электронов от жидкого металла к металлу стенки или обратно (на горячем и охлаждаемом участках) зависит от характера термо-э.д. с. (величины, знака), возникающей в цепи, составленной из этих металлов. Термо-э.д. с. жидких металлов является линейной функцией температуры. В зависимости от сопряженного металла пары, она может быть возрастающей и убывающей. Для лития она заметно увеличивается, тогда как для остальных щелочных металлов уменьшается с повышением температуры, причем особенно сильно у рубидия и цезия [108]. Абсолютная термо-э.д. с. металла стенки в большой степени зависит от состава стали, фазовых и магнитных превращений и характера предварительной механической и термической обработки. Необходимые данные по этим вопросам отсутствуют в справочной и периодической литературе. Однако, интерполируя данные по другим сталям [21, 109], можно принять, что абсолютная термо-э. д. с., например, углеродистой стали (0,50% С) и стали типа 18-8Т, равна соответственно —4,6 и —3,4 MKejapad при 100° С и —6,4 и —4,8 MKejapad при 300° С. Значит, в теплообменниках с литием (Е- — ст>1) облегчается переход электронов от жидкого металла к стали и улучшается передача тепла, тогда как в натриевых, калиевых и особенно в рубидиевых и цезиевых теплообменниках контактное термическое сопротивление, вызываемое термо-э. д. с., должно быть большим и возрастать с повышением температуры. [c.46]

На рис. 12-10 представлена схема МГД генератора, принцип действия которого состоит в следующем. Газ, служащий рабочим телом, совместно с небольшим количеством легко ионизирующейся добавки (щелочными металлами, например, калием или цезием), нагревается за счет подвода тепла от горячего источника до столь высоких температур, что частично ионизируется, т. е. переходит в плазменное состояние. В этом состоянии он представляет собой смесь свооодпых электронов с электрически нейтралъньгап [c.417]

Принцип действия термоэлектронного преобразователя основан на том, что, как было установлено еще Т. Эдисоном в конце прошлого века, с поверхности нагретых )металлов всегда происходит эмиссия свободных электронов, тем более интенсивная, чем выше температура металла. Это явление используется для создания тока в цепи, составленной из двух электродов с разными температурами и включенного между ними внешнего потребителя в виде электрического сопротивления. Для устранения потерь, обусловленных теплопроводностью, в промежутке между электродами поддерживается вакуум. Электроны эмиттируются с горячего электрода на холодный, поэтому первый из них служит катодом, а второй — анодом. [c.241]

ЭЛЕКТРбННАЯ ТЕМПЕРАТУРА (Г,) — величина, и.мею-щая размерность темп-ры, характеризующая ф-цию распределения ft электронов по скорости (энергии) в неравновесном электронном газе (в плазме, в кристалле, см. Горячие электроны). Э. т. определяется интегральным соотношением [c.554]

В отличие от процессов электронно-лучевого переплава на холодном поду или плазменного переплава процесс вакуумно-дугового двухэлектродного переплава предназначен для управления структурой отливки, а не для операций переплава и рафинирования, направленных на получение нового химического состава. Достоинством этого процесса является возможность получать мелкозернистые отливки суперсплавов высокого эксплуатационного уровня, которые с трудом поддаются горячей деформационной обработке на требуемую форму. Некоторые специалисты полагают, что капли, образующиеся в данном процессе и падающие в изложницу, нагреты до температур между температурами солидус и ликвидус обрабатываемого сплава и служат зародышами равноосных зерен по всему объему формирующегося слитка или электрода. Такого результата можно достигнуть за время примерно втрое большее, чем требуется для вакуумно-дугового переплава, но со значительно меньшими энергетическими затратами. В отличие от вакуумно-дугового или электрошлакового переплава процесс вакуумно-дугового двухэлектродного переплава дает практически безликвационную продукцию. К недостаткам метода относятся жесткая зависимость между подводимой энергией, и скоростью плавления, невозможность рафинирования и сколь-нибудь существенного раскисления. Наиболее серьезная проблема заключается в том, что в процессе вакуумно-дугового двухэлектродного переплава качество исходного электрода в части включений, белых пятен и скоплений первичных фаз передается конечному продукту. Следовательно, наивысший достигаемый уровень качества по всем признакам, кроме характеристик микроструктуры, не может быть выше, чем у исходного электрода. [c.157]

Биполярную диффузию (такое название получил перенос энергии ионизации пар) обсуждали Драбл и Голдсмид [61], которые основывались на работах Давыдова и Шмушкевича [54] и Прайса [194]. У собственного полупроводника, у которого щирину запрещенной зоны можно охарактеризовать единственной величиной Ед при температуре Т, на возбуждение электрона в зону проводимости и образование дырки в валентной зоне затрачивается на горячем конце образца энергия Eg при рекомбинации эта же энергия выделяется на холодном конце. Такой перенос энергии происходит дополнительно к ее переносу электронами и дырками по отдельности, но находится в связи с последним. Биполярная диффузия эффективна не при любом соотношении между подвижностями электронов и дырок. Отнощение подвижностей я входит в выражение для теплопроводности симметрично, так что при заданной величине обычной теплопроводности максимум биполярной [c.257]

Если предельная температура приемника излучения не превышает 300 0, то применима полупроводниковая термопара, отвечающая всем переч/елеиным требованиям. Электроды полупроводниковой термопары состоят из тройных сплавов, причем положительный электрод( 1е+8с 3i) обладает дырочной, а отрицательный Те + BL + Se с примесью А 1 ) - электронной проводимостью.Термоэлектроды изготавливаются методом горячего прессования из порошков указанных сплавов в виде тонких ( 1,5-2 мм) столбиков длиной - = 15-20 мм. КоэсЬфициент [c.619]

Промышленные бронзы содержат до 11-12 % А1. Согласно диаграмме состояния Си— А1 (рис. 19.6) сплавы, содержащие до 9,4 % А1, являются однофазными а-растворами, а свыше 9,4 % Л1 в структуре бронз появляется эвтектоид (а + уз), где — твердый раствор электронного типа на основе соединения U9AI4. Эвтектоид образуется из высокотемпературной Р-фазы при температуре 565 °С. Фаза Р — это твердый раствор на основе соединения U3AI, имеет ОЦК-решетку р-фаза пластична, поэтому алюминиевые бронзы при горячей обра- [c.743]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...