Жесткая решетка

Указание. При вычислении момента инерции поперечного сечения раскоса считать уголки жестко соединенными между собой. Увеличение гибкости раскоса за счет соединения уголков не вполне жесткой решеткой во внимание не принимать. [c.274]

Работа предложенных арочных ферм совершенно отличается от работы аналогичных ферм с применением жесткой решетки. Дело в том, что в разработанных Шуховым арочных конструкциях наклонные тяги, выполненные из гибких стальных стержней, могли воспринимать только усилия растяжения. При возникновении в них сжимающих усилий они должны терять устойчивость или выпучиться, другими словами, выключиться из работы конструкции. [c.55]

Подводя итоги сказанному о временах релаксации Г1 и Г2, необходимо указать на их роль в реальных материалах. В монографии [12] можно найти описание оператора, являющегося суммой членов, каждый из которых отражает характерный для данного соединения тип взаимодействия резонирующих ядер между собой, так и со своим окружением. Например, рассмотрим жесткую решетку, т. е. случай, когда ядра неподвижно закреплены в пространстве. Как видно из рис. 9.1, прецессию магнитного ядра 11. можно разложить ва [c.174]

Оголовки (рис. 3.91, а) и опорные узлы (рис. 3.91, 6) стрел должны быть жесткими решетки здесь заменяют листами, укрепленными диафрагмами. При этом, так как оси блоков (рис. 3.94) или креплений стрелы (рис. 3.91) не проходят через [c.360]

Другая конструкция поддона, приведенная на фиг. 72, также выполнена в виде жесткой решетки, но без опорных плоскостей. Поддон предназначен для муфельной печи газовой цементации, где поддоны располагаются в два ряда по ширине муфеля, имея направляющие на его нижней и боковых стенках. [c.70]

При очень малых значениях параметра ц, определяемого выражением (51.21), т. е. при жесткой решетке, большой величине резонансного взаимодействия и малом изменении сил взаимодействия между двумя молекулами при переходе одной из них в возбужденное состояние, функция (51.20) может быть преобразована к простой монохроматической волне [c.422]

Чаще всего важнейшей причиной уширения резонансной линии является магнитное дипольное взаимодействие в жесткой решетке магнитных диполей. Магнитное поле АВ, действующее на данный (первый) диполь Л] со стороны другого диполя иг, находящегося на расстоянии Гх2 от первого, в соответствии с фундаментальным результатом магнитостатики можно записать в виде [c.603]

Рис. 17.8. Зависимость ши-риим линии ЯЛ1.Р на ядрах 1л в металлическом литии от температуры, обусловленная диффузией. При низких температурах ширина согласуется с теоретическим значением для жесткой решетки. По мере возрастания температуры скорость диффузии увеличивается и ширина линии умень-

Этот результат совсем иной, чем полученный в случае жесткой решетки 7г 1/уВ,-. Из формулы (17.26) следует, что ширина линии, обусловленная быстрым движением с характеристическим временем т, равна [c.606]

ДИПОЛЬНАЯ ШИРИНА ЛИНИИ В ЖЕСТКОЙ РЕШЕТКЕ. [c.102]

Последний случай, как правило, встречающийся в жидкостях и газах, будет рассмотрен позднее. В этой главе мы ограничимся случаем жесткой решетки, в которой ядра можно считать неподвижными. Такое приближение разумно для многих твердых тел при комнатной температуре, в частности для ионных кристаллов. [c.102]

Дипольная ширина линии в жесткой решетке [c.119]

Теория дипольной ширины линии в жесткой решетке, т. е. в образце, в котором величины и ориентации векторов, описывающих относительные положения спинов, не изменяются во времени, была изложена в в гл. IV. Там был сделан вывод, что предположение о гауссовой форме-кривой является хорошим, хотя и не совершенным приближением и что, следовательно, ее среднеквадратичная ширина, вычисленная теоретически,. примерно согласуется с действительной шириной. Эта ширина, выраженная в эрстедах, была того же порядка, что и локальное ноле, созданное в месте расположения спина его соседями, т. е. в большинстве практических случаев лежала в пределах 10 эрстед. [c.392]

Для жидких и газообразных образцов, в которых существуют быстрые относительные движения спинов и где наблюдаемые ширины линий по-порядку величины меньше, чем для жесткой решетки, как предположения, так и результаты теории оказываются неприменимыми. Кроме того [c.392]

Сравним случай жесткой решетки, когда различные матричные элементы (Х.11) не зависят от времени, со случаем (сужение благодаря движению), когда онж случайно изменяются во времени. [c.397]

Будем рассматривать металл как жесткую решетку атомов, между которыми газ свободных электронов может двигаться под действием электрических и магнитных полей и температурных градиентов. При наличии перепада температуры в проводнике электроны диффундируют от горячего конца к холодному, передавая решетке часть своей кинетической энергии. Это — процесс теплоИроводности. Избыток электронов, возникший [c.267]

Voexp(—и/кТ). Если частота перескоков настолько велика, что Тс Ат, где Ду=уДЯ/2я— ширина линии для жесткой решетки, то по температурному сужению линии можно найти величину потенциального барьера [22]. [c.179]

Учитывая сказанное, можно сделать предположение, что противоречия в результатах многочисленных работ по выявлению debrls-слоя объясняются именно тем фактом, что все авторы использовали в качестве рабочего объекта очень пластичный материал (медь) с высокой релаксационной способностью, приводящей к перераспределению дислокационной структуры после разгружения образца, а также при изготовлении тонких фольг. В связи с этим в настоящей работе сделана попытка проверить высказанные предположения о наличии или отсутствии градиента плотности дислокаций вблизи поверхности после деформации не на пласти шых объектах, а на кристаллах Si и Мо с жесткой решеткой, в которых процессы релаксации дислокационной структуры сведены к минимуму вследствие большой величины барьеров Пайерлса. При этом способы замораживания дислокационной структуры именно в алмазоподобной решетке полупроводниковых кристаллов в настоящее время считаются наиболее надежными и методически простыми [210-212]. Кроме того, как уже [c.24]

Диффузия. Изучение подвижности атомов методом ЯМР основано на том, что перемещение отдельных атомов усредняет локальные внутренние поля вокруг резонирующего ядра, сужая спектр ЯМР и изменяя его форму (см. рис. 13.4). При достаточно низких температурах позиции, занимаемые резонирующим ядром в структуре металла или сплава, отвечают минимуму потенциальной энергии. Повышение температуры образца вызывает рост собственной энергии ядра до величины, сравнимой с потенциальным барьером, переход через который обеспечивает диффузионное движение. Средняя частота диффузионных перескоков между двумя соседними позициями пропорциональна числу ядер, способных преодолеть барьер U, определяющий процесс диффузии Vg = Vo exp (—UjkT). Если > Av, где Av = уН/2п — ширина линии для жесткой решетки, то по температурному сужению линии можно найти величины потенциального барьера и параметров диффузии [13.35]. [c.197]

В кристаллическом силикате ионы металлов и силикат-анион располагаются определенным порядком в жесткой решетке, слагая пространственный правильный каркас. При синтезе силикатов используемый щелочной силикат несет в себе из-за наличия равновесия полимеризации силикат-ионов элементы нестехиоме-трического состава. Даже при высоком pH 3, когда силикат-ион находится в иопомерпом состоянии, небольшая добавка раствора соли двухвалентного металла вызывает интенсивную полимеризацию. Образующиеся при этом полисиликат-ионы имеют различную степень полимеризации и вызывают в дальнейшем осаждение гидросиликатов металла нерегулярного состава. [c.101]

На фиг. 75 показана конструкция поддона на роликах. В жесткой решетке 1 из жароупорнго сплава встроены два ряда роликов 2 по три ролика в каждом ряду. Ролики посажены свободно на неподвижных осях 3. Поддон описанной конструкции предназначен для транспортирования отливок из белого чугуна в печи для отжига их на ковкий чугун. [c.71]

Теория, учитывающая одновременное взаимодействие электрона с оптическими и акустическими ветвями колебаний без использования континуальной модели и адиабатического приближения, развивалась в работе Суми и Тоязавы [132] на основе метода фейнмановских интегралов. Было показано, что резкое изменение состояния полярона (наблюдаемое при увеличении связи) от почти свободного типа (Р) к самозахваченному типу (5) вызывается взаимодействием малого радиуса (деформационный потенциал акустических колебаний), а не дальнодействующим взаимодействием (поле электрической поляризации оптических колеба иий). Такое резкое изменение должно наблюдаться только при малом отношении средней энергии фононов к энергетической ширине электронной зоны в жесткой решетке, т. е. при 7< 1. При 7 5з1 почти свободное состояние Р практически не отличается от самозахваченного состояния 5. [c.256]

Рнс. 11.24. Схема образования полярона. а) Черным кружком показан электрон проводимости в жесткой решетке ионного кристалла КС1. Стрелками показаны направления сил, действующих на электрон со стороны соседних ионов, б) Ситуация в случае, когда электрон находится в упругой (деформи-руемой) решетке. Электрон вместе с областью решетки, испытавшей деформа цию, называется поляроном. Смещение ионов увеличивает эффективную силу гшерции и, следовательно, эффективную массу электрона. Эта эффективная масса в кристалле КС1 оказывается в 2,5 раза больше, чем в жесткой решетке (если эффективную массу в жесткой решетке оценивать, используя обычную теорию энергетических зон). В экстремальных ситуациях, часто при наличии дырок, может иметь место самозахват (локализация) частицы в решетке. Б ковалентных кристаллах силы, действующие на атомы со стороны электрона, слабее, чем в ионных кристаллах, и поэтому деформации поляронного типа в ковалентных кристаллах малы. [c.412]

Влиянию движения ядер на время поперечной релаксации 7 г и на ширину линии можно дать весьма простое объяснение. Из уравнений Блоха мы знаем, что величина Гг служит мерой среднего времени, в течение которого фаза индивидуального спипа изменяется на один радиан вследствие локального возмущения напряженности магнитного поля. Обозначим через (Асо)о уВ1 локальное изменение частоты, вызванное возмущением в, в жесткой решетке. Источником локального поля может быть дипольное взаимодействие с другими спинами. Если атомы находятся в быстром относительном движении, то локальное поле В/, действующее на данный спин, будет испытывать быстрые флуктуации во времени. Предположим, что величина локального поля в среднем в течение интервала времени г равна а затем изменяется и становится равной —В,- (см. рис. 17.9). Такое случайное изменение может быть вызвано относительным движением других атомов, в результате чего изменяется угол между II и г [см. выражение (17.21)]. В течение времени т спин будет прецессировать под иным углом, чем раньше, и его дополнительный фазовый угол (относительно фазового угла стационарной прецессии во внешнем поле Во) составит бф = уВ,т. Эффект сужения линий возникает в течение короткого интервала времени т, соответствующего бф <С 1. Однако по прошествии п интервалов времени длительностью т средний квадрат угла дефазировки в поле Во достигнет величины [c.605]

Обсуждая стабильность кристаллических структур, необходимо иметь в виду и другие аспекты. Описанный выше расчет дает нам внутреннюю энергию системы при нулевой температуре для различных структур. На самом же деле важно знать полную свободную энергию. При конечной температуре возбуждаются колебания решетки, дающие вклад в свободную энергию. Даже при абсолютном нуле текшературы необходимо учитывать вклад во внутреннюю энергию нулевых колебаний системы. Введение в предыдущий расчет поправок на нулевые колебания не влияет на результаты для натрия, магния и алюминия, но это не значит, что соответствующими вкладами в энергию всегда можно пренебречь. Энергия нуле-, вых колебаний равна сумме по всем модам колебаний величин /пЬ(Лд. В очень рыхлой решетке все частоты будут низкими, а энергия нулевых колебаний — малой это выгодно для данной структуры. С повышением температуры энтропия более рыхлой решетки увеличивается быстрее, и в результате свободная энергия становится меньше, чем у жесткой решетки. Например, в объемноцентрированной кубической структуре натрия зона поперечных акустических колебаний лежит в области довольно низких частот. Обычно считают, [c.492]

Теперь, когда магнитные взажмодействжя, связанные с вращательными движениями, исключены, единственное различие между теорией дипольного взаимодействия в твердом водороде и теорией, развитой выше для случая жесткой решетки, состоит в том, что ориентация вектора РР больше не фиксирована в пространстве. Вместо этого его ориентация относительно кристаллической оси описывается вероятностным распределением и определяется квадратом одной из волновых функций (VII.15). Кристаллическая ось сама по себе имеет случайную ориентацию относительно внешнего поля Hq. [c.214]

Таким образом, взаимодействие между одинаковыми спинами сильнее влияет на затухание поперечной намагниченности, чем взаимодействие между разными спинами. Этот эффект во многом напоминает эффект уши-ренмя в жесткой решетке. [c.278]

Однако этот спектр, содержавший в случае жесткой решетки только одну равную нулю частоту, теперь распространяется на широкую область. Согласно приведенному выше рассуждению, существенную роль в уши-рениж играют только квазиадиабатические составляющие локального-роля, т. е. те, частоты которых близки к нулю (во вращающейся система координат). Поскольку линия имеет ширину (неизвестную) Аы, то фурте-компоненты локального поля с частотами, лежащими между Дю, можно-рассматривать как адиабатические и интеграл (Х.2) вычислять в этом, интервале частот. Тогда действительная ширина линии определяется- [c.393]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...