Потенциал электрического поля

В ХОЛОДНОМ конце проводника, вызывает градиент электрического потенциала. Отрицательный заряд на холодном конце нарастает до момента достижения динамического равновесия между числом электронов с большей энергией, диффундирующих от горячего конца к холодному под действием градиента температуры, и числом электронов, перемещающихся от холодного конца к горячему под действием градиента потенциала электрического поля. Этот градиент потенциала существует, пока есть градиент температуры, и называется термоэлектрической э.д.с. Отсюда следует, что термо-э.д.с. не может возникнуть без температурного градиента. [c.268]

Введем потенциал электрического поля у х) при помощи соотношения [c.149]

Для того чтобы условие равновесия (4. 4. 37) выполнялось, необходимо, чтобы потенциал электрического поля изменялся в пространстве следующим образом [54] [c.149]

Эквипотенциальные поверхности. Поверхность, во всех точках которой потенциал электрического поля имеет одинаковые значения, называется эквипотенциальной поверхностью. [c.139]

Потенциал электрического поля [c.308]

Величину Y кТ/Нле п называют дебаевским радиусом и обозначают обычно через О. Дебаевский радиус характеризует быстроту уменьшения потенциала электрического поля в ионизованном газе или, другими словами, глубину проникновения внешнего электрического поля в ионизованный газ. [c.636]

Потенциал электрического поля, создаваемого всеми остальными 2N — I частицами, будет соответственно равен для иона [c.636]

Например, если в электрических схемах в качестве обобщенных сил принять напряжение (электродвижущую силу, потенциал электрического поля), то виртуальную работу можно определить по изменению потенциальной энергии при переносе заряда на соответствующую разность потенциалов W = Uq (аналог произведению силы на путь W = Рх). В этом случае уравнения Лагранжа представят собой выражение 2-го закона Кирхгофа как выражение равенства напряжений, затраченных на отдельных участках контура и электродвижущих сил источников тока, включенных в ту же цепь. [c.24]

Потенциал электрического поля н [c.330]

Потенциал электрического поля в данной его точке А — отношение потенциальной энергии /7д, которой обладает заряд Q в точке А электрического поля, к величине заряда [c.447]

Рвс. 1. Потенциал электрического поля ф(зс) и фазовые траектории, отвечающие движению иона в данном поле при различных значениях энергии [c.312]

Рис. 3-2. Схемы испытания моделей заземлителей. а — измерение сопротивления заземлителя б — измерение потенциала электрического поля. I — автотрансформатор 2 — разделительный трансформатор 3 — электролитическая ванна 4 модель заземлителя 5 — электронный осциллограф — регулируемые резисторы — потенциал модели У,. — потенциал исследуемой точки поля.

Измерение сопротивления растекания моделей в ван-ке производилось по схеме амперметра — вольтметра (рис. 3-2,а) и измерение потенциала электрического поля модели заземлителя — по мостовой схеме (рис. 3-2,6). [c.45]

Ф — потенциал электрического поля в зерне ионита. [c.61]

Прежде чем перейти к формулировке соответствующей краевой задачи для системы (1.5), оценим порядок величины членов, содержащих Е. Если обозначить через Ь расстояние между пластинами конденсатора, а через (ро — разность потенциала электрического поля между ними, то член, квадратичный по полю, будет иметь порядок ( 1 а член, линейный по полю, — порядок г(ро Ь . [c.430]

Здесь (f — потенциал электрического поля, а — электропроводность жидкости и с — скорость света. [c.682]

Точечный заряд в электрическом поле. Пусть в начале координат бесконечного пространства в вакууме находится некоторый точечный заряд q. Потенциал электрического поля ф в этом случае равен [c.356]

Электрический заряд Потенциал электрического поля Электрическое напряжение Электродвижущая сила (ЭДС) Напряженность электрического поля [c.138]

Будем считать, что при записи изображения в объеме электрооптического кристалла сформирован заряд с плотностью р х, у, z). Диэлектрическую проницаемость слоя 1 обозначим ej, слоя 2 — eg, а толщины слоев — di и da соответственно. Систему координат выберем так, чтобы ее начало по оси z, которая перпендикулярна к плоскости электродов, совпало с границей раздела между слоями диэлектрика. Потенциал электрического поля Ф (х, у, z) должен удовлетворять уравнению Пуассона [c.146]

Величина потенциала электрического поля определяется как разность потенциалов обоих электродов. [c.83]

Известные методы решения [10, 25, 39] краевой задачи (2.45) основаны на разложении коэффициентов С(г), Л(г), е(г), 9(г), тг(г) и искомых полей перемещений и(г) и потенциала электрического поля (г) на осредненные и пульсационные составляющие. При этом нулевым приближением для полей и(г) и и < (г)> соответственно. Использование разложений коэффициентов [c.41]

Основные соотношения. Известные методы решения [10, 25, 39 краевой задачи (2.45) основаны на разложении коэффициентов С(г), Л(г), е(г), /9(г), 7г(г) и искомых полей перемеш ений и(г) и потенциала электрического поля нулевым приближением для полей и(г) и ( (г) являются осредненные решения <и(г)> и < (г)>. Как показано в работах [10, 33], корреляционные функции структуры матричных композитов имеют область отрицательных значений, что иллюстрируется, например, на рис. 2.4. Наличие области отрицательных значений есть признак присутствия периодических составляющих в соответствующих случайных полях. [c.62]

Как это следует из соотношений (3.6), (3.7), поиск перемещения и и потенциала электрического поля (р в точке с локальной координатой в произвольной к-й ячейке композита с квазипериодической структурой (рис. 3.1, о) будем рассматривать относительно отклонений у иф искомых значений и и 9 от известных значений перемещения и потенциала электрического поля для точки с такой же локальной координатой в соответствующей к-и обобщенной ячейке композита с периодической структурой. Центр локальной системы координат совмещен с центром к-го включения. Граница к-й обобщенной ячейки образуется смещением на вектор —а границы к-й ячейки периодической структуры (рис. 3.1,6). Совокупность фрагментарных решений, выделенных обобщенными ячейками из поля и (г) для периодической структуры, составляет поле нулевого приближения для и(г) в области V квазипериодического композита. Например, перемещения и потенциал электрического поля для точек к-й межфазной поверхности квазипериодического композита будем рассматривать относительно отклонений от известных перемещений и потенциала электрического поля соответствующих точек к-й межфазной поверхности композита с периодической структурой. [c.127]

Обобщенные объемные силы Х(г) (3.11) и У"(г) (3.12) в формуле (3.8) есть невязка уравнения (2.45) для заданного нулевого приближения искомых полей перемещений и потенциала электрического поля в области V квазипериодической структуры. Квазипериодическая структура и нулевое приближение могут быть представлены совокупностью фрагментов обобщенных ячеек, для которых выполняются уравнения связанной краевой задачи (2.179), поэтому [c.127]

Рост окисной пленки на металле (в соответствии с механизмом Мотта) определяется градиентом потенциала электрического поля внутри окисла. Последний же зависит от величины, ширины и взаимного расположения потенциальных барьеров, вызванных контактом металла с окисной пленкой и хемосорбцией кислорода на ней. Величина и ширина барьеров зависит от температуры, а их взаимное расположение — от толщины окисной пленки (времени окисления). [c.102]

Спад продолжается до тех пор, пока ширина окисной пленки не станет больше суммарной ширины контактного и хемосорбционного барьеров, т. е. пока не установится распределение градиента потенциала электрического поля, согласно схеме I, б (рис. 52). При этом спад сменяется горизонтальным участком кривой. При определенных температурах этот участок будет соответствовать механизму окисления по Вагнеру. [c.103]

Здесь е , е , — орты осей полярной системы координат, V — потенциал электрического поля, вычисленный с погрешностью 0( ги р) согласно (35)-(37). Отметим, что для вывода уравнений движения оболочки в линейном по w приближении достаточно ограничиться приведенными выше расчетами для возмущенного потенциала. [c.57]

Аналогичным способом можно HaifTH потенциал электрического поля, созданного J[юбым числом электрических зарядов. [c.138]

При наличии электрического заряда химический потенциал равен сумме Ф + РгФе> где ф — обычный химический потенциал, ф — потенциал электрического поля, а Ре — заряд единицы массы вещества. Ранее, при рассмотрении диффузии, мы убедились, что обобщенная сила составляется из [c.349]

Выбор граничных условий для Lp не ограничивает обгцности постановки задачи, поскольку значение потенциала электрического поля определяется с точностью до произвольной постоянной. В области, занятой чистой дисперсионной средой, система (2.1) и (2.2) дает [c.431]

Из (7.63) следует, что в низкочастотном пределе, когда /( -> О, tpi 2 ос /С и ф1,2 (0) = 0. Наибольших значений ф и фз достигают, когда заряженная плоскость смещается в центр кристалла по толщине и имеет координату = dl2. В таком положении заряженная плоскость максимально удалена от обеих поверхностей кристалла. Зависимость фх и фа от положения заряженной плоскости в кристалле существенно отличает поперечный электрооптический э4 ект от продольного. Напомним, что при продольном эффекте максимальная амплитуда модуляции наблюдается, когда заряд располагается на поверхности кристалла, и ф ,2 = 0. если заряд располагается в центре кристалла. Возьмем для простоты кристалл без электродов, в центре которого по толщине расположен плоский синусоидальный заряд. Начало координат по оси z совместим с плоскостью заряда. В этом случае решение уравнения Пуассона (7.45), т. е. потенциал электрического поля заряда а (0) = sin Кх, будет иметь вид [c.151]

Как отмечалось в 1.2, существует большое количество феноменологических законов, описьшающих процессы переноса в форме пропорциональности, как, например, закон Фурье о пропорциональности теплового потока градиенту температуры, закон Фика о пропорциональности потока масс градиенту концентрации, закон Ома о пропорциональности электрического тока градиенту потенциала электрического поля, закон Ньютона о пропорциональности силы внутреннего трения градиенту скорости и др. (см. табл. 1.1). [c.154]

Поэтому для потенциала электрического поля иозмущения имеем уравнение [c.123]

Рассмотрим антиплоские контактные задачи электроупругости, относящиеся в математическом плане к наиболее простым задачам электроупругости. В пьезоэлектрических средах, как показано в работах [19, 48], существуют сдвиговые поверхностные волны. Эти волны могут распространяться как вдоль границ пьзоэлектрического полупространства, так и вдоль поверхности цилиндра. Для возбуждения сдвиговых поверхностных волн в пьезосредах используются системы поверхностных электродов, на которых задаются изменяющиеся во времени по известному закону значения потенциала электрического поля. Для кристаллов симметрии класса бтт с осью симметрии, совпадающей с осью 2 , при антиплоской деформации имеем и(х, у) = v x, у) = 0,уо = т(х, у), (р = (р(х, у) и система уравнений электроупругости (1)-(4) сводится к определению смещения щ х,у) [c.584]

Относительно электрических условий были рассмотрены варианты неэлектродированной поверхности, когда нормальная составляющая вектора индукции равна нулю, и вариант электродированной граничной поверхности, когда задано значение потенциала электрического поля. [c.593]

Предложенный в [14] подход к решению задачи возбуждения волн электродами сводится к следующему (см. также [3]). Первоначально находится матрица Грина для пьезополупространства, свободного от механических нагрузок, с точечным распределением заряда на граничной поверхности и с учетом условий излучения. Знание функции Грина позволяет, в принципе, определить поля смещений и потенциал электрического поля при произвольном распределении заряда на граничной поверхности в виде интегралов [c.597]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...