Дефекты Примеры

Дисклинация единичной силы может расщепиться на две дисклинационные линии силой /2- Поскольку линия единичной силы уменьшает свою энергию за счет вытекания в третье измерение, ее существование энергетически выгоднее наличия двух линий силы ъ " Точечные дефекты, пример которых дает рис. 4, принадлежат к другому классу дефектов нематических жидких Кристаллов. Эти дефекты можно наблюдать в капиллярных трубках, когда граничные уело- [c.88]

На эскизе детали, взятом из технических условий на конт-роль-сортировку (дефектацию) детали, указывают возможные дефекты, которые обозначают буквой X с соответствующим индексом, указывающим порядковый номер дефекта. Пример эскиза детали представлен на рис. 3.15. [c.106]

Распределение амплитуд волн в поле дифракции на ребре важно знать для выбора оптимальных направлений излучения и приема при обнаружении края протяженных дефектов. Пример такого учета дан в п. 3.1.1. В п. 2.2.1 рассмотрен более простой случай дифракции на ребре при перпендикулярном падении волны на плоскость разреза в жидкостной модели. [c.47]

Поковки наиболее ответственного назначения (например, детали оборудования атомных электростанций) контролируют так, чтобы каждый объем озвучивался в трех взаимно перпендикулярных направлениях (рис. 3.7). Это повышает вероятность обнаружения различно ориентированных плоских дефектов. Пример такого контроля прямым преобразователем показан на рис. 3.7, а. [c.200]

ПРОЧНОСТЬ УЧАСТКОВ МАГИСТРАЛЬНЫХ ГАЗОПРОВОДОВ С ЛОКАЛЬНЫМИ ДЕФЕКТАМИ. ПРИМЕРЫ РАСЧЕТА КОНСТРУКЦИИ НА [c.84]

Медленное охлаждение при закалке в области мартенситного превращения— самый эффективный способ уменьшения напряжений и устранения дефектов этого вида. Мелкие детали, так же как и простые по форме, без острых углов и резких переходов, менее склонны к короблению. Поэтому при конструировании придание детали технологической формы является важным способом уменьшения этого вида дефекта. На рис. 246 приведены примеры правильного и неправильного конструирования деталей. Более сложные по форме детали целесообразно изготавливать из легированных закаливаемых в масле сталей, чем из углеродистых, закаливаемых. [c.306]

Разработку системы последовательных калибров, необходимых для получения того или иного профиля, называют калибровкой. Калибровка является сложным и ответственным процессом. Непра-вильная калибровка может привести не только к снижению производительности, но и к браку изделий. Чем больше разность в размерах поперечных сечений исходной заготовки и конечного изделия и чем сложнее профиль последнего, тем больше число калибров требуется для его получения. В качестве примера на рис. 3. J0 показана система из девяти калибров для получения рельсов. Число калибров может быть различным например, при прокатке проволоки диаметром 6,5 мм их число достигает 21. После прокатки полосы режут на мерные длины, охлаждают, правят в холодном состоянии, термически обрабатывают, удаляют поверхностные дефекты. [c.67]

Катодные металлические покрытия, электродный потенциал которых более электроположителен, чем потенциал основного металла, могут служить надежной защитой от коррозии только при условии отсутствия в них пор, трещим и других дефектов, т. е. при условии их сплошности, так как они механически препятствуют проникновению агрессивной среды к основному металлу. Примерами катодных защитных покрытий являются покрытия железа медью, никелем, хромом и другими более электроположительными металлами. [c.319]

Источниками блуждающих постоянных токов обычно являются пути электропоездов, заземления линий постоянного тока, установки для электросварки, системы катодной защиты и установки для нанесения гальванических покрытий. Источники блуждающих переменных токов — это обычно заземления линий переменного тока или токи, индуцированные в трубопроводах проложенными рядом электрическими кабелями. Пример возникновения блуждающего постоянного тока от трамвайной линии, где стальные рельсы используются для возвращения тока к генераторной станции, показан на рис. 11.1. Вследствие плохого контакта рельсов на стыках и недостаточной изоляции их от земли часть тока выходит в почву и находит пути с низким сопротивлением, например подземные газо- и водопроводы. В точке А труба попадает под воздействие катодной защиты и не подвергается коррозии, а в точке В, напротив, сильно корродирует, так как по отношению к рельсам является анодом. Если в точке В труба защищена неметаллическим покрытием, это усугубляет коррозионные разрушения, так как в этом случае все блуждающие токи выходят через дефекты в покрытии трубы, что вызывает увеличение плот-, ности тока на ограниченных участках поверхности и ускоряет разрушение трубы. [c.210]

Рассчитаем равновесную концентрацию точечных дефектов на примере вакансий. [c.469]

Допустимость в конструкции дефектов доказана многочисленными исследованиями, проведенными в нашей стране и за рубежом. Приведем несколько примеров. [c.363]

Известным примером такого рода дефектов является тонкая двойниковая прослойка в кристалле. [c.154]

На основе метода муаровых полос было установлено распределение линейных и угловых деформаций и ) по различным сечениям испытываемых образцов. В качестве примера на рис. 2.8 показано деформированное состояние соединений с мягким стыковым швом при расположении дефекта в его центре. Локализация деформаций е при этом наблюдается в окрестности вершины дефекта и в угловых точках шва. Угловые деформации максимальны в сечении 2y/h=l в окрестности угловых точек. При этом ме- [c.47]

Можно указать на несколько факторов, вызывающих появление подобных дефектов. К ним относятся в первую очередь кинетические факторы, связанные с тем, что кристалл не успевает стать идеальным в процессе кристаллизации и последующей обработки. Далее следует указать, что при не слишком низких температурах из-за конкуренции энергетического и энтропийного факторов присутствие в кристалле некоторого количества дефектных мест будет отвечать термодинамическому равновесию. Наконец, уже созданные идеальные кристаллы могут оказаться испорченными под влиянием факторов (механической обработки, действия радиации), нарушающих строгую периодичность расположения атомов. По этим причинам реальные кристаллы имеют дефекты, и физические свойства кристалла формируются под совместным действием строгой периодичности и отступлений от нее. Можно привести немало примеров, свидетельствующих о важности учета вклада дефектов в формирование свойств материалов. Так, без учета этого вклада оказалось невозможным построение теории прочности и пластичности материалов, поскольку эти характеристики определяются степенью сопротивления тела действию сил, смещающих разные части тела относительно друг друга. Под действием радиации (мощные световые потоки, пучки электронов, нейтронов, заряженных ядер и т. д.). отдельные атомы или группы атомов оказываются выбитыми из своих правильных положений, и поэтому структура и свойства облученных материалов необъяснимы без оценки роли дефектов и т. д. В связи с этим важной составной частью физики твердого [c.228]

Изложим теперь современное представление о дислокациях [2, 51—52]. Простейший пример дислокации мы уже привели в предыдущем параграфе. Это край дефекта упаковки. В более общем подходе дислокацию можно представить в виде цилиндра, [c.238]

Рассмотрим вкратце влияние дефектов на физические свойства металлов и полупроводников на примере электропроводности. [c.245]

Более сложным оказался характер влияния дефектов на электропроводность полупроводников [54]. Этот вопрос удобнее рассмотреть на примере влияния на электропроводность температуры и примесей. Для полупроводников характерно существование при [c.246]

При указанном подходе, естественно, возникает вопрос об однозначности возникающего предельного рещения (дальше мы вернемся к этому вопросу на примере сосредоточенной силы, расположенной внутри пространства). Вначале же отметим один дефект решения при задании сосредоточенной силы. Это решение обладает такой особенностью, что перемещение в точке приложения сосредоточенной силы бесконечно, в то время как перемещения во всех остальных точках ограничены и убывают по мере удаления от особой точки. Поэтому будет существовать такая зона, в которой решение в смещениях окажется неоднозначным в том смысле, что две различные точки в процессе деформирования переходят в одну, что лишено физического смысла ). [c.299]

И последующих главах. Здесь в качестве примера поверхностных дефектов рассматривается строение границ субзерен. [c.39]

Следует отметить, что в материале с высокой энергией дефектов упаковки (малой шириной расщепленных дислокаций) поперечное скольжение облегчается не только при деформации, но и при последующем отжиге. В таком материале будет проявляться заметное разупрочнение не только при рекристаллизации, но и на стадии возврата. Типичным примером этого являются алюминий и медь (соответственно с большой и малой энергией д.у). В первом случае происходит заметное разупрочнение на стадии возврата, тогда как медь разупрочняется только при рекристаллизации. Укрупнение субзерен (второй этап формирования центров) может реализоваться двумя механизмами — миграцией малоугловых границ субзерен или коалесценцией соседних субзерен с исчезновением разделяющих их субграниц. [c.319]

При низких температурах объемная проводимость твердых диэлектриков может целиком определяться примесями и дефектами структуры. При повышенных температурах. ток утечки может определяться переносом ионов основного вещества диэлектрика. Для облегчения понимания особенностей ионной электропроводности твердых диэлектриков рассмотрим явления, наблюдающиеся при прохождении постоянного тока через кристалл каменной соли, который взят как самый простой и наглядный пример. Ионный характер электропроводности в данном случае предопределяется соотношениями энергий активации ионов и электронов потенциал активации ионов натрия равен 0,85 В, ионов хлора 2,55 В, а электронов 6 Б (при комнатных температурах). Заметная электронная электропроводность в каменной соли может быть обусловлена наличием некоторых примесей и действием ионизирующих излучений, приводящих к отрыву электронов от ионов. В обычных условиях при комнатной температуре подвижность наиболее слабо закрепленных в решетке ионов натрия еще настолько мала, что срыва их электрическим полем из узлов решетки при нормальной ее структуре не происходит. Наблюдающаяся при этом очень малая проводимость носит примесный характер. [c.50]

Приведенные результаты выявляемости дефектов — примеры, взятые из большого числа экспериментов, поэтому они в достаточной мере характеризуют эффективность магнитотелевизионной дефектоскопии. Анализ приведенных данных показывает, что телевизионный способ воспроизведения магнитной записи по чувствительности и разрешающей способности не уступает методам дефектоскопии, основанным на применении изотопов. Рентгеновский метод имеет более высокую чувствительность, так как техника магнитной записи пока не позволяет фиксировать на ленте некоторые дефекты, доступные рентгеновскому методу. [c.219]

Бесклиновое крепление инструментов, предложенное А. М. Фоменко, не имеет указанных дефектов. Пример бесклинового крепления консольной расточной оправки показан на рис. 23. Зажимное устройство состоит из корпуса 4, резьбового кольца 3, гайки 2, [c.49]

Рассмотрим применение голографических методов контроля дефектов второго рода на примере склеивания системы из двух прямоугольных пластин. Для этих целей обычно используют метод голографической интерферометрии в реальном времени. Систему из свежесклеенных пластин помещают в схему голографического интерферометра и регистрируют исходное состояние одной из поверхностей пластин на фотопластинке. После ее проявления и установки на прежнее место в реальном времени наблюдают процесс высыхания или полимеризации клея. Если система не деформируется, то через голограмму будет видна чистая поверхность пластины без интерференционных полос, в противном случае возникает покрывающая объект интерференционная картина, которая характеризует изгиб склеиваемых элементов. Такой экспресс-контроль позволяет выбрать наиболее правильные, оптимальные режимы склейки, подобрать необходимые материалы и марку клея для снижения деформаций. В целях проведения контроля деформаций при клеевом соединении оптических. элементов можно использовать голографический интерферометр, представленный на рис. 4.3. Если склеиваемые изделия непрозрачны, то оптическую схему для диффузно отражающих объектов собирают на голографическом стенде. [c.109]

Парные дефекты Френкеля возникают легче в кристаллах, содержащих большие межатомные промежутки, чем в плотноупа-кованных. В последних для междоузельных атомов, попросту говоря, нет места. Примером кристаллов первого типа являются кристаллы со структурой алмаза и каменной соли, а кристаллов второго типа—металлы с плотной упаковкой. Так, например, маловероятно встретить при обычных условиях междоузельные атомы в гранецентрированных (ГЦК) металлах. Единственным типом меж- [c.86]

В твердых диэлектриках, имеющих определенного рода дефекты, возможна электронная поляризация, обусловленная тепловым движением. Механизм такой поляризации рассмотрим на примере кристалла ТЮа (рутил), содержащего анионные вакансии. Двухмерная модель структуры Т1О2 с анионной вакансией изображена на рис. 8.7. [c.288]

Примером квазичастиц другой группы служат электроны проводимости и дырки в полупроводниковых кристаллах (см. 6.2). Каждая такая квазичастица происходит (в одиночестве или в паре с другой квазичастицей) от реального электрона. Здесь налицо соответствие между квазичастицей и ее прообразом — реальной частицей. Однако и в этом случае движение квазичастиц имеет коллективный характер, хотя и не столь очевидный, как в случае фононов. Он проявляется в размазанности по пространству волновых функций электрона проводимости и дырки, в невозможности локализации их вблизи какого-либо узла решетки, т. е. в факте обобществления этих квазичастиц всем атомным коллективом, образующим кристалл. Заметим в этой связи, что если рассматривать действительно идеальный кристалл без каких-либо дефектов или примесей и, кроме того, исключить взаимодействие электронов с фононами, то в этом случае электроны проводимости и дырки будут распространяться по кристаллу беспрепятственно, совершенно не замечая атомов, сидящих в узлах кристаллической решетки. [c.147]

Проведя серию экспериментов на моделирующих сварные соединения образцах с различным местоположением плоскостных дефектов, бьш сделан вывод о том, что при значениях Л/h < 0,1 смещение линии разветвления пластического течения от вершины дефекта пренебрежимо мало и находится практически на вершине дефекта. В качестве примера на рис. 2.6 показаны картины муаровых полос и сетки линий скольжения для образцов с данными дефектами, а на рис. 2.7 сопоставление теоретических (по методу линий скольжения) и экспериментальных даннь1Х при нахождении координаты линии разветвления пластического течения для образцов с плоскостным дефектом [ /В = 0,125, [c.46]

Напряженное состояние и прочность упрухопластиче-ских тел с плоскостными концентраторами зависит от их местоположения, геометрических размеров и механических свойств материала. Проиллюстрируем сказанное на примере пластин с центральным и двухсторонним надрезами. Для данных пластин напряженные состояния будут различными. Для пластины с двухсторонним надрезом (рис. 3.4, а) сетка линий скольжения при достижении полной текучести в нетто-сечении приводит к некоторому перенапряжению Q = а J /2 к, где к — предел текучести метала при чистом сдвиге. Для пластины с центральным дефектом рис. 3.5] такого перенапряжения не наблюдается вплоть до предельной стадии ее работы. В окрестности вершины дес )екта имеет место плоское напряженное состояния при плоской деформации (Qj = а , G2 = o /2, аз = 0, см. рис. 3.5, б). Для анализа [c.85]

Рассмотренные закономерности деформирования однородных пластин с дефектами являются базой для описания ан 1логичных явлений в механически неоднородных сварных соединениях. На рис. 3.10 в качестве примера рассмотрено деформирование сварного соединения с центральным плоскостным дефектом в мягкой прослойке. На первой стадии деформирования пластическая область не контактирует с границей мягкого и твердого металлов, поэтому справедливы рассуждения для однородной пластины из метал- [c.91]

Другим примером пространственных диссипативных структур является так называемая решетка вакансионных пар, экспериментально обнаруженная Дж. Эвансом в 1970 г. при исследовании микроструктуры молибдена, облученного ионами азота. Известно,, что облучение металла быстрыми частицами (нейтронами, ионами) приводит к образованию в кристаллической решетке точечных дефектов — вакансий и межузельных атомов. При повышении температуры эти вакансии, двигаясь в кристалле, образуют сложные кластеры дефектов в виде сферических вакансионных пор и плоских дислокационных петель. Обычно такие кластеры образуют пространственно однородную систему. Однако при определенных условиях облучения вакансионные поры располагаются упорядоченно в виде правильных сверхрешеток , тип которых совпадает с типом кристаллической решетки металла и имеющих период, в сотни раз превыщающий период этой рещетки. Образование таких упорядоченных структур вакансионных пор вызвано нелинейным динамическим взаимодействием точечных дефектов с мелкими вакансионными кластерами и диффузионным взаимодействием между порами. [c.34]

При относительно небольших степенях деформации, когда ячеистая структура еще четко не сформирована, плотность дислокаций по обе стороны исходных границ соседних зерен часто оказывается существенно различной. Это объясняется неоднородным характером деформации различно ориентированных зерен поликристалла. В таком случае при нагреве некоторые из исходных зерен могут расти за счет соседних миграцией локальных участков своих большеугловых границ. В результате на мигрирующей границе образуются выступы или языки . Типичные примеры показаны на рис. 182. Движущей силой такого процесса является локальная разность объемных энергий (плотности дислокаций) по обе стороны от мигрирующего участка границы, созданная неоднородностью деформации. Граница (ее локальный участок) мигрирует в область соседнего зерна с более высокой плотностью дислокаций. Мигрирующий участок границы как бы выметает дефекты из пройденного ею участка (на рис. 182 области с разной плотностью дислокаций легко отличить по разной травимости). [c.317]

Пример 2. Рассмотрим толстостенный цилиндр давления, работающий при комнатной температуре и отсутствии агрессивного воздействия среды. Предполоншм, что материал содержит дефекты только одного вида, а именно нолуэллинтические поверхностные трещины, ориентированные так, что плоскость трещины перпендикулярна окружным напряжениям. Определим циклическую долговечность данного элемента конструкции при различных значениях исходной глубины трещины Zo, считая, что эта глубина не должна превышать заданной h = 20 мм. [c.276]

Пример 3. Требуется установить периодичность дефекто- K0ifH4e K0r0 контроля плоской растягиваемой детали, имеющей форму широкой полосы с центрально расположенной трещиной. Материал детали — сталь А588 (от = 350 Н/мм , [c.277]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...