Дефекты по Френкелю

Кроме парных дефектов, по Френкелю, в кристаллах имеются и одиночные точечные дефекты — вакансии, впервые рассмотренные В. Шоттки (рис. 3.5). [c.87]

В общем случае кристалл содержит и дефекты по Френкелю, и дефекты по Шоттки. Однако преобладают те нарушения, для образования которых требуется меньшая энергия. [c.88]

Предположим, что имеется лишь один тип дефектов, например дефекты по Френкелю. Кроме того, будем считать, что 1) объем кристалла не зависит от температуры 2) дефекты не зависят друг от друга 3) частоты колебаний атомов в решетке не зависят от наличия вакансий или междоузельных атомов. [c.88]

Если на образование одного дефекта по Френкелю затрачивается энергия ф то увеличение внутренней энергии кристалла при образовании п дефектов составит [c.89]

Аналогично для концентрации дефектов по Френкелю [c.91]

Воспользовавшись приемом, который был использован при выводе выражения для концентрации дефектов по Френкелю в элементарных кристаллах, и полагая, что в каждой подрешетке концентрация вакансий равна концентрации междоузельных атомов,, получим [c.93]

Образование дефектов в ионных кристаллах сопряжено с соблюдением дополнительного условия — необходимости сохранения электронейтральности кристалла. В этом случае возникают либо две одиночные вакансии противоположного знака (дефект Шот-тки), либо вакансия и межузельный атом (дефект Френкеля). При этом тип возникающих дефектов определяется спецификой кристалла. Например, для чистых щелочно-галоидных кристаллов типичны дефекты по Шоттки, а для галогенидов серебра — дефекты по Френкелю. Укажем, что если при образовании дефектов по Шоттки плотность кристаллов уменьшается, то при образовании дефектов по Френкелю она остается неизменной. [c.233]

В том случае, когда атом после выхода из узла кристаллической решетки остается в кристалле (н находятся между узлами решетки), изменение АФ составит значительно большую по сравнению с Ф —Фа величину (совокупность вакансии и межузельного атома составляет дефект по Френкелю). Концентрация вакансии, равная концентрации межузельных атомов [c.373]

Дефекты структуры кристалла стехиометрического состава разделяются на два типа. Во-первых, это дефекты (так называемые дефекты Шоттки), которые содержат анионные и катионные вакансии в эквивалентных количествах, и, во-вторых, дефекты по Френкелю, которые содержат дефекты либо в одной катионной, либо в одной анионной подрешетке, а парные дефекты состоят из вакансий или внедренных атомов одного и того же компонента. [c.48]

В галоидных солях серебра преобладают, по-видимому, дефекты по Френкелю, которые, по мнению ряда авторов, играют ос- [c.101]

В общем, по имеющимся в литературе экспериментальным данным и теоретическим расчетам можно заключить, что в фотохимических процессах в галоидном серебре доминирующую роль играют дефекты по Френкелю, тогда как в кристаллах щелочногалоидных соединений, наоборот, преобладают дефекты по Шоттки. [c.102]

Точечные дефекты Дефекты по Френкелю, дефекты по Шотт- [c.216]

ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ (ДЕФЕКТЫ ПО ФРЕНКЕЛЮ И ШОТТКИ) [c.217]

Кроме того, дефекты по Френкелю и по Шоттки могут возникать дополнительно при внешних воздействиях на кристалл, например, при бомбардировке нейтронами и нонами (см. 9.1.3), при механической обработке или воздействиях ударными волнами. В этом случае имеют место отклонения от концентрационного равновесия. [c.217]

Для концентрации дефектов по Френкелю получается соотношение, аналогичное (10.7). Если N — число возможных мест для междоузельных атомов, а п — число атомов, которые покинули свои места в решетке, то [c.220]

В настоящем сборнике приведены главным образом работы 1951 г. и в меньшем числе работы 1949 и 1952 гг. Статьи, включенные в сборник, отражают то несколько критическое состояние, в котором оказалась теория скрытого изображения в связи с вопросом о роли дефектов (по Френкелю и по Шоттки) в решетке бромистого серебра. [c.6]

Исходя из существования дефектов по Френкелю и равного участия в проводимости вакантных серебряных узлов и между- [c.29]

С другой стороны, произведенный Лоусоном ) анализ экспериментальных данных Стрелкова [5] по коэффициенту расширения бромистого серебра приводит, с некоторыми дополнительными предположениями, к выводу, что вблизи точки плавления преобладают дефекты по Шоттки. Опыты по изучению ориентации серебра, выделяющегося при фотолизе бромистого серебра [6], также указывают на существование дефектов по Френкелю в чистых кристаллах и образование поверхностных вакантных анионных узлов в процессе фотолиза. [c.37]

На этом же графике проведена кривая, полученная из данных Стрелкова [5] по коэффициенту расширения бромистого серебра при условии, что постоянная решетки бромистого серебра изменяется в том же соотношении, что и наружные размеры. Другими словами, это — постоянная решетки такого образца, который не содержал бы структурных дефектов или в первом приближении содержал бы только дефекты по Френкелю. Рассмотрение разброса экспериментальных данных, полученных Стрелковым, показывает, что проведенная на графике кривая вряд ли содержит [c.39]

Дефекты кристаллической решетки (О-мсриые) - нарушения идеальной кристаллической решетки за счет различий в заполнении отдельных узлов решетки. Основными 0-мерными дефектами являются вакансии (дефекты по Шотгки), когда > зел регнетки остается не занятым частицей, и дефекты по Френкелю - совокупность вакансии и частицы, занимающей нехарактерное междоузлие в решетке. [c.362]

Образование дефектов по Шоттки уменьшает плотность кристалла из-за увеличения его объема при постоянной массе. При образовании дефектов по Френкелю плотность остается неизменной, так как объем кристалла не изменяется. Измерения плотности свидетельствуют о том, что, например, для чистых щелочно-галоидных кристаллов доминируюш,ими дефектами являются дефекты по Шоттки, а для чистых кристаллов галогенидов серебра — дефекты по Френкелю. [c.88]

В бинарных кристаллах, например простейших типа АВ, дефекты по Френкелю и дефекты по Шотткй могут возникать как в подрешетке А, так и в подрешетке В. При этом возможно образование следующих типов точечных дефектов 1) вакансии в подрешетке Л 2) вакансии в подрешетке Б 3) парные дефекты (вакансия и междоузельный атом) в подрешетке А 4) парнке дефекты в подрешетке В 5) атомы подрешетки А, попавшие в междоузлия подрешетки В 6) атомы подрешетки В, внедренные в междоузлия подрешетки Л 7) атомы подрешетки Л, попавшие в вакансии подрешетки В 8) атомы подрешетки В, занимающие вакансии подрешетки Л. [c.93]

Выше отмечалось, что в ионных кристаллах обычно возникают не парные дефекты по Френкелю, а дефекты по Шоттки. Так, на-лример, в щелочно-галоидных кристаллах вакансия аниона (т. е. д. отсутствие отрицательного заряда ) дей- 3/ ствует как эффективный положительный за- [c.94]

В ионных кристаллах различают два принципиально различных вида микродефектов структуры. Один из них возникает в связи с тем, что некоторые ионы вследствие теплового движения смещаются из своих обычных положений в узлах решетки и проникают в междоузлия, оставляя при этом пустые узлы. Такие междо-узельные ионы и равные им по числу вакантные узлы были названы дефектами по Френкелю. Вакантные узлы обоих знаков в [c.99]

Существуют различные теории процесса плавления. Представления о локальном плавлении кристалла были развиты Леннард—Джонсом и Девонширом. По этой модели локальное разупорядочение объясняется расположением атомов по междоузлиям решетки (дефекты по Френкелю, см. 10.3.1). При температуре плавления Тил устанавливается равновесие между слегка разупорядо-ченным кристаллом (собственно кристаллом) и сильно разупорядоченным кристаллом (расплавом). [c.194]

Так как точечные дефекты имеют в трех кристаллографических нанравленнях атомарные размеры, их называют еще атомными дефектами. Дефекты по Френкелю и по Шоттки принципиально отличаются от линейных [c.217]

До 1949 г. считалось определенно установленным, что в образовании скрытого изображения участвуют только дефекты по Френкелю , теория которых была разработана советским ученым Я. И. Френкелем еще в 1926 г. [1]. Существование этих дефектов было убедительно доказано также прямыми опытами Ту-бандта [2] и Вагнера и Байера [3]. Однако в 1949 г. Митчелл [4] привел ряд косвенных соображений в пользу существования в чистом бромистом серебре и в смешанных кристаллах бромистого и сернистого серебра так называемых дефектов по Шоттки . Согласно теории Митчелла, эти дефекты (вакантные галоидные узлы) и возникающие в их присутствии / -центры играют основную роль в образовании скрытого изображения. [c.4]

Вопрос о существовании и роли дефектов по Шоттки в смешанных кристаллах AgBr + А 28 еще не решен окончательно. Косвенные данные указывают на существование в этом случае заметной концентрации этих дефектов (вакантных бромных узлов) ). Зейтц [9] считает, что энергетические соображения заставляют принять преобладание дефектов по Френкелю, однако дефектам по Шоттки он придает также важцую роль в процессе фотолиза. [c.5]

В случае бромистого серебра имеет место хорошее совпадение, указываюн1ее на то, что аномальное расширение обусловлено увеличением числа дефектов решетки, ответственных за ионную проводимость. Поскольку природа этих дефектов неизвестна (т. е. неизвестно, являются ли они дефектами по Френкелю или по Шоттки), интересно выяснить, позволяют ли данные по расширению сделать выбор между этими двумя возможностями. [c.29]

Существуют некоторые сомнения относительно природы дефектов решетки бромистого серебра. В теории скрытого изображения, предложенной Герни и Моттом [1], принимается, что в бромистом серебре присутствуют только дефекты по Френкелю, т. е. междуузельные ионы серебра и вакантные серебряные узлы. Однако в теории скрытого изображения, недавно разработанной Митчеллом [2], предполагается, что основную роль играют только дефекты по Шоттки, т. е. равное число вакантных серебряных и вакантных бромных узлов. [c.36]

Опыты ПО иопиой проводимости бромистого серебра при повышенных температурах, рассмотренные Тубапдтом [3], говорят в пользу существования дефектов по Френкелю. Вагнер и Байер [4] измерили постоянную решетки (рентгеноструктурным методом) и плотность бромистого серебра вблизи температуры плавления. Полученные ими данные также подтверждают существование дефектов по Френкелю. [c.37]

В пределах возможных ошибок опыта экспериментальная кривая согласуется с кривой для кристалла, не содержащего дефектов или же содержащего только дефекты по Френкелю, а также с точками Р и R. Однако эта кривая заметно расходится с кривой, вытекающей из предположения Лоусона. Возможно, что все дефекты в решетке бромистого серебра являются дефектами по Френкелю, но если бы расхождение двух верхних кривых оказалось реальным, то это указывало бы на присутствие незначительной концентрации дефектов по Шотткп. В этом случае доля вакантных узлов может быть непосредственно определена из расхождения двух кривых по уравнению / = ЗДа/а. При [c.40]

В результате исследований Тубандта и Эггерта [1], Вагнера и Байера [2], Берри ) и других в настоящее время с достаточной надежностью установлено, что при температурах выше 200° в решетке бромистого серебра преобладают дефекты по Френкелю. Природа дефектов решетки бромистого серебра при более низких температзфах экспериментальна исследована весьма слабо. В связи с этим была сделана попытка определить плотность упаковки чистого бромистого серебра при комнатной температуре, исходя из заново определенных значений постоянной решетки и плотности. [c.41]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...