Поляризация объемная

Диэлектриками называют вещества, основным электрическим свойством которых является способность к поляризации и в которых возможно существование электростатического поля. Такое поле может длительно сохраняться лишь в средах, плохо проводящих электрический ток. Электропроводность — способность проводить электрический ток—обусловлена наличием в веществе свободных носителей заряда—электрически заряженных частиц, которые под действием внешнего электрического поля направленно перемещаются сквозь толщу материала, создавая ток проводимости (положительно заряженные носители движутся по направлению вектора напряженности электрического поля Е, отрицательно заряженные— против). Параметром вещества, количественно определяющим его электропроводность, является удельная электрическая проводимость у, См/м, а также удельное объемное электрическое сопротивление p = l/Y, Ом-м, причем [c.543]

Существует четыре вида упругой поляризации электронная, атомная, ионная и дипольная. В релаксационной поляризации различают дипольную, ионную и электронную разновидности и выделяют отдельно группу процессов, тесно связанных с электропроводностью и получивших название объемной поляризации. [c.146]

О явлениях, обусловленных поляризацией диэлектрика, можно судить по значению диэлектрической проницаемости, а также угла диэлектрических потерь, если поляризация диэлектрика сопровождается рассеянием энергии, вызывающим нагрев диэлектрика. В нагреве технического диэлектрика могут участвовать содержащиеся в нем немногочисленные свободные заряды, обусловливающие возникновение под воздействием электрического напряжения малого сквозного тока, проходящего через толщу диэлектрика и по его поверхности. Наличием сквозного тока объясняется явление электропроводности технического диэлектрика, численно характеризуемой значениями удельной объемной электрической проводимости и удель- [c.16]

СКВОЗНОЙ ТОК, обусловленный проводимостью. При постоянном напряжении, когда и нет периодической поляризации, качество материала характеризуется, как указывалось выше, значениями удельных объемного и поверхностного сопротивлений.При переменном напряжении необходимо использовать какую-то другую характеристику качества материала, так как в этом случае, кроме сквозного тока, возникают дополнительные причины, вызывающие потери в диэлектрике. [c.44]

Тонкие пленки сегнетоэлектрических и пьезоэлектрических материалов имеют явные преимущества в эксплуатации по сравнению с объемными материалами, так как они требуют весьма малый вольтаж для поляризации и легче рассеивают тепло, тем самым устраняют влияние термического гистерезиса и повышают стабильность. [c.292]

Изменения, возникающие в состоянии поляризации света, зависят как от объемных свойств среды, так и от свойств и структуры поверхностных слоев. Эти свойства можно определить по результатам анализа изменения поляризации отраженного или прошедшего через исследуемый объект света. [c.200]

Поскольку, как отмечалось ранее, поляризация диэлектрика уменьшается с увеличением температуры, то из этих соотношений очевидно, что объемная энтропия диэлектрика на изотерме уменьшается с ростом напряженности электрического поля. Исключением из этого правила являются сегнетоэлектрики при. температурах Т<0 , т. е. 3 той области температур, где (дг/дТ) >0 (см. рис. 4-2). [c.95]

Измерение поверхностного, как и объемного сопротивления или электропроводности производится при ПОМОШ.И электрометра, питаемого постоянным током. Однако явление поляризации вызывает довольно быстрый спад силы тока, что приводит к искажению значения величины электропроводности стекла (глазури). Один из способов избежать это нежелательное явление состоит в том, что постоянный ток, пропускаемый через электроизмерительную схему, преобразуется в переменный ток определенной частоты. Таким образом, непосредственно через самое стекло (глазурь) течет переменный ток, не вызывающий поляризации электродов. [c.162]

У растворов поворот плоскости поляризации ф пропорционален объемно-массовой концентрации оптически активного вещества с [c.246]

Рассмотрим замкнутую полость, стенки которой имеют температуру Т. Благодаря излучению стенок полость заполнена электромагнитным излучением со всевозможными направлениями распространения, поляризациями и частотами. В равновесном состоянии во всех точках полости устанавливается одинаковая и не зависящая от времени плотность энергии излучения, определяемая температурой Т. Более того, равноправие всех точек полости и стационарность равновесного состояния подразумевают, что в каждой точке полости устанавливается одинаковое и постоянное распределение энергии по спектру, что позволяет ввести спектральную плотность энергии p(v,Г), так что произведение p(v,Г)i/v есть количество энергии излучения в единице объема с частотами в интервале от V до V + Очевидно, между спектральной и объемной плотностью энергии существует следующая связь [c.84]

Для кристаллов кубической системы, а также для стекла и других изотропных материалов с аморфной структурой /3 = За. В кристаллах с низкой симметрией отдельные слагаемые коэффициента объемного расширения могут принимать отрицательные значения. При поляризации атомов и появлении дальнодействующих составляющих межатомного взаимодействия коэффициент /3 становится отрицательным. Например, германий при нагреве от 15 до 40 К не расширяется, а сжимается. Среди полимеров самое большое тепловое расширение имеют неполярные полимеры, у которых силы Ван-дер-Ваальса малы. [c.62]

Как видно из табл. 3.1, наибольшее — уже макроскопическое — перемещение связанных зарядов происходит в с.чучае миграционной поляризации, обычной для неоднородных диэлектриков (слоистых или содержащих инородные включения). Накопление электрических зарядов на границах неоднородностей (слоев, пор, включений) приводит к объемно-зарядной поляризации. Объемный заряд существенно повышает электрическую емкость конденсатора, содержащего неоднородный диэлектрик. Миграционная поляризация, однако, уже не может быть отнесена к микроскопическим механизмам появления электрического момента. В диэлектриках, содержащих большие дипольные группы (домены в сегнетоэлектриках или капельки полярной жидкости в неполярной), в электрическом поле происходит переориентация или пограничная перезарядка таких областей — макродиполей. Очевидно, что как величина смещения зарядов, так и время релаксации для миграционной поляризации максимальны (см. табл. 3.1). [c.64]

При измерении объемного тока утечки в твердом диэлектрике при постоянном напряжении некоторые осложнения могут возникнуть под влиянием высоковольтной поляризации за счет возникновения противо-э. д. с. наблюдается зависимость тока от времени, как показано на рис. 2-П от некоторой начальной величины ток снижается до постоянного значения. На рис. 2-И ток в диэлектрике показан не с самого момента включения постоянного напряжения, а спустя короткий отрезок времени, в течение которого прекращаются токи. вызванные быстро устанавливающимися поляризационными 1скб процессами. Часть тока, спадающая со временем,— разность между начальным и конечным токами утечки — называют током абсорбции остаточный ток называют сквозным током. С учетом противо-э. д. с. высоковольтной поляризации объемный ток утечки должен быть выражен так [c.49]

Г№2Г,Г5Гб- , 1-Г2Г ГзФ. 0. (8) Здесь X можно рассматривать как эффективный упругий модуль анизотропной среды в заданном направлении. Решение уравнения (8) можно получить в тригонометрической форме. Из этого уравнения следует, что в кристаллах могут распространяться три объемные волиы с одинаковым направлением волнового вектора, но разными фазовыми скоростями. Поляризация этих волн определяется из уравнений (6) и в общем случае не является ни продольной, ни поперечной. Совершая в уравнении (8) предельный переход к изотропной среде, несложно показать, что скорость одной из волн совпадает со скоростью продольной волны, а двух других—со скоростью поперечной. Соответствующим образом, как следует из уравнения (6), ведут себя и поляризации. Поэтому "быструю" волну в кристаллах (имеющую максимальную фазовую скорость) принято называть квазипро-дольной, а две другие волны— квазипоперечными. Скорость и поляризация объемных волн в кристаллах согласно (8) и (6) от частоты не зависят, поэтому приведенное решение применимо и для негармонических воли. [c.212]

Законы поверхностного рассеяния отличны от законов объемного рассеяния. Так, интенсивность поверхностно рассеянного света обратно пропорциональна второй степени длины волны (а не четвертой) своеобразны также и условия поляризации рассеянного света. Полная молекулярная теория этих явлений при молекулярных шероховатостях, еще малых по сравнению с длиной волны, находится в согласии с наблюдаемыми на опыте закономерностями (Ф. С. Барышанская, 1936 г.). [c.584]

Наиболее характерной особенностью сегнетоэлектриков является то, что зависимость их поляризации Р от поля Е имеет вид петли гистерезиса (рис. 8.13). Существование гистерезиса в сегне-тоэлектриках связано с наличием сегнетоэлектрических доменов объемных областей, в каждой из которых дипольные моменты ориентированы одинаково, но в соседних доменах векторы Р направлены различно. Такие домены были обнаружены экспериментально в титанате бария. [c.299]

В произвольном направлении в кристаллах в общем случае могут распространяться три объемные волны ква-зипродольная (QL) и две квазипоперечные — быстрая (FS) и медленная (SS) со скоростью poa = M, где М — действующий адиабатический модуль упругости, зависящий от направления распространения и поляризации волны. В таблицах нижний индекс — направление распространения, верхний — поляризация (направление колебательного смещения). В кубических кристаллах действующий модуль для разных типов волн [c.133]

Помимо рассмотренных видов релаксационной поляризации в твердых диэлектриках часто наблюдается еще одна ее разновидность — объемная поляризация. Под этим термином понимают ряд явлений, сходных между собой в том, что они вызывают поляризацию диэлектрика за счет образования в нем объемных зарядов [11]. Заряды в диэлектрике оказываются смещенными, но не на микрорасстояния, как при прочих видах поляризации, а на макроскопические расстояния. Продвижению свободных зарядов могут мешать дефекты кристаллической решетки, которые способны в некоторых случаях захватывать электроны и ионы. [c.147]

Накоплению объемных зарядов и разделению зарядов в проводящих включениях препятствует тепловое движение, стремящееся ослабить поляризацию, По этой причине объемную поляризацию и ее вариант — макро-структурную поляризацию гетерогенных диэлектриков следует отнести к поляризации релаксационного типа. Процесс нарастания этих видов поляризации описывается формулой (9-37) и носит апериодический характер. Скорость нарастания поляризации тем выше, чем выше электропроводность. При ионной проводимости включений постоянная времени макроструктурной поляризации составляет величину порядка 10 9—]0 с. [c.147]

Формула (9-48) описывает простое наложение явлений поляризации и сквозной проводимости, не учитывая влияние электропроводности на сам процесс поляризации. В действительности с появлением сквозной проводимости в диэлектрике может дополнительно возникнуть объемная поляризация, чаще всего ее макроструктурная разновидность, и тогда Аврел возрастает с увеличением электрической проводимости. [c.152]

Структурная поляризация обусловлена наличием слоев с различной проводимостью, образованием объемных зарядов, особенно при высоких градиентах напряжения (высоковольтная поляризация). Происходит в твердых диэлектриках слоистой или другой неоднородной структуры (гетинаксы, текстолнты, миканиты, бумажно-бакелитовые изоляторы проходные), связана с большими диэлектрическими потерями, как поляризация -замедленного типа. [c.8]

Зависимость диэлектрической проницаемости неполярной жидкости от температуры (рис. 1-2) связана с уменьшением числа молекул в единице объема, как это пояснялось на стр. 19. По абсолютному значению ТКе неполярной жидкости приближается к температурному коэффициенту объемного расширения жидкости р. Следует помнить, что ТКе, и р отличаются знаком. Значение диэлектрической проницаемости неполярных жидкостей обычно не превыашет 2,5 (табл. 1-4). Поляризация жидкостей, содержащих дипольные молекулы, определяется одновременно электронной и дипольной поляризациями. Такие жидкости обладают тем большей диэлектрической проницаемостью, чем больше электрический момент диполей и число молекул в единице объема. [c.24]

Отсутствие мнимой части корня указывает на слабое затуха-ние поверхностной волны оно вызывается только обычным затуханием объемных волн. В результате волна Релея способна распространяться на большое расстояние вдоль поверхности твердого тела. Ее проникновение внутрь тела невелико на глубине длины волны интенсивность звука составляет около 5 % интенсивности на поверхности тела (волна с 51/-поляризацией). При распространении поверхностной волны частицы тела движутся, вращаясь по эллипсам с большой осью, перпендикулярной границе. Вытя-нутость эллипса с глубиной увеличивается. [c.12]

Следует отметить, что при известных условиях адсорбция может привести к пассивации и тогда, когда ингибитор не восстанавливается. В этом случае, однако, требуется либо присутствие в коррозионной среде каких-нибудь других окислителей, либо наложения-некоторой анодной поляризации. Примером могут служить бензоат-ионы, которые при определенных условиях переводят металл, в частности железо, в пассивное состояние и обеспечивают его защиту от коррозии [14 194 195 205 239]. При этом оказывается, что смещение потенциала в положительную сторону и пассивное состояние металла достигаются лишь в присутствии растворенного кислорода и при определенной минимальной степени покрытия поверхности металла ингибитором. Чем положительнее потенциал образца, тем меньшие объемные концентрации ингибитора требуются для достижения такой степени покрытия. После того, как металл запассивирован на его поверхности не обнаруживается значительных количеств бензоата. Можно предположить поэтому, что при смещении потенциала в положительную сторону и формировании оксидной пленки относительно слабо связанные с поверхностью ионы бензойной кислоты (их удельный заряд мал, а специфическая адсорбиру-емость выражена слабо) вытесняются либо ионами гидроксила, обладающими большим удельным отрицательным зарядом и повышенной специфической адсорбируемостью, либо атомами кислорода, либо растущей пленкой оксида. [c.51]

Система зарядов, образующихся на гранях дефекта, вследствие его поляризации образует диполь, очертания которого-в первом приближении совпадают с реальным дефектом, поэтому Н. Н. Зацепин [22] предлагает в зависимости от характера несплошностей аппроксимировать их эквивалентными магнитными диполями. Для простоты расчета вводятся следующие допущения = onst, т. е. наличие объемных зарядов в ферромагнетике не учитывается, пространство вне ферромагнетика и в полости дефекта имеет Цг = 1. [c.82]

При исследовании поля дефекта в виде сквозной прямоугольной щели при намагничивании неоднородным полем установлено [29], что распределение зарядов по стенке дефекта не соответствует распределению намагниченности по сечению образца без дефекта, т. е. имеет место объемная поляризация. Поле такого дефекта может быть рассчитано [30], если предположить, что заряды заполняют некоторую заштрихованную на рис. 1,г область с объемной плотностью р = = onst. Тогда поле от элементарного бесконечно длинного заряда дйцй с, в точке М (хуг) [c.87]

ПИНЧ-ЭФФЕКТ есть свойство канала электрического разряда в электропроводящей среде уменьшать свое сечение под действием собственного магнитного поля тока ПИРОЭЛЕКТРИК— кристаллический диэлектрик, обладающий самопроизвольной поляризацией ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСТВО — возникновение электрических зарядов на поверхости некоторых кристаллов диэлектриков при их нагревании или охлаждении ПЛАЗМА (есть частично или полностью ионизированный газ, в котором объемные плотности положительных и отрицательных электрических зарядов практически одинаковы высокотемпературная имеет температуру ионов выше 10 К газоразрядная находится в газовом разряде кварк-глюонная возникает в результате соударения тяжелых ядер при высоких энергиях ядерного вещества низкотемпературная имеет температуру ионов менее 10" К твердых тел — условный термин, обозначающий совокупность подвижных заряженных частиц в твердых проводниках, когда их свойства близки к свойствам газоразрядной плазмы) ПЛАСТИНКА вырезанная из двоя-копреломляющего кристалла параллельно его оптической оси, толщина которой соответствует оптической разности хода обыкновенного и необыкновенного лучей, кратной [длине волны для пластинки в целую волну нечетному числу (половин для волн для пластинки в полволны четвертей длин волн для пластинки в четверть волны)] зонная — прозрачная плоскость, на которой четные или нечетные зоны Френеля для данного точечного источника света сделаны непрозрачными нлоскопараллельная — ограниченный параллельными плоскостями слой среды, прозрачной в некотором интервале длин волн оптического излучения ПЛАСТИЧНОСТЬ — свойство твердых тел необратимо изменять свои размеры и форму под действием механических нагрузок ПЛОТНОСТЬ тела — одна из основных характеристик тела (вещества), равная отношению массы элемента тела к его объему [c.259]

Поляризацией диэлектрика называется возникновение в нем объемного дипольного электрического момеБта при внесении его во внешнее поле, [c.209]

С увеличением концентрации сахара, желатина и декстрина толщина и плотность ориентированных адсорбционных слоев растут, что, в свою очередь, приводит к заметному увеличению катодной поляризации. Однако, как только произойдет полное насыщение жестко ориентированной части слоя добавки, начнет интенсивно расти его объемная часть. Это, в свою очередь, будет способствовать ослаблению связей ионов добавки, находящихся в непосредственной близости к катодной поверхности, т. е. к разрыхлению прикатод-ной пленки, а, следовательно, и к уменьшению сопротивления всего слоя. [c.54]

Состояния поляризации пучка S определяются с использованием нелинейных связей между обобш енными неизвестными. В общем случае объемного напряженного состояния эта задача решается полностью, если при нагружении модели в точках материала сохраняются зависимости (т.2 и от G + G3 и ( 4. Если квазиглавные направления известны, то это условие отпадает. [c.30]

Назначение и функции установки. Установка УРС-А предназначена для исследования напряжений на объемных прозрачных моделях путем измерения интенсивности света, рассеянного в отдельных точках. По результатам измерения определяют состояния поляризации просвечивающего пучка в рассматриваемых точках [2] и по ним определяют разности и направления квазиглавных напряжений в слоях модели между этими точками. [c.31]

Рис, 1. Изменение объемного содержания СО2 в хлоре в процессе анодной поляризации графити-рованных электродов при температуре 700° С в расплавах систем (все поверхности рабочей части анода не имеют покрытия, AI I3 получен испарением безводной соли, марки о. ч.) [c.23]

Рис. 2. Изменение объемного содержания Os в хлоре в процессе анодной поляризации графити-рованных электродов в хлорид-ных расплавах при температуре 700° С (часть поверхности анода покрыта нитридом бора, А1С1зпо-лучен хлорированием алюминия)

На примере расплава системы К, Na, А1/С1 (см. рис. 2, кривая 2) вйдно, что при введении указанных усовершенствований в методику эксперимента объемное содержание диоксида углерода в хлоре снизилось в среднем в 4—5 раз, т. е. до уровня 0,2—0,3% и представляет собой в основном фоновую концентрацию, которая почти не меняется в процессе поляризации. Так как качество трихлорида алюминия и материала аппаратуры в сравниваемых [c.25]

Удобным объектом для таких исследований служат сплавы системы Zn—Си, наличие у которых широкой области а-фазы позволяет применить правило Вегарда. Согласно последнему период кристаллической решетки твёрдого раствора металлов линейно зависит от состава раствора. Так, используя ультрамягкое рентгеновское излучение, авторы работы [51] установили плавное изменение химического состава поверхностного слоя сплава uSOZn после анодной поляризации. Толщина измененного слоя составляла - 100 атомных слоев. Условия эксперимента отвечали ранней стадии СР, цинка из а-латуни, предшествующей однов1ременному раство рению компонентов. Следовательно, объемно-диффузионные процессы развиваются в, а-латуни уже на этапе начального СР. [c.43]

Не исключено, что массоперенос в твердой фазе сопровождает СР сплавов, у которых концентрация электроположительного компонента даже менее 1 ат.%. Соответствующие данные получены при помощи радиохимического анализа [ 2—64]. Так, после анодного растворения сплава lTiO,3Sn (меченного и Sn" ) и послойного химического травления поверхности обнаружена область, в которой концентрация олова непрерывно Изменяется [63]. Ее толщина составляет ЗООО атомных слоев, причем поверхностное содержание олова примерно в 7 раз превышает объемное. На отдельных участках поверхности концентрация олова достигала 7-ь 10 ат.%. Обогащение поверхности сплава электроположительным компонентом подтверждено результатами радиохимических экспериментов со сплавами InO,25 u [62], InO.lAg [65], а также данными регистрации обратного резерфордов-ского рассеивания ионов, возникающего при облучении пучком ионов гелия поверхности сплавов системы А1—Си (0,5 1 ат.% Си), подвергнутых анодной поляризации в ци-тратном растворе [60]. [c.46]

СР сплавов по механизму объемной диффузии приводит к возникновению химически измененного поверхностного слоя — диффузионной зоны. Какова судьба этого слоя после прекращения поляризации Хронопотенциометрические измерения позволяют в определенной степени ответить на этот вопрос. Так, после гальваностатического растворения Ag.Au [c.97]

С точки зрения объемных свойств наличие полярных жидких веществ приводит к внутренней химической поляризации основного ингибитора коррозии с образованием так называемых активированных комплексов [29—30]. Дополнительная энергия (и энтропийный эффект) активированного комплекса складывается из соответствующих значений водородных комплексов, электроно-донорно-акцепторных или комплексов с переносом заряда и комплексов долгоживущих свободных стабильных радикалов. [c.137]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...