Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Заряды свободные

Если в кремний введен атом трехвалентного элемента Ш группы Периодической системы элементов Д. И. Менделеева (например, бора В), то все три его валентных электрона вступают в связь с четырьмя электронами соседних ато-.мов кремния. Для образования устойчивой оболочки из восьми электронов не хватает одного. Им является один из валентных электронов, отбираемый от ближайшего соседнего атома, у которого в результате образуется незаполненная связь - дырка (рис. 3.5, д). На энергетической диаграмме этот процесс соответствует переходу электрона из валентной зоны на уровень акцепторов Wa и образованию в валентной зоне дырки (рис. 3.5, е). Примесный атом превращается в неподвижный ион с единичным отрицательным зарядом, свободного электрона при этом не образуется. Примесь такого типа называется акцепторной, а полупроводники, в которые введены атомы акцепторов, - дырочными или р-типа электропроводности. Дырок в них больше, чем свободных электронов. Поэтому эти полупроводники обладают преимущественно дырочной электропроводностью.  [c.51]


Рис. 5.10, Электрические заряды ( —свободные, Рис. 5.10, <a href="/info/12531">Электрические заряды</a> ( —свободные,
В полете основными нагрузками, действующими на заряд твердого топлива, являются инерционные силы и давление газов. Если заряд свободно вложен в корпус, продольные инерционные силы воспринимаются специальными опорными устройствами если заряд скреплен с корпусом, инерционные силы передаются непосредственно на корпус двигателя. В свободно вложенном заряде давление газов создает почти равномерное сжатие, обычно не приводящее к неприятным последствиям. Заряд, скрепленный с корпусом двигателя, можно рассматривать как нагруженный внутренним давлением толстостенный сосуд. Давление газов вызывает в нем сложное неоднородное напряженное состояние, которое может привести к разрушению заряда.  [c.377]

III фаза (область е — ж) ъ зависимости от системы продувки состоит либо в дозарядке, если продувочные органы закрываются после выпускных, либо в п о-тере заряда (свободный выпуск), если, наоборот, выпускные органы закрываются после продувочных. В двигателях средней оборотности и высокооборотных обычно применяют асимметричную систему продувки, позволяющую осуществить как дозарядку, так и в случае надобности наддув двигателя.  [c.65]

Закономерности электропроводности различных газообразных диэлектриков по существу мало отличаются друг от друга. Наиболее распространенным газообразным диэлектриком является воздух, поэтому мы на его примере познакомимся с электропроводностью газов. Воздух является смесью газов, в основном состоящей из азота и кислорода, находящихся в молекулярном состоянии. Под влиянием ряда факторов, как-то радиоактивные излучения (радиоактивность земной коры), космические лучи, ультрафиолетовые лучи солнечного спектра, называемых факторами естественной ионизации, происходит ионизация газов, заключающаяся в отрыве электронов от нейтральных молекул. Естественная ионизация газов вызывает появление в них одновременно в одинаковых количествах отрицательных и положительных зарядов свободных электронов и положительных ионов (молекул, лишившихся каждая одного электрона).  [c.41]


Токи электростатических зарядов воздушных телефонных линий. Двухпроводные телефонные цепи, изолированные от земли, очень часто подвергаются помехам от действия электростатич. зарядов, появляющихся на этих проводах во время сухой морозной снежной метели или сухой горячей мелкой пыли. Потенциал проводов при хорошей изоляции их быстро достигает при этом разрядного напряжения громоотводов и последние в зависимости от характеристики их или светятся непрерывно или вспыхивают периодически. Получающееся при этом замыкание линии через громоотвод на землю вызывает шум, гул и треск в телефоне, мешая работе его. Те телефонные цепи, которые имеют в своей схеме систематич. заземление, этим помехам не подвергаются, т. к. электростатич. заряд свободно стекает в землю через это заземление. Удалить электростатич. заряд с телефонной изолированной цепи можно, заземляя среднюю точку обмотки линейного трансформатора на одном из концов того участка цепи, на к-ром наблюдается свечение громоотводов.  [c.315]

При помощи переключателя все группы поочерёдно переключают на заряд и работу. Для заряда свободной группы предусмотрен селеновый выпрямитель с напряжением 40 в при 10,8 а. Так как система предусматривает также и питание новейших устройств централизации, напряжение контрольной батареи  [c.532]

Плотность объемного заряда в кристалле в обшем случае складывается из зарядов свободных электронов, свободных дырок и заряженных донорных и акцепторных примесей  [c.17]

Рис. 3.15. Зависимость энергии молекулы водорода, состоящей из нейтральных атомов, от межъядерного расстояния. Энергия связи имеет отрицательное значение. Кривая N построена на основании классического расчета с использованием плотности заряда свободного атома. В состоянии А электроны имеют параллельные спины, при этом учитывается действие принципа Паули. В состоянии 5 электроны имеют антипараллельные спины. Состояние 5 является стабильным. Контурными линиями показано распределение плотности заряда в состояниях Л и 5. Рис. 3.15. Зависимость <a href="/info/107289">энергии молекулы</a> водорода, состоящей из нейтральных атомов, от <a href="/info/176763">межъядерного расстояния</a>. <a href="/info/54489">Энергия связи</a> имеет отрицательное значение. Кривая N построена на основании классического расчета с использованием <a href="/info/5306">плотности заряда</a> свободного атома. В состоянии А электроны имеют параллельные спины, при этом учитывается действие <a href="/info/7318">принципа Паули</a>. В состоянии 5 электроны имеют антипараллельные спины. Состояние 5 является стабильным. <a href="/info/28317">Контурными линиями</a> показано <a href="/info/333799">распределение плотности заряда</a> в состояниях Л и 5.
Здесь X — координата, описывающая вынужденные колебания осциллятора, т— масса осциллятора (электрона), е — заряд свободного электрона, Ze — эффективный заряд осциллятора (он может быть и больше, и мень-,ше е), Г — постоянная затухания осциллятора, 12 — резонансная частота собственных колебаний осциллятора. Интересующее нас вынужденное решение (Д.1.6) с учетом (Д.1.5) имеет следующий вид  [c.295]

Если заряд свободно вложен в камеру, т. е. не скреплен со стенками камеры, и если внутренняя полость заряда свободно сообщается с наружным кольцевым зазором, то из формул (29) легко получаем  [c.284]

На фиг. 6. 26 схематично показан двигатель со скрепленным со стенками зарядом, который также был спроектирован на тягу 5000 кг и время работы 4 сек. Для того чтобы увеличить плотность заряжания и чтобы добиться одинакового влияния эрозионного горения на большей части длины заряда, свободная площадь поперечного сечения сделана плавно изменяющейся по длине камеры с таким расчетом, чтобы средняя скорость потока, а следовательно и степень эрозии, была постоянна почти по всей длине заряда [см. условие (22) гл. 5].  [c.342]

Свободный атом является электрически нейтральной системой с суммарным зарядом протонов, уравновешенным суммарным зарядом  [c.6]

Возникновение электронной или дырочной электропроводности при введении в идеальный кристалл различных примесей обусловлено следующим. Рассмотрим кристалл 81, в котором один из атомов замещен атомом 8Ь. На внешней электронной оболочке 8Ь располагает пятью электронами (V группа периодической системы). При этом четыре электрона образуют парные электронные связи с четырьмя ближайшими атомами 81. Свободный пятый электрон продолжает двигаться вокруг атома 8Ь по орбите, подобной орбите электрона в атоме На однако сила его электрического притяжения к ядру уменьшится соответственно величине диэлектрической проницаемости 81. Поэтому для освобождения пятого электрона требуется незначительная энергия (приблизительно 0,008 адж). Такой слабо связанный электрон легко отрывается от атома 8Ь под действием тепловых колебаний решетки при низких температурах. Низкая энергия ионизации примесного атома означает, что при температурах около—100° С все атомы примесей в Се и 81 уже ионизированы, а освободившиеся электроны участвуют в процессе электропроводности. При этом основными носителями заряда являются электроны и возникает электронная (отрицательная) электропроводность, или электропроводность п -типа.  [c.388]


Следует отметить, что при Е—Е пузырек становится проводящим (бр оо). Это связано с тем, что при достаточно сильных внешних полях на поверхности пузырька появляются свободные заряды. Именно появление конечной проводимости пузырька газа приводит к его неустойчивости и последующему дроблению.  [c.147]

Сферическая частица радиусом а вводится в область униполярных ионов с концентрацией /г о и электрического поля Eq. Частица приобретает заряд благодаря столкновениям с ионами. Так как заряд частицы начинает нарастать, ее отталкивающая сила перераспределяет близлежащие ионы. Для применения кинетической теории будем использовать систему координат, показанную на фиг. 10.2. При концентрации ионов и средней длине свободного пробега Л число ионов, которые сталкиваются в бесконечно малом объеме dV в единицу времени со скоростью между v перед столкновением ш V dv после столкновения, равно щ v/A) f v) dv dV, где f (v) — функция распределения скорости у, a — местная концентрация ионов. Количество ионов, попадающих на площадку dA из точки Р объема dV, равно щ (р1А) / (и) dvl(dA os 0д/4яг ) dV [413, 874[. Так как число молекул, направляющихся к площадке dA, уменьшается по закону вследствие столкновений и так  [c.437]

Ф и г. 10.4. Заряд частицы при отсутствии внешнего поля для различных отношений радиуса частицы а к среднему пути свободного пробега Л [562].  [c.441]

Атомы в кристаллической решетке кремния и ряда других полупроводников связаны друг с другом за счет обменных сил, возникающих в результате попарного объединения валентных электронов соседних атомов, при этом каждый из атомов остается электрически нейтральным. Такая связь называется ковалентной. Повышение температуры вызывает колебательное движение атомов кристаллической решетки. В результате ковалентные связи между атомами могут разрываться, что приводит к образованию пары носителей заряда свободного электрона и незаполненной связи - дырки - вблизи того атома, от которого оторвался электрон. Процесс образования электронно-дырочнь1х пар называется генерацией носителей заряда Если этот процесс происходит под воздейст-вие.м теплоты, то его называют термогенерацией.  [c.49]

Электроны и дырки, обр.ззовасшиеся б результате термогекерации, совершают хаотическое движение в полупроводниковом кристалле в течение некоторого времени, называемого временем жизни, после чего свободный электрон заполняет незаполненную связь, становится связанным, при этом исчезает пара носителей заряда - свободный электрон и дырка. Этот процесс называется рекомбинацией. На энергетической диаграмме (рис. 3.4) генерация электроннодырочной пары отображена-переходом 1, рекомбинация - переходом 2. Таким образом, при температуре ТфО К в свободной зоне оказывается некоторое количество электронов, частично заполняющих ее.  [c.49]

ГРАВИТАЦИОННОЕ СМЕЩЕНИЕ — изменение частоты эл.-магн. излучения при его распространении в гравитац. поле. См. в ст. Красное смещение. ГРАВИТАЦИОННЫЕ ВОЛНЫ — изменения гравитац. поля, распространяющиеся в пространстве с фундам. скоростью с. Г. в. излучаются массами, движущимися с перем. ускорением. Подобно электродинамике, предсказывающей существование не связанного с зарядами свободного эл.-магн, поля — электромагнитных волн, релятивистская теория гравитации — общая теория относительности (ОТО) — предсказывает существование не связанного с массами свободного гравитац. поля — Г. в. Воздействуя на тела, Г. в. должны вызывать относит, смещение их частей (деформацию тел). На этом янлении основаны попытки обнаружения Г. в., однако они до сих нор не обнаружены из-за чрезвычайно малой интенсивности и крайне слабого взаимодействия с ве-лгеством.  [c.526]

ЭМСЮНбЗИЯ (от лат. ex lusio—исключение)—обеднение объёма полупроводника (или его части) свободными носителями заряда под влиянием их дрейфа во внеш. электрич. поле, Э. происходит в области, прилегающей к потенц. барьеру (напр., контакт металл—полупроводник, р— -переход или поверхность, см. Запорный слой), к-рый ограничивает поток носителей, втекающих через него. Если носители вытекают из области, прилегающей к барьеру, с высокой скоростью благодаря дрейфу во внеш. поле, то область обедняется носителями, причём тем сильнее, чем выше скорость дрейфа. С ростом внеш. поля протяжённость области Э. увеличивается. При протекании тока в полупроводнике с биполярной проводимостью область Э. может одновременно обедняться носителями заряда обоих знаков вследствие максвелловской релаксации нескомпенсированного заряда свободных носителей. Размер этой области близок к длине амбиполярного дрейфа.  [c.505]

В эмульсии вода в масле , поляризуемой внешним электрическим или электромагнитным полем, электростатические заряды накапливаются внутри мицелл, повышая их электрокине-тический потенциал. Вследствие возникновения относительно небольших зарядов проводимости в масляной фазе часть накопленных зарядов может разрядиться на электродах. В случае эмульсии масло в воде благодаря высокой электрической проводимости водной среды заряды свободно разряжаются па электродах, и только незначительная часть их накапливается внутри обратных мицелл и на их наружных поверхностях. При исследовании концентратов ПИНС (эмульсий вода в масле ) с помощью дериватографов фиксируются температуры и энергии фазовых переходов, соответствующие перестройке коллоидных структур ПИНС. Аналогично при определении частотных зависимостей диэлектрической проницаемости и электрической  [c.210]

Аналогачным образом было изучено адсорбционное состояние ванадат-ионо-в. Анион рассматривался в свободном состоянии и при взаимодействии с фрагментами поверхности железа а) со стороны связей 1,74 А, 1,74 А и 1,74 А б) со стороны связей 1,74 А, 1,74 А и 1,68 А (рис. 2,25). Анализ результатов табл. 2,5 показал, что возмущение любого из рассматриваемых фрагментов не кз .1еняет знаки зарядов на атомах VU . Это означает, что в адсорбированном состоянии заряд на центральном ионе металла остается положительным, а отрицательный заряд оттянут к атомам кислорода на периферию аниона. Сумма зарядов на атомах кислорода в адсорбированном состоянии возрастает по сравнению с зарядом свободного радикала. Это свидетельствует о том, что взаимодействие анионов подобного типа с металлом происходит посредством кислородных атомов.  [c.74]


Результаты квантовохимического расчета изменения заряда атомов в комплексах по сравиению с зарядами свободных молекул, полученных на ЭВМ, представлены в табл. 2,6.  [c.76]

Степень и формы ионизации могут быть различны. Будем пред полагать простейший и наиболее распространенный случай — однократную ионизацию, когда при каждом акте возникает один свободный электрон и один однократно заряженный положительный ион. При этом, как правило, сохраняется квазинейтральность газа в любой момент времени в любом не слишком малом объеме алгебраическая сумма зарядов свободных заряженных частиц равна нулю. Такой достаточно ионизированный и квазинейтральный газ получил название плазмы.  [c.65]

Все кристаллы по свойствам симметрии разделены на 32 класса, из них кристаллы 20 классов не имеют центра симметрии и являются пьезоэлектриками в это число входят 10 классов пироэлектриков (напр., диэлектрик турмалин), в частности сегнетоэлектрики (напр., титанат бария, сегнетова соль, дигидрофосфат калия), обладающие, как правило, наиболее сильно выраженным пьезоэффектом. Пьезоэлектрич. эффект наблюдается также у нек-рых полупроводников, напр, у сегнетоэлектрика — сульфоиодида сурьмы и пьезоэлектрика — сульфида кадмия. Однако у кристаллов с достаточно высокой электропроводностью наблюдение и использование пьезоэффекта затруднены из-за быстрой компенсации возникающих в них зарядов свободными электронами или ионами или невозможностью создания по аналогичной причине деформирующего кристалл электрического поля.  [c.286]

Масса воспламенителя зависит от площади поверхности. Расчетного давления горения заряда, свободного объема камерь ТГГ, состава, используемого для воспламенителя и для основного ряда, теплопотерь в камере ТГГ в момент запуска, наличия ембраны предотвращающей истечение газа из камеры до бора заданного давления, устойчивости горения заряда и т. д.  [c.267]

При моделировании линейного участка характеристик МОП-транзисторов картина сходимости оказывается совсем иной. В этом случае образуются инверсионные слои заряда свободных носителей у поверхности полупроводника, которые обусловливают сильную взаимосвязь уравнений Пуассона и непрерьшности. Каждое решение уравнения непрерьшности заметно меняет распределение заряда, так что предыдущее решение уравнения Пуассона 374  [c.374]

Если заряд свободно вложен в камеру, а его внешняя поверхность предохранена от горения бронирующим покрьитием, и если внешний кольцевой зазор между топливом и стенками камеры не находится под давлением продуктов сгорания (Рвнешн=0), то уравнения (29) примут следующий вид  [c.284]

Для осевой фиксации зарядов, свободно вложенных в камеру, должны быть предусмотрены специальные металлические (а еще чаще пластмассовые) решетки (колосники), конусы или упоры. Некоторые из подобных конструкций были описаны выше и показаньв на фиг. 1.4, 4.22, 5.3, 5.5, 6. 25 и 6. 26.  [c.323]

Цель настоящего раздела — определить, какие размеры камеры н какое давление в камере обеспечат оптимальную конструкцию РДТТ с заданными величинами тяги Я и времени работы двигателя 4. В целях простоты ограничимся рассмотрением случая цилиндрического заряда, горящего по боковым поверхностям и обеспечивающего нейтральный закон горения но излагаемый метод может быть распространен и на другие случаи (в разд. 6.5 будет приведен пример расчета для случая уменьшающейся по длине заряда свободной площади поперечного сечения).  [c.327]

На фиг. 6. 25 схематично показан продольный разрез двигателя с зарядом, выбранным на основе предшествующего расчета. Заряд свободно вложен в камеру двигателя, которая состоит из цилиндрической трубы, полученной выдавливанием на гидрофици-  [c.341]

Электродвижущая сила этого элемента Етв. возникает при уменьшении свободной энергии АОг реакции окисления металла, что приводит к появлению концентрационного градиента, вызывающего диффузию (градиент поля, приводящий к миграции заряженных частиц, по Вагнеру, не возникает из-за равномерного распределения положительных и отрицательных зарядов в объеме окисла). На поверхности раздела металл — пленка протекает анодная реакция по фор- Ме Пленпа Газ муле (44)  [c.61]

Поскольку удельная электронная электропроводность у полупроводниковых материалов значительно меньше, чем у металлов, подвижность носителей заряда их больше (т. е. электроны в плохопроводящих материалах могут двигаться более свободно, чем в металлах). Поэтому тепловыми, световыми, электрическими и механическими воздействиями можно управлять электропроводностью полупроводниковых структур.  [c.387]

При начальной концентрации ионов riei = 10 м и температуре 3000° К в присутствии частиц диэлектрика, заряженных первоначально, как в примере на стр. 449, 2000 дырок каждая, Пд, согласно уравнению (10.92), уменьшается до м . Если частицы первоначально нейтральны, то вследствие термоэлектронной эмиссии концентрация свободных электронов стремится увеличиться. Частицы, первоначально имеющие отрицательный заряд, способствуют повышению концентрации свободных электронов (фиг. 10.10). Время достижения нового уровня концентрации в этом примере зависит от распределения твердых частиц. Для электростатической дисперсии на длине от 1 ai до 1 л требуется 10 сек [728].  [c.463]


Смотреть страницы где упоминается термин Заряды свободные : [c.320]    [c.574]    [c.285]    [c.283]    [c.91]    [c.229]    [c.12]    [c.507]    [c.325]    [c.156]    [c.325]    [c.446]    [c.465]   
Установки индукционного нагрева (1981) -- [ c.135 ]



ПОИСК



Диэлектрическая проницаемость и распространение волн в средах со свободными зарядами

Зависимость концентрации свободных носителей заряда от температуры

Заряд

Заряженных частиц система свободная энергия Гельмгольца

Исчезновение свободных зарядов в атмосфере

Концентрация свободных носителей заряда в невырожденном и вырожденном полупроводниках

Лазерное воздействие на свободные заряды и лазерный нагрев однородной плазмы

Магнетооптика свободных носителей заряда

Механизмы рассеяния и подвижность свободных носителей заряда

Поглощение света свободными зарядами

Поглощение свободными носителями заряда

Подвижность свободных носителей заряда в области пространственного заряда

Подвижность свободных носителей заряда и ее зависимость от температуры

Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных и примесных полупроводниках

Распространение электромагнитной волны в изотропной среде, свободной от электрического заряда

Рассеяние света на свободных зарядах

Рассеяние свободными зарядами

Свободные носители заряда

Свободный заряд и связанный заряд

Функция Гамильтона свободного заряда

Функция Лагранжа свободного заряда

Экранирование статического поля свободными зарядами

Электростатическое экранирование свободными носителями заряда



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте