Электронная концентрация переходных металлов

Интересные закономерности наблюдаются также для жидких растворов железа, кобальта и никеля с непереходными элементами. Согласно недавним исследованиям [21], эти сплавы можно подразделить на два типа. Для первого, к которому относятся сплавы с поливалентными /j-элементами (Ga, Ge, Sn), наблюдается постепенное заполнение Зй1-электронной полосы переходных металлов за счет валентных электронов второго компонента. Ко второму типу принадлежат сплавы с золотом, для них не наблюдается эффекта заполнения d-электронной полосы по мере увеличения концентрации золота при любом содержании переходного металла в растворе сохраняется ее дефектность. [c.158]

Таким образом, энергия активации реакционной диффузии должна быть всегда связана с нарушением (возбуждением) стабильных конфигураций электронов атомов переходного металла и неметалла и уменьшаться с понижением этой стабильности. Она должна также уменьшаться при росте концентрации коллективизированных электронов за счет их разрыхляющего действия. В то же время скорость реакционной диффузии, по-видимому, определяется активностью электронных переходов между партнерами процесса реакционной диффузии. [c.13]

Рис. 7.1. Зависимость критической температуры кристаллических и аморфных сплавов 4переходных металлов от электронной концентрации е/а

Большой вклад rf-электронов в связь приводит к тому, что исчезает однозначное (как в щелочных металлах) соответствие между величиной теплоты образования и атомным объемом. В таких переходных металлах с о. ц. к. решеткой, как ниобий, молибден, вольфрам и хром, теплота образования достигает максимума, хотя атомный объем велик. Следовательно, возникновение самых прочных связей не сопровождается самой плотной упаковкой. Аналогичная ситуация наблюдается для алмаза, германия и кремния. По-видимому, несмотря на отсутствие весьма плотной упаковки, концентрация электронов связи в переходных о. ц. к. металлах приблизительно такая же, как в алмазе. Это приводит к идее о существовании в них направленных связей ковалентного типа [6, 7]. Для гибридных волновых функций величина интегралов перекрытия вдоль некоторых преимущественных направлений (<111> для первой и <100> для второй координационных сфер о. ц. к. упаковки) оказывается наибольшей. [c.28]

Отсутствие металлической проводимости и диэлектрические свойства галогенидов щелочных металлов и окислов щелочноземельных металлов указывают на переход одного (или двух) валентных электронов, вследствие чего зона проводимости металла оказывается пустой. Исследования нитридов переходных металлов III группы также указывают на полупроводниковый характер этих соединений [128]. Систематические исследования физических свойств карбидов титана, циркония и гафния показали [129, 130], что металлический характер проводимости в этих карбидах обусловлен исключительно вакансиями по углероду, создающими избыток атомов металла, которые вносят свои d- и s-электроны в зону проводимости. Концентрация электронов проводимости линейно уменьшается с понижением концентрации вакансий и при стехиометрическом составе достигает нуля (рис. 37). [c.93]

При рассмотрении различных систем, включающих в качестве компонентов переходные металлы, лантаниды и актиниды, на основании валентности и соответствующей электронной концентрации можно сделать различные предположения, которые зачастую определяются характером частных проблем, рассматриваемых в каждом конкретном случав. Часто удается обнаружить целый ряд закономерностей, принимая для определенной группы элементов или сплавов соответствующую валентную схему, с которой согласуются различные свойства в пределах данной отдельной группы. [c.156]

Например, у переходных металлов и сплавов первого длинного периода по достижении электронной концентрации 5,7 [85] происходит довольно резкое изменение электронной теплоемкости, магнитной восприимчивости, постоянной Холла, абсорбции водорода и т. п. При этом считается, что число электронов за пределами соответствующей оболочки инертного газа отвечает валентности, которая, таким образом, для Ti, V, Сг, Мп, Fe и Со равна соответственно 4, 5, 6, 7, 8 и 9 (для сравнения см. также схему валентностей по Полингу, табл. 5 гл. I). Вместе с этим валентности тех же самых элементов, находящихся в разбавленных растворах на основе благородных металлов или алюминия, принимаются в соответствии с иной схемой, в которой преобладающую роль играют главным образом только s-электроны. Анализ устойчивости фаз [c.156]

Исследование природы проводимости карбидов переходных металлов привело к выводу о значительном вкладе в нее электронной составляющей [16]. Вклад электронной и дырочной составляющей проводимости может быть охарактеризован величиной 6 = п-и- —п+и+ , где п , п+ — концентрации и U-, и+ — подвижности соответственно электронов и дырок. Положительные значения б свидетельствуют о преимущественно электронной проводимости, а отрицательные — дырочной. Рассмотрение величин б, приведенных в табл. 1, показывает, что при переходе от металлов IV группы к металлам VI группы доля дырочной проводимости в самих металлах возрастает. Возрастает она и у соответствующих карбидов, хотя преимущественно электронный характер проводимости сохраняется (кроме W ). При этом интересно отметить, что несмотря на несколько более высокое удельное сопротивление карбидов, доля электронной проводимости у них выше, чем у соответствующих металлов. Это объясняется большей подвижностью электронов в карбидах [16]. [c.11]

Остановимся на причине изменения концентрации носителей тока с температурой. Концентрация носителей не может расти за счет ионизации каких-либо примесных уровней, поскольку при концентрациях порядка 10 —10 2 см энергии ионизации обычно равны нулю. Изменение концентрации в карбидах переходных металлов можно объяснить, исходя из сложной зонной структуры этих соединений. Зона проводимости состоит из двух перекрывающихся зон 5-зоны и -зоны. Если уровень Ферми находится в области, где плотность состояний с -зоны падает с ростом энергии, то с повышением температуры происходит перераспределение электронов между зонами таким образом, что число их в 5-зоне растет. Когда уровень Ферми находится в области роста плотности состояний -зоны, то наблюдается обратная картина. В [5] показано, что кривая зависимости плотности состояний от энергии в гибридной 2р + Зо -зоне Т1С действительно имеет минимум, причем уровень Ферми стехиометрического Т1С находится на участке падения плотности состояний. С ростом энергии плотность состояний сначала падает, а потом начинает расти. В соответствии с этим и наблюдается изменение концентрации носителей тока. Эффект падения концентрации сильнее у более дефектных карбидов, поскольку у них вследствие роста концентрации зона заполняется до больших энергий [4]. [c.43]

Электросопротивление р аморфных сплавов сильно отличается ОТ электросопротивления кристаллических сплавов, несмотря на то что концентрация электронов проводимости в аморфных сплавах относительно высокая. У аморфных сплавов оно гораздо выше (табл. 3.6), причем изменение электрического сопротивления при переходе от жидкого к аморфному состоянию происходит непрерывно. Кроме того, оно очень мало изменяется с температурой. Это изменение может быть даже отрицательным, вплоть до температуры кристаллизации, что характерно для аморфных тройных и бинарных сплавов, содержащих элементы из начала и конца ряда переходных металлов Nb -Ni, Zr-( u, Pd,Fe, Ni, o и др.) (рис 3.16). [c.241]

Литературные сведения о коэффициенте электронной теплоемкости у для карбида ванадия отсутствуют. Предполагая, что концентрация свободных электронов в карбидах переходных металлов V группы примерно одинакова, а также учитывая тот факт, что коэффициент у для карбидов тантала и ниобия равен 7,6-10 и 7,64-кал/г-форм-град соответственно [17], мы приняли, что и для карбида ванадия у =7,64-10 кал г-форм-град С использованием этого значения у и результатов исследования теплоемкости при низких температурах из работы [3] получено следующее уравнение теплоемкости карбида ванадия [c.149]

Из изложенных предварительных соображений могут быть сделаны некоторые выводы, имеющие практическое значение. Так, при решении задачи нанесения на один переходный металл покрытия из карбида другого переходного металла следует учитывать возможность образования стабильных -конфигураций. Очевидно, невозможно при этом воспользоваться нанесением одного металла на другой с созданием на внешнем слое покрытия низкой концентрации металла основы (с возможностью его дальнейшей карбидизации), так как взаимная растворимость таких металлов должна быть (и есть на самом деле) крайне низкой, что не может обеспечить удержания слоя металла покрытия на металле основы. Для более прочного удержания и обеспечения известной глубины взаимного проникновения металлов основы и покрытия стабильные конфигурации их атомов должны быть возбуждены либо введением промежуточного слоя металла с невысоким статистическим весом или иных стабильных электронных конфигураций, либо введением между ними других активаторов . К числу последних относятся, например, неметаллы, атомы которых способны достраиваться до стабильных состояний. Данная конкретная задача может быть решена, например, карбидизацией тонким слоем металла основы, с последующим нанесением на этот слой металла покрытия и дальнейшей его карбидизацией. При достаточной термообработке можно достичь существенного сглаживания концентрационного скачка на границе между металлом основы и покрытия с получением слоя карбида металла покрытия на металле основы. Другим методом возбуждения может служить взаимодействие основы с карбидными фазами металла покрытия в области гомогенности и т. п. [c.14]

Аналогично этому обрастание морскими организмами происходит значительно меньше на сплавах непассивных и корродирующих при скоростях, достаточных для перехода в раствор Си в количествах, ядовитых для морских организмов. Минимальная концентрация Си , требуемая для отравления морских организмов, соответствует скорости коррозии меди, равной примерно 0,025 мм год, или 5 мг дм день. На пассивных поверхностях, где общая скорость коррозии и образование Си- значительно меньше, обрастание морскими организмами сильно увеличивается. Эти факты согласуются с теорией, утверждающей, что пассивность связана с характерными чертами переходного металла, особенно с такими составами, в которых-имеются неспаренные -электроны или -электронные вакансии. [c.77]

Тщательное изучение электронных характеристик переходных металлов и их сплавов в связи с разработкой сверхпроводящих материалов выявило, что свойства металлов IV и VI групп не изменяются монотонно, как модуль С, а имеют низкие значения для титана, циркония, гафния, далее проходят через максимум вблизи металлов V группы — ванадия, ниобия и тантала — (4,7—4,8 эл/атом), тогда как электронным концентрациям, лежащим вблизи металлов VI группы — хрома, молибдена, вольфрама и равным 5,7—6,0 эл/атом, вновь отвечает минимум. При переходе к металлам VII—VIII групп наблюдается второй максимум вблизи технеция и рения (6,7—7 эл/атом), а затем новый минимум, приходящийся на рутений и осмий (8 эл/атом). [c.54]

Анализ электронного строения и характеристик электронов проводимости переходных металлов показывает, что по мере заполнения eg ( едг)-состояния четырьмя d-электронами эффективное число электронов проводимости, определяющих 7, 1/0 и Т , сначала растет, достигая максимума при 4,5 d-, 5-эл/атом, а затем падает вследствие локализации четырех d-электронов, перестающих участвовать в проводимости у металлов VI группы. При заполнении /г -состояния первые -электроны участвуют в проводимости, а при увеличении их числа становятся все более тяжелыми, менее подвижными и постепенно локализуются на атомах. Таким образом, двугорбые пики электронных характеристик (см. рис. 24—27), так же как двугорбые пики -оболочек (см. рис. 28, 29), четко связаны с расщеплением d-оболочки во внутреннем октаэдрическом поле нижележащей р -оболочки на eg (dxi/z)- и t2g dxy, dxz, dyг)- o xoя.mя, заполняемые соответственно четырьмя и шестью d-электронами. Это показано на рис. 8, где заполнению d-электронами eg- и g-состояний отвечают область устойчивости ОЦК структур у металлов V—VI групп и область ПГ структур у металлов VII—VIII групп с двумя максимумами Тс, соответствующими максимальной концентрации электронов проводимости. [c.59]

Существует класс полупроводниковых приборов, выполненных на основе смешанных окислов переходных металлов, которые известны под общим названием термисторов. Термин термистор происходит от слов термочувствительный резистор . Толчком к разработке термисторов послужила необходимость компенсировать изменение параметров электронных схем под влиянием колебаний температуры. Первые термисторы изготавливались на основе двуокиси урана ПОг, но затем в начале 30-х годов стали использовать шпинель MgTiOз. Оказалось, что удельное сопротивление MgTiOз и его температурный коэффициент сопротивления (ТКС) легко варьируются путем контролируемого восстановления в водороде и путем изменений концентрации MgO по сравнению со стехиометрической. Использовалась также окись меди СиО. Современные термисторы [60, 61] почти всегда представляют собой нестехиометрические смеси окислов и изготавливаются путем спекания микронных частиц компонентов в контролируемой атмосфере. В зависимости от того, в какой атмосфере происходит спекание (окислительной или восстановительной), может получиться, например, полупроводник п-типа на поверхности зерна, переходящий в полупроводник р-типа в глубине зерна, со всеми вытекающими отсюда последствиями для процессов проводимости. Помимо характера проводимости в отдельном зерне, на проводимость материала оказывают существенное влияние также процессы на границах между спеченными зернами. Высокочастотная дисперсия у термисторов, например, возникает вследствие того, что они представляют собой сложную структуру, образованную зонами плохой проводимости на границах зерен и зонами относительно высокой проводимости внутри зерен. [c.243]

Согласно представлениям Г. Улига, критическая концентрация легирующего компонента, которой отвечает резкий скачок пассивируемости, объясняется изменением электронной конфигурации атомов сплава от заполненной а(-оболочки к незаполненной (никелевые сплавы, стали). В основу расчетов критических составов положено представление Л. Полинга о существовании в d-оболочках переходных металлов незаполненных электронных состояний (дырок). По современной электронной теории сплавов, такой большой перенос зарядов между компонентами сплавов невозможен. Эксперименты по рентгеновской фотоэмиссии показали, что число ii-электронов и дырок в d-оболочках атомов переходного металла в сплаве с непереходным не изменяется (сплав Ni—Си) или изменяется очень мало [55а—55d], — Лримеч. ред. [c.97]

Часто каталитические свойства металла или сплава зависят от их способности хемосорбировать определенные компоненты среды. Поэтому неудивительно, что переходные металлы обычно являются хорошими катализаторами и что электронные конфигурации в сплавах, благоприятствующие каталитической активности и пассивации, сходны между собой. Например, если палладий, содержащий 0,6 d-электронных вакансий на атом в металлическом состоянии, катодно насыщен водородом, он теряет свою каталитическую активность для ор/по-па/>а-водородной конверсии [59] d-уровень заполнен электронами растворенного водорода, и металл не может больше хемосорбировать водород. По каталитической эффективности Pd—Au-сплавы аналогичны палладию, пока не достигнут критический состав 60 ат. % Аи. При этом и большем содержании золота сплав становится слабым катализатором. Золото, будучи непереходным металлом, снабжает электронами незаполненный уровень палладия магнитные измерения подтверждают, что d-уровень заполнен при критической концентрации золота. Результаты исследований каталитического влияния медно-никелевых сплавов различного состава на реакцию 2ННа представлены на рис. 5.17. При 60 ат. % Си и [c.98]

Столь значительное облегчение механического разрушения минерала в присутствии растворов кислот (химически активных сред) позволяет рекомендовать практически использовать хемомеханический эффект в различных технологических процессах, связанных с измельчением и разрушением минералов при помоле в шаровых мельницах, бурении горных пород (в частности, карбонатных) и т. п. При этом следует учитывать возможность коррозии (растворения) металлов и минералов кислотами — понизителями прочности. Для заш,иты технологического оборудования и инструмента от коррозии необходимо добавлять в растворы кислот ингибиторы кислотной коррозии металлов на основе непредельных органических соединений ароматического ряда. Эти ингибиторы сильно хемосорбируются на переходных металлах (железо) за счет донорно-акцеп-торного взаимодействия электронов непредельных связей органической молекулы с незавершенными электронными уровнями металла и лишены этой способности относительно минералов, взаимодействуя с ними по механизму физической адсорбции. Как показали исследования, добавка ингибитора КПИ-3 даже при повышенной его концентрации (0,3 г/л) существенно не отразилась на величине эффекта (кривая 6). Испытание этого раствора на буровом стенде показало снижение величины усилия при резании мрамора в два раза. [c.131]

Чередование фаз Лавеса с различным типом кристаллической структуры в системах Zr — Me (Me — переходной металл V— VIII групп периодической системы элементов) также можно рассматривать как влияние изменения электронной концентрации в зависимости от эффективной валентности компонента В (Ме ) при неизменном компоненте А (Zr). Чередование Х,2-> х А,2 в пределах периода в таком случае должно являться результатом увеличения эффективной валентности переходных металлов с ростом порядкового номера в соответствии с ростом суммы s + d электронов, а диагональное смещение кристаллохимических свойств фаз Лавеса следует отнести за счет уменьшения эффективной валентности с увеличением главного квантового числа в группах. [c.169]

Электронное строение, т. е. концентрация валентных электронов (электронов проводимости), и характер связи электронов с ионами металла являются основой третьей классификации металлических твердых растворов. Однако во многих случаях нельзя сделать четкого различия между электронами проводимости и электронами, принадлежащими только одному атому, в особенности у металлов-переходных групп. В связи с этим однозначная классификация металлов и сплавов по их электронному строению невозможна. Тем не менее понятие об электронах проводимости должно быть сохранено, так как существуют системы, которые не отклоняются сколько-нибудь значительно от идеализированных моделей, предполагающих наличие свободных электронов. Этот вопрос изложен в книгах Делингера [63], Мотта и Джонса [260] и Зейтца [338, 339]. Значение числа валентных электронов становится особенно очевидным из исследований [17, 18, 19, 132, 419], хотя стехиомет-рические составы промежуточных фаз часто имеют отклонения от обычных правил неорганической химии. Сложность вопроса можно иллюстрировать следующими примерами. [c.9]

Т. металлов очень мала, сравнительно больше Т, в полуметаллах и их сплавах, а также в нек-рых переходных металлах и их сплавах (напр., в сплавах Pd—Ag Т. достигает 86 мкВ/К). Т. в этих случаях велика из-за того, что ср. энергия электронов в потоке сильно отличается от энергии Ферми. Иногда быстрые электроны обладают меньшим коэф. диффузии, чем медленные, и Т. меняет знак. Величина и знак Т. зависят также от формы ферми-повчрх-ности, разл. участки к-рой могут давать в Т. вклады противоположного знака. Знак Т. металлов иногда меняется на противоположный при низких темп-рах. В полупроводниках -типа на холодном контакте скапливаются дырки, а на горячем остаётся нескомпенеир. отрицат. заряд (если аномальный механизм рассеяния носителей заряда или эффект увлечения не приводит к перемене знака Т.). В термоэлементе, состоящем из полупроводников р- и п-типов, Т. складываются. В полупроводнике со смешанной проводимостью к холодному контакту диффундируют и электроны и дырки и их заряды взаимно компенсируются. Если концентрации и подвижности электронов и дырок равны, то Т. равна нулю. [c.98]

Интересным является вопрос о том, действительно ли в аморфных сплавах реализуется условие Нагеля—Тауца или нет. Ферми-евское волновое число можно непосредственно измерить в экспериментах по комптоновскому рассеянию и аннигиляции позитронов. Кроме того, если можно воспользоваться моделью свободных электронов, то кр можно рассчитать из величины концентрации валентных электронов на атом е/а) и атомного объема. К сожалению, аморфные сплавы, как правило, содержат большое число компонентов, наиболее важные из которых—переходные металлы, имеющие г -зону. Для них разделение внутренних и внешних валентных электронов неоднозначно, поэтому затруднено и определение kw по результатам комптоновского рассеяния и аннигиляции позитронов. Интересно, что поскольку у-переходных и благородных металлов число валентных электронов Z=e/a меньше 2, то сплавлением их с поливалентными элементами, у которых Z—e/a больше 2, можно в конечном счете получить среднее число валентных электронов 2=2. В настоящее время почти не проводят непосредственные измерения kw в аморфных сплавах, содержащих переходные [c.204]

Такие соединения возникают из-за особенностей металлической связи, стабильнооь которой определяется величиной электронной концентрации и конфигурацией атомных мест, тогда как распределение атомов по этим (местам имеет второстепенное значение. В таких соединениях распределение атомов бывает как упорядоченным, так и неупорядоченным, а состав мало отличается от стехиометрического соотношения элементов. Эти соединения обычно возникают между металлами класса I (переходные и металлы первой группы) и класса II (второй и пятой групп) (табл. 16). [c.163]

Железо, а также другие переходные металлы переходят в пассивное состояние в присутствии кислот с оксианионами, например SOf, NO3, СЮГ, ТеО и др. Относительно подлинного механизма установления пассивности общего согласия еще не достигнуто. Должна существовать какая-то адсорбция (возможно подобная показанной на фиг. 58), сопровождаемая десорбцией и ростом окисла. Известен ряд требуемых ступеней причем не ясно, какая из них является определяющей. Первая важнейшая ступень адсорбции может определяться строением электронных орбит атомов [71]. Устойчивая структурная решетка окислов может иметь значение для установления концентраций дефектов в таких пределах, чтобы пленка имела необходимую электронную проводимость. [c.115]

Повышение концентрации примеси внедрения сопровождается повышением электронной концентрации раствора, которая достигает критического значения, когда становится энергетически более выгодным выделение фаз внедрения — карбидов, нитридов, оксидов, боридов переходных металлов, т. е. избыточной фазы в виде соединений, имеющих собственную, отличную от металла решетку, например типа Na l. Отсутствие непрерывного перехода от первичных растворов внедрения к промежуточным соединениям и наличие [c.84]

Насколько известно, впервые это явление было изучено в работах Брэдли и Тейлора [14] на сплавах Ni — AI, а также в работах Липсона и Тейлора [72] на некоторых тройных сплавах на основе системы Ni — А1. Сплав Ni — А1 можно рассматривать как электронную фазу, аналогичную р-латуци, если допустить, что никель, как переходный металл, имеет нулевую или близкую к нулевой валентность. При эквиатомном соотношении компонентов эта фаза обладает упорядоченной структурой типа sGl, в которой атомы одного сорта, например атомы никеля, занимают места в центрах кубов, а атомы другого сорта — алюминия — располагаются в вершинах кубов. Атомный диаметр никеля меньше, чем алюминия, поэтому при введении в сплав избытка никеля (т. е. когда концентрация никеля становится выше 50%) период решетки, как это и следовало ожидать, уменьшается, а плотность увеличивается. При введении же избытка алюминия наблюдается аномальная картина, так как период решетки при этом не увеличивается, а, наоборот, уменьшается, плотность же уменьшается гораздо быстрее, чем следовало бы ожидать, если допустить, что происходит замеш,ение атомов никеля алюминием. Описанная картина графически представлена на фиг. 26 по данным Брэдли и Тейлора [14] и Брэдли и Зигера здесь приведены также данные по изменению периода решетки в сплавах системы Со — А1. Брэдли и Тейлор [14] пришли к заключению о том, что наблюдаемые аномалии можно объяснить, если предположить, что в спла- [c.200]

Трактовка изменений периода решетки и плотности в сплавах на основе Ni — А1 затруднена тем, что никель является переходным металлом, для которого необходимо допустить наличие нулевой валентности, чтобы иметь возможность считать вышеописанную фазу электронной фазой типа 3/2. Однако образование вакансий было обнаружено также при изучении у-латуней (Юм-Розери и др. [50]), оловянных сплавов (Рейнор и Ли [96]) и ограниченных твердых растворов в системе А1 — Zn (Эллвуд [26, 27]). Во всех этих сплавах переходных металлов нет, и валентности элементов, принимающих участие в образовании сплавов, имеют вполне определенные значения. Фазы типа у-латуней были исследованы в двух двойных системах Сц — А1 и Си Ga (Юм-Розери и др. [501). Исследование периодов решетки и плотности в системе Си — А1 показало, что при увеличении содержания алюминия вплоть до 35,3 ат.% число атомов на элементарную ячейку остается постоянным, равным приблизительно 52, а при дальнейшем увеличении содержания алюминия оно начинает постепенно падать. Аналогичный эффект наблюдается и в системе Си — Ga при введении в у-фазу более 35,4 ат.% галлия. Результаты исследования истем Си — AI и Си — Ga представлены на фиг. 27. В работе Юм-Розери и его сотрудников [50] образование вакантных узлов в структуре у-фаз интерпретируется на основе теории зон Брил-люэна для у-латуней. При этом предполагается, что как нормальная, так и дефектная структура могут содер кать не более 87— 88 электронов на элементарную ячейку, чтобы не превысить определенную величину электронной концентрации — около 1,68— 1,7. Оказалось, что структура высокотемпературной б-фазы в системе Си — Zn сходна с дефектной структурой улатуней в том отношении, что она также характеризуется наличием большого числа дислоцированных атомов и вакантных узлов. [c.202]

Прочная адсорбция кислорода происходит, если атом металла на поверхности образует химические связи с кислородом (хемисорбция). Было замечено, что наиболее склонны к пассивности переходные металлы, имеющие незаполненный электронный -уровень, такие как хром, железо, кобальт, никель и др. Г. Г. Улиг предположил, что наличие незаполненного -уровня способствует хемисорбции кислорода. Если -уровень заполнен, то хемисорбция кислорода не происходит или энергия связи металл — кислород мала. У подобных металлов, например меди, легче образуется фазовый окисел. Эта концепция [58] подтверждается тем, что легирование переходных металлов металлами с заполненным -уровнем приводит к перераспределению электронов и заполнению -уровня электронами, отдаваемыми легирующим металлом с уровня х. Примером могут служить сплавы N1—Си или Ni—Zn в области твердых растворов. Есть возможность рассчитать концентрацию легирующего металла (донора электронов), необходимую для заполнения -уровня легируемого металла. При такой концентрации изменяются магнитные свойства сплава ж вместе с тем резко снижается способность к пассивации. [c.239]

Электронные соединения. Эти соединения чаще образуются между одновалентными (Си. Ад. Аи, Е , Na) металлами или металлами переходных групп (Мп, Ее, Со и др.), с одной стороны, и простыми металлами с валентностью от 2 до 5 (Ве, М , 7п, СА, А1 и др.) с другой стороны. Соединения этого тиИа имеют онределенное отношение числа валентных электронов к числу атолюв, т. е. определенную электронную концентрацию. Так, существуют соединения, у которых это отношение в одних случа.чх равно 2 (1,48) в других (1,62), в третьих 4(1,75). Каждому из указанных соотношений соответствуют и определенные типы кристал.тической решетки. [c.46]

Рассмотрим случаи стимулирования коррозии или катодного процесса под влиянием хемосорбирующихся ПАВ молекулярного типа. Типичным примером этого служит действие ацетиленовых соединений при коррозии железа или никеля. Несмотря на вероятность протонирования ацетиленовых спиртов, вкладом в возможное участие в разряде протонированной формы ПАВ можно пренебречь, так как с ростом концентрации ПАВ этот вклад должен был бы возрастать-л при высоких концентрациях ацетиленовые ПАВ не могли бы, быть ингибиторами. Адсорбция ацетиленовых ПАВ, как ул е отмечалось, идет с участием л-электронов и вакансий в -зоне переходных металлов, что должно привести к некоторому -ф1-эффекту отрицательного знака, т. е. к ускорению катодного процесса. Однако при адсорбции ацетиленовых ПАВ образуются довольно плотные поверхностные слои, и на занятых местах поверхности металла, т. е. на местах локализации отрицательного 1 31-потенциала, реакция практически не идет. В связи с этим основной вклад в суммарную скорость процесса вносит реакция на поверхности, свободной от адсорбированных частиц ПАВ. Адсорбция ацетиленовых соединений приводит к изменению степени покрытия поверхности металла водородом, т. е. к изменению энергии адсорбции или энергии связи металл — водород. Очевидно, что в этом случае относительный вклад 0-, -фг и ме-н-эффектов, а также их знаки будут определять ингибирующие или стимулирующие свойства данного ПАВ. [c.86]

Металлическая связь ненаправленная. Следствием этого являются сферическая симметрия 4астиц, составляющих металлический кристалл, и высокое координационное число (компактная, плотная упаковка). Изменение электронной концентрации (число электронов, преходящихся на один атом Аяи на единицу объема) при изменении номера группы в периодической системе определяет закономерную смену кристаллических структур. Так, щелочные металлы кристаллизуются в ОЦК-решетке, щелочноземельные металлы (кроме Ва) и металлы группы п-в ГПУ-рещетке, А1 и металлы, группы Си - в ГЦК-рещетке. Эти три структуры характерны и для других переходных металлов. [c.33]

Смотреть страницы где упоминается термин Электронная концентрация переходных металлов : [c.95] [c.174] [c.169] [c.67] [c.162] [c.636] [c.228] [c.75] [c.93] [c.161] [c.236] [c.270] [c.273] [c.198] [c.171] [c.190] [c.414] [c.415]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...