Коэффициент электронов

Таблица 9.6. Дебаевский параметр 0, К, и коэффициент электронной теплоемкости 7, мДж/(моль К ),

Таблица 9.8. Дебаевский параметр 6, К, и коэффициент электронной теплоемкости 7, мДж/(моль К ), для неорганических соединений

В уравнении (6.76) для простоты черта над отклонениями усредненных величин опущена и обозначена dw/d = Kj—коэффициент электронного охлаждения катода (эффективная теплота испарения электрона с катода) [c.195]

Здесь Kj — эффективная теплота испарения электрона с катода (коэффициент электронного охлаждения). [c.199]

Нужно отметить, что поскольку длина свободного пробега не может уменьшаться до нуля, а ограничена определенным нижним пределом, то и коэффициент электронной теплопроводности сплавов при комнатной температуре при увеличении количества примесей к основному элементу стремится к некоторому пределу. [c.117]

Коэффициент теплопроводности, обусловленный упругими колебаниями атомов в узлах решетки, можно записать в таком же виде, как и коэффициент электронной теплопроводности [c.118]

На рис. 2 нанесены результаты подсчета Ле для чистого железа, имеющего гранецентрированную решетку. Как видно из графика, электронная доля теплопроводности у-железа при комнатной температуре мала, но растет прямо пропорционально температуре. Аналогично поведение коэффициента электронной теплопроводности, как это было показано выше, при наличии в металле большого количества примесей. [c.123]

Коэффициент электронной удельной теплоемкости у, по-ви-димому, не зависит от концентрации внедренного кислорода. [c.122]

Результаты исследования температурных зависимостей удельной теплоемкости позволили определить коэффициенты электронной теплоемкости у, изучить их изменение с изменением состава, а также рассмотреть температурные вависимости характеристических температур Дебая, то есть получить надежную информацию об электронном и фононном спектрах исследованных препаратов. [c.37]

Изучение влияния давления пара на скорость испарения ионных кристаллов описано в работе [24]. Ионные кристаллы имеют коэффициент испарения меньше единицы. Найденные опытным путем величины а были в 3—5 раз больше соответствующих равновесных коэффициентов. Электронно-микроскопическим исследованием испарявшихся кристаллов до- [c.27]

Ркр — плотность вещества при р = 1 атм и 7=0° К у — коэффициент Грюнайзена ео — внутренняя энергия решетки при нормальных условиях (р = 1 атм, 7 = 7о 300°К) 3кр — коэффициент электронной теплоемкости при р=ркр. [c.158]

Чем сильнее рассеиваются электроны и фононы, тем меньше коэффициент теплопроводности и больше величина его температурного коэффициента. Интересно отметить, что если величина теплопроводности в сплавах определяется электронной и фононной его частями, то температурный коэффициент теплопроводности почти в точности равен температурному коэффициенту электронной теплопроводности. Этот факт является следствием того, что обычно у многокомпонентных высоколегированных сплавов температурный коэффициент электронной теплопроводности велик, в то время как температурный коэффициент фононной теплопроводности для этих же сплавов близок к нулю. [c.393]

Рис. 139. Зависимость энергии дефектов упаковки V от температурного коэффициента электронной теплоемкости Р для переходных металлов

Э. д. у. переходных металлов (см. табл. 26), включая РЗМ и актиноиды, вычислена на основании корреляции между температурным коэффициентом электронной теплоемкости Р по графику, приведенному на рис. 139, или числом внешних электронов [183]. Поэтому значения 7 титана, ниобия и скандия приняты более высокими, чем экспериментальные. [c.185]

Для группы РЗМ-металлов приблизительная оценка э. д. у. может быть сделана на основании ее корреляции с коэффициентом электронной теплоемкости. По этому же принципу с учетом внешних зй- или 5с//-электронов может быть произведена оценка э. д. у. для группы актиноидов. [c.190]

Рис. 3. Коэффициенты электронной теплоемкости для сплавов Си—Мп (а) [11], Сг—Ре (б) [2] и Мо—Т1(в) [13], (г) — энтропии образования в сплавах Мп с Си (С>), Ай ( ) и Ап (о)

Литературные сведения о коэффициенте электронной теплоемкости у для карбида ванадия отсутствуют. Предполагая, что концентрация свободных электронов в карбидах переходных металлов V группы примерно одинакова, а также учитывая тот факт, что коэффициент у для карбидов тантала и ниобия равен 7,6-10 и 7,64-кал/г-форм-град соответственно [17], мы приняли, что и для карбида ванадия у =7,64-10 кал г-форм-град С использованием этого значения у и результатов исследования теплоемкости при низких температурах из работы [3] получено следующее уравнение теплоемкости карбида ванадия [c.149]

Рассмотренная электромеханическая система управления позволяет фрезерному станку обрабатывать по копиру заготовки сложной конфигурации со скоростью до 375 мм/мин. Величина скорости копирования, зависящая от быстродействия следящей системы, ограничивается недостаточно эффективной обратной связью и малым коэффициентом электронного усилителя. [c.300]

Рис. 3.18. Зависимость коэффициентов электронного усиления (затухания) рэлеевских (а) и поперечных (б) волн от дрейфового поля в образце 1

На рис. 3.22 приведены экспериментальные зависимости коэффициента электронного усиления уд рэлеевских волн на частоте 173 МГц и рассеиваемой в образце мощности постоянного тока Р от дрейфового напряжения F,>. Как видно из графиков, усиление чрезвычайно резко растет при переходе дрейфовым полем критического значе- [c.243]

Вместе с тем сцинтилляционные счетчики имеют и свои специфические недостатки более сложная радиометрическая аппаратура высокое питающее напряжение и требование повышенной стабильности напряжения необходимость тщательной светоизоляции влияние магнитных полей на коэффициент усиления фотоумножителя, что затрудняет их применение в соответствующих условиях усталость, возникающая при токах 10 а и проявляющаяся в падении коэффициента электронного умножения последних динодов наличие собственного [c.137]

На рис. 3 приведена экспериментальная кривая для чистого железа по наиболее полным данным Рибекка [7]. Пунктирная прямая / показывает, какой была бы зависимость электросопротивления от температуры, если бы железо не было ферромагнитным. По этой прямой нами определена зависимость >-e= f T) для неферромагнитного железа. Результаты подсчета приведены на рис. 2. Они показывают, что /-е без учета ферромагнитного сопротивления не зависит от температуры аналогично коэффициенту электронной теплопроводности для неферромагнитных [c.122]

Аналогичный размерный эффект на теплоемкости нанокри-сталлического порошка Pd со средним диаметром частиц 8 нм наблюдали в работе [295]. Температурную зависимость теплоемкости нанокристаллического палладия /r-Pd при 1 К < 7 < 20 К описали степенной функцией С Т) = аТ + h P + е Р, аналогичной формуле (3.15) при фиксированном значении г. В зависимости С(Т) массивного палладия квадратичный член hP отсутствовал. Коэффициент электронной теплоемкости /i-Pd оказался немного меньше, а температурный коэффициент решеточной теплоемкости — в 2 раза больше, чем те же коэффициенты а и h для массивного палладия (табл. 3.2). Результаты [295] находятся в хорошем согласии с данными [293] по теплоемкости -Pd. [c.88]

Теплоемкость. Химическое соединение Аи1п2, выплавленное из металлов чистотой 99,999%, в интервале 1,4—4,2 °К имеет коэффициент электронной теплоемкости у, равный 3,15 мдж моль-град и характеристическую температуру 0, равную 187 °К [37]. [c.12]

Если считать, что у большинства перечисленных выше РЗМ энергия дефектов упаковки, вычисленная по значениям температурного коэффициента электронной теплоемкости [260—263], равна 80—90 эрг1см , то эти значения показателей В и не противоречат логике. [c.104]

В связи с указанными затруднениями был применен метод подбора коэффициентов электронной модели ускориметра по заданной реальной кривой переходного процесса. На основании анализа была разработана структурная схема модели применительно к АВМ типа МН-7 [97]. Точная проверка допустимости предложенного метода была проведена на ЦВМ Урал-1 с использованием метода площадей. [c.103]

Если количество теплоты, переносимое зарядом с энергией Е, равно Е — Ef, то термо-э. д. с. 5 и коэффициент электронной теплопроводдюсти Хе могут быть выражены через моменты (Е — Ef)lkT, определенные выражением [c.232]

Хотя энтропии образования металлических сплавов обычно определяются с невысокой точностью, именно энтропия является наиболее чувствительным параметром к изменению атомной или электронной структуры сплава. Любые уклонения от беспорядочного распределения атомов, т. е. наличие ближнего или дальнего порядка типа упорядочения или расслоения, может лишь понижать идеальную энтропию смешения. В то же время для многих сплавов переходных металлов энтропии смешения гораздо больше идеальных, что свидетельствует о наличии неконфигурационных вкладов в энтропию — колебательного, электронного и магнитного, которые поддаются полуколичественной оценке, если известно изменение характеристической температуры бр, коэффициента электронной теплоемкости у и средних атомных магнитных моментов Цэф при образовании сплава [c.153]

На рис. 3—5 показана температурная зависимость суммарной электропроводности ряда образцов системы Zr02 — СеОг — СоО. Как видно из этих данных, почти на всех кривых имеются характерные изгибы, наличие которых свидетельствует о вкладе двух типов проводимости (электронной и ионной) в общую электропроводность. Это можно объяснить тем, что температурный коэффициент электронной составляющей проводимости значительно меньше, чем ионной. [c.93]

Линейные коэффициенты электронного преобразования рентгеновых и гамма-лучей [c.321]

Для напряжения сигнала постоянного тока =1лектронпы11 усилитель н сеточных цепях первой лампы и.меет делитель напряжения, благодаря которому па сетки первой лампы двух каналов попадает половина входного напряжения и при этом в зависимости от полярности входного сигнала на сетку одной ла.мпы попадает положительное напряжение, а на сетку другой — отрицательное. Так как лампа пропускает ток только в одном полупериоде, то действие постоянного напряжения на сетках лампы аналогично действию переменного напряжения входного сигнала. Передаточньп коэффициент электронного усилителя [c.78]

Коэффициент электронного затухания уд и изменение фазовой скорости рэлеевской волны A r/сд даются выражениями (3.98). Поскольку значение малого параметра для кристалла GaAs составляет 3,65-10 , суммарная относительная ошибка в определении а существенно меньше, чем для кристалла dS, и составляет приблизительно 10 . [c.225]

Вначале Хилл вычислил функции распределения электронов, возбуждаемых светом данной частоты, по энергиям, и сравнил вычисленную функцию с наблюдённой в случае натрня. Хотя этн кривые согласуются весьма хорошо в области больших значеннй энергии, однако не наблюдается согласия в области малых энергий, нбо теоретическая кривая начинается примерно прямолинейно, тогда как наблюдённая кривая — примерно квадратично. Наиболее разумное объяснение этого расхождения таково, что поверхность, на которой проводились измерения, была загрязнена, так что либо работа выхода изменялась от точки к точке, либо коэффициент электронных переходов отличался от [c.699]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...