Тонкая структура, схема

Тонкая структура, схема 384 [c.398]

Изображенная на рис. 33 схема соответствует простейшему случаю а-распада, когда испускающиеся а-частицы имеют только одну строго определенную энергию. Однако это не единственно возможная схема. Выше было замечено, что в составе а-спектров часто наблюдаются группы а-частиц с меньшими (тонкая структура а-спектров), а иногда с большими (длиннопробежные а-частицы) энергиями, чем у основной группы а-частиц. Остановимся на энергетическом истолковании этих особенностей а-распада. [c.117]

Особый интерес с точки зрения обсуждаемых нами проблем представляют способы, при помощи которых производилась работа с полями в окрестности вершины трещины, В самых ранних работах трещина моделировалась просто линией, через которую нельзя передать никаких усилий, а движение трещины по предположению начиналось тогда, когда соответствующая компонента напряжений в узле сетки вблизи вершины трещины на плоскости разрушения достигала некоторой критической величины. В этот момент узловая точка мгновенно освобождалась от связей и вершина трещины скачком перемещалась вперед на одну ячейку. Такое внезапное освобождение от напряжений и скачкообразное изменение длины трещины нельзя, разумеется, точно описать при помощи конечно-разностных аппроксимаций, и поэтому в схемы были внесены надлежащие усовершенствования. Одним из такого рода обычно используемых улучшений является включение в конечно-разностную модель известного распределения напряжений в окрестности вершины трещины при помощи определенных процедур согласования (см,, например, работы [82,22]) или же введение в окрестность вершины трещины некоторых более тонких структур, позволяющих осуществить более плавное освобождение от напряжений и/или поглощение энергии. [c.120]

Рис. 16.16. Полосовая доменная структура в тонких плевках (схема)

Герцберг [188] измерил лэмбовский сдвиг для уровня иона гелия НеП. Для этого он исследовал тонкую структуру линии НеН А,= 1640 А ). Схема переходов для этой линии показана на рис. 7.9. Линии НеП возбуждались в полом катоде, охлаждаемом жидким азотом. Схема трубки изображена на рис. 7.10. [c.317]

Из анализа данных, полученных разными авторами [9, 275, 302, 303], изменение размеров ячеек для моно- и поликристаллических ОЦК-металлов зависит от величины энергии дефекта упаковки конкретного материала, условий испытания, размера зерна, ориентировки, схемы нагружения и находится в пределах 3,0 — 0,2 мкм. С повышением температуры деформации размер ячеек увеличивается, их границы становятся более тонкими и плотными, дислокации внутри ячеек почти полностью отсутствуют. Среди особенностей ячеистой структуры отмечается [9, 295], что размер ячеек не зависит от начального размера зерна. [c.128]

При радиографическом контроле отливок источник излучения выбирают в зависимости от толщины и плоскости металла. Схемы просвечивания следует выбирать так, чтобы просвечивание велось через одну стенку, причем, в первую очередь тех участков отливок, на которых чаще встречаются дефекты, а также особо ответственные участки, несущие максимальные нагрузки. Отливки сложной формы и крупные просвечивают по частям (участкам), по типовым схемам в зависимости от конкретных условий, нередко с применением компенсаторов. При дефектоскопии полых отливок целесообразно использовать схему панорамного просвечивания. Ультразвуковой контроль отливок (даже ручной) до настоящего времени следует считать весьма ограниченным. Это объясняется сложной формой отливок, значительной шероховатостью поверхности, крупнозернистой структурой, различием в величине зерна между толстыми и тонкими сечениями. [c.54]

Пирографит характеризуется весьма резко выраженной анизотропией свойств. Это является следствием того, что графитовые слои при отложении из газовой фазы располагаются параллельно поверхности, на которой протекает процесс. Получение тонких прочных пленок пирографита позволило решить в радиотехнике одну из важнейших проблем — создания непроволочных углеродистых сопротивлений, обладающих высокими эксплуатационными показателями, малыми габаритами и удобной для монтажа в схемах конструкцией. После обработки пирографита при 2750° С был получен материал с весьма высокой степенью совершенства кристаллов, приближающейся по своей структуре и свойствам к монокристаллам графита. [c.374]

Исследование условий получения структуры и свойств тонких пленок (и. о. проф. М. В. Белоус). За последние годы было проведено изучение электрофизических, адгезионных и технологических свойств, а также кристаллической структуры пленок, полученных вакуумным испарением сплавов на основе меди, хрома, нихрома, кобальта, тантала и других. Изучены закономерности формирования структуры указанных сплавов и установлено, что наиболее перспективными с точки зрения использования в качестве проводящих пленочных элементов являются сплавы на основе меди нихрома и тантала. Часть полученных и исследованных пленок использовалась кафедрой теоретических основ радиотехники КПИ в соответствующих схемах. [c.69]

Рис. 2. Схема структуры тонкого слоя масла в зазоре между поверхностями металла

Наличие на границах соединений (и в прилегающих к ним областях) пластин тех или иных дефектов может оказывать существенное влияние на электрофизические свойства многослойных композиций и рабочие характеристики создаваемых на их основе дискретных приборов и интегральных схем. С присутствием на границах соединения пластин тонких окисных слоев связано появление дополнительных потенциальных барьеров, существенно влияющих на характер прохождения тока в создаваемых / - -структурах. Возможные загрязнения поверхности соединения пластин электрически активными примесями являются причиной появления в многослойных композициях паразитных /(- -переходов, а также ловушек для носителей заряда. Дисперсные кислородсодержащие преципитаты в значительной мере определяют генерационно-рекомбинационные характеристики высокоомных рабочих слоев в силовых приборах и приводят, например, к возрастанию величин остаточных токов в полевых транзисторах. С наличием в области границ раздела дислокаций связано существенное увеличение токов утечки в биполярных транзисторах. Такого рода примеры можно было бы продолжить, но уже и так ясно, что успех в широкомасштабном внедрении многослойных структур, создаваемых методом прямого соединения пластин, в кремниевую микроэлектронику и силовую технику напрямую связан с их качеством. [c.82]

Во многих задачах (гл. 7) требуется определить, как изменяется спекл-структура за время от t до т. е. нужно зарегистрировать на одной и той же фотопластинке Н две спекл-структуры, одну в момент t, а другую в момент /г-Преимуществом предыдущей схемы является то, что она позволяет, сделав всего лишь две экспозиции, получить в спектре негатива более тонкие полосы, а это, как мы увидим, повышает точность измерения. [c.65]

В работах [124, 125] предложена упрощенная схема структуры трещины в полимерных материалах. Эта двухфазная модель является существенной модификацией б -модели [105]. В отличие от последней в ней учитывается изменение напряжений (сил сцепления) в концевой области в зависимости от силовых, геометрических и реологических параметров. Модель основана на том экспериментальном факте, что вблизи концов трещин в линейных полимерах, таких как полиметилметакрилат, перед окончательным разрушением происходит расслоение материала. Таким образом, в тонких пластинах вблизи концов берега трещин связаны тяжами (связями), представляющими собою тонкие нити, ориентированные вдоль действия нагрузки (рис. 26). [c.58]

Г. Н. Савин и А. А. Каминский (1967) исследовали рост трещин в условиях разрушения твердых полимеров (полимерных стекол) при фиксированной температуре для случая постоянной внешней нагрузки длительного действия. Рассмотрев развитие в вязко-упругом материале трещины,. структура контура которой учитывает особенности строения трещин в полимерных материалах (противоположные берега трещины в концевой области на участке конечной длины соединены тонкими нитями-тяжами), авторы, в отличие от предыдущих работ, не требовали выполнения условия малости концевой области. По этой схеме в течение некоторого промежутка времени О происходит расширение трепщны без удлинения, [c.429]

Наибольшее влияние на сопротивление КР оказывает тонкая структура (или субструктура) сплавов, разрешаемая с помощью электронного микроскопа. На рис. 6.012 приведена обобщенная схема тонкой структуры высокопрочных алюминиевых сплавов. В подрису-ночной подписи дано название ее основных составляющих. К ним следует добавить распределение легирующих элементов в приграничной зоне (рис. 6.6). С точки зрения терминологии это совсем не структурная характеристика, но без тесной привязки к структуре ее представление проигрывает в наглядности. [c.234]

При компоновке схем объективов возникают ситуации, когда две ДЛ с известными характеристиками помещают в одну плоскость и их нужно заменить одним элементом. В этом случае, исходя из представления ДОЭ как бесконечно тонких структур, характеризуемых амплитудным коэффициентом пропускания (см. п. 1.1), нужно перемножить коэффициенты пропускания линз, а следовательно, просто сложить их эйконалы записи [см. выражение (1.3)]. Нет смысла подробно рассматривать это сложение, отметим -только, что если задний отрезок одной из ДЛ равен переднему отрезку второй (как это было в гл. 4.5), то оставшиеся два отрезка характеризуют составной элемент, а его коэффициенты асферической деформации равны суммам соответствующих коэффициентов ДЛ. [c.210]

В соответствии с этой схемой можно положить, что коротковолновая группа максимумов в спектрах поглощения соответствует переходу >-5s5p Pi. Тонкая структура этой полосы может возникнуть вследствие расщепления уровня 5 s 5р Pi, вызванного внутри-кристаллическим штарк-эф([ ектом. Такое расщепление уровней под [c.201]

Частота колебаний водородной связи 0---0 составляет примерно 200 см-, гнергия диссоциации — 2000 см 1. Поскольку ангармоничность ее колебаний велика, значения энергии е составляют быстро сходящуюся последовательность. На рис. 61 приведена схема строения основного и двух возбужденных уровней энергии линейных колебаний невзаимодействующих связей комплекса О—Н---0. Уровни е составляют тонкую структуру уровней Е. Первый возбужденный колебательный уровень Е связи О—Н расположен в области непрерывного спектра 8 связи 0---0 основного состояния о- [c.160]

В экспериментах KYLH и Bru ker, Althaus [1992, 1995] выявлена более тонкая структура пузырькового распада. Обнаружено наклонное тороидальное вихревое кольцо, которое прецессирует вокруг оси и отвечает за заполнение и опустошение внутренней области пузыря (см. визуализацию на цв. рис. 26 и реконструкцию изображения кольца по измерениям методом P1V на рис. 7.50), Па рис. 7.51 приведена обобщенная схема пузыря в виде проекции линий тока на меридиональную плоскость. Видно наличие двух точек застоя. У передней точки "i происходит заполнение пузыря, а у задней S2 - опустошение. [c.453]

Попытка выявить тонкую структуру, вызванную топохимическим взаимодействием частиц между собой и подложкой, обусловливающим возникновение адгезионно-когезионных связей, столкнулась с определенными техническими трудностями. В связи со сложностью изучения структуры на контактных границах частица - подложка и частица - частица даже с помощью растрового электронного микроскопа (разрешающая способность РЭМ составляет обычно 25. .. 30 нм) был использован вариант решения этой задачи с помощью синхротронного излучения (СИ). Схема зондирования образца из N1 с А1 покрытием, нанесенным холодным газодинамическим напыле-ние.м, показана на рис. 3.32. [c.165]

Так как первые определения ориентировки монокристаллов [14] частично противоречили развиваемым представлениям о структуре цементита, было проведено детальное рентгенографическое исследование цементита, выделенного из сплавов, указанных в табл. 2. Порошки цементита получали по методике, описанной в работе [22]. Образцы подвергали анодному растворению в 0,3-ц. растворе НС1 при плотности тока 0,02 а см , а также измельчали кристаллы, извлеченные из усадочных раковин опытных слитков. Рентгеносъемку порошков производили в хромовом излучении по схеме на отражение с ионизационной регистрацией на УРС-50И. Периоды решетки рассчитывали по линиям (233), (025), (313). Интересно отметить существенное уменьшение параметра Ь с увеличением содержания Мп в сплаве в то время как в безмарганцевом цементите а = 0,4518, Ь = 0,50897 и с = 0,67337, в цементите сплава, содержащего 5% Мп, а — 0,4504, Ь 0,5072 и с 0,6712 нм. Этот факт объясним, так как добавка Мп, обладающего большим, чем железо, сродством к углероду и концентрирующегося преимущественно в цементите [22], должна приводить к усилению ковалентных связей в тетраэдрических цепочках и вызывать стягивание цепочек. Указанное обстоятельство следует иметь в виду и при оценке отмеченного выше влияния Мп на тонкую структуру кристаллов цементита. [c.176]

Рис 5 За. Схема энергетических уровней позитрония Слева представлены уровни, рассчитанные с использованием кулоновского потенциала. Тонкая структура уровней (показанная в увеличенном масштабе) обусловлена существованием подуровней так же, как и в случае атома водорода. [c.141]

Использование компаундов позволило изготовлять бескорпус-ные дискретные приборы, масса и габариты которых мало отличаются от массы и габаритов их активных структур. Такие приборы представляют собой кристаллы с активными структурами диодов, транзисторов и др., защищенные тонким слоем специального полимерного компаунда. Размеры приборов, как и самих кристалликов, не превышают нескольких долей миллиметра, что позволяет использовать их в качестве активных элементов гибридных интегральных схем (ГИС). [c.94]

Для исследования структуры и свойств леталла в исходном состоянии от одного конца трубы отрезают кусок длиной 300— 500 мм. Определяют химический состав ло элементам, указываемым в сертификате, и проводят карбидный анализ. Твердость измеряют на приборе Бринеля по поперечному сечению. Испытания на растяжение проводят при комнатной и рабочей температуре и определяют ударную (Вязкость только при комнатной температуре. Затем исследуют микроструктуру и определяют количество неметаллических включений. Схема вырезки образцов показана на рис. 114, б. Если труба тонкая и поперечные образцы по указанной схеме вырезать нельзя, то испытания проводят на продольных образцах. Причем образцы должны быть удалены от среза конца трубы не менее чем на 50 мм для исключения зоны термического влияния газовой резки. Образцы следует вырезать из куска трубы на металлорежущих станках. [c.234]

Примем следующую упрощенную схему. Представим себе поток разбитым на две резко отличные по структуре области тонкую пристеночную область чисто вязкого движения — вязкий (ламинарный) подслой — и область не зависящего от вязкости, полностью турбулентного движения — турбулентное ядро потока. Принятое разделение, конечно, очень схематично. На самом деле при удалении от стенки влияние вязкости убывает непрерывно, а не сосредоточива ется в некоторой резко очерченной области. В порядке уточнения такой схемы можно было бы ввести еще промежуточную между вязким подслоем и турбулентным ядром потока переходную область, где наряду с турбулентным трением фигурировало бы и молекулярное трение. Введение такой переходной области оказывается полезным при изучении тепломас-сопередачи и будет в дальнейшем, так же как и теория непрерывного убывания влияния вязкости, изложено. Как показывает сравнение с опытами, в гидродинамических вопросах можно удовольствоваться такой схемой двух областей вязкого подслоя и турбулентного ядра (двухслойная схема). [c.576]

Другой вид ТМО — рекристаллизация горячедеформированного материала. Суть данного способа заключается в нагреве сталей выше температуры Лз и деформировании при постепенно понижающейся температуре (рис. 38, в) при этом избыточный цементит в сталях, выделяясь преимущественно по границам непрерывно рекристаллизующихся зерен аустенита, стабилизирует их рост формируя УМЗ микроструктуру. Распад аустенита с ультрамелким зерном ниже температуры Л[ и деформация продуктов распада способствуют формированию зернистого перлита достаточно высокой дисперсности. В работе [240] исследовали влияние указанной схемы обработки на формирование, микродуплексной структуры в обычной высокоуглеродистой стали, содержащей 1,3—1,9 % С. ТМО такой стали состояла в нагреве до 1150 °С до образования однофазной аустенитной структуры, прокатке при постепенно понижающейся температуре, во время которой происходило выделение цементита, и окончательной прокатке при 550 С. Конечная микроструктура стали после такой обработки представляет со- бой тонкую смесь сфероидизированного цементита и феррита с зерном порядка [c.116]

Выше было рассказано о результатах численного исследования уравнения (4.10) при М = 0,1 /г = 1. Однако, как показали аналогичные численные исследования, такие же результаты получаются и при других значениях параметров М ш Ъ, если только Н> М. При несоблюдении этого условия ж к< М возможность сведения к точечному отображению окружности в себя исчезает, и необходимо исследовать точечное отображение двумерного цилиндра в себя. Общая схема изменений фазового портрета оказывается следующей. При малых ц- возникают устойчивые вращательные синхронизмы, области притяжения которых разделяются сепаратрисами 3 и 3 седловых ненрдвижных точек. С ростом параметра ц, число их возрастает, и вместе с этим возникают пересечения сепаратрисных кривых седловых неподвижных точек, отвечающих разным синхронизмам. Это приводит к усложнению вида областей притяжения устойчивых синхронизмов. Дальнейшее увеличение параметра ц- сопровождается появлением новых пересечений сепаратрис и возникновением гомоклинических структур, содержащих циклы. При этом характер приближения фазовых точек к устойчивым синхронизмам носит весьма сложный немонотонный характер фазовая точка то приближается к нему, то удаляется и, лишь попав в достаточно малую его окрестность, стремится к нему. В соответствии с этим области притяжения устойчивых синхронизмов имеют сложный и тонкий характер. При дальнейшем росте параметра [х начинаются бифуркации удвоения периодов устойчивых синхронизмов с одновременным образованием новых седдовых синхронизмов которые ведут к еще большей хаотизации движений и утопьше-нию областей притяжения устойчивых синхронизмов. При ничтожно малых возмущениях фазовая точка блуждает по поверхности секущего цилиндра, не попадая в малые окрестности устойчивых синхронизмов. [c.206]

Структура потока при турбулентном режиме движения сложна, и в связи с этим делались попытки создать упрощенные схемы механизма турбулентного потока. По схеме, предложенной Л. Прандтлем, при турбулентном режиме движения основная часть потока состоит из турбулентного ядра, в котором наблюдаются пульсацил скорости и происходит перемешивание частиц. При турбулентном режиме движения, непосредстненно примыкая к стенке, расположен тонкий слой, движение в котором близко к ламинарному. Этот пристенный слой условно называется ламинарной пленкой. На стенке скорость движения равна нулю, а в пределах ламинарной пленки скорость увеличивается по / пнейному закону до величины дл, которая равна [c.103]

На рис. 1.18, б показана схема распространения упрочнения под обраоотанной поверхностью, где ыожио различить три зоны I — зона разрушенной структуры это тонкий слой металла, характеризуемый пзмельчеинымн зернами с образованием новой структуры, которая отличается от структуры зоны III — основного металла II — зона наклепанного металла. В зоне I наблюдается большое число микротрещин. Слой металла, в котором образуются эти микротрещины, называют дефектным. Дефектный слой характеризуется пониженной износостойкостью и повышенными коррозионными свойствами его следует удалять при последующей обработке. В зопе II твердость НВ) металла резко изменяется по толщине заготовки. Напбольшз ю твердость имеет обработанная поверхность твердость постепенно уменьшается по мере удаления от этой поверхности (рис. 1.18, б). [c.407]

Освещение производится с помощью тонкого плоскопараллель-нсго стекла, наклоненного под углом 45° к поверхности объекта. Лучи S, падающие на стеклянную пластинку 1. частью проходят сквозь нее, а частью отражаются и попадают через объектив 2 на поверхность шлифа 3, откуда, отразившись, проходят через линзу 5 и попадают в окуляр 4. При таком способе освещения работает все отверстие объектива, но не все лучи используются для освещения используется примерно одна четвертая часть всего светового потока, что отражается на интенсивности освещения шлифа. Освещение получается прямое, наиболее часто применяемое при изучении структуры. Такую схему освещения имеет опак-иллюминатор ОН-1, с иомошьк ) которого можно биологический микроскоп (см. фиг. 6) использовать как металломикроскоп. [c.45]

Примем следующую упрощенную схему. Представим себе поток разбитым на две резко отличные по структуре области тонкую пристеночную область чисто вязкого движения — вязкий или ламинарный подслой— и область пе записяшего от вязкости полностью турбулентного движения — турбулентное ядро потока. Принятое разделение, конечно, очень схематично. На самом деле ири удалении от стенки влияние вязкости убывает непрерывно, а не сосредоточивается в некоторой резко очерченной области. В порядке уточнения такой схемы можно было бы ввести еще промежуточную между вязким подслоем и турбулентным ядром потока переходную область, где наряду с турбулентным треннем фигурировало бы и молекулярное трёние. Введение такой [c.721]

По схеме, предложенной Л. Прандтлем, при турбулентном режиме большая часть потока занята турбулентным ядром (рис. V. 3) и лишь у граничной поверхности, в частности у стенок трубы, образуется очень тонкий ламинарный слой или пленка. В последующем в работах Мат-тиоли и Г. Гуржиенко представление о структуре пограничного слоя несколько изменилось. Пограничный слой стали считать состоящим из двух подслоев (рис. V. 4) ламинарного или вязкого и переходного со смешанным режимом — временами ламинарным, временами турбулентным с явно обнаруживаемым срывом вихрей. При этом распределение скоростей в ламинарном подслое ввиду его малости (доли миллиметра) принимается по линейному закону от нулевых скоростей у стенок (прилипание жидкости к стенками) до конечного значения на границе с пе- [c.108]

С учетом расщепления цементита при эвтектической кристаллизации следует подходить к объяснению формирования эвтектических сферолитов в белом чугуне. Известно, что сферолиты с тонкодифференцированной структурой образуются при больших скоростях охлаждения расплава [1 1. На рис. 7 приведены микроснимки поверхности тонких пленок заэвтектического чугуна № 7, полученных при расплющивании капель жидкости между массивными полированными медными плитами. Толщина пленок составляла 0,1—0,5 мм. В газовых микропорах, имевшихся на поверхности пленок, наблюдались кристаллы цементита, радиально разветвленные из одного центра (рис. 7, а). Такие кристаллы можно представить в качестве скелетной схемы эвтектических сферолитов, показанных на рис. 7, б, в. Характерной особенностью строения сферолитов является их секториальность, которая проявляется не только в типично перистых (рис. 7, б), но и в полных (рис. 7, в) сферолитах. По-видимому, секторы сферолитов имеют строение, аналогичное веерообразным колониям пластиночной эвтектики. В некоторых участках веерообразное расщепление цементита в секторах можно наблюдать и при микроанализе (рис. 7, г в левом верхнем углу). [c.14]

По результатам исследования ряда колоний методом последовательных переполировок построена днметрическая схема колонии (рис. 9). Тонким пунктиром отмечены зародышевый ромбоэдр и линии пересечения секториальных границ. Используя эту схему, можно объяснить ряд макроморфологических элементов структуры, часто наблюдаемых на шлифах (рис. 10). Треугольники (а) отвечают сечениям, приблизительно нормальным к лииии пересечения секториальных границ (правый разрез на схеме). Двутавровые сечения (б) образуются в том случае, если плоскость шлифа параллельна ребру зародышевого ромбоэдра (центральный разрез на схеме). Сечения на рис. 8, а, б, в, е соответствуют левому разрезу на схеме. На рис. 10, е, г показаны сечения колонии плоскостью, проходящей через центральный кристалл и пересекающей секториальную границу. При этом на микроснимке рис. 10, в секториальная граница рассекается под небольшим углом. Это позволяет оценить микроморфологию эвтектики на секториальной границе. Как видно из снимка, эвтектика имеет пластинчатое строение. Следовательно, как и ири кристаллизации ледебурита, отсутствие дендритной подкладки приводит к формированию пластинчатой структуры, вырождающейся при последующем росте в сотовую. [c.111]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...