Многослойные структуры

В главе 8 было показано, что совершенную кристаллическую структуру многих материалов можно представить в виде последовательных одинаковых атомных слоев (плоскостей), расположенных вполне определенным образом. При этом нередко возникают плотноупакованные двухслойные, трехслойные, многослойные структуры. Для металлов и ряда сплавов типичны двухслойная плотная упаковка, соответствующая ГПУ структуре, и трехслойная, соответствующая ГЦК структуре. [c.235]

ВТМ позволяют успешно решать задачи контроля размеров изделий.Этими методами измеряют диаметр проволоки, прутков и труб, толщину металлических листов и стенок труб при одностороннем доступе к объекту, толщину электропроводящих (например, гальванических) и диэлектрических (например, лакокрасочных) покрытий на электропроводящих основаниях, толщину слоев многослойных структур, содержащих электропроводящие слои. Измеряемые толщины могут изменяться в пределах от микрометров до десятков миллиметров. Для большинства приборов погрешность измерения 2—5%. Минимальная площадь зоны. контроля может быть доведена до 1 мм , что позволяет измерить толщину покрытия на малых объектах сложной конфигурации, С помощью ВТМ измеряют зазоры, перемещения и вибрации в машинах и механизмах. [c.83]

Умеренное действие очистки. В этом случае во время действия силы очистки оксидная пленка на металле не разрушается и трубы поверхности нагрева остаются покрытыми плотными нарастающими во времени отложениями. Интенсивность коррозии металла в этом случае, при прочих равных условиях, определяется физико-химическими свойствами этих отложений. При умеренном действии очистки отложения на трубах имеют многослойную структуру. Непосредственно на оксидной пленке располагается твердый и прочно связанный с ней слой желтого цвета. Толщина такого слоя после 2000—4000 ч работы агрегата доходит до 3— 4 мм. [c.142]

В том случае, когда пленка не однослойная, а имеет многослойную структуру, потенциал восстановления каждого слоя различный, поэтому производят измерение толщины каждого слоя в отдельности. [c.196]

Коррозионностойкие армированные пластики занимают ведущее положение как конструкционные химически стойкие материалы. Они работают в самом материалоемком интервале эксплуатационных условий от криогенных температур до 150 °С, от глубокого вакуума до давления 20 МПа, в широком диапазоне жидких и газовых агрессивных сред. В качестве связующих коррозионностойких стеклопластиков используют ненасыщенные полиэфирные, эпоксидные, фенольные и фурановые смолы. Для обеспечения длительной работоспособности в условиях воздействия агрессивных сред наибольшее применение получила многослойная структура. Она включает в себя [c.97]

Наиболее важной проблемой при создании микроэлектронных приборов является применение совместимых друг с другом материалов со стабильными и воспроизводимыми характеристиками тонких слоев, а также последовательности технологических операций формирования многослойной структуры, при которой последующие операции не оказывают влияние на характеристики ранее сформированных слоев. [c.411]

В ряде случаев в многодисковых муфтах сцепления может проявляться в условиях смазки эффект избирательного переноса [8], когда на поверхности трения дисков может образовываться тонкая сервовитная медная пленка. В этом случае необходимо рассматривать более сложную структуру фрикционный материал + сервовитная медная пленка граничная пленка масла. Экранирующее действие пленки масла при этом сохраняется, а расчет приведенных теплофизических характеристик выполняют для многослойной структуры по зависимостям (П.19)—(П.22). [c.319]

Наличие на границах соединений (и в прилегающих к ним областях) пластин тех или иных дефектов может оказывать существенное влияние на электрофизические свойства многослойных композиций и рабочие характеристики создаваемых на их основе дискретных приборов и интегральных схем. С присутствием на границах соединения пластин тонких окисных слоев связано появление дополнительных потенциальных барьеров, существенно влияющих на характер прохождения тока в создаваемых / - -структурах. Возможные загрязнения поверхности соединения пластин электрически активными примесями являются причиной появления в многослойных композициях паразитных /(- -переходов, а также ловушек для носителей заряда. Дисперсные кислородсодержащие преципитаты в значительной мере определяют генерационно-рекомбинационные характеристики высокоомных рабочих слоев в силовых приборах и приводят, например, к возрастанию величин остаточных токов в полевых транзисторах. С наличием в области границ раздела дислокаций связано существенное увеличение токов утечки в биполярных транзисторах. Такого рода примеры можно было бы продолжить, но уже и так ясно, что успех в широкомасштабном внедрении многослойных структур, создаваемых методом прямого соединения пластин, в кремниевую микроэлектронику и силовую технику напрямую связан с их качеством. [c.82]

Несмотря на сравнительно короткую историю, гидрированные полупроводники, и прежде всего пленки a-Si H и многослойные структуры (в том числе гетероструктуры) на их основе, уже вышли на рельсы достаточно широкого практического использования. Солнечные батареи, фотоприемники, координатно-чувствительные детекторы ионизирующих излучений, тонкопленочные полевые транзисторы, высокоскоростные пространственные модуляторы света, фоточувствительные слои в электрофотографии и лазерных принтерах, мишени видиконов, светодиоды -вот далеко не полный перечень приборных применений гидрированного кремния и родственных ему материалов. Использование гидрированных полупроводников в современной электронной технике расширяется с каждым годом. Наиболее многообещающим направлением эффективного использования этих материалов являются приборы регистрации и [c.105]

В качестве примера рассмотрим более подробно модель зарядовой деградации МДП-структур с толщиной двуокиси кремния 10... 100 нм на начальном этапе инжекции заряда в диэлектрик, разработанную для многослойных структур и анализа процессов зарядовой деградации в локальных областях зарядовых дефектов, с аномальными характеристиками зарядовой нестабильности [43]. [c.137]

Терминология не устоялась, поэтому приводятся варианты названий. В фирме 1ВМ , которая первая осуществила промыщленный выпуск жестких дисков с головками на ГМР-эффекте, все многослойные структуры (за исключением магнитного туннельного перехода) называют спиновыми клапанами (вентилями). [c.575]

Скорость горения и расходы, связанные с уменьшением горючести, зависят не только от типа смолы, но и от наличия и количества наполнителей, особенностей структуры материала (например, многослойная структура с использованием бальзы) и от применения покрытий, вспучивающихся при нагревании. [c.26]

Микроструктуры, имеющие сходство с перлитной составляющей в стали. Следовательно, это — многослойные структуры различной степени дисперсности. [c.1012]

В приложении III дан перевод статьи Многослойные структуры для рентгеновской оптики , опубликованной в 1986 г. Т. Барби — одним из пионеров и ведущих специалистов в области изготовления и применения многослойных рентгеновских зеркал. Это обзор, в котором подробно освещена история вопроса. Основной упор делается на взаимосвязь технологии нанесения многослойных покрытий, их структурных характеристик и оптических свойств в рентгеновском диапазоне. Т. Барби дает представление о многослойной рентгеновской оптике как быстро развивающейся, многообещающей области, которая находится на стыке современных направлений развития физики и технологии. [c.10]

Новые возможности экспериментального определения оптических констант связаны с измерением отражения от многослойных интерференционных систем (МИС), в изготовлении которых в последние годы достигнут значительный прогресс (см. гл. 4 и приложение III). В основе этого способа определения оптических постоянных лежит измерение угловой зависимости отражения МИС вблизи угла 0ь, определяемого условием Вульфа—Брэгга, в необходимом интервале энергии рентгеновского излучения. По результатам этих измерений строятся аналогичные расчетные зависимости (метод расчета см. в гл. 4), в которых используются значения 63, Уг, ух, определенные. с достаточной точностью. Подбором искомого значения 6 i добиваются совпадения расчетной и экспериментальной зависимостей. Таким способом авторами работ [37, 66] с использованием многослойной структуры Ti—С получена дисперсия константы б для Ti в районе /(-края поглощения. [c.24]

На рис. 1.15 представлена спектральная зависимость пикового коэффициента отражения многослойной структуры —С при угле падения излучения 0 = 20,5° [29]. [c.44]

Пусть на многослойную структуру падает из вакуума плоская монохроматическая волна (угол падения ф, длина волны в вакууме Я) [c.79]

Рекуррентные соотнощения (3.9) полностью описывают процесс отражения электромагнитной волны от многослойной структуры. При численной реализации метода вместо амплитуд и1 и в качестве дискретных переменных удобнее ввести текущие коэффициенты отражения г Zj) и прохождения t z y. [c.80]

Таким образом, формулы (3.11)—(3.13) позволяют численно решить задачу об отражении электромагнитной волны от произвольной многослойной структуры (в том числе и непериодической) для любых длин волн Я падающего излучения и произвольных углов падения ф. [c.81]

Пренебрежем в силу (3.20) отражениями волны на границах раздела МИС—вакуум и МИС—подложка . Тогда матрица интерференции многослойной структуры А — где — [c.83]

Прежде всего, подчеркнем еще раз преимущества и недостатки каждого из рассмотренных выше подходов. Точный численный метод рекуррентных соотношений позволяет легко рассчитать коэффициент отражения от произвольной многослойной структуры для любых длин волн падающего излучения и любых углов падения, если только известны геометрические параметры / и Р и состав МИС. В то же время решение этим методом обратной задачи, т. е. нахождение оптимальных геометрических параметров и состава МИС для получения, например, максимально возможного коэффициента отражения, представляет собой громоздкую и далеко не очевидную процедуру. Связано это с тем, что коэффициент отражения, рассматриваемый как функция длины волны Я и угла падения (р, даже в случае полубесконечной периодической структуры зависит от большого числа параметров Ке е , 1т е , Ке 1т / и р. [c.88]

Эффект, связанный с закручиванием пластины при растяжении, который был обнаружен Рейсснером и Ставски [121], ярко проявляется в двухслойных материалах и слабо в многослойных структурах, типичных для конструкций, изготовленных методом намотки. [c.171]

При взаимодействии фаз Лавеса с кубической структурой из различных областей стабильности, кроме ограниченных твердых растворов на основе обоих соединений, обычно образуются тройные фазы с гексагональной структурой типа MgZrig, MgNij или многослойные структуры (Zr — V — (Fe, Со, Ni) [20, 31, 34], Zr — (Mo, W) — o [21], (Hf, Та) — V — Ni [31]. Сюда же можно отнести системы Zr — r— (Fe, Со, Ni), в которых Zr r со структурой 2 и второе соединение относятся к различным областям стабильности [27], [c.172]

М. стала источником новых идей в методов в физике твёрдого тела и материаловедении. В связи с задачами М. созданы, напр., устройства с управляемыми электронными и ионными пучками диаметром в неск. атомов, ионные источники (от протонов до тяжёлых ионов) широкого диапазона анергий (с диаметром пучка, близким к размерам отд. ионов), аппаратура для выращивания монокристаллов и многослойных структур, где толщина, состав и строение каждого слоя контролируются с точностью до параметра решётки (см. Гетероструктура, Эпитаксия), и т. д. Созданы новые пьезоэлектрические материалы, феррогранаты, материалы с высокой чувствительностью к действию света, рентг. излучения, электронных и ионных пучков и т. д. Одно из достижений микроэлектронного материаловедения — сверхрешётки на основе множества чередующихся сверхтонких слоёв полупроводников типа [c.154]

Как хороший теплоноситель плазма позволяет производить термин, обработку поверхности и её закалку. При этом не изменяется хим. состав поверхности, но улучшаются её физ. параметры. При др. способе обработки поверхности активные частицы плазмы вступают в хим. реакцию с материалом поверхности. Напр., при проникновении ионов или активных атомов из плазмы в приповерхностный слой в нём образуются нитриды или карбиды металлов, что упрочняет поверхность. Плазма может не вступать в хим. реакцию с поверхностью, но образует на ней свои хим. соединения в виде плёнок, обладающих нек-рым набором механич., тепловых, электрич., оптич. и хим. свойств в зависимости от параметров плазмы. Толщина плёнки, напыляемой на поверхность из плазмы, пропорц. времени плазменного процесса. Изменяя через нек-рое время состав плазмы, можно создавать многослойную структуру. Обработка отда слоёв сфокусиров. излучением ртутной лампы или лазера позволяет создавать профилир. плёнки с мин. размером отд. элементов в неск. микрон (см. Плазменная технология). [c.354]

В случае множеств, объектов или регулярных непрерывно распределённых возмущений среды особое значение имеют коллективные эфс кты, обусловленные суперпозицией полей рассеяния и взаимным перераспределением (многократным рассеянием). Так формируются диаграммы рассеяния от периодич. решёток, многослойных структур (см. Дифракционная решётка, Брэгговское отражение). В нелинейных средах такие (как правило, периодические), структуры образуются как отклики среды ва интенсивные поля ыакачки или на разл. суперпозиции поля в многоволновых комбинациях. Эти случаи относятся к явлениям вынужденного Р. в. (см., папр., Мандельштама — Бриллюэна рассеяние). [c.266]

Первые прямые измерения параметров атмосферы Ю. произведены 7 дек. 1995 космич. зондом, отделившимся от КА Галилей . Предварит, анализ указывает на незначит. содернажие в атмосфере Ю. воды и не подкрепляет модельные представления о многослойной структуре облаков. Науч. программа КА предусматривает подробные исследования Ю. и его галилеевых спутников. [c.654]

К наиболее распространенному виду многослойных оболочек из композиционных материалов относятся оболочки вращения. Анализ прочности, устойчивости и динамики тонких многослойных оболочек вращения проведем с использованием кольцевого оболо-чечного элемента. Специфика многослойной структуры элемента будет характеризоваться интегральными жесткостными свойствами по толщине пакета, которые подробно рассмотрены в гл. 1. [c.135]

При анализе электросопротивления пленок следует учитывать, как отмечалось ранее (см. выражение (3.1)), возможность рассеяния электронов внешними поверхностями, а также топографию последних, наличие столбчатой или многослойной структуры (см. рис. 2.1, в, г). Пленки по характеру зависимости р от толщины без учета нанокристалличности принято условно подразделять на три группы [c.66]

Авторы надеются, что данная книга, обобщающая современные достижения вычислительной квантовой теории в решении задач практического материаловедения и прогноза новых нитридных и оксидных материалов с оптимизированными функциональными свойствами (многокомпонентных высокотемпературных керамик, наноразмер-ных и многослойных структур, высокопрочных композитов и др.) окажется полезной и привлечет к богатейшим возможностям методов квантовохимического моделирования внимание широкого круга специалистов в области неорганической и физической химии, химии твердого тела, материаловедения, аспирантов и студентов старших курсов университетов. [c.4]

В работе [38] вьшолнен комплекс расчетов по моделированию особенностей структуры концентрационных политипов на примере системы A1N—О. В указанной системе известен [31] ряд многослойных структур, образованных блоками разного химического состава с общей формулой (А1Ы) , А120з, где z — целое число. Способы упаковки блоков определяют существование структур гексагональной (Я) или ромбоэдрической (R) симметрий. Экспериментально зафиксированы 21R, 21R, 12Н, 1бЯи 32Я-пэлитипы (число перед индексом симметрии указывает количество атомных слоев в элементарной ячейке). [c.109]

Николаи Б. И. Многослойные структуры и политипизм в металлических сплавах. Киев Наукова Думка. 1984 [c.115]

Структурное совершенство поверхности раздела соединяемых пластин и прилежащих к ней областей играет очень важную роль, особенно при создании многослойных композиций для силовой электроники. При прямом соединении пластин одинаковой кристаллографической ориентации с разворотом одной поверхности относительно другой в плоскости контакта, не превышающим 0,5°, формируется композиция, которая практически является аналогом многослойной структуры, создаваемой методом эпитаксиального наращивания. Увеличение угла разворота до 45 приводит к формированию на границе соединения супертонкого нарушенного слоя. При соединении поверхности ориентации (111) с поверхностью ориентации (100) на границе раздела возможно образование очень тонкого (2...3нм) аморфного слоя. Таким образом, получение структурно совершенной границы раздела требует строгого контроля взаимной ориентации соединяемых поверхностей. [c.78]

В 1988 г. А. Фертом (А. Fert) с сотрудниками во Франции и П. Грюнбергом (Р. Gruenberg) в ФРГ был открыт гигантский магниторезистивный эффект в многослойных тонкопленочных структурах. Они наблюдали большие (50 и 6 % соответственно) изменения электрического сопротивления при изменении магнитного поля. Эксперименты проводились при низких температурах в очень больших магнитных полях. Для получения пленочных многослойных структур использовался малопроизводительный метод молекулярно-лучевой эпитаксии. Однако довольно скоро после открытия ГМР-эффекта усилиями исследователей из фирмы 1ВМ (США) в результате опробования свыше 50 тысяч комбинаций слоев разного состава и толщин были найдены материалы, [c.572]

Ключ к созданию нанокристаллических материалов с повышенной температурной стабильностью хранения информации - многослойные антиферромагнитно-связанные структуры. Обычная запоминающая среда для рабочего слоя жестких дисков - это сплав oPt rB. Стабильность сплава повышается при использовании многослойной структуры с анти-ферромагнитной связью, обусловленной введением промежуточного слоя рутения толщиной в три атомных слоя. Последовательность расположения слоев в такой структуре имеет вид oPt rB/Ru/ oPt rB. Для получения высокой плотности записи должно быть мало произведение остаточной намагниченности на толщину рабочего слоя (Р (А/ 8) ), но это приводит к уменьшению амплитуды сигнала воспроизведения. В случае антиферромагнитно-связанной структуры противоположные ориентации намагниченности делают всю структуру похожей на более тонкую, чем она есть в действительности. Формально это описывается введением эффективной магнитной толщины (Л/ 8)зфф = где индексы 1 и 2 относятся к ферромагнитным слоям с противоположной намагниченностью. Вследствие этого, антиферромагнитная связь позволяет добиться повышения плотности записи без уменьшения физической толщины рабочего слоя 8. Результатом исследований фирмы IBM стал промышленный выпуск жестких дисков с поверхностной плотностью записи 4 Гбит/см на основе сплава с размером зерен 8,5 нм. В [c.576]

На рис. 3.1 показана угловая зависимость коэффициента отражения многослойного рентгеновского зеркала, содержащего 200 пар чередующихся слоев молибдена (толщина слоя 1,99 нм) и бора (толщина слоя 2,91 нм). В отличие от случая одной границы раздела (штриховая и штрихпунктирная кривые), вне области полного внешнего отражения (т. е. при ср < п/2 — Од) имеется довольно узкая область углов падения, в которой значение коэффициента отражения составляет десятки процентов. Пик отражения имеет резонансный характер, что связано с интерференцией большого числа волн, отраженных различными границами раздела многослойной структуры. Угловое положение пика приближенно соогвегствует условию Брзгга (3.3). [c.77]

Существует целый ряд методов, превоначально разработанных для оптики видимого диапазона, которые позволяют рассчитать численно оптические параметры произвольной многослойной структуры для любых значений диэлектрических проницаемостей составляющих ее веществ и любых углов падения. Это, в первую [c.79]

Рис. 3.4. Элементарная ячейка двуххомпонентной периодической многослойной структуры

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...