Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Линия тонкая структура

Выше уже отмечалось, что а-частицы, испускаемые при распаде естественных и искусственных а-радиоактивных изотопов, состоят из отдельных групп, которым соответствуют различные энергии (рис. 66), иначе говоря, пользуясь оптической терминологией, спектры а-частиц состоят из нескольких линий (тонкая структура а-лучей). Линейчатые спектры а-частиц можно подразделить на два типа.  [c.227]

Для дифракционной решетки обычно наблюдают спектры второго или третьего порядков, т. е. т = 2 или 3. В соответствии с этим дисперсионная область ДА, = Х/2 или А./3 очень велика. В этом — огромное преимущество дифракционной решетки, которая позволяет анализировать даже белый свет, т. е. очень обширный спектральный интервал (в тысячи ангстремов), тогда как пластинка Люммера—Герке, например, не дает уже отчетливых максимумов, если падающий на нее свет представляет спектральный интервал, превышающий один ангстрем. Поэтому интерференционные спектроскопы пригодны только для анализа очень однородного света, например для спектральных линий, испускаемых разреженными газами. Они оказывают неоценимые услуги при анализе таких линий, позволяя устанавливать наличие нескольких компонент в этой линии (тонкая структура), оценивать ширину линии, наличие изменений (расщеплений) под действием внешних причин (например, эффект Зеемана) и т. д.  [c.218]


Майкельсон применил интерферометрическое наблюдение для оценки малых угловых расстояний между двойными звездами, а также для оценки углового диаметра звезд. Метод Майкельсона, равно как и применение его к определению размеров субмикроскопических частичек, будет изложен ниже (см. 45). Наконец, понятно, что интерференционные методы, позволяющие с огромной точностью определять длину волны, могут служить для самых тонких спектроскопических исследований (тонкая структура спектральных линий, исследование формы и ширины спектральных линий, ничтожные изменения в строении спектральных линий). Интерференционные спектроскопы, их достоинства и недостатки будут обсуждены вместе с другими спектральными приборами (дифракционная решетка, призма) в 50.  [c.149]

Таким образом, в крыле линии Рэлея наблюдается тонкая структура, которая объясняется модуляцией света, рассеянного вследствие флуктуаций анизотропии, поперечными волнами. Скорость таких волн в маловязких жидкостях лежит в пределах от 100 до 200 м/с.  [c.598]

Тонкая структура рэлеевской линии рассеяния  [c.121]

Рис. 51. Тонкая структура спектральных линий натрия Рис. 51. <a href="/info/19028">Тонкая структура</a> <a href="/info/14533">спектральных линий</a> натрия
Тонкая структура энергетических уровней и спектральных линий имеет место и у других элементов, включая водород. (В 1 тонкая структура уровней водорода не рассматривалась.)  [c.59]

Зоммерфельд пытался этим изменением энергии объяснить так называемую тонкую структуру линий водорода и ионизованного гелия. Дело в том. что при наблюдении с помощью приборов высокой разрешающей силы можно обнаружить, что линии этих элементов состоят из нескольких тесно расположенных составляющих. В гл. II мы увидим, однако, что такое объяснение не вполне правильно и что причины, вызывающие тонкое строение линий водорода, не исчерпываются зависимостью массы от скорости.  [c.35]

Для случая водорода и сходных с ним ионов, если не обращать внимания на тонкую структуру их линий (см. 5), опыт дает хорошее согласие с теорией. Для других же элементов лишь в очень немногих случаях спектральные линии действительно расщепляются на три составляющие, находящиеся друг от друга на нормальном расстоянии", выраженном формулой (7). Большей частью линии расщепляются на большое число составляющих и находятся на других расстояниях друг от друга. Причина этого явления будет рассмотрена в дальнейшем.  [c.42]


Резюмируя содержание последних двух параграфов, мы можем сказать, что выводы из квантовой механики подтверждаются всем разнообразным экспериментальным материалом, который подтверждал и теорию Бора. Вместе с тем, квантовая механика не обладает теми внутренними затруднениями логического характера, которые были свойственны теории Бора. За пределами этой теории по-прежнему остается тонкая структура линий водорода и сходных с ним ионов, В дальнейшем мы увидим, что тонкая структура объясняется, если принять гипотезу о наличии собственного магнитного момента у электронов. Но главные успехи квантовой механики относятся к теории атомов с несколькими валентными электронами. Теория Бора даже в простейшем случае многоэлектронной системы — в случае атома гелия и сходных с ним ионов — давала неверные значения энергий стационарных состояний. Квантовая механика позволяет вычислить для гелия эти энергии, которые находятся в очень хорошем согласии с экспериментальными данными.  [c.108]

В гл. I мы указывали, что линии водорода обладают тонкой структурой каждая из линий состоит из нескольких очень тесно расположенных составляющих (на расстоянии сотых долей ангстрема для линий в видимой части спектра). Первая попытка объяснить эту тонкую структуру принадлежит Зоммерфельду ( 5), который, пользуясь моделью Бора, учитывал зависимость массы электрона от скорости в соответствии с принципом относительности. Теория Зоммерфельда хорошо объясняла число и относительное расположение составляющих тонкой структуры, но находилась в противоречии с фактами, относящимися к влиянию на структуру линий внешнего магнитного поля ( 65).  [c.123]

В действительности тонкая структура линий водорода и сходных с ним ионов может быть объяснена лишь при одновременном учете поправок на принцип относительности и на магнитные (спиновые) свойства электрона. Приведенная выше форма уравнения Шредингера не удовлетворяет требованиям принципа относительности. Благодаря этому она ведет к простому выражению для энергии стационарных состояний атома водорода и сходных с ним ионов  [c.123]

И объясняет возникновение отдельных серий. Поправочные члены указывают на расщепление каждого энергетического уровня на ряд тесно расположенных подуровней и объясняют тонкую структуру линий.  [c.126]

Тонкая структура линий водорода и ионизованного гелия  [c.126]

ТОНКАЯ СТРУКТУРА ЛИНИЙ ВОДОРОДА И ИОНИЗОВАННОГО ГЕЛИЯ  [c.127]

Экспериментальная проверка теоретических расчетов вероятностей переходов для водорода затруднительна из-за невозможности полностью разрешить тонкую структуру его линий ( 27). Тем не менее можно считать, что относительные интенсивности компонент тонкой структуры линий водорода хорошо согласуются с расчетными.  [c.425]

Тонкая структура линий водорода 35, 126  [c.640]

Тонкую структуру пластически деформированного металла обычно оценивают по увеличению ширины рентгеновских интерференционных линий, определяя таким. образом относительную величину микроискажений кристаллической решетки (Аа/а) и размеры блоков мозаики (областей когерентного рассеяния).  [c.91]

Постоянная тонкой структуры. Исследование спектральных линий водорода с помощью приборов высокой разрешающей способности показало, что эти линии обладают тонкой структурой, т.е. состоят из нескольких линий, весьма близко расположенных друг к другу. Тонкая структура объясняется при учете теории относительности и собственного магнитного момента электрона. Добавочная энергия, создающая расщепление линий, определяется выражением, в которое входит безразмерный множитель, называемый постоянной тонкой структуры. Его выражение  [c.348]

В 1916 г. А. Зоммерфельд, работая над воровской атомной моделью, ввел новый способ квантования электронных систем с помощью двух переменных ( главного и побочного квантовых чисел) и получил для движения электронов необходимые эллиптические орбиты. Благодаря уточнению модели атома Бора были объяснены некоторые спектроскопические данные. Далее Бор в духе классической механики принял массу движущегося электрона постоянной. Зоммерфельд же учел поправки, которые требовала теория относительности, и ввел в теорию Бора релятивистскую массу электрона, заметно меняющуюся в зависимости от изменения громадной скорости электрона, движущегося внутри атома. В результате этого стало ясно, что электронная орбита движется в данной плоскости вокруг фокуса, занятого ядром, т. е. она приобрела вид розетки. Теперь Зоммерфельд смог объяснить тонкую структуру не одного только спектра водорода, но и спектра рентгеновских лучей. Тем самым при построении атомной модели стали учитывать и теорию относительности Эйнштейна. Однако и это новое видоизменение теории Бора, развитое Зоммерфельдом, не давало возможности охватить все опытно наблюдаемые спектральные линии, а модели, содержащие три и более тел (например, гелия), она не в силах была точно рассчитывать. Здесь все время сохранялось противоречие теории фактам, как бы ни усложнялось классическое в своей основе представление об электронной орбите. Только квантовая механика позднее разрешила это противоречие, отказавшись в принципе от классических представлений об электроне как миниатюрном шарике и о точной орбите его движения.  [c.454]


Ряс. 2. ИК-полоса поглощения V молекулы SP , полученная на фурье-спектрометре с разрешением 0,04 см ниже показана тонкая структура линии Р(39), измеренная на диодном лазерном спектрометре с разрешением 10 см .  [c.202]

Среди решений уравнений Дирака, описывающих обычные (с положительной энергией) состояния электрона, имеются также решения, которые соответствуют состояниям с отрицательными значениями энергии. Это представляло большие трудности для теории, и первые несколько лет предпринимались 1юпытки избавиться от состояний с отрицательной энергией. Одним из авторов этих попыток был Э. Шредингер. Однако было ясно (как показал И. Е. Тамм), что без состояний, соответствующих отрицательным энергиям, теория Дирака становится бессильной объяснить ряд важнейших явлений. (Теория Дирака успешно объясняет аномальный эффект Зеемана, тонкую структуру спектральных линий, закон рассеяния -лучей, закон тормозного излучения электрона.)  [c.350]

Для объяснения тонкой структуры Гоудсмит и Юленбек в 1925 г. высказали гипотезу, согласно которой электрон надо представлять себе в некотором смысле похожим на заряженный волчок, вращающийся вокруг собственной оси. Благодаря этому вращению электрон будет обладать собственным моментом количества движения (спином) и магнитным моментом. Если предположить, что проекция спина может принимать только два значения, то тонкую структуру оптических линий можно объяснить как результат взаимодействия магнитного поля, создаваемого орбитальным движением электронов, с магнитным моментом, обусловленным наличием спина. Это взаимодействие несколько различно при разных направлениях спина, благодаря чему происходит расщепление терма на два близких подтерма. При этом количественное согласие с опытом получается в том случае, если  [c.59]

Тонкая структура а-спектров встречается довольно часто. Наибольшее число линий тонкой структуры наблюдается у а-спектров, соответствующих переходам на возбужденные уровни несферических ядер. Это объясняется тем, что у таких ядер имеются уровни с небольшой энергией возбуждения, связанные с вращением ядра. А переходы именно на такие уровни (расположенные вблизи от основного состояния ядра) и порождают а-частицы с близкими энергиями, которые в соответствии с законом Гейгера — Нэттола должны испускаться со сравнимыми вероятностями.  [c.120]

Опыты Мандельштама и Ландсберга преследовали цель изучить тонкую структуру рэлеевских линий, но вследствие малой разрешающей споеобности применяемых приборов им это удалось сделать только качественно. При этом было открыто комбинационное рассеяние света. А исследованием тонкой структуры рэлеевского рассеяния занялся Гросс.  [c.125]

При исследовании с помощью спектральных приборов высокой разрешающей силы линии большинства элементов обнаруживают сложную структуру, значительно более узкую, чем мульти-плетная (тонкая) структура линий. Ее возникновение связано с взаимодействием магнитных моментов ядер с электронной оболочкой, приводящим к сверхтонкой структуре уровней и с изотопическим сдвигом уровней.  [c.66]

Принципиальное отличие формулы (72.14) для атома водорода от нерелятивистской формулы состоит в том, что в релятивистском случае энергия зависит от орбитального квантового числа, т. е. снимается вырождение по /. Благодаря этому каждый энергетический уровень с главным квантовым числом п расщепляется на п подуровней, соответствующих значениям / от О до й - 1. Расщепление энергетических уровней пропорционально а , т.е. мало. Оно приводит к расщеплению соответствующих линий излучения и порождает тонкую структуру линий излучения. С помощью формулы (72.14) нетрудно подсчитать расщепление линий излучения. В частности, для дублетного расщепления серии Баль-мера (и = 2) получается формула  [c.394]

Тонкая структура линий бальмеровской серии водорода подвергалась многократным исследованиям. Экспериментальные трудности обусловлены тем, что благодаря малому атомному весу водорода линии обнаруживают сильное доплеровское расширение ( 84). Линии Н , и т. д. удается разрешить лишь на две расширенные составляющие, что соответствует расш.еплению нижнего двухкваитового уровня на два подуровня. Более тонкие детали структуры линии, происходяш,ие от расщепления верхних уррвней, остаются  [c.129]

Каждая из полос должна еще обладать, как это впервые отметил Кос-сель, тонкой структурой, В самом деле, рассмотрим поглощение рентгеновых лучей свободным атомом. Электрон, вырываемый из какой-либо, внутренней оболочки, не должен обязательно выбрасываться за пределы атома, но может быть переведен с внутренней оболочки на один из внешних оптических уровней. Энергии этих внешних уровней образуют ряд сбегающихся термов, и. таким образом, длинноволновый край рентгеновой полосы поглощения должен представлять собой серию тесно расположенных сбегающихся линий поглощения, за пределом которых только начинается действительное сплошное поглощение. Эта группа линий образует тонкую структуру полосы.  [c.323]

Исторически особую роль сыграло изучение эффекта Пашена — Бака на водородных линиях. Как мы указывали в 5, первоначальная теория Зом-мерфельда объясняла тонкую структуру линий водорода исключительно зависимостью массы электрона от скорости. В таком случае не должен был бы обнаруживаться эффект Пашена — Бака каждая из компонент тонкой структуры должна была бы расщепляться самостоятельно. После появления гипотезы об электронном спине тонкая структура линий водорода объяснялась, как возникающая в резулцгате дублетного расщепления отдельных уровней водорода. Тогда на тонких компонентах линий водорода (и сходных с ним  [c.357]

Снек [ 3] определял интенсивность линий поглощения в возбужденном водороде. Он получил отношение интенсивностей для трех первых линий бальмеровской серии Н , Н и Н . При этом тонкая структура была отчасти разрешена каждая из линий расщеплялась на две составляющих—одну длинноволновую и одну коротковолновую. Отношение интенсивностей определялось отдельно для длинноволновых и коротковолновых составляющих линий Н , Н , Н . Приведем результаты измерений для длинноволновых составляющих  [c.425]


Рентгеноструктурный анализ образцов выполняли по изменению полуширины дифракционных линий (220) и (311), для чего использовали рентгеновский дифрактометр ДРОН-1 с железным излучением анода. Тонкую структуру образцов в исходном состоянии, а также на разных этапах испытания исследовали с помощью световой микроскопии и на просвечивающих электронных микроскопах JEM-7 и JEM-100. Микрорентгеноспектральный анализ проведен на микроанализаторе MS-46.  [c.213]

Некоторое представление о значении структурного фактора на повышение прочностных и пластических свойств при ВТМО, в частности, с применением дробной деформации можно получить путем исследования тонкой структуры рентгенографическим методом. На образцах стали 40ХСНВФ (см. табл. 3) измерено физическое уширение линий (НО) и (211). По полученным значениям произведена оценка размеров блоков В и напряжений второго ряда Аа/а согласно методике [6, 7, 10], а также плотности дислокаций. Результаты соответствующих измерений и расчетов показывают закономерные изменения элементов тонкой структуры в соответствии с теорией. Измерения и расчеты, проведенные на сталях других марок, подтверждают указанные закономерности. Путем применения дробной деформации можно существенно улучщить тонкую структуру стали, измельчить блоки и повысить плотность дислокаций.  [c.45]

Спектральные линии атома водорода имеют дублетную тонкую структуру, обусловленную взаимодействием спина электронов с его орбитальным моментом (см. Спин-орбитальное взаимодействие) величина расщепления линий — порядка десятых долой м . Это расщепление для водородсподобных ионов возрастает пропорционально Z, т. е. для Hell в 16 раз по сравнению с HI.  [c.153]

Эффект предсказал в 1926 Л. Томас (L. Thomas) он учёл связанные с прецессией поправки при расчёте спин-орби-тального взаимодействия в атоме водорода, получил согласующуюся с экспериментом тонкую структуру спскг-ральных линий и правильно описал аномальный Зеемана  [c.123]

ТОНКАЯ СТРУКТУР (мультиплетнос расщепление) уровней энергии — раси)спление уровней энергии (термов) атома, молекулы или кристалла, обусловленное гл. обр. спин-орбишильным взаимодействием. Тонкое расщепление уровней — причина возникновения Т. с. спектральных линий, Мультинлетное расщепление электронных уровней энергии молекул связано с т, н. взаимодействием спин—ось.  [c.126]

ТОНКОЙ СТРУКТУРЫ ПОСТОЯННАЯ —безразмерная величина a = e /li , где е — заряд электрона. Определяет тонкое расщепление уровней энергии атома (и. следовательно, спектральных линий см. Тонкая структура), величина к-рого пропорциональна (константа получила назв. по этому явлению), В квантовой -злектродинамике а—естеств. параметр, характеризующий величину эл.-магн, взаимодействия. а = 137,0359895(61), ос 1/137. См. также Фундаментальные физические константы.  [c.131]


Смотреть страницы где упоминается термин Линия тонкая структура : [c.593]    [c.112]    [c.352]    [c.167]    [c.382]    [c.859]    [c.495]    [c.153]    [c.621]    [c.200]   
Оптика (1976) -- [ c.593 , c.596 ]



ПОИСК



Исследование тонкой структуры линии Релея в кристаллах

Исследование тонкой структуры линии рассеянного света в жидкостях с большой объемной вязкостью и малой сдвиговой вязкостью

Л11- - ИГТД Тонкая структура резонансных линий—квадрупольные эффекты Тонкая структура, обусловленная диполь-дипольным взаимодействием

Линии тонкие

Наложение крыла линии Релея на область компонент тонкой структуры

Структура линий ЭПР

Структура тонкая

Тонкая структура и ширина линии релеевского рассеяния света в газах

Тонкая структура линии рассеяния, классическая и релаксационные теории, распространения звука в маловязких жидкостях

Тонкая структура линии рассеянного света в стеклах и жидкостях с большой вязкостью

Тонкая структура линий водорода

Тонкая структура линий водорода ионизованного гелия

Тонкая структура рэлеевской линии рассеяния

Установки и методы исследования тонкой структуры линии рассеянного света

Ширина компонент тонкой структуры линии Релея

Экспериментальное наблюдение тонкой структуры линии Релея в стеклах и жидкостях с большой вязкостью

Экспериментальные исследования поляризации, ширины и интенсивности компонент тонкой структуры линии Релея



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте