Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Линейные уровни

Если циклическое нагружение чередуется случайным образом, то правило линейного суммирования дает весьма удовлетворительные результаты при различных уровнях нагру-  [c.135]

Для практической термометрии интерес представляют переходные металлы, имеющие частично заполненные -уровни, а также з-уровни (символы з и соответствуют значениям орбитального квантового числа О и 2 см. [6]). Поскольку -электроны более локализованы, чем з-электроны, проводимость обусловлена главным образом последними. Однако вероятность рассеяния 3-электронов в -зону велика, поскольку плотность -состояний вблизи уровня Ферми высока (рис. 5.5), поэтому удельное сопротивление переходных металлов выще, чем у непереходных. Наличие -зоны влияет также на характер температурной зависимости. При высоких температурах величина кТ может быть уже не пренебрежимо мала по сравнению с расстоянием от уровня Ферми до верхней или нижней границы -зоны. Предположение, что поверхность Ферми четко разделяет занятые и незанятые состояния, перестает быть верным, и для параболической -зоны в формулу удельного сопротивления вводится поправочный коэффициент (1—5Р), где В — постоянная. Однако плотность состояний в -зоне вовсе не является гладкой функцией энергии (рис. 5.5), поэтому эффект будет осложнен изменением плотности состояний в пределах кТ от уровня Ферми. Отклонение температурной зависимости от линейной может быть как положительным, так и отрицательным.  [c.194]


Из уравнения (IV—14) следует линейность закона распределения давления в жидкости по вертикальному направлению. В частности, давление в любой точке на глубине Л под поверхностью уровня с давлением Ро  [c.79]

Наиболее простой способ уменьшения деформаций заключается в уменьшении уровня напряжений. Однако этот путь нерационален, так как он сопряжен с увеличением массы конструкции. В случае изгиба рациональным способом уменьшения деформаций является целесообразный выбор формы сечений, условий нагружения, типа и расстановки опор. Поскольку влияние линейных параметров системы при изгибе велико [формула (51)], то в данном случае имеются эффективные способы увеличения жесткости, позволяющие уменьшить деформации системы в десятки раз по сравнению с исходной конструкцией, а иногда практически полностью ликвидировать изгиб.  [c.206]

В данном случае, как и во многих других, ребро двугранного угла не задано на чертеже и нет необходимости его находить, т. е. строить прямую пересечения данных плоскостей. В самом деле, проведя из какой-нибудь точки пространства М перпендикуляры п и к плоскостям 0 и Л, мы получим в плоскости этих перпендикуляров при точке М два плоских угла а и р, которые соответственно равны линейным углам двух смежных двугранных углов, образованных плоскостями 0 и Л. Определив натуральные величины углов между перпендикулярами и путем вращения вокруг прямой уровня (см. пример 1), мы решим поставленную задачу без построения ребра двугранного угла.  [c.109]

Вычислительные томографы могут применяться для технического диагностирования изделий практически любой конфигурации. Высокоэнергетические источники, линейные ускорители, изотопы и микротроны создают возможность контролировать качество крупногабаритных изделий с высокой дефектоскопической чувствительностью, приближающейся по уровню к чувствительности металлографического анализа. Принцип цифровой реконструкции изображения по проекциям будет несомненно использован и для других физических методов диагностирования. Уже известны ультразвуковые ядерно-магниторезонансные, электрические ВТ, которые в будущем смогут сыграть важную роль в диагностике аппаратов.  [c.228]

Анализ рис, 7.9, а, б показывает, что оптимальное по быстродействию Ub(0 является релейным в силу линейности (7.50). При этом зарядный процесс определяется в основном начальной форсировкой возбуждения, которая длится примерно 85% от всего времени переходного процесса. При этом U t) линейно возрастает и только в конце с помощью переключений t/в (О приближается к Ос max. Сравнение оптимально управляемого процесса с неуправляемым процессом при постоянном возбуждении (рис. 7.10, а) показывает, что благодаря оптимальному управлению время заряда уменьшается на порядок. В таком же отношении увеличивается степень использования генератора, улучшаются его массогабаритные показатели. Зависимость максимального быстродействия от уровня форсировки показана на рис. 7.10, б.  [c.222]


Множители X характеризуют чувствительность двойственной функции к уровню функций-ограничений. Появление множителей kj не вызывает принципиальных затруднений при решении двойственной задачи, так как значения kj зависят от б н определяются как линейные комбинации 6к.  [c.258]

Рис. 8. Графическое решение системы линейных неравенств 1—3 — три первые неравенства (22.7) 4 — линия уровня целевой функции (22.6) 5 — положение линии целевой функции, соответствующее оптимальному решению Рис. 8. Графическое <a href="/info/95817">решение системы линейных</a> неравенств 1—3 — три первые неравенства (22.7) 4 — линия уровня <a href="/info/338">целевой функции</a> (22.6) 5 — положение линии <a href="/info/338">целевой функции</a>, соответствующее оптимальному решению
В [139] отмечается, что АЭД подземных коллекторов можно с успехом проводить даже при значительном уровне механических шумов. Однако для этого необходима соответствующая адаптация аппаратуры. В случае оптимизации частотной полосы системы измерения эмиссии можно осуществлять линейную локацию источников при расстоянии между датчиками акустической антенны 10-15 м.  [c.202]

Формулы, выражающие закон x i), z(i), справедливы, когда а / 0, т.е. когда система имеет ненулевую начальную скорость р. В этом случае зависимость х р) содержит член, линейный по р. Из-за него центр масс дрейфует" вдоль оси Ох. По вертикали центр масс колеблется около некоторого постоянного среднего значения координаты г. Вся система, не теряя среднего уровня высоты, смещается в горизонтальном направлении вправо или влево в зависимости от знака угловой скорости а.  [c.431]

Под пределом упругости понимают напряжение Сту, отвечающее столь малой остаточной деформации ер, которую в состоянии еще измерить прибор. Обычно эту деформацию принимают равной 8р=0,005%. Такой же порядок имеет остаточная деформация при определении предела пропорциональности. Строгой линейной зависимости между напряжениями и деформациями у большинства материалов нет даже при малом уровне напряжений. Остаточные деформации появляются уже при весьма малых напряжениях, и это является особенностью деформирования твердых тел . Поэтому значения предела пропорциональности и предела упругости являются функциями точности измерительных приборов и носят условный характер. На практике они определяются по допуску на остаточную деформацию. При испытаниях  [c.34]

В этом случае диссипация энергии определяется квантовым к.п.д. АЭ -10 , среднее значение которого оказывается близким к постоянной тонкой структуры а 1/137. Сценарий формирования и развития иерархии структурных уровней в конденсированных системах, согласно [15], может быть описан с помощью итерационного процесса. Его математическое выражение базируется на том, что характерные линейные размеры структурных изменений и связанные с ними длины цугов индуцированного акустического излучения являются членами геометрической прогрессии  [c.202]

Когда углерод испаряется, большая часть его атомов группируется в кластеры из 2-15-ти атомов [20], а для самых маленьких молекул углерода предпочтительна одномерная геометрия. Кластеры, содержащие до 10-ти атомов, при низких температурах в основном образуют моноциклические кольца. При очень высоких температурах такие кольца разрываются с образованием большого количества фрагментов, содержащих примерно 25 атомов углерода в виде линейных цепочек. По мере конденсации линейные цепочки должны удлиняться и становиться достаточно большими, чтобы они осаждались обратно на свои же цепочки. Стремясь к более низкому энергетическому уровню, они избавляются от лишних связей и закручиваются, образуя замкнутую структуру.  [c.55]

Пусть теперь энергия электрона соответствует одной из запрещенных зон неограниченного кристалла, т. е. k E) является комплексной величиной. Условие конечности волновой функции (7.115) в этом случае будет выполнено, если один нз коэффициентов А или Лг (в зависимости от знака мнимой части k) положить равным нулю. Тогда (7.117) и (7.118) превращаются в два линейных однородных уравнения с двумя неизвестными. Они имеют решение только при таком значении энергии, при котором определитель системы равен нулю. Все остальные значения Е запрещены. Таким образом, ограничение кристалла поверхностью приводит к тому, что в области энергии, соответствующей запрещенной зоне неограниченного кристалла, появляются разрешенные энергетические уровни. Эти состояния, локализованные вблизи поверхности, и получили название поверхностных уровней (состояний). Волновые функции, соответствующие поверхностным состояниям, экспоненциально затухают по мере удаления от поверхности. В области вакуума -ф-функция затухает монотонно, а в об-1G-221 24 f  [c.241]


Если m p=m n, то положение уровня Ферми в собственном полупроводнике не зависит от температуры и он лежит в середине запрещенной зоны. При т -рфт п энергия Е-р расположена в центре запрещенной зоны только для 7 =0К. С повышением температуры она линейно смещается к той зоне, в которой меньше эффективная масса носителей. Это иллюстрируется рис. 7.16.  [c.247]

Формулы (35.17) и (35.18) позволяют оценить зависимость населенностей уровней от параметров рассматриваемой системы и интенсивности внешнего оптического возбуждения. Населенность возбужденного уровня только при малых пив начальные моменты времени t растет линейно. При больших интенсивностях потоков эта зависимость становится нелинейной, проявляется тенденция к насыщению, рост 2 замедляется, а затем в стационарном режиме совсем прекращается. Коэффициент поглощения (35.19) при этом систематически уменьшается и в пределе при и оо стремится к нулю (рис. 35.4). Стационарный режим устанавливается, как правило, очень быстро, для электронных переходов — приблизительно за 10 с и меньше.  [c.274]

Наблюдаются линейный ход уровня н  [c.831]

Вместо двух линейных уровней, как правило, устанавливают один шаровой уровень. Тот же эффе1 в конструкциях более старого выпуска создавался с помощью струй воздуха.  [c.211]

Пример 7. Определить минимальную работу, требуемую для перекачки 100 гал/мин (378,5 л1мин) при 60 °F (289 К) несжимаемой среды из железнодорожной цистерны в бак, расположенный выше цистерны. Принять, что разность уровней между входным и выходным отверстием составляет 30 футов (9,144 м). Принять также, что линейная скорость среды и общее давление систем одинаковы для этих двух отверстий.  [c.58]

Во второй книге комплекса учебных пособий на современном научном уровне излагаются основы вычислительных методов проектирования оптимальных конструкций. Рассматриваются вопросы моделирования линейных и нелинейных систем методом конечных элементов. Показано применение метода обратных задач дннамнкп к рснлспню задач синтеза оптимальных систем сиброзащнты и стабилизации. Приводятся методы н алгоритмы построения оптимального управления колебаниями сложных динамических систем. Материал пособия иллюстрируется примерами решения задач с помощью приведенного алгоритмического и программного обеспечения.  [c.159]

Последний вопрос, о котором хотелось бы упомянуть в данном разделе,— анализ циклической долговечности при нестационарном нагружении. Обычно расчет при нестационарном нагружении базируется на различных вариантах правил линейного суммирования повреждений [99]. Первая гипотеза накопления повреждений была предложена в 1924 г. А. Пальмгреном [386] и развита А. Майнером [376]. Эта гипотеза, широко используемая до сих пор, называется гипотезой Пальмгрена—Майнера, или правилом линейного суммирования повреждений. Гипотеза Пальмгрена—Майнера утверждает, что доля поврежденности при любом уровне амплитуды нагружения пропорциональна от-  [c.134]

Принимается, что разрушение наступит при D=l. К наиболее значительным недостаткам линейной теории относится то, что она не описывает влияния очередности воздействия напряжений различных уровней и предполагает одинаковую скорость накопления повреждений при нагружении заданного уровня независимо от предыдущей истории нагружения. Экспериментальные данные показывают, что порядок приложения нагрузки на самом деле играет значительную роль и скорость накопления повреждений при заданном уровне нагружения является функ цией истории циклического нагружения [99, 360]. Например если провести испытания образцов, нагружая их цикличес кими напряжениями (деформациями) двух уровней Oi > аг причем испытать две группы образцов первая группа нагружа ется сначала напряжением ti, а затем ог, вторая — сначала Ог 1  [c.135]

Рассматривая семантику пространственно-графической модели, можно выделить те конструктивные отношения, которые актуализируются формальными процедурами тональных преобразований. Если на уровне линейной структуры изображения мы достигали выявления геометрических и формообразующих факторов, то на рассматриваемом уровне на первый 1лан выступают пространственные отношения между элементами формы.  [c.54]

КОЙ температурой в цепь усилителя вводится точный аттенюатор. На рис. 3.15 приведена блок-схема, поясняющая принцип действия метода равных сопротивлений. Как всегда в таких случаях, предварительная ступень усилителя выполнена на полевых транзисторах. Метод равных сопротивлений требует определения собственного шума усилителя, поскольку он входит в измеряемые шумовые сигналы неодинаково. Кроме того, часть усилителя, находящаяся перед аттенюатором, должна обладать высокой линейностью. Параллельно аттенюатору включается схема компенсации, которая обеспечивает равенство полосы пропускания частот для двух сигналов. Переключатель, основанный на механическом принципе, работает на частоте 30 Гц и вносит незначительные помехи в цепь усилителя. Переключатели на входе и в цепи заряда запоминающих конденсаторов работают в противофазе, что позволяет подавить наводки, связанные с переключением. Кровини и Эктис [21] измерили отношение термодинамических температур с точностью в 2-10 (на уровне За), что составляет 0,25 К при 1000 К-  [c.117]

Из уравнения (IV —(i) следует линейность закона изменения давления в жидкости по любому направлению. В частности, давление в точках, находящихся па глубине h под поверхностью уровня с давлспнсм /) , вЕяра-жастся соотношеиЕЕем -  [c.76]

При определении долговечиоети при нестационарных режимах на основании гипотезы Пальмгрена кумулятивного суммирования повреждений кривую напряжений разбивают на участки (ступени) с примерно одинаковой амплитудой напряжений. Так как характер нагружения на отдельных ступенях может быть различным, то средние напряжения на каждой ступени приводят к напряжениям мметричного цикла, эквивалентного по своему повреждающему действию. Согласно гипотезе Пальмгрена степень усталостного повреждения линейно зависит от числа циклов при данном уровне напряжений.  [c.309]


Из предположения, что число Рейнольдса, рассчитанное по диаметру трубы и максимальной окружной скорости, составляет 10 -10 , следует что интенсивность пристенной турбулентности равна 5,1-7%, т. е. она почти на порядок меньше свободной. Кроме того, линейные масштабы свободной турбулентности, по крайней мере, на порядок больше линейных масштабов пристенной турбулентности. По этой причине коэффициент диссипации для пристенной турбулентности значительно выше, чем для свободной. В результате существенно более слабая пристенная турбулентность диссипирует намного быстрее свободной. Именно по этой причине ее роль в процессе энергоразделения несущественна. Вычисляя оптимальный радиус вихревой трубы, можно анализировать лишь свободную турбулентность, трактуемую как результат взаимодействия вращающихся с различной скоростью закрученных струек газа в плоскости, перпендикулярной оси трубы. По существу, рассматривается течение в плоскости, хотя в действительности в любом сечении камеры энергоразделения вихревой трубы имеются осевые компоненты скорости. Они важны при анализе физической картины течения, обусловливая взаимодействие вихревых потоков в осевом направлении. Это взаимодействие является дополнительной причиной генерации свободной турбулентности, роль которой возрастает по мере увеличения уровня осевых скоростей в трубе, т. е. с ростом относительной доли охлахаенно-го потока ц. По этой причине эффективность энергоразделения в противоточной вихревой трубе выше, чем в прямоточной, а в про-тивоточной трубе с дополнительным потоком выше, чем в обычной противоточной разделительной вихревой трубе.  [c.177]

Опыты показывают, что в сечении камеры энергоразделения, примыкающем к сопловому вводу, коэффициент теплоотдачи в зависимости от режима работы изменяется в достаточно широком диапазоне от 1300 до 2000 Вт/(м К), что в 10—13 раз превышает значения а при турбулентном течении без закрутки [196, 208]. В сечении, примыкающем к дросселю (у раскручивающей крестовины), значение а хотя и высоко, но заметно меньше 1250 < а < 1350. Очевидно, это снижение а вызвано заметным падением уровня окружной скорости вдоль камеры энергоразделе-ния. Результаты опытов прошли тестирование численным трехмерным тепловым расчетом на режиме я = 4 и ц = 0,8 в предположении, что температура воздуха и коэффициента теплоотдачи вдоль камеры энергоразделения изменяются по линейному закону (см. рис. 6.4).  [c.286]

Задача Ж представляет собой линейную аппроксимацию задачи Д, допустимую в малой окрестности точки Zk- На рис. П.6, б сплошными линиями представлены ограничения, образующие границу допустимой области и линии равного уровня целевой функции исходной задачи Д, а пуиктИрными линиями — аппроксимирующей задачи Ж. Эта задача решается стандартными методами линейного программирования (на рис. П.6, б решение соответствует точке А). Соединяя точки 2о и А, получаем направление наилучшего движения из Zq для задачи Ж, т. е. Sq. Это направление наилучшее и в малой окрестности Zt, для задачи Д. Поэтому из Zo в направлении Sq можно совершить малый шаг и пе-  [c.249]

На рис. П.9 показана схема задачи линейного программирования, на которук> наложены условия целочисленности переменных. При пренебрежении целочислен-ностью допустимая область решений заштрихована линиями, которые одновременно являются линиями равного уровня целевой функции. Оптимальное решение в этом случае достигается в точке А. При наложении условий целочисленности Ог определяется узловыми точками пунктирной решетки , принадлежащими заштрихованной области. Точка А уже является недопустимой. Из ближайших целочисленных точек Б, В, Г, Д допустимой является только точка Д. Однако округление до точки Д неправильно, так как наилучшее решение достигается в точке . Поэтому применение линейного программирования с последующим округлением опти-Zv мального решения в данном примере недопустимо.  [c.259]

При традиционном описании процесса пластической деформации исходят из того, что существующие в кристаллах системы скольжения позволяют обеспечить его формирование без разрушения сплошности. В.Е. Паниным и др. [11] было доказано, что пластическое течение происходит одновременно на нескольких уровнях, причем трансляция на одном уровне обязательно сопровождается поворотом на более высоком уровне, и наоборот. Принципиально важным в этом подходе является то, что любое нарушение структуры кристалла при подводе к нему внешней энергии рассматривается с позиции самоорганизации локальных структур, обусловленной энтропийными эффектами. Вторичные структуры, формирующиеся в деформируемом кристалле при достижении необходимого уровня возбуждения, представляют совокупность локальных структур - от дефектов типа точечных или линейных до аморфного состояния, возникающего при высокой плотности дефектов. Таким образом, при анализе пластической деформации кристаллов необходимо учитывать кооперативное взаимодействие трансляции, ответственной за изменение формы (дисторсии), и ротации, ответственной за изменение объема (дилатации). При этом важную роль в распространении скольжения играют границы зерен. Эволюция скольжения включает образование полос скольжения на начальных этапах пластической деформации, которые потом трансформируются в полосы микроскопического сдвига, что приводит к возникновению зоны локализованной макропластической деформации, проходящей через весь объем. Переход от одного масштабного уровня (микрополосы) к другому (макротюлосы) являет собой неустойчивость пластической деформации, предопределяющую шейко-образование. Он характеризуется тем, что шменяются элементарные носители деформации - дислокации сменяются дисклинациями. Дисклинации являются более энергоемкими дефектами, чем дислокации, что позволяет системе про-  [c.241]

Опыты, оценивающие долговечность, проведенные с целью определения энергии активации процессов разрушения, заключались в следующем определяли время до разрушения образцов при заданных температуре и уровнях напряжений, поддерживаемых в процессе опыта постоянными. Для нахождения температурной и силовой зависимостей начальной энергии активации проводили массовые испытания (десятки сотен образцов) в широком диапазоне напряжений и температур при изменении долговечности различных твердых тел (в том числе полимеров) на несколько гюрядков. Эти исследования позволили установить, что семейство линейных зависимостей lgx=f(a) при разных температурах представляет собой пучок прямых, пересекаюгцихся в полюсе io=10 .  [c.263]

Исследования отклика системы на скорость движения усталостной трещины открыли возможность резкого повышения информативности опытов по механическим испытаниям при учете критических точек [3]. Процессу разрушения, как и другим неравновесным процессам, свойственны стадийность и многомасштабность. При циклическом нагружении легче всего изучать особенности разрушения на различных масштабных уровнях [32-35]. Путь к этому открыла линейная механика разрушения, так как позволила описать локальное (у края трещины) напряженное деформированное состояние. При матическом на1ружении образца с предварительно созданной трещиной трудно обеспечить ус]ювия плоской деформации на фронте трепщны. Напомним, что условия плоской деформации предполагают образование у края трещины зоны пластической деформации, пренебрежительно малой по сравнению с длиной трещины. Для этого требуется испытать крупно1абаритные образцы при пониженной температуре (в случае пластичных материалов).  [c.300]


Допустим, что электрон имеет энергию, попадаюш,ую в одну из разрешенных зон неограниченного кристалла. Для него k(E) вещественно. При этом -ф-функция (7.115) конечна для любых значений коэффициентов. Остается только выполнить условия. (7.117), (7.118), которые представляют собой два линейных уравнения с тремя неизвестными (Ль Лг, Аз). Они имеют решения при любых значениях коэффициентов, т. е. при любых значениях энергии в пределах разрешенной зоны. Это означает, что все энергетические уровни, которые являются разрешенными в неограниченном кристалле, оказываются разрешенными и в кристалле, ограниченном поверхностью.  [c.241]

Кеезом и др. [124] исследовали влияние облучения нейтронами в реакторе на теплоемкость. В образце, подвергнутом общей дозе облучения, равной 5-10 нейтронов на 1 обнаружились два эффекта а) величина 0 уменьшилась примерно на 3% и б) в пределах погрешности эксперимента линейный член в теплоемкости исчез. Последующий отжиг до 500° С не вызвал существенных изменений в низкотемпературной теплоемкости, отжиг до 780° С привел к появлению линейного электронного члена, не изменив, однако, пониженной облучением величины вд. Эти эффекты можно объяснить в рамках существующих представлений о влиянии облучения нейтронами на электрические свойства кремния (ссылки на соответствующие работы см. в [124]). Под действием облучения возникают нерегулярности решетки (свободные места и смещенные атомы), что приводит, по-видимому, к появлению новых уровней в запрещенной зоне между валентными электронами и зоной электронов проводимости. При низких температурах эти новые уровни являются ловушками для электронов проводимости и дырок, что вызывает исчезновение линейного члена в теплоемкости, появление которого связано с носителями тока (в нашем случае с дырками, так как до облучения образец принадлежал к дырочному типу). Отжиг при достаточно высокой температуре устраняет нарушения, вызванные облучением, и уменьшает количество новых уровней, что приводит снова к появлению линейной добавки к теплоемкости.  [c.347]

Вычисление восприимчивости в слабых полях является несколько более сложной задачей. Необходимо зпать ход изменения энергетических уровней с приложенным полем. Это изменение далеко не является линейным и, кроме того, зависит от ориентации поля относительно кристаллографических o eii. В качестве примера на фиг. 13 и 14 изображены схемы уровней хромовых квасцов для случаев ноля, направленного но кубической и тригональной осям. Если в единичной ячейке кристалла с различными осями симметрии имеется несколько ионов (наиример, в случае тригональ-иой симметрии), то результаты для заданного наиравления ноля должны быть усреднены но этим ионам.  [c.464]


Смотреть страницы где упоминается термин Линейные уровни : [c.114]    [c.295]    [c.353]    [c.357]    [c.13]    [c.275]    [c.214]    [c.791]    [c.70]    [c.70]    [c.73]    [c.829]    [c.831]   
Электронные спектры и строение многоатомных молекул (1969) -- [ c.27 , c.30 , c.74 , c.78 , c.160 , c.217 ]



ПОИСК



X2Yj, молекулы, линейные, симметричные влияние ангармоничности на колебательные уровни

XY3, молекулы, линейные, несимметричные влияние ангармоничности на колебательные уровни

XY3, молекулы, линейные, несимметричные уровней

XYa, молекулы, линейные, симметричные влияние ангармоничности на колебательные уровни

Ангармоничность колебаний 219 (глава колебательные уровни линейных молекул

Измеритель уровня квазипиковый шкала линейная

Линейно-изогнутые переходы схемы энергетических уровней

Линейные молекулы влияние ангармоничности на колебательные уровни

Линейные молекулы вращательные уровни энергии

Линейные молекулы типы симметрии более высоких колебательных уровней

Линейные молекулы уровни вращательные

О соотношениях между потоками энергии на различных уровнях описания структуры линейно-упругой среды

Отрицательные вращательные уровни линейных молекул

Положительные вращательные уровни линейных молекул

Увеличение линейное уровень громкости

Уровни линейных молекул

Уровни линейных молекул (схемы)

Электронно-колебательные энергии.— Электронно-колебательные волновые функции и электронно-колебательные типы симметрии.— Корреляция между электронно-колебательными уровнями плоской и неилоской равновесных конфигураций Вырожденные электронные состояния линейные молекулы

Ядерные статистики, влияние на вращательные уровни линейных молекул



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте