Разрешенные а-переходы переходы

Размножение нейтронов 311 Разрешенные а-переходы 234 [c.395]

Радиационное торможение 233 Радиационный захват 287, 327 Радиоактивность искусственная 443 Радиоактивные семейства 104, 427 Радиоактивный распад 101 Радиочастотный метод 74 Радиус атомного ядра 50—54 Размножение нейтронов 374 Разрешенные а-переходы 137 [c.718]

Правил отбора для разрешенных электрических дипольных переходов. Особенно важны правила отбора для переходов между вращательно-инверсионными состояниями. Из табл. А. 9 видно, что Мг и (Мх, Му) относятся к типам симметрии Л 2 и Е соответственно, а Г совпадает с Л". Следовательно, переходы в основных полосах типа активных в инфракрасном спектре, удовлетворяют правилам отбора А/С = 1 и Д/= О, 1, а переходы вращательно-инверсионного спектра подчиняются правилам отбора АК =0, AUi — нечетное и Л/ = О, 1. Так как состояние с Ui = 1 очень близко к состоянию с Ui = О, горячие переходы из состояния с Ui = 1 так же важны, как и переходы из основного состояния с 01 = 0. На рис. 12.10 показаны низкие вращательные уровни состояний с Ui = О, 1, 2, 3 и некоторые разрешенные в электрическом дипольном поглощении вращательно-инверсионные переходы, показанные сплошными линиями. Полосы переходов с Ui=3- 0 и 21 в инфра-. красном спектре, соответствующие полосе с U2 == 1 - О жесткой неплоской молекулы, полностью перекрываются. В микроволновом спектре поглощения активны переходы типа Ui = 0-<-l и 1- -0 три перехода такого типа указаны на рис. 12.10 эти переходы соответствуют чисто вращательным переходам в жесткой неплоской молекуле. Вращательные переходы в состояниях с ui = О или 1 запрещены, однако колебательно-вращательные [c.393]

Квантовая механика не только получила постулаты Бора и таким образом повторила результаты теории Бора — Зоммерфельда, но и дала возможность оценить интенсивность спектральных линий. Как уже было замечено, теория Бора—Зоммерфельда разрешает переходы между любым термами атома, в то время как обнаруженные в опытах спектральные линии соответствуют только строго определенным переходам. Для согласования теории с опытом приходилось искусственно вводить правила отбора, согласно которым разрешенными являются только переходы с изменением k на, Ak = и m на Ат = 0, 1. Замечательным результатом квантовой механики оказалось автоматическое получение правил отбора А/ = 1 и Ат = 0, 1, которые вытекают из вида собственных функций. [c.61]

А, В, С — разрешенные прямые межзонные переходы V. 2, — валентные зоны с — зона проводимости [c.488]

Зонная теория позволяет объяснить большие различия (на десятки порядков) значений электрической проводимости различных веществ (парафин 10 Ом-м, железо 10 Ом-м). В металлах верхняя зона разрешенных энергий не занята полностью и имеются свободные энергетические уровни, на которые могут перейти электроны проводимости. У изоляторов валентные электроны полностью заполняют верхнюю разрешенную зону, а следующая незанятая разрешенная зона отделена широкой запрещенной зоной (7—10 эВ). В полупроводниках с собственной проводимостью запрещенная зона узкая (0,1—1,0 эВ) и под действием теплового возбуждения некоторые электроны могут приобрести энергию, достаточную для перехода в свободную зону. [c.294]

Для дипольно-разрешенных вибронных переходов вероятность перехода в данное вращательно-колебательное состояние определяется величиной множителя Франка — Кондона для изменения колебательного состояния и правилом отбора А/ = 1 (или также А/ = 0) для изменения вращательного состояния. [c.103]

Усовершенствованные схемы регистрации и особенно повышение частоты модуляции в канале возбуждения до 10 МГц повысило чувствительность измерений еш,е примерно на два порядка [9.37—9.39]. Это позволило создать установку для успешного измерения усиления при вынужденном комбинационном рассеянии в предельно тонких слоях. Установка аналогична изображенной на рис. 9.15. Возбуждающий и пробный импульсы в этом случае генерируются двумя лазерами на красителях с синхронной накачкой, разность частот генераций которых на-страивается на частоту комбинационного перехода. Так как при этих измерениях не ставится задача временного разрешения, а требуется лишь высокая чувствительность регистрации усиления, то в соответствии с этим выбирается оптимальное перекрытие возбуждающего и пробного импульсов. В тонком (мономолекулярном) образце более высокочастотные импульсы возбуждения вследствие эффекта вынужденного комбинационного рассеяния ослабляются, а более низкочастотные пробные импульсы, т. е. стоксовы импульсы, усиливаются. Мешающее люминесцентное излучение может быть подавлено медленной модуляцией длины волны излучения одного из лазеров на красителях. Этот л,ример отчетливо показывает, что пикосекундные динамические методы могут также с успехом применяться для решения задач статической спектроскопии. [c.344]

Метод оптической накачки для газовых лазеров менее эффективен, чем для твердотельных. Во-первых, это связано с тем, что ширина полос поглощения у газов при рабочих давлениях в лазере определяется главным образом (Ян 300 нм) доплеровским уширением и поэтому полосы весьма узки, в отличие от широких полос в твердотельных лазерах. Поэтому попасть в резонанс труднее. Во-вторых, этим методом можно возбуждать только уровни, имеющие четность, противоположную четности основного состояния, поскольку для эффективного оптического возбуждения необходимо, чтобы между основным и возбужденным состояниями был разрешен дипольный переход. Лазерный переход также является дипольно разрешенным, поэтому нижний уровень рабочего (лазерного) перехода должен быстро обедняться за счет безызлучательных переходов в основное состояние. Такая ситуация редко реализуется в газах. И третье неудобство заключается в том, что, как правило, резонансные линии большинства газов находятся в вакуумном ультрафиолете, а в этой области, как известно, практически отсутствуют материа- [c.101]

Для двух нейтральных одинаковых атомов, находящихся в разных состояниях (т. е. А + Л ), имеет место более сильное взаимодействие, если эти два атомных состояния связаны разрешенным радиационным переходом. В этом случае [c.131]

Фиг, 4.21, Эффективное сечение неупругого электронного столкновения в зависимости от энергии выше порога (Е — АЕ). Следует отметить различный вид кривых для разрешенного перехода е -Ь N2 (X 2g) (B Su) +2е в запрещенного перехода е-Ь N2 (X 2g)N2 (С П )-Ь е. Этот вид кривых является характерным для разрешенных и запрещенных переходов. [c.160]

Атомы водорода, конечно, не имеют колебательных переходов в ИК-спектрах и спектрах КР, а первый разрешенный электронный переход из основного состояния лежит в области вакуумного ультрафиолета при 121,6 нм (а-линия Лаймана). Поэтому исследования этих атомов проводят почти исключительно при помощи метода ЭПР по характерным дублетам изотопа (ядерный спин / = /2) или триплетам дейтерия 0 (/ = 1). Постоянная взаимодействия А довольно велика (для 1420 МГц = 0,04 см"1) и почти не зависит от природы матрицы. [c.132]

В полупроводниках теоретически должно наблюдаться явление, обратное поглощению, — испускание инфракрасного излучения. Такое излучение может быть объяснено, в частности, переходом электронов из зоны проводимости на вакантные места в валентной зоне с последующей рекомбинацией электронов и дырок. Однако, собственное излучение полупроводниковых материалов, как правило, мало интенсивно. Оно наблюдается обычно в области меж-зонных переходов. Излучение германия отмечено рядом исследователей. Например, Хайне использовал чрезвычайно чувствительный прибор с большим спектральным разрешением и обнаружил два пика испускания при Х=1,52 и 1,75 мкм. В кремнии было также найдено несколько пиков излучения, причем их пытаются объяснить не меж-зонными, а собственными непрямыми переходами. [c.218]

Спектральная зависимость коэффициента поглощения К 1) в интервале длин волн 800—600 нм (кривая 2 рис. 1) построена по данным измерения пропускания пластин YIG различных толщин (100—30 мкм), вырезанных из монокристалла, а при 600—40 нм рассчитана методом Крамерса — Кронига. Как видно из рисунка, в длинноволновом диапазоне (л меньше 500 нм) имеются сравнительно слабые (7(<5Х X 10 см ) полосы поглощения они связаны с внутренними переходами в З -подоболочках ионов Fe + [1—5]. Значительное увеличение поглощения при переходе к более коротким волнам (500—200 нм) говорит о наложении на внутренние переходы разрешенной сильной полосы переноса заряда от ионов кислорода к Fe +. В области наиболее сильного поглощения (/( 10 см ) могут иметь место межзонные переходы в s-зоны железа и иттрия. [c.150]

На рис. 6.8 представлена общая схема участвующих в генерации энергетических уровней лазеров этого типа. Переход g- ->2 является разрешенным, а переход ->1 электродипольно запрещен. Таким образом, пользуясь борновским приближением, мы вправе ожидать, что сечение перехода g- 2 за счет электронного удара значительно больше, чем сечение перехода ->1. Чтобы создать достаточную населенность верхнего лазерного уровня, высокая, как правило, скорость излучательного перехода 2- g должна быть уменьшена до значения, сравнимого со скоростью излучательного перехода 2-> 1. Это означает, что плотность атомов должна быть достаточно высокой, чтобы стал возможным захват излучения на переходе 2-=>-g. Заметим, что поскольку переход - g является запрещенным, лазер мо- [c.350]

Подтверждение правила отбора (II, 31) для некоторых точечных групп может быть получено из рассмотрения свойств симметрии. Это относится к таким точечным группам, как/>2 1 Dih, /Лл,Для которых только четные обертоны деформационного колебания имеют полносимметричные составляющие. Следовательно, только четные или только нечетные колебательные уровни могут комбинировать с данным уровнем другого электронного состояния. В таких случаях правило отбора (11,31) остается строгим, даже если принимать во внимание более тонкие взаимодействия. (Запрещенные компоненты разрешенных электронных переходов рассмотрены в разд. 2,6, р.) В других точечных группах (например, Г7зв, T ,. ..) все обертоны вырожденных колебаний имеют по крайней мере по одной полносимметричной составляющей (см. [23], табл. 32), и свойства симметрии допускают возможность перехода на какой-либо полносимметричный уровень другого электронного состояния как при четных, так и при нечетных значениях г следовательно, правило (11,31) не является строгим. Однако во всех случаях переходы 1—О (или О—1) по вырожденному колебанию запрещены из соображений симметрии, и правило (11,31) справедливо в весьма высоком приближении. Как и для антисимметричных колебаний, сммуарная интенсивность всех переходов с Ау О для вырожденных колебаний очень мала по сравнению с интенсивностью переходов с Ау = О даже при весьма сильном различии частот колебания в обоих состояниях. [c.154]

Разрешенные мсжкопфигурациолныо переходы 41"—5(1 наблюдаются в спектрах двузарядных редкоземельных иопов ТИ (см. обзоры [3, 15]), а также Се [13] в кристаллах. Редкоземельному иону в состояниях и 5с1 отвечают — из-за разного взаимодействия иона с окружением — различные равновесные положения соседних ионов решетки. Благодаря этому электронный (1-переход в ТВ сильно взаимодействует с решеткой п Г—(1-полосы в спектрах имеют отчетливо-выраженный электронно-колебательный характер [2, 3, 13, 15, 89, 90]. В настоящей заметке производится сравнение колебательной структуры f—(1-нолос, наблюдавшихся [13, 19, 20] в спектрах ряда редкоземельных ионов в кристаллах щелочноземолышх фторидов, которое выявляет взаимодействие электронного перехода с различными колебаниями кристалла. [c.118]

ПЕРЕХОД от ДЛИН ВОЛН К ВОЛНОВЫМ ЧИСЛАМ, Иногда желательно представлять спектры в шкале волновых чисел (v), а не в шкале длин волн (А). Длины волн легко перевести в волновые числа, просто взяв обратные величины, Однако, когда данные получены с постоянным разрешением в длинах волн, что обычно бывает в случЕю использования решеточных монохроматоров, интервал волновых чисел непостоянен. Например, рассмотрим постоянный интервал Аа = Ад -Aj, где Aj и Аз - длины волн по обо стороны максимума испускания (рис. 2,12). При 300 нм интервал (АА) в 2 нм эквивалентен 222 см При ROO нм тот же интервал эквивалентен разрешению Ау - = 55 см" . Следовательно, при увеличении длины волны интервал в обратных сантиметрах уменьшается пропорционально квадрату длины волны. Таким образом, если спектры получены в обычной форме, т, е. в интервале д/шн волн, при переходе к шкале волновых чисел надо каждое значение интенсивности умножить иа А [c.53]

Каждый из них характеризуется своими правилами отбора для разрешенных переходов. В первом и втором вариантах разрешенными являются переходы, удовлетворяющие правилам отбора Ферми, в третьем и четвертом— правилам отбора Гамо-ва — Теллера. Пятый вариант для описания разрешенных переходов непригоден, так как для него разрешенными являются переходы, при которых А/ = О, а четность меняется. [c.157]

Вторая часть теории р-распада основывается на известном (из первой части) Р-распадном взаимодействии для отдельных нуклонов. Целью этой части является углубление знаний о структуре ядра. Для этой части интересны не разрешенные, а, наоборот, запрещенные переходы и вообш,е всевозможные отклонения характеристик распадов отдельных ядер от соответствующих характеристик распада свободного нуклона. Например, О — 0-переход [c.253]

По форме ОДР могут быть плоскими, сферическими или асферическими. Вогнутые ОДР могут использоваться одноврем. в качестве диспергирующего и фокусирующего элементов. Для снижения значит, аберраций, возникающих при скользящем падении, применяют особые схемы расположения источника, решётки и детектора (напр., дли сферич. решётки — схема Роуланда см. Рентгеновская спектральная аппаратура), а также переходят к асферич. форме подложки (тороидальной, эллиптической или более высокого порядка). Для получения стигматич. изображений используют также перем. шаг и кривизну штрихов, при этом могут быть построены весьма светосильные ОДР, дающие спектральные изображения с разрешением к/Ак 10°—10 [предельное разрешение обычных сферич. решёток с регулярными прямолинейными штрихами не превышает (2—3)-10 J. [c.349]

Время Т2 оптической дефазировки зависит от температуры. Оно увеличивается при ее понижении. Но даже при температуре кипения жидкого гелия 4,2 К это время для примесных центров остается примерно на один-два порядка меньше, чем время Т. Последнее называется временем энергетической релаксации, так как определяет скорость релаксации диагональных элементов матрицы плотности, т. е. населенности возбужденного электронного уровня. Для дипольно разрешенных оптических переходов Т имеет порядок нескольких наносекунд, а Т2 — нескольких десятков пикосекунд. [c.98]

Посмотрим теперь, что происходит, когда на молекулу действует электромагнитное излучение. Прежде всего папомппм, что правила отбора требуют, чтобы А5 = 0. Следовательно, син-глет-синглетные переходы являются разрешенными, а синглет-триплетные—запрещенными. Поэтому благодаря взаимодействию с электромагнитным излучением молекула может перейти из основного состояния 5о на один из колебательных уровней состояния Si. Поскольку вращательные и колебательные уровни являются неразрешенными, спектр поглощения будет представлять собой широкий бесструктурный переход, что и видим на рис. 6.29 для родамина 6G. Важная особенность красителей состоит в том, что они имеют чрезвычайно большую величину ди-польного матричного элемента ц. Это объясняется тем, что л-электроны свободно движутся на расстояниях, сравнимых с размером молекулы а, а поскольку а — достаточно большая величина, ц также велико (ц еа). Отсюда следует, что сечение поглощения а, которое пропорционально также велико ( 10 см ). Молекула в возбужденном состоянии релакси-рует за очень короткое время (безызлучательная релаксация, Тбезызл 10 с) на самый нижний колебательный уровеньсостояния 5ь С этого уровня она совершает излучательный переход на некоторый колебательный уровень состояния So (флуоресценция). Вероятность перехода определяется соответствую- [c.390]

Теория пограничного слоя показала нам, что при движении твёрдого тела в вязкой жидкости при больших числах Рейнольдса возможен при известных условиях отрыв от тела вихрей. Мы уже указывали на большое значение этого обстоятельства для обоснования тех схем движения тела в идеальной жидкости, в которых существенное значение имеет наличие вихрей или вихревых слоёв (как. например, схема вихревых дорожек Кармана). Однако во всех таких схемах имеется известная доля произвола. Чтобы избавиться от этого произвола, следовало бы, рассматривая движение какого-либо тела в жидкости, решить такую задачу проинтегрировать точные уравнения гидромеханики вязкой жидкости, а затем в полученных интегралах перейти к пределу, устремив к нулю. Ничто не заставляет нас ожидать, что при этом получится как раз движение тела в идеальной жидкости, так как мы многократно уже указывали на то, что различный характер движений в вязкой и идеальной жидкостях определяется не только и не столько различием вида уравнений, сколько различием граничных условий. Задача в таком виде была поставлена Осееном, который в своих исследованиях сделал и первые шаги к её разрешению, совершив предельный переход для упрощённой системы уравнений движения вязкой жидкости. [c.632]

К основным видам соединения путей относятся съезды, соединяющие два смежных пути (рис. 43, а), и стрелочные улиц ы, соединяющие ряд параллельных путей станционного парка (рис. 43, б). На железнодорожных узлах и станциях, к которым примыкают линии с другой шириной колеи, нли при необходимости временно на определенном протяжении закрыть движение по одному из путей двухпутного участка и в некоторых других случаях применяют сплетение путей (рис. 43, в, г). Сплетение в средней части состоит из участка совмещенных путей Л, а по концам — из двух путевых устройств Б, обеспечивающих переход от обычных двухниточных путей к совмещенным трех-или четырехниточным путям. На участке с трехниточным совмещением путей одна из трех рельсовых нитей является общей для той и другой колеи. При четырехниточном совмещении каждая колея имеет свои рельсовые нити. Устройство сплетений главных и при-емо-отправочных путей допускается только с разрешения МПС, а на прочих станционных путях — с разрешения начальника дороги (ПТЭ, п. 3.33). [c.75]

Так, вероятность магнитных переходов (когда при излучении меняется магпитный момент атома) меньше, чем вероятность электрич. переходов (происходящих при изменении электрич. момента атома) той же мультипольности во столько раз, во сколько квадрат скорости электрона в атоме меньше квадрата скорости света. Каждый следующий порядок электрич. или магнитной мультипольности понижает вероятность перехода в отношении квадрата размеров атома к квадрату длины волны испускаемого света, т. е. примерно в 108 раз. Наиболее вероятным является, таким образом, электрич. дипольный переход, который не зависит от обоих названных выше малых сомножителей. Это — разрешенный переход электрич. квадрупольный переход — единожды запрещенный и т. д. Электрич. дипольный квант имеет момент, равный 1, и является нечетным. Одноэлектронные состояния атома (один электрон сверх заполненной оболочки) — четны при четном азимутальном квантовом числе I и нечетны при нечетном I. Отсюда следует для I О. п. AI = 1. Если азимутальное квантовое число меняется на 1, то магнитное квантовое число может меняться на О или на 1. Первый случай относится к квантам, поляризованным по оси квантования момента, второй и третий соответственно — к правой и левой поляризации, перпендикулярной оси квантования. Когда момент количества движения атома определяется не одним электроном, а векторной суммой моментов нескольких электронов L, то О. п. гласит Ai = О, 1 при обязательном условии изменения четности состояния атома. [c.548]

Если разрешенная компонента перехода У — X слаба, а смешивание состояний У и Z связано с сильным электронно-колебательным взаимодействием, то может случиться, что запрещенная компонента перехода Y — X будет интенсивнее, чем разрешенная. Именно так обстоит дело в системе полос поглощения нафталина около 3200 А, которая связана с переходом Как было показано Крейгом, Холласом, Редисом и Уэйтом [253], запрещенные полосы с компонентой в 10 раз интенсивнее разрешенных полос с компонентой Му (г/ и z — соответственно длинная и короткая оси в плоскости молекулы). Более подробное теоретическое рассмотрение запрещенных компонент разрешенных электронных переходов можно найти в работе Альбрехта [52]. [c.141]

Если запрещепиьп" электронный переход становится возможным только из-за сво11ств симметрии электронных волновых функций, как это имеет место в случае магнитных дипольных и электрических квадрунольных переходов (разд. 1,6, а) или в случае интеркомбинационных переходов (разд. 1,6, Р), то, как и раньше, момент перехода можно разделить на две части. Одна из них (Ле е") зависит только от электронных волновых функций, а другая часть (/ ") — только от колебательных волновых функций. Колебательная часть ЛоЧ" точно такая л е, как и для разрешенных электронных переходов, и, следовательно, колебательная структура этих запрещенных электронных переходов тоже точно такая же. Однако совершенно по-другому обстоит дело, если запрещенный электронный переход становится возможным благодаря электронно-колебательному взаимодействию (разд. 1,6, 7). Поэтому только такие переходы и следует рассмотреть особо. [c.173]

Важно отметить, что в отличие от разрешенного электронного перехода расстояние между первой горячей полосой и первой полосой главной прогрессии в случае запрещенного перехода пе соответствует частоте колебания в основном состоянии, а равно сумме частот антисимметричного колебания в верхнем и нижнем состояниях (v g + v ). Обратно, если разность частот первой полосы главной прогрессии и первой горячей полосы не совпадает с частотой какого-либо колебания в основном состоянии, то это является очень веским доказательством того, что рассматриваемый переход запрещен как чисто электронный переход. Можно еще добавить, что переходы, показанные на фиг. 69 пунктиром, строго запрещенные в случае перехода А2 — Ai для электрического дипольного излучения, могут происходить (с чрезвычайно малой интенсивностью) для магнитного дипольного излучения (ср. пример молекулы Н2СО, рассмотренный на стр. 270). [c.177]

Смотреть страницы где упоминается термин Разрешенные а-переходы переходы : [c.32] [c.176] [c.557] [c.137] [c.181] [c.273] [c.201] [c.394] [c.40] [c.71] [c.321] [c.351] [c.352] [c.353] [c.359] [c.394] [c.143] [c.543] [c.522] [c.128] [c.137] [c.151]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...