Межзонные переходы прямые

При моделировании упомянутых деформаций [32—34] основное внимание уделялось их воздействию на диэлектрические свойства нитридов. Согласно [32, 33], планарное сжатие—растяжение (в пределах 5 %) для ОаП не меняет тип межзонных переходов (прямая ЗЩ в точке Г, рис. 2.2), но величина щели непосредственно зависит от вектора деформации. [c.37]

Межзонное рекомбинационное излучение. Выше отмечалось, что поглощение света полупроводником может привести к образованию электрона в зоне проводимости и дырки в валентной зоне. Если межзонный переход является прямым, то волновые векторы этих носителей заряда одинаковы к —к. Образовавшиеся свободные носители заряда участвуют в процессах рассеяния, в результате чего за время релаксации —10 с) электрон опускается на дно зоны проводимости, а дырка поднимается к потолку валентной зоны. При их рекомбинации генерируется фотон, т. е. возникает излучение света. Переходы электронов из зоны проводимости в валентную зону могут быть прямыми и непрямыми (так же как переходы при поглощении света). Прямой излуча-тельный переход изображен на рис. 9.7. [c.314]

А, В, С — разрешенные прямые межзонные переходы V. 2, — валентные зоны с — зона проводимости [c.488]

Механизмы поглощения в полупроводнике могут быть различными. В одних случаях оно связано с межзонными переходами, когда электрон валентной зоны при поглощении кванта энергии hv переходит в зону проводимости. Возможны прямые и непрямые переходы. При прямых переходах hv > где [c.225]

Определить особенности Ван-Хова [35] для прямых межзонных переходов между этими зонами. Определить форму мнимой части диэлектрической проницаемости 8 около каждой из этих особенностей, предполагая, что переходы являются разрешенными. Схематически изобразить энергетический спектр. [c.89]

Определить зависимость матричного элемента р для прямых межзонных переходов в окрестности ft==0 для полупроводника со структурой сфалерита, рассмотренного в задаче 15.14. Использовать двухзонную модель. [c.89]

Рассмотреть критическую точку минимума Мо для прямых межзонных переходов, предполагая, что параболическое разложение плотности состояний вблизи Л1о справедливо вплоть до значений энергии, равных бесконечности, и что матричные элементы р постоянны. [c.89]

Рис. 15.21.1. Контур интегрирования, используемый для расчета вещественной части диэлектрической проницаемости в окрестности особенности Ван-Хова для прямых разрешенных межзонных переходов

Более точным методом для определения особых точек зонной структуры кристаллов при изменении температуры является модуляционная спектроскопия отражения [5.12]. При спектральном сканировании особые точки (типа прямых межзонных переходов) проявляются в спектре в виде пиков отражения, относительная величина которых составляет AR/R Ширина пиков отражения увеличивается от [c.116]

Если 1Ф а, то такие квантовые переходы без изменения волнового вектора называются межзонными прямыми (или вертикальными) переходами. При межзонных переходах вследствие ортогональности функций и ка матричные элементы (42.15а) еще более упрощаются [c.302]

Рассмотрим среднее значение тока, обусловленное поглощением света при прямом межзонном переходе из валентной зоны [c.302]

Рис. 53. Схема прямых ((Оо) и непрямых (со1, (Ог) межзонных переходов при низкой температуре.

Собственное поглощение. Оно связано с переходами электронов из валентной зоны в зону проводимости. Выше уже отмечалось, что в идеальном полупроводнике при 7 = 0К валентная зона заполнена электронами полностью, так что переходы электронов под действием возбуждения в состояние с большей энергией в этой же зоне невозможны. Единственно возможным процессом здесь является поглощение фотона с энергией, достаточной для переброса электронов через запрещенную зону. В результате этого в зоне проводимости появляется свободный электрон, а в валентной зоне—дырка. Если к кристаллу приложить электрическое поле, то образовавшиеся в результате поглощения света свободные носители заряда приходят в движение, т. е. возникает фотопроводимость. Таким образом, для фотонов с энергией hvдлин волн (т. е. больших hv) имеет место сплошной спектр интенсивного поглощения, ограниченный более или менее крутым краем поглощения при hvинфракрасной области спектра. В зависимости от структуры энергетических зон межзонное поглощение может быть связано с прямыми или непрямыми оптическими переходами. [c.307]

В полупроводниках со сложным строением энергетических зон возможны непрямые переходы электронов из зоны проводимости в валентную зону, сопровождающиеся излучением фотона. В этом случае рекомбинация свободного электрона и дырки идет с участием фонона, что обеспечивает сохранение квазиимпульса. Наиболее вероятно излучение фонона. Если в полупроводнике протекают как прямые, так и непрямые процессы межзонной рекомбинации, то в спектре излучения наблюдается две полосы люминесценции. [c.315]

Переход электрона из зоны проводимости на свободный уровень валентной зоны (рис. 8.3, а) называют прямой или межзонной рекомбинацией. Для ее осуществления необходимо, чтобы электрон и дырка одновременно находились в одном и том же месте полупроводника [c.61]

Последний применен для описания Ga Ali N (х - 0 0,25 0,5 0,75 1) в [94]. С помощью метода ЛМТО-сильной связи оценивались энергии формирования (Е ) ТР, рассчитаны энергетические спектры, величины прямых (Г—Г) и непрямых (Г—X) переходов, решеточные постоянные, модули упругости, рассмотрены эффекты релаксации. Согласно [94], изменение типа межзонного перехода (прямой—непрямой) происходит при х 0,42. ) раствора составляет незначительную положительную величину ( 15— 20 мэВ/атом) и имеет параболическую концентрационную зависимость. С использованием техники расширенного кластера [106] оценивался предел смешиваемости при образовании неупорядоченных ТР. Установлено, что при типичных температурах синтеза данных систем (/ 600 °С) могут быть достигнуты полная растворимость компонентов и образование неограниченного ТР. [c.60]

Рис. 5.7. Производная dT/dX в области края поглощения кристалла полуизолирующего арсенида галлия. Длина волны, соответствующая краю прямых межзонных переходов, равна 875 нм

Рис. 5.7. Производная dT/dX в области <a href="/info/191840">края поглощения</a> кристалла полуизолирующего <a href="/info/189661">арсенида галлия</a>. <a href="/info/12500">Длина волны</a>, соответствующая краю прямых межзонных переходов, равна 875 нм

Вероятность непрямых межзонных переходов значительно меньше вероятностей прямых переходов. Поэтому при их вычислениях можно пользоваться теорией возмущений. В теории возмущений фотопереходы из начального состояния и, в конечное состояние с, кх) выступают как процессы второго порядка, осуществляемые через промежуточные состояния типа с, к). [c.306]

См. приложение 3, где дано доказательство применимости этой теоремы к полуклас- сическому движению. С точки зрения квантовой механики инертность заполненных зон прямо следует пз принципа Паули плотность в фазовом пространстве не может возрастать, если каждый уровень содержит максимальное число электронов, допускаемое принципом Паули кроме того, если запрещены межзонные переходы, она не может и уменьшаться, поскольку число электронов на уровне может понизиться только при наличии в зоне частично заполненных уровней, на которые способны перейти эти электроны. Для доказательства логической непротиворечивости следует, однако, продемонстрировать, что подобный вывод непосредственно следует и из самих полуклассических уравнений движения, не прибегая к более фундаментальной квантовой теории, вместо которой мы пользуемся этой моделью. [c.225]

Точнее, они называются прямыми межзонными переходами. Анализ оптических данных обычно затруднен из-за возможности непрямых межзонных переходов, при которых волновой вектор к электрона не сохраняется, и избыточны квазиимпульс уносится квантованным колебанием решетки (фононом). Поскольку энергии фононов гораздо меньше энергий оптических фотонов в моновалентных металлах (гл. 23 и 24), наши обш,ие выводы не очень чувствительны к возможности непрямых переходов, и мы будем пренебрегать ими. Их, однако, нельзя игнорировать в более точной количественной теории. [c.294]

Рис, 5. Туннельные явления в р — п-переходе а — межзонное туннелирование б — зонная диаграмма туннельного диода в — прямая ветвь ВАХ туннельного диода (г — полная плотность тока, 2 — нетуннельная составляющая) г — комбинация термического (2) и туннельного (2) переходов с участием примесного уровня д — возможные варианты генерации 1 — термическая (многофононная) 2 — туннельная (бес юнокная) з—туннелирование с поглощением [c.643]

ЛИШЬ при применении третьего метода возбуждения, т. е. при накачке посредством инжещии носителей заряда. Используется полупроводниковый диод, имеющий р, п-переход. При достаточно высоком легировании высота образующегося на границе перехода потенциального барьера может стать больше ширины запрещенной зоны (рис. 2.21, а) тогда в п-области уровень Ферми находится в зоне проводимости, а в р-области — в валентной зоне. При приложении к полупроводниковому диоду напряжения и носители заряда, проходя через р, п-переход, должны преодолеть дополнительный энергетический барьер eU это означает, что энергии уровней Ферми в обеих областях различаются на величину eU. В зависимости от знака приложенной к переходу разности потенциалов высота потенциального барьера у перехода может уменьшаться или увеличиваться. На рис. 2.21, б показано действие прямого напряжения, вызывающее уменьшение высоты потенциального барьера. Происходит усиленное проникновение электронов и дырок через переходный слой, т. е. имеет место инжекция носителей заряда. Предположим, что выравнивание населенностей между зоной проводимости и валентной зоной через межзонные процессы релаксации происходит медленнее, чем идет пополнение носителями заряда. Тогда неравновесная электронная населенность в переходном слое должна опять характеризоваться квазиуров- [c.87]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...